JP2005018975A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. 磁気記録に使用される薄膜層構造において、
   アモルファス構造を有するCrTiAlのプレシード層と、
   前記プレシード層上に形成されたシード層と、
   前記シード層上に形成された下地層と、
   前記下地層上に形成された磁性層と、
   を有することを特徴とする薄膜層構造。
2. 前記シード層はRuAl層であり、該RuAl層は結晶学的B2構造を有することを特徴とする請求項１記載の薄膜層構造。
3. 前記プレシード層は約５〜２０原子％のアルミニウムを含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜層構造。
4. 前記プレシード層は円周テクスチャ処理された非金属基板の上に堆積されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜層構造。
5. 基板と、
   該基板上に堆積されたCrTiAl層と、
   該CrTiAl層上に堆積されたRuAl層と、
   該RuAl層上に設けられた少なくとも１個の下地層と、
   該下地層上に設けられた少なくとも１個の磁性層と、
   を有することを特徴とする薄膜磁気記憶媒体。
6. 前記CrTiAl層は約５〜２０原子％のアルミニウムを含むことを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気記憶媒体。
7. 前記CrTiAl層は約５〜２０原子％のアルミニウムを含み、残余がほぼ等しい原子百分率
   のクロム及びチタンであることを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気記憶媒体。
8. 前記RuAl層は結晶学的B2構造を有することを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気記憶媒体。
9. 前記CrTiAl層の厚さは約１０〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気記憶媒体。
10. 基板上にCrTiAl層を堆積する工程と、
    該CrTiAl層上にRuAl層を堆積する工程と、
    該RuAl層上に、少なくとも１個の磁性層を含む複数個の層を堆積する工程と、
    を含むことを特徴とする薄膜磁気記憶媒体を製作する方法。
11. 前記CrTiAl層は約５〜２０原子％のアルミニウムを含むことを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気記憶媒体を製作する方法。
12. 前記CrTiAl層は約５〜２０原子％のアルミニウムを含み、残余がほぼ等しい原子百分率
    のクロム及びチタンであることを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気記憶媒体を製作す
    る方法。
13. 前記RuAlは結晶学的B2構造を有することを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気記憶媒体を製作する方法。
14. 前記CrTiAl層は厚さが約１０〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気記憶媒体を製作する方法。
15. 読取りおよび書込みヘッドを含む磁気変換器と、
    スピンドルと、
    該スピンドルに装着された薄膜磁気ディスクと、を有し、
    前記薄膜磁気ディスクはCrTiAl層と、前記CrTiAl層上に形成されたRuAl層と、前記RuAl層上に形成された少なくとも１個の磁性層を含むことを特徴とするディスク・ドライブ。
16. 前記CrTiAl層は約５〜２０原子％のアルミニウムを含むことを特徴とする請求項１５記載のディスク・ドライブ。
17. 前記CrTiAl層は約５〜２０原子％のアルミニウムを含み、残余がほぼ等しい原子百分率
    のクロム及びチタンであることを特徴とする請求項１５記載のディスク・ドライブ。
18. 前記RuAl層は結晶学的B2構造を有することを特徴とする請求項１５記載のディスク・ドライブ。
19. 前記CrTiAl層は厚さが約１０〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項１５記載のディスク・ドライブ。