JP2001143250A - 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - Google Patents
磁気記録媒体及び磁気記憶装置Info
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- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は磁気記録媒体及び磁気記憶装置に関
し、下地層のテクスチャの向上と、磁性層の粒子サイズ
及び粒子サイズ分布の向上を同時に実現可能として、磁
気記録媒体のＳＮＲの更なる改善を可能とすることを目
的とする。 【解決手段】 基板と、Ｃｏ又はＣｏ系の合金からなる
磁性層と、基板と磁性層との間に設けられた下地層とを
備え、下地層は、ＦＣＣＬ１2 又はＦＣＴＬ１0結晶構
造を有する規則金属間材料からなるように構成する。
し、下地層のテクスチャの向上と、磁性層の粒子サイズ
及び粒子サイズ分布の向上を同時に実現可能として、磁
気記録媒体のＳＮＲの更なる改善を可能とすることを目
的とする。 【解決手段】 基板と、Ｃｏ又はＣｏ系の合金からなる
磁性層と、基板と磁性層との間に設けられた下地層とを
備え、下地層は、ＦＣＣＬ１2 又はＦＣＴＬ１0結晶構
造を有する規則金属間材料からなるように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体及び磁
気記憶装置に係り、特に、高密度水平記録に適した水平
磁気記録媒体及び磁気記憶装置に関する。
気記憶装置に係り、特に、高密度水平記録に適した水平
磁気記録媒体及び磁気記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク等の水平磁気記録媒体の記
録密度は、媒体ノイズの低減及び磁気抵抗効果型ヘッド
及び高感度スピンバルブヘッドの開発により、著しく増
大した。代表的な磁気記録媒体は、基板と、シード層
と、下地層と、情報が書き込まれる磁性層と、Ｃ又はダ
イヤモンドライクＣ（ＤＬＣ）からなる上側層と、有機
物潤滑剤層とがこの順序で積層された構造を有する。例
えば、下地層はＣｒ又はＣｒ系の合金からなり、磁性層
はＣｏＣｒ系の合金からなる。
録密度は、媒体ノイズの低減及び磁気抵抗効果型ヘッド
及び高感度スピンバルブヘッドの開発により、著しく増
大した。代表的な磁気記録媒体は、基板と、シード層
と、下地層と、情報が書き込まれる磁性層と、Ｃ又はダ
イヤモンドライクＣ（ＤＬＣ）からなる上側層と、有機
物潤滑剤層とがこの順序で積層された構造を有する。例
えば、下地層はＣｒ又はＣｒ系の合金からなり、磁性層
はＣｏＣｒ系の合金からなる。
【０００３】媒体ノイズは、粒子間の交換結合を減少さ
せ、磁性層を構成するＣｏＣｒ系の合金のＣｒ偏析を促
進させることで低減可能である。又、媒体ノイズを低減
するには、磁性層の粒子サイズ及び粒子サイズ分布を減
少させる必要があり、これは例えば下地層の膜厚を減少
させることで実現できる。現在の磁気記録媒体では、Ｃ
ｒＭｏ，ＣｒＴｉＢ，ＮｉＡｌ等からなる下地層が用い
られている。
せ、磁性層を構成するＣｏＣｒ系の合金のＣｒ偏析を促
進させることで低減可能である。又、媒体ノイズを低減
するには、磁性層の粒子サイズ及び粒子サイズ分布を減
少させる必要があり、これは例えば下地層の膜厚を減少
させることで実現できる。現在の磁気記録媒体では、Ｃ
ｒＭｏ，ＣｒＴｉＢ，ＮｉＡｌ等からなる下地層が用い
られている。
【０００４】上記下地層は、磁性層の残留磁化及びビッ
トの熱安定性を増加させる面内での結晶軸（磁気異方性
軸）の配向を促進する。ＮｉＡｌ，ＦｅＡｌ等の、ガラ
ス基板上に成長されると（２１１）面のテクスチャを持
つＢ２結晶構造を有する下地層では、良好な特性が実現
されている。
トの熱安定性を増加させる面内での結晶軸（磁気異方性
軸）の配向を促進する。ＮｉＡｌ，ＦｅＡｌ等の、ガラ
ス基板上に成長されると（２１１）面のテクスチャを持
つＢ２結晶構造を有する下地層では、良好な特性が実現
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＮｉＡｌ，Ｆ
ｅＡｌ等のＢ２結晶構造を有する下地層の場合、下地層
が成長される際の（２１１）面のテクスチャが弱い。こ
のため、ＮｉＡｌ，ＦｅＡｌ等のＢ２結晶構造を有する
下地層の（２１１）面のテクスチャを向上して十分に高
い媒体保磁力を得るためには、Ｃｒ系合金をＮｉＰ層上
に形成する場合と比べると、下地層の膜厚を増加させる
必要があった。この結果、下地層の膜厚を減少させるこ
とで磁性層の粒子サイズ及び粒子サイズ分布を制御する
のには限界があり、磁気記録媒体の信号対雑音比（ＳＮ
Ｒ）を更に改善するのは難しいという問題があった。
ｅＡｌ等のＢ２結晶構造を有する下地層の場合、下地層
が成長される際の（２１１）面のテクスチャが弱い。こ
のため、ＮｉＡｌ，ＦｅＡｌ等のＢ２結晶構造を有する
下地層の（２１１）面のテクスチャを向上して十分に高
い媒体保磁力を得るためには、Ｃｒ系合金をＮｉＰ層上
に形成する場合と比べると、下地層の膜厚を増加させる
必要があった。この結果、下地層の膜厚を減少させるこ
とで磁性層の粒子サイズ及び粒子サイズ分布を制御する
のには限界があり、磁気記録媒体の信号対雑音比（ＳＮ
Ｒ）を更に改善するのは難しいという問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、基板と、
Ｃｏ又はＣｏ系の合金からなる磁性層と、該基板と該磁
性層との間に設けられた下地層とを備え、該下地層は、
ＦＣＣＬ１2 又はＦＣＴＬ１0 結晶構造を有する規則金
属間材料からなる磁気記録媒体によって達成できる。
Ｃｏ又はＣｏ系の合金からなる磁性層と、該基板と該磁
性層との間に設けられた下地層とを備え、該下地層は、
ＦＣＣＬ１2 又はＦＣＴＬ１0 結晶構造を有する規則金
属間材料からなる磁気記録媒体によって達成できる。
【０００７】又、上記の課題は、基板と、Ｘ＝Ｂ，Ｍ
ｏ，Ｔａ，Ｗ及びこれらの合金とすると、ＣｏＣｒＰｔ
−Ｘ系の合金からなり、５〜３０ｎｍの膜厚を有する磁
性層と、該基板と該磁性層との間に設けられた下地層と
を備え、該下地層は、ＦＣＣＬ１2 又はＦＣＴＬ１0 結
晶構造を有する規則金属間材料からなり、５〜１００ｎ
ｍの膜厚を有する磁気記録媒体によっても達成できる。
ｏ，Ｔａ，Ｗ及びこれらの合金とすると、ＣｏＣｒＰｔ
−Ｘ系の合金からなり、５〜３０ｎｍの膜厚を有する磁
性層と、該基板と該磁性層との間に設けられた下地層と
を備え、該下地層は、ＦＣＣＬ１2 又はＦＣＴＬ１0 結
晶構造を有する規則金属間材料からなり、５〜１００ｎ
ｍの膜厚を有する磁気記録媒体によっても達成できる。
【０００８】前記下地層は、ＦＣＣＬ１2 結晶構造を有
し、Ａｌ5 ＣｕＺｒ2 ，Ａｌ5 ＣｕＨｆ2 ，（ＡｌＣ
ｒ）3 Ｔｉ，Ａｌ67Ｃｒ8 Ｔｉ25，Ａｌ5 ＮｉＺｒ2 ，
Ａｌ5ＣｕＴｉ2 ，Ａｌ5 ＮｉＮｂ2 ，Ａｌ30Ｄｙ7 Ｈ
ｆ3 ，Ａｌ30Ｄｙ7 Ｚｒ3 ，Ａｌ3 Ｅｒ，Ａｌ15ＨｆＨ
ｏ4 ，Ａｌ60Ｈｆ7 Ｔｂ13からなるグループから選択さ
れた材料からなる構成であっても良い。
し、Ａｌ5 ＣｕＺｒ2 ，Ａｌ5 ＣｕＨｆ2 ，（ＡｌＣ
ｒ）3 Ｔｉ，Ａｌ67Ｃｒ8 Ｔｉ25，Ａｌ5 ＮｉＺｒ2 ，
Ａｌ5ＣｕＴｉ2 ，Ａｌ5 ＮｉＮｂ2 ，Ａｌ30Ｄｙ7 Ｈ
ｆ3 ，Ａｌ30Ｄｙ7 Ｚｒ3 ，Ａｌ3 Ｅｒ，Ａｌ15ＨｆＨ
ｏ4 ，Ａｌ60Ｈｆ7 Ｔｂ13からなるグループから選択さ
れた材料からなる構成であっても良い。
【０００９】前記下地層は、ＦＣＴＬ１0 結晶構造を有
するγ−ＴｉＡｌからなる構成であっても良い。前記下
地層は、Ｂ，Ｃｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｔａ，Ｔｉ，
Ｖ，Ｚｒ又はこれらの合金から選択された少なくとも１
つの要素を含む合金からなる構成であっても良い。
するγ−ＴｉＡｌからなる構成であっても良い。前記下
地層は、Ｂ，Ｃｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｔａ，Ｔｉ，
Ｖ，Ｚｒ又はこれらの合金から選択された少なくとも１
つの要素を含む合金からなる構成であっても良い。
【００１０】前記下地層は、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｍｎ，
Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈから
なりＦＣＴＬ１0 結晶構造をＦＣＣＬ１2 結晶構造とす
るグループから選択された要素を含む、実質的に正方晶
系のＡｌ3 Ｔｉの合金からなる構成であっても良い。前
記下地層は、３．９Å≦ａ≦４．３Åを満足する格子パ
ラメータａを有しても良い。
Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈから
なりＦＣＴＬ１0 結晶構造をＦＣＣＬ１2 結晶構造とす
るグループから選択された要素を含む、実質的に正方晶
系のＡｌ3 Ｔｉの合金からなる構成であっても良い。前
記下地層は、３．９Å≦ａ≦４．３Åを満足する格子パ
ラメータａを有しても良い。
【００１１】前記下地層は、多層構造を有し、該多層構
造を構成する各層は、ＦＣＣＬ１2又はＦＣＴＬ１0 結
晶構造を有する規則金属間材料からなる構成であっても
良い。上記の課題は、基板と、Ｃｏ又はＣｏ系の合金か
らなる磁性層と、該基板と該磁性層との間に設けられた
下地層とを備えた少なくとも１つの磁気記録媒体を備
え、該下地層は、ＦＣＣＬ１2 又はＦＣＴＬ１0 結晶構
造を有する規則金属間材料からなる磁気記憶装置によっ
ても達成できる。
造を構成する各層は、ＦＣＣＬ１2又はＦＣＴＬ１0 結
晶構造を有する規則金属間材料からなる構成であっても
良い。上記の課題は、基板と、Ｃｏ又はＣｏ系の合金か
らなる磁性層と、該基板と該磁性層との間に設けられた
下地層とを備えた少なくとも１つの磁気記録媒体を備
え、該下地層は、ＦＣＣＬ１2 又はＦＣＴＬ１0 結晶構
造を有する規則金属間材料からなる磁気記憶装置によっ
ても達成できる。
【００１２】本発明によれば、下地層のテクスチャの向
上と、磁性層の粒子サイズ及び粒子サイズ分布の向上を
同時に実現可能となり、磁気記録媒体のＳＮＲの更なる
改善を可能とする。
上と、磁性層の粒子サイズ及び粒子サイズ分布の向上を
同時に実現可能となり、磁気記録媒体のＳＮＲの更なる
改善を可能とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明になる磁気記録媒
体及び本発明になる磁気記憶装置の各実施例を、図面と
共に説明する。
体及び本発明になる磁気記憶装置の各実施例を、図面と
共に説明する。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明になる磁気記録媒体の第１実
施例の要部を示す断面図である。図１に示す磁気記録媒
体は、同図に示す順序で積層されたＡｌ又はガラスセラ
ミックからなる基板１と、ＮｉＰ層２と、シード層３
と、下地層４と、Ｃｒ系の合金からなる中間層５と、Ｃ
ｏＣｒ系合金層６と、Ｃｏ又はＣｏＣｒ系合金等のＣｏ
系の合金からなる磁性層７と、Ｃ又はＤＬＣからなる上
側層８と、有機物潤滑剤層９とからなる。
施例の要部を示す断面図である。図１に示す磁気記録媒
体は、同図に示す順序で積層されたＡｌ又はガラスセラ
ミックからなる基板１と、ＮｉＰ層２と、シード層３
と、下地層４と、Ｃｒ系の合金からなる中間層５と、Ｃ
ｏＣｒ系合金層６と、Ｃｏ又はＣｏＣｒ系合金等のＣｏ
系の合金からなる磁性層７と、Ｃ又はＤＬＣからなる上
側層８と、有機物潤滑剤層９とからなる。
【００１５】ＮｉＰ層２は、好ましくは酸化及び／又は
機械的なテクスチャ処理を施されている。酸化されてい
る場合、ＮｉＰ層２は、Ｃｒ（００２）面のテクスチャ
を成長するのに良好な下地を形成する。ＮｉＰは固い材
料であり、トライボロジの面からは必要不可欠である。
又、テクスチャ処理を施されている場合、ＮｉＰは媒体
配向比を向上すると共に、ヘッドスライダの張り付き現
象を低減する。
機械的なテクスチャ処理を施されている。酸化されてい
る場合、ＮｉＰ層２は、Ｃｒ（００２）面のテクスチャ
を成長するのに良好な下地を形成する。ＮｉＰは固い材
料であり、トライボロジの面からは必要不可欠である。
又、テクスチャ処理を施されている場合、ＮｉＰは媒体
配向比を向上すると共に、ヘッドスライダの張り付き現
象を低減する。
【００１６】シード層３は、シード層３上に形成される
下地層４の接着及び／又は結晶テクスチャを促進するた
めに設けられている。シード層３は、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，
Ｗからなるグループから選択された材料を含むＣｒ系の
合金からなる。ＢＣＣ結晶構造でＣｒ含有量の多い合金
は、酸化されたＮｉＰ上に（００２）面のテクスチャを
成長させる傾向がある。このため、Ｃｒ含有量の多いシ
ード層３を設けることにより、例えばＣｏＣｒ系の合金
からなる磁性層７の
下地層４の接着及び／又は結晶テクスチャを促進するた
めに設けられている。シード層３は、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，
Ｗからなるグループから選択された材料を含むＣｒ系の
合金からなる。ＢＣＣ結晶構造でＣｒ含有量の多い合金
は、酸化されたＮｉＰ上に（００２）面のテクスチャを
成長させる傾向がある。このため、Ｃｒ含有量の多いシ
ード層３を設けることにより、例えばＣｏＣｒ系の合金
からなる磁性層７の
【００１７】
【数１】
【００１８】面内配向を促進させることができる。下地
層４は、磁性層７の粒子サイズを小さくすると共に粒子
サイズ分布を減少させるために、ＦＣＣ（Ｆａｃｅ−Ｃ
ｅｎｔｅｒｅｄ−Ｃｕｂｉｃ）Ｌ１2 又はＦＣＴ（Ｆａ
ｃｅ−Ｃｅｎｔｅｒｅｄ−Ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ）Ｌ１
0 結晶構造を有する規則金属間材料からなり、膜厚は５
〜１００ｎｍである。
層４は、磁性層７の粒子サイズを小さくすると共に粒子
サイズ分布を減少させるために、ＦＣＣ（Ｆａｃｅ−Ｃ
ｅｎｔｅｒｅｄ−Ｃｕｂｉｃ）Ｌ１2 又はＦＣＴ（Ｆａ
ｃｅ−Ｃｅｎｔｅｒｅｄ−Ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ）Ｌ１
0 結晶構造を有する規則金属間材料からなり、膜厚は５
〜１００ｎｍである。
【００１９】ＦＣＣＬ１2 結晶構造を有する下地層４
は、例えばＡｌ5 ＣｕＺｒ2 ，Ａｌ5ＣｕＨｆ2 ，（Ａ
ｌＣｒ）3 Ｔｉ，Ａｌ67Ｃｒ8 Ｔｉ25，Ａｌ5 ＮｉＺｒ
2 ，Ａｌ5 ＣｕＴｉ2 ，Ａｌ5 ＮｉＮｂ2 ，Ａｌ30Ｄｙ
7 Ｈｆ3 ，Ａｌ30Ｄｙ7 Ｚｒ3，Ａｌ3 Ｅｒ，Ａｌ15Ｈ
ｆＨｏ4 ，Ａｌ60Ｈｆ7 Ｔｂ13からなるグループから選
択された材料からなる。下地層４に用いるこのような材
料は、Ｃｏの格子パラメータｃが０．４０６ｎｍである
ため、磁性層７ののエピタキシャル成長を促進するのに
適切な結晶構造及び格子パラメータを有する。
は、例えばＡｌ5 ＣｕＺｒ2 ，Ａｌ5ＣｕＨｆ2 ，（Ａ
ｌＣｒ）3 Ｔｉ，Ａｌ67Ｃｒ8 Ｔｉ25，Ａｌ5 ＮｉＺｒ
2 ，Ａｌ5 ＣｕＴｉ2 ，Ａｌ5 ＮｉＮｂ2 ，Ａｌ30Ｄｙ
7 Ｈｆ3 ，Ａｌ30Ｄｙ7 Ｚｒ3，Ａｌ3 Ｅｒ，Ａｌ15Ｈ
ｆＨｏ4 ，Ａｌ60Ｈｆ7 Ｔｂ13からなるグループから選
択された材料からなる。下地層４に用いるこのような材
料は、Ｃｏの格子パラメータｃが０．４０６ｎｍである
ため、磁性層７ののエピタキシャル成長を促進するのに
適切な結晶構造及び格子パラメータを有する。
【００２０】他方、ＦＣＴＬ１0 結晶構造を有する下地
層４は、例えばγ−ＴｉＡｌからなる。下地層４に用い
るγ−ＴｉＡｌは、磁性層７のエピタキシャル成長を促
進するのに適切な結晶構造及び格子パラメータを有す
る。γ−ＴｉＡｌはＦＣＴ構造を有するため、磁性層７
の結晶軸が面内方向となるよう促す（００１）面のテク
スチャの成長を促進させる傾向にある。この場合、下地
層４は、ガラス基板又はＮｉＰ／Ａｌ基板上に直接形成
しても良い。下地層４のＡｌ含有量は、５１〜５５ａ
ｔ．％と多少多目に設定することもできる。双晶変形が
強すぎると、磁性層７の保磁力の低下につながりかねな
い。しかし、下地層４のＡｌ含有量を上記の如く多少多
めの範囲に設定することで、ＦＣＣ構造の材料では良く
見られる双晶変形を抑制することができる。
層４は、例えばγ−ＴｉＡｌからなる。下地層４に用い
るγ−ＴｉＡｌは、磁性層７のエピタキシャル成長を促
進するのに適切な結晶構造及び格子パラメータを有す
る。γ−ＴｉＡｌはＦＣＴ構造を有するため、磁性層７
の結晶軸が面内方向となるよう促す（００１）面のテク
スチャの成長を促進させる傾向にある。この場合、下地
層４は、ガラス基板又はＮｉＰ／Ａｌ基板上に直接形成
しても良い。下地層４のＡｌ含有量は、５１〜５５ａ
ｔ．％と多少多目に設定することもできる。双晶変形が
強すぎると、磁性層７の保磁力の低下につながりかねな
い。しかし、下地層４のＡｌ含有量を上記の如く多少多
めの範囲に設定することで、ＦＣＣ構造の材料では良く
見られる双晶変形を抑制することができる。
【００２１】下地層４がＬ１2 結晶構造を有する場合
も、Ｌ１0 結晶構造を有する場合も、下地層４は、Ｂ，
Ｃｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ又はこ
れらの合金から選択された少なくとも１つの要素を含む
合金からなるようにしても良い。この場合、下地層４を
このような要素と合金化することで、磁性層７の粒子サ
イズ及び応力（ストレス）の低減を促進させることがで
きる。
も、Ｌ１0 結晶構造を有する場合も、下地層４は、Ｂ，
Ｃｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ又はこ
れらの合金から選択された少なくとも１つの要素を含む
合金からなるようにしても良い。この場合、下地層４を
このような要素と合金化することで、磁性層７の粒子サ
イズ及び応力（ストレス）の低減を促進させることがで
きる。
【００２２】更に、下地層４は、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ
からなりＦＣＴＬ１0 結晶構造をＦＣＣＬ１2 結晶構造
とするグループから選択された要素を含む、実質的に正
方晶系のＡｌ3 Ｔｉの合金からなるようにしても良い。
正方晶系のＡｌ3 Ｔｉに上記の要素を含有させること
で、Ｌ１0 結晶構造をＬ１2 結晶構造に変質させること
ができる。このため、下地層４の（１００）面、（０１
０）面、（００１）面等の結晶面が、磁性層７又は中間
層５と同様のサイズで、磁性層７又は中間層５が成長す
るのに適したより均一な格子となる。
ｎ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ
からなりＦＣＴＬ１0 結晶構造をＦＣＣＬ１2 結晶構造
とするグループから選択された要素を含む、実質的に正
方晶系のＡｌ3 Ｔｉの合金からなるようにしても良い。
正方晶系のＡｌ3 Ｔｉに上記の要素を含有させること
で、Ｌ１0 結晶構造をＬ１2 結晶構造に変質させること
ができる。このため、下地層４の（１００）面、（０１
０）面、（００１）面等の結晶面が、磁性層７又は中間
層５と同様のサイズで、磁性層７又は中間層５が成長す
るのに適したより均一な格子となる。
【００２３】本実施例では、下地層４は、３．９Å≦ａ
≦４．３Åを満足する格子パラメータａを有する。格子
パラメータａをこのような範囲に設定することで、下地
層４の格子パラメータａを磁性層７の格子パラメータに
近い値とすることができ、これによりエピタキシャル成
長を促進可能となる。中間層５は、ＢＣＣ結晶構造を有
するＣｒ−Ｍ系合金からなり、１〜３０ｎｍの膜厚を有
する。ここで、Ｍは、Ｂ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗか
らなるグループから選択された１つの要素である。中間
層５に用いられるこれらの材料は、磁性層７のエピタキ
シャル成長を促進するのに適切な結晶構造及び格子パラ
メータを有する。又、Ｃｒは各種材料に良好に接着する
ので、Ｃｒ−Ｍ系合金は、下地層４と磁性層７との間の
バッファ層として良好に機能する。
≦４．３Åを満足する格子パラメータａを有する。格子
パラメータａをこのような範囲に設定することで、下地
層４の格子パラメータａを磁性層７の格子パラメータに
近い値とすることができ、これによりエピタキシャル成
長を促進可能となる。中間層５は、ＢＣＣ結晶構造を有
するＣｒ−Ｍ系合金からなり、１〜３０ｎｍの膜厚を有
する。ここで、Ｍは、Ｂ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗか
らなるグループから選択された１つの要素である。中間
層５に用いられるこれらの材料は、磁性層７のエピタキ
シャル成長を促進するのに適切な結晶構造及び格子パラ
メータを有する。又、Ｃｒは各種材料に良好に接着する
ので、Ｃｒ−Ｍ系合金は、下地層４と磁性層７との間の
バッファ層として良好に機能する。
【００２４】ＣｏＣｒ系合金層６は、ＨＣＰ構造を有
し、膜厚は１〜１０ｎｍである。このＣｏＣｒ系合金層
６は、磁性層７のエピタキシャル成長を促進し、粒子サ
イズ分布を小さくするために設けられている。ＨＣＰ構
造のＣｏＣｒ系合金からなる磁性層がＢＣＣ結晶構造の
Ｃｒ系合金層上に直接形成されると、Ｃｒ系合金層と接
触する磁性層の一部は格子不整合及び／又はＣｒ偏析に
より悪影響を受ける。つまり、この場合は、磁性層の磁
気異方性及び総合磁化が減少してしまう。これに対し、
ＨＣＰ構造で非磁性のＣｏＣｒ系合金層６を用いること
により、上記の如き磁性層７への悪影響を防止すること
ができる。この結果、本実施例では、磁性層７の磁気異
方性及び保磁力を増加することができ、磁性層７の面内
配向を向上することもできる。これにより、磁性層７の
完全な磁化が得られ、所謂「デッド層」が形成される可
能性を最小限に抑えることが可能となる。更に、磁性層
７の界面部分でのより小さな粒子の形成を減少すること
ができる。
し、膜厚は１〜１０ｎｍである。このＣｏＣｒ系合金層
６は、磁性層７のエピタキシャル成長を促進し、粒子サ
イズ分布を小さくするために設けられている。ＨＣＰ構
造のＣｏＣｒ系合金からなる磁性層がＢＣＣ結晶構造の
Ｃｒ系合金層上に直接形成されると、Ｃｒ系合金層と接
触する磁性層の一部は格子不整合及び／又はＣｒ偏析に
より悪影響を受ける。つまり、この場合は、磁性層の磁
気異方性及び総合磁化が減少してしまう。これに対し、
ＨＣＰ構造で非磁性のＣｏＣｒ系合金層６を用いること
により、上記の如き磁性層７への悪影響を防止すること
ができる。この結果、本実施例では、磁性層７の磁気異
方性及び保磁力を増加することができ、磁性層７の面内
配向を向上することもできる。これにより、磁性層７の
完全な磁化が得られ、所謂「デッド層」が形成される可
能性を最小限に抑えることが可能となる。更に、磁性層
７の界面部分でのより小さな粒子の形成を減少すること
ができる。
【００２５】磁性層７は、例えば膜厚が５〜３０ｎｍの
ＣｏＣｒＰｔ−Ｘ系合金からなる。ここで、Ｘは、Ｂ，
Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ及びこれらの合金からなるグループから
選択された１つの要素である。Ｃ又はＤＬＣからなる上
側層８は、磁気記録媒体を、ヘッドとの接触から保護す
るために設けられている。この上側層８は、磁性層７の
腐食も防止する。
ＣｏＣｒＰｔ−Ｘ系合金からなる。ここで、Ｘは、Ｂ，
Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ及びこれらの合金からなるグループから
選択された１つの要素である。Ｃ又はＤＬＣからなる上
側層８は、磁気記録媒体を、ヘッドとの接触から保護す
るために設けられている。この上側層８は、磁性層７の
腐食も防止する。
【００２６】図２は、下地層４に用いることのできる、
規則金属間材料のＦＣＣＬ１2 結晶構造を示す。例え
ば、図２に示す結晶構造は、Ｃｕ3 Ａｕ又は他の合金の
ものである。しかし、下地層４の格子パラメータがＣｒ
又はＣｒ系合金からなるＨＣＰ構造の磁性層７の格子パ
ラメータと実質的に整合するためには、下地層４の格子
パラメータは約４．１Åである必要がある。
規則金属間材料のＦＣＣＬ１2 結晶構造を示す。例え
ば、図２に示す結晶構造は、Ｃｕ3 Ａｕ又は他の合金の
ものである。しかし、下地層４の格子パラメータがＣｒ
又はＣｒ系合金からなるＨＣＰ構造の磁性層７の格子パ
ラメータと実質的に整合するためには、下地層４の格子
パラメータは約４．１Åである必要がある。
【００２７】Ｃｒ又はＣｒ系合金からなるＨＣＰ構造の
磁性層７の格子パラメータと実質的に整合する適切な格
子パラメータを有する多くのＬ１2 結晶構造の材料は、
図３に示すように、Ａｌ系の合金である。図３は、格子
パラメータａ及び４．１Åからの格子不整合率（％）
を、Ｌ１2 結晶構造を有する各種Ａｌ系の合金について
示す。
磁性層７の格子パラメータと実質的に整合する適切な格
子パラメータを有する多くのＬ１2 結晶構造の材料は、
図３に示すように、Ａｌ系の合金である。図３は、格子
パラメータａ及び４．１Åからの格子不整合率（％）
を、Ｌ１2 結晶構造を有する各種Ａｌ系の合金について
示す。
【００２８】他方、図４は、下地層４に用いることので
きる、規則金属間材料のＦＣＴＬ１ 0 結晶構造を示す。
例えば、図４に示す結晶構造は、γ−ＴｉＡｌのもので
ある。γ−ＴｉＡｌは正方晶系材料であるが、格子パラ
メータは、ａ＝０．４００５ｎｍ及びｃ＝０．４０７ｎ
ｍであり、ａ／ｃなる比が１に近く、磁性層７の格子パ
ラメータとさほどかわらない。従って、γ−ＴｉＡｌ
は、下地層４に用いるのに適していることがわかる。γ
−ＴｉＡｌを他の要素でドーピングすると、電子構造が
影響されて正方晶性が失われる。
きる、規則金属間材料のＦＣＴＬ１ 0 結晶構造を示す。
例えば、図４に示す結晶構造は、γ−ＴｉＡｌのもので
ある。γ−ＴｉＡｌは正方晶系材料であるが、格子パラ
メータは、ａ＝０．４００５ｎｍ及びｃ＝０．４０７ｎ
ｍであり、ａ／ｃなる比が１に近く、磁性層７の格子パ
ラメータとさほどかわらない。従って、γ−ＴｉＡｌ
は、下地層４に用いるのに適していることがわかる。γ
−ＴｉＡｌを他の要素でドーピングすると、電子構造が
影響されて正方晶性が失われる。
【００２９】尚、比較のために、図５は、格子パラメー
タａが２．８８４ÅのＣｒ下地層のＢＣＣ結晶構造を示
し、図６は、格子パラメータａが２．８８７ÅのＣＮｉ
Ａｌ又はＦｅＡｌ下地層のＢ２結晶構造を示す。図５の
場合、Ｃｒ［１１０］の格子面間隔は４．０８Åであ
り、ＣｏＣｒＰｔ−Ｍ系合金等のＣｏ系磁性層の格子面
間隔と整合する。ここで、ＭはＴａ，Ｎｉ，Ｗ又はＢ
（ｄ（０００２）〜４．１Å）である。例えばＰｔ含有
量の多いＣｏ系の合金の増加する格子パラメータとより
整合性を良くするために、通常Ｃｒは、格子パラメータ
を増加させるためにＶ，Ｗ又はＭｏと合金化される。
タａが２．８８４ÅのＣｒ下地層のＢＣＣ結晶構造を示
し、図６は、格子パラメータａが２．８８７ÅのＣＮｉ
Ａｌ又はＦｅＡｌ下地層のＢ２結晶構造を示す。図５の
場合、Ｃｒ［１１０］の格子面間隔は４．０８Åであ
り、ＣｏＣｒＰｔ−Ｍ系合金等のＣｏ系磁性層の格子面
間隔と整合する。ここで、ＭはＴａ，Ｎｉ，Ｗ又はＢ
（ｄ（０００２）〜４．１Å）である。例えばＰｔ含有
量の多いＣｏ系の合金の増加する格子パラメータとより
整合性を良くするために、通常Ｃｒは、格子パラメータ
を増加させるためにＶ，Ｗ又はＭｏと合金化される。
【００３０】図６の場合、ＮｉＡｌの格子パラメータａ
は、Ｃｒの格子パラメータに非常に近く、例えばＣｏＣ
ｒ系の合金等のようなＣｏ系のＨＣＰ結晶構造を有する
磁性層の下地層として適切である。ＮｉＡｌは、Ｃｒ系
の合金と比較すると、スパッタリングで成長されると小
さな粒子を形成する傾向のある規則金属間合金である。
この結果、ＮｉＡｌは、このＮｉＡｌ上に形成される磁
性層の粒子サイズを小さくすることと、良好な粒子サイ
ズ分布を得られるようにすることとを促進する。ＮｉＡ
ｌは、（２１１）面及び（１１０）面のテクスチャで成
長してＣｏ
は、Ｃｒの格子パラメータに非常に近く、例えばＣｏＣ
ｒ系の合金等のようなＣｏ系のＨＣＰ結晶構造を有する
磁性層の下地層として適切である。ＮｉＡｌは、Ｃｒ系
の合金と比較すると、スパッタリングで成長されると小
さな粒子を形成する傾向のある規則金属間合金である。
この結果、ＮｉＡｌは、このＮｉＡｌ上に形成される磁
性層の粒子サイズを小さくすることと、良好な粒子サイ
ズ分布を得られるようにすることとを促進する。ＮｉＡ
ｌは、（２１１）面及び（１１０）面のテクスチャで成
長してＣｏ
【００３１】
【数２】
【００３２】面の成長を促進するため、この結果、磁性
層の結晶軸が面内配向となる。しかし、（２１１）面の
テクスチャは弱いため、（１１０）面のテクスチャの存
在により、結晶軸の面内配向が非常に良好なＣｒ（００
２）面と比較すると、磁気異方性の配向が大きくずれて
しまう。更に、磁性層の保磁力を適切に保つには、Ｎｉ
Ａｌの膜厚は比較的大きくする必要がある。
層の結晶軸が面内配向となる。しかし、（２１１）面の
テクスチャは弱いため、（１１０）面のテクスチャの存
在により、結晶軸の面内配向が非常に良好なＣｒ（００
２）面と比較すると、磁気異方性の配向が大きくずれて
しまう。更に、磁性層の保磁力を適切に保つには、Ｎｉ
Ａｌの膜厚は比較的大きくする必要がある。
【００３３】このように、Ｃｒ下地層又はＮｉＡｌ下地
層を用いたのでは、上記第１実施例のように、（ｉ）非
常に良好な結晶軸の面内配向と、（ｉｉ）磁性層の粒子
サイズの減少との両方を同時に実現することはできない
ことがわかる。次に、本発明になる磁気記録媒体の第２
実施例を、図７と共に説明する。図７は、磁気記録媒体
の第２実施例の要部を示す断面図である。同図中、図１
と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
層を用いたのでは、上記第１実施例のように、（ｉ）非
常に良好な結晶軸の面内配向と、（ｉｉ）磁性層の粒子
サイズの減少との両方を同時に実現することはできない
ことがわかる。次に、本発明になる磁気記録媒体の第２
実施例を、図７と共に説明する。図７は、磁気記録媒体
の第２実施例の要部を示す断面図である。同図中、図１
と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００３４】図７において、下地層４は、多層構造を有
する。説明の便宜上、同図は、下地層４が第１の層４ａ
と第２の層４ｂとからなる二層構造を有する場合を示
す。第１及び第２の層４ａ，４ｂは、夫々ＦＣＣＬ１2
又はＦＣＴＬ１0 結晶構造を有する規則金属間材料から
なり、上記第１実施例の下地層４に用いた材料と同じ材
料を用い得る。従って、図３に示す材料を、これら第１
及び第２の層４ａ，４ｂとして用いることもできる。
する。説明の便宜上、同図は、下地層４が第１の層４ａ
と第２の層４ｂとからなる二層構造を有する場合を示
す。第１及び第２の層４ａ，４ｂは、夫々ＦＣＣＬ１2
又はＦＣＴＬ１0 結晶構造を有する規則金属間材料から
なり、上記第１実施例の下地層４に用いた材料と同じ材
料を用い得る。従って、図３に示す材料を、これら第１
及び第２の層４ａ，４ｂとして用いることもできる。
【００３５】Ｌ１2 又はＬ１0 結晶構造の材料には、粒
子サイズ及びテクスチャを制御するのに適しているもの
と、膜厚の増加につれて粒子サイズ及びテクスチャが向
上するものの、特定の材料面上に直接形成されると適切
な結晶テクスチャで成長しないものがある。従って、下
地層４を多層構造とすることにより、下地層４全体とし
ての膜厚が減少しても、結晶軸の面内配向の向上と磁性
層の粒子サイズの減少との両方を実現することができ
る。
子サイズ及びテクスチャを制御するのに適しているもの
と、膜厚の増加につれて粒子サイズ及びテクスチャが向
上するものの、特定の材料面上に直接形成されると適切
な結晶テクスチャで成長しないものがある。従って、下
地層４を多層構造とすることにより、下地層４全体とし
ての膜厚が減少しても、結晶軸の面内配向の向上と磁性
層の粒子サイズの減少との両方を実現することができ
る。
【００３６】次に、本発明になる磁気記録媒体の第３実
施例を、図８と共に説明する。図８は、磁気記録媒体の
第３実施例の要部を示す断面図である。同図中、図１と
同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。本
実施例では、基板１がガラスからなり、シード層３が直
接基板１上に形成されている。このシード層３は、Ｂ２
結晶構造を有するＮｉＡｌ又はＦｅＡｌからなる。Ｂ２
結晶構造を有するＮｉＡｌ又はＦｅＡｌは、ガラス上に
（２１１）面のテクスチャで成長する傾向がある。従っ
て、本実施例は、格子整合により、Ｃｒ系の合金からな
る下地層を用いた場合と比較すると、応力の小さいＣｏ
Ｃｒ系の合金からなる磁性層７の
施例を、図８と共に説明する。図８は、磁気記録媒体の
第３実施例の要部を示す断面図である。同図中、図１と
同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。本
実施例では、基板１がガラスからなり、シード層３が直
接基板１上に形成されている。このシード層３は、Ｂ２
結晶構造を有するＮｉＡｌ又はＦｅＡｌからなる。Ｂ２
結晶構造を有するＮｉＡｌ又はＦｅＡｌは、ガラス上に
（２１１）面のテクスチャで成長する傾向がある。従っ
て、本実施例は、格子整合により、Ｃｒ系の合金からな
る下地層を用いた場合と比較すると、応力の小さいＣｏ
Ｃｒ系の合金からなる磁性層７の
【００３７】
【数３】
【００３８】面での面内配向を促進させることができ
る。このため、本実施例は、ガラス基板１上にＣｏ
る。このため、本実施例は、ガラス基板１上にＣｏ
【００３９】
【数４】
【００４０】面を形成したい場合に好適である。次に、
本発明になる磁気記録媒体の第４実施例を、図９と共に
説明する。図９は、磁気記録媒体の第４実施例の要部を
示す断面図である。同図中、図７と同一部分には同一符
号を付し、その説明は省略する。本実施例では、上記第
３実施例における下地層４が、上記第２実施例における
二層構造を有する。つまり、下地層４は、第１及び第２
の層４ａ，４ｂからなる。
本発明になる磁気記録媒体の第４実施例を、図９と共に
説明する。図９は、磁気記録媒体の第４実施例の要部を
示す断面図である。同図中、図７と同一部分には同一符
号を付し、その説明は省略する。本実施例では、上記第
３実施例における下地層４が、上記第２実施例における
二層構造を有する。つまり、下地層４は、第１及び第２
の層４ａ，４ｂからなる。
【００４１】次に、上記第１〜第４実施例のいずれにも
適用可能な変形例について説明する。本変形例では、基
板１と磁性層７との間に設けられたシード層３が、ＦＣ
ＣＬ１2 又はＦＣＴＬ１0 結晶構造を有する規則金属間
材料からなる。又、下地層４は、ＭがＢ，Ｍｎ，Ｍｏ，
Ｔｉ，Ｖ，Ｗからなるグループから選択された１つの要
素であるとすると、Ｃｒ−Ｍ，ＮｉＡｌ又はＦｅＡｌか
らなる。更に、磁性層７には、膜厚が５〜３０ｎｍに設
定された、ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ
Ｂ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａＢ，ＣｏＣｒ
ＰｔＴａＮｂ，ＣｏＣｒＰｔＷＢからなるグループから
選択された１つの強磁性材料を用い得る。
適用可能な変形例について説明する。本変形例では、基
板１と磁性層７との間に設けられたシード層３が、ＦＣ
ＣＬ１2 又はＦＣＴＬ１0 結晶構造を有する規則金属間
材料からなる。又、下地層４は、ＭがＢ，Ｍｎ，Ｍｏ，
Ｔｉ，Ｖ，Ｗからなるグループから選択された１つの要
素であるとすると、Ｃｒ−Ｍ，ＮｉＡｌ又はＦｅＡｌか
らなる。更に、磁性層７には、膜厚が５〜３０ｎｍに設
定された、ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ
Ｂ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａＢ，ＣｏＣｒ
ＰｔＴａＮｂ，ＣｏＣｒＰｔＷＢからなるグループから
選択された１つの強磁性材料を用い得る。
【００４２】次に、本発明になる磁気記憶装置の一実施
例を、図１０及び図１１と共に説明する。図１０は、磁
気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図であり、図１
１は、磁気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図であ
る。図１０及び図１１に示すように、磁気記憶装置は大
略ハウジング１３からなる。ハウジング１３内には、モ
ータ１４、ハブ１５、複数の磁気記録媒体１６、複数の
記録再生ヘッド１７、複数のサスペンション１８、複数
のアーム１９及びアクチュエータユニット２０が設けら
れている。磁気記録媒体１６は、モータ１４により回転
されるハブ１５に取り付けられている。記録再生ヘッド
１７は、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッド等の再生ヘッドと、
インダクティブヘッド等の記録ヘッドとからなる。各記
録再生ヘッド１７は、対応するアーム１９の先端にサス
ペンション１８を介して取り付けられている。アーム１
９は、アクチュエータユニット２０により駆動される。
この磁気記憶装置の基本構成自体は周知であり、その詳
細な説明は本明細書では省略する。
例を、図１０及び図１１と共に説明する。図１０は、磁
気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図であり、図１
１は、磁気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図であ
る。図１０及び図１１に示すように、磁気記憶装置は大
略ハウジング１３からなる。ハウジング１３内には、モ
ータ１４、ハブ１５、複数の磁気記録媒体１６、複数の
記録再生ヘッド１７、複数のサスペンション１８、複数
のアーム１９及びアクチュエータユニット２０が設けら
れている。磁気記録媒体１６は、モータ１４により回転
されるハブ１５に取り付けられている。記録再生ヘッド
１７は、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッド等の再生ヘッドと、
インダクティブヘッド等の記録ヘッドとからなる。各記
録再生ヘッド１７は、対応するアーム１９の先端にサス
ペンション１８を介して取り付けられている。アーム１
９は、アクチュエータユニット２０により駆動される。
この磁気記憶装置の基本構成自体は周知であり、その詳
細な説明は本明細書では省略する。
【００４３】磁気記憶装置の本実施例は、磁気記録媒体
１６に特徴がある。各磁気記録媒体１６は、図１〜図９
と共に説明した、上記磁気記録媒体の第１〜第４実施例
のいずれかの構造を有する。無論、磁気記録媒体１６の
数は３枚に限定されず、１枚でも、２枚又は３枚以上で
あっても良い。磁気記憶装置の基本構成は、図１０及び
図１１に示すものに限定されるものではない。又、本発
明で用いる磁気記録媒体は、磁気ディスクに限定されな
い。
１６に特徴がある。各磁気記録媒体１６は、図１〜図９
と共に説明した、上記磁気記録媒体の第１〜第４実施例
のいずれかの構造を有する。無論、磁気記録媒体１６の
数は３枚に限定されず、１枚でも、２枚又は３枚以上で
あっても良い。磁気記憶装置の基本構成は、図１０及び
図１１に示すものに限定されるものではない。又、本発
明で用いる磁気記録媒体は、磁気ディスクに限定されな
い。
【００４４】以上、本発明を実施例により説明したが、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは、言
うまでもない。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは、言
うまでもない。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、下地層のテクスチャの
向上と、磁性層の粒子サイズ及び粒子サイズ分布の向上
を同時に実現可能となり、磁気記録媒体のＳＮＲの更な
る改善を可能とする。
向上と、磁性層の粒子サイズ及び粒子サイズ分布の向上
を同時に実現可能となり、磁気記録媒体のＳＮＲの更な
る改善を可能とする。
【図１】本発明になる磁気記録媒体の第１実施例の要部
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】下地層に用いることのできる、規則金属間材料
のＦＣＣＬ１2 結晶構造を示す図である。
のＦＣＣＬ１2 結晶構造を示す図である。
【図３】格子パラメータａ及び４．１Åからの格子不整
合率（％）を、Ｌ１2 結晶構造を有する各種Ａｌ系の合
金について示す図である。
合率（％）を、Ｌ１2 結晶構造を有する各種Ａｌ系の合
金について示す図である。
【図４】下地層に用いることのできる、規則金属間材料
のＦＣＴＬ１0 結晶構造を示す図である。
のＦＣＴＬ１0 結晶構造を示す図である。
【図５】格子パラメータａが２．８８４ÅのＣｒ下地層
のＢＣＣ結晶構造を示す図である。
のＢＣＣ結晶構造を示す図である。
【図６】格子パラメータａが２．８８７ÅのＣＮｉＡｌ
又はＦｅＡｌ下地層のＢ２結晶構造を示す図である。
又はＦｅＡｌ下地層のＢ２結晶構造を示す図である。
【図７】本発明になる磁気記録媒体の第２実施例の要部
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図８】本発明になる磁気記録媒体の第３実施例の要部
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図９】本発明になる磁気記録媒体の第４実施例の要部
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１０】本発明になる磁気記憶装置の一実施例の要部
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１１】磁気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図
である。
である。
１ 基板 ２ ＮｉＰ層 ３ シード層 ４ 下地層 ５ 中間層 ６ ＣｏＣｒ系合金層 ７ 磁性層 ８ 上側層 ９ 有機物潤滑剤層
Claims (9)
- 【請求項１】 基板と、 Ｃｏ又はＣｏ系の合金からなる磁性層と、 該基板と該磁性層との間に設けられた下地層とを備え、 該下地層は、ＦＣＣＬ１2 又はＦＣＴＬ１0 結晶構造を
有する規則金属間材料からなる、磁気記録媒体。 - 【請求項２】 基板と、 Ｘ＝Ｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ及びこれらの合金とすると、Ｃ
ｏＣｒＰｔ−Ｘ系の合金からなり、５〜３０ｎｍの膜厚
を有する磁性層と、 該基板と該磁性層との間に設けられた下地層とを備え、 該下地層は、ＦＣＣＬ１2 又はＦＣＴＬ１0 結晶構造を
有する規則金属間材料からなり、５〜１００ｎｍの膜厚
を有する、磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記下地層は、ＦＣＣＬ１2 結晶構造を
有し、Ａｌ5 ＣｕＺｒ2 ，Ａｌ5 ＣｕＨｆ2 ，（ＡｌＣ
ｒ）3 Ｔｉ，Ａｌ67Ｃｒ8 Ｔｉ25，Ａｌ5 ＮｉＺｒ2 ，
Ａｌ5 ＣｕＴｉ2 ，Ａｌ5 ＮｉＮｂ2 ，Ａｌ30Ｄｙ7 Ｈ
ｆ3 ，Ａｌ30Ｄｙ7 Ｚｒ3 ，Ａｌ3 Ｅｒ，Ａｌ15ＨｆＨ
ｏ4 ，Ａｌ60Ｈｆ7 Ｔｂ13からなるグループから選択さ
れた材料からなる、請求項１又は２記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項４】 前記下地層は、ＦＣＴＬ１0 結晶構造を
有するγ−ＴｉＡｌからなる、請求項１又は２記載の磁
気記録媒体。 - 【請求項５】 前記下地層は、Ｂ，Ｃｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，
Ｍｎ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ又はこれらの合金から選択
された少なくとも１つの要素を含む合金からなる、請求
項１又は２記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記下地層は、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ
からなりＦＣＴＬ１0 結晶構造をＦＣＣＬ１2結晶構造
とするグループから選択された要素を含む、実質的に正
方晶系のＡｌ3Ｔｉの合金からなる、請求項１又は２記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記下地層は、３．９Å≦ａ≦４．３Å
を満足する格子パラメータａを有する、請求項１〜６の
いずれか１項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記下地層は、多層構造を有し、該多層
構造を構成する各層は、ＦＣＣＬ１2 又はＦＣＴＬ１0
結晶構造を有する規則金属間材料からなる、請求項１〜
７のいずれか１項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】 基板と、Ｃｏ又はＣｏ系の合金からなる
磁性層と、該基板と該磁性層との間に設けられた下地層
とを備えた少なくとも１つの磁気記録媒体を備え、 該下地層は、ＦＣＣＬ１2 又はＦＣＴＬ１0 結晶構造を
有する規則金属間材料からなる、磁気記憶装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32296199A JP2001143250A (ja) | 1999-11-12 | 1999-11-12 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| US09/584,603 US6613460B1 (en) | 1999-11-12 | 2000-05-31 | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US09/849,835 US6562489B2 (en) | 1999-11-12 | 2001-05-04 | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US10/400,891 US6828047B2 (en) | 1999-11-12 | 2003-03-27 | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32296199A JP2001143250A (ja) | 1999-11-12 | 1999-11-12 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001143250A true JP2001143250A (ja) | 2001-05-25 |
| JP2001143250A5 JP2001143250A5 (ja) | 2006-12-21 |
Family
ID=18149586
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP32296199A Pending JP2001143250A (ja) | 1999-11-12 | 1999-11-12 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2001143250A (ja) |
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1999
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-
2000
- 2000-05-31 US US09/584,603 patent/US6613460B1/en not_active Expired - Fee Related
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| KR100794981B1 (ko) * | 2005-04-18 | 2008-01-16 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 수직 자기 기록 매체 |
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