JP2010258385A - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 80
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 57
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 173
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 30
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 10
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 32
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】n+型4H−SiC基板1の上に、n型バッファー層2と、n-型ドリフト層3とが、この順に積層され、第1主面から垂直で、平面形状がストライプ状になるように、第1トレンチ4が設けられている。さらに、p型ベース層5と、n型ソース層6とが、この順に積層され、第1主面側から垂直で、平面形状がストライプ状になり、第1主面の表面において第1トレンチ4と交差するように、第2トレンチ7が設けられている。第2トレンチ7には、ゲート酸化膜8を介して、ゲート電極9が設けられている。ソース電極11は、層間絶縁膜10によってゲート電極9と分離されている。ドレイン電極12は、エピタキシャルウエハーの第2主面上の全面に設けられている。
【選択図】図1
Description
まず、実施の形態1にかかる半導体装置について説明する。図1は、実施の形態1にかかる半導体装置の断面構造について示す斜視断面図である。実施の形態1にかかる半導体装置は、エピタキシャルウエハーを用いて作製される。エピタキシャルウエハーは、n+型4H−SiC基板1の上に、n型バッファー層2と、n-型ドリフト層3とが、この順に積層されている。
つぎに、実施の形態1にかかる半導体装置のセル1個分(実施例1の半導体装置)の構造および特性について検証する。図5は、実施例1の半導体装置の構造について示す斜視断面図である。また、図6は、実施例1と比較例1について、オン抵抗と、第1トレンチのセルピッチと、の関係について示す説明図である。図6において、縦軸はオン抵抗であり、横軸は第1トレンチ4のセルピッチLTR4である。
つぎに、実施の形態2にかかる半導体装置について説明する。図7は、実施の形態2にかかる半導体装置の断面構造について示す斜視断面図である。実施の形態2にかかる半導体装置は、n-型ドリフト層3の上にn-型ドリフト層3より不純物濃度が高いn+型層17が積層されたエピタキシャルウエハーを用いて作製される。n+型層17は、例えば第1主面側からの深さが、第1トレンチ4よりも浅く、第2トレンチ7よりも深い。その他の構成は、実施の形態1と同様のため説明を省略する。
つぎに、実施の形態2にかかる半導体装置のセル1個分(実施例2の半導体装置)の構造および特性について検証する。図8は、実施例2の半導体装置の構造について示す斜視断面図である。また、図9は、実施例2と比較例2について、オン抵抗と、第1トレンチのセルピッチと、の関係について示す説明図である。図9において、縦軸はオン抵抗であり、横軸は第1トレンチ4のセルピッチLTR4である。
2 n型バッファー層
3 n-型ドリフト層
4 第1トレンチ
5 p型ベース層
6 n+型ソース層
7 第2トレンチ
8 ゲート酸化膜
9 ゲート電極
10 層間絶縁膜
11 ソース電極
12 ドレイン電極
13 メタル
16 コンタクト孔
Claims (4)
- 第1導電型炭化珪素半導体基板のおもて面側の上に設けられた第1導電型ドリフト層と、
平面形状がストライプ状で、前記第1導電型ドリフト層の表面から前記第1導電型炭化珪素半導体基板に達しないように設けられた第1トレンチと、
前記第1トレンチを有する前記第1導電型ドリフト層の全面に設けられた第2導電型ベース層と、
前記第2導電型ベース層の全面に設けられた第1導電型ソース層と、
平面形状が前記第1トレンチと交差するようなストライプ状で、前記第1導電型ソース層の表面から前記第1導電型ドリフト層に達するように設けられた第2トレンチと、
前記第2トレンチの内部に、ゲート酸化膜を介して埋め込まれたゲート電極と、
前記第1導電型ソース層に接するように設けられたソース電極と、
前記ゲート電極と前記ソース電極の間に設けられた絶縁膜と、
前記第1導電型炭化珪素半導体基板の裏面側に設けられたドレイン電極と、
を備えることを特徴とする炭化珪素半導体装置。 - 前記第1導電型ドリフト層の表面層に、前記第1トレンチの側壁の底部を覆うように設けられた、当該第1導電型ドリフト層より不純物濃度の高い第1導電型不純物層をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置。
- 第1導電型炭化珪素半導体基板のおもて面側の全面に第1導電型ドリフト層を積層する工程と、
平面形状がストライプ状で、前記第1導電型ドリフト層の表面から前記第1導電型炭化珪素半導体基板に達しないように第1トレンチを形成する工程と、
前記第1トレンチを形成した後に、前記第1導電型ドリフト層の全面に第2導電型ベース層を積層する工程と、
前記第2導電型ベース層の全面に第1導電型ソース層を積層する工程と、
平面形状が前記第1トレンチと交差するようなストライプ状で、前記第1導電型ソース層の表面から前記第1導電型ドリフト層に達するように第2トレンチを形成する工程と、
前記第2トレンチの内部に、ゲート酸化膜を介してゲート電極を埋め込む工程と、
前記ゲート電極を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
前記第1導電型ソース層に接するようにソース電極を形成する工程と、
前記第1導電型炭化珪素半導体基板の裏面側にドレイン電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 第1導電型炭化珪素半導体基板のおもて面側の全面に第1導電型ドリフト層を積層する工程と、
前記第1導電型ドリフト層の全面に、当該第1導電型ドリフト層よりも不純物濃度の高い第1導電型不純物層を形成する工程と、
平面形状がストライプ状で、前記第1導電型不純物層の表面から前記第1導電型ドリフト層に達しないように第1トレンチを形成する工程と、
前記第1トレンチを形成した後に、前記第1導電型不純物層の全面に第2導電型ベース層を積層する工程と、
前記第2導電型ベース層の全面に第1導電型ソース層を積層する工程と、
平面形状が前記第1トレンチと交差するようなストライプ状で、前記第1導電型ソース層の表面から前記第1導電型ドリフト層に達するように第2トレンチを形成する工程と、
前記第2トレンチの内部に、ゲート酸化膜を介してゲート電極を埋め込む工程と、
前記ゲート電極を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
前記第1導電型ソース層に接するようにソース電極を形成する工程と、
前記第1導電型炭化珪素半導体基板の裏面側にドレイン電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009109993A JP5463725B2 (ja) | 2009-04-28 | 2009-04-28 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009109993A JP5463725B2 (ja) | 2009-04-28 | 2009-04-28 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010258385A true JP2010258385A (ja) | 2010-11-11 |
JP5463725B2 JP5463725B2 (ja) | 2014-04-09 |
Family
ID=43318922
Family Applications (1)
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JP2009109993A Active JP5463725B2 (ja) | 2009-04-28 | 2009-04-28 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5463725B2 (ja) |
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