JP2010245327A5 - レジストパターン形成方法 - Google Patents

Description

そこで、第３の実施形態の場合、露光工程での露光量は、上記の第２の実施形態とは逆に、ウェーハ３の中央部ほど大きく、外周部ほど小さくする。これにより、第３の実施形態でも、上記の第２の実施形態と同様の作用及び効果が得られる。
なお、上記実施形態には以下の発明が開示されている。
（付記１）
ポジ型又はネガ型の化学増幅タイプのレジストを基材に塗布するレジスト塗布工程と、
前記レジストをプリベークするプリベーク工程と、
前記レジストを露光する露光工程と、
前記レジストをポストエクスポージャーべークするポストエクスポージャーベーク工程と、
前記レジストを現像することにより、該レジストを所定のパターン形状に形成する現像工程と、
をこの順に行い、
前記プリベーク工程では、前記レジストがポジ型の場合には該レジストに含まれるベース樹脂の保護基の脱離開始温度以上でプリベークを行い、前記レジストがネガ型の場合には該レジストに含まれるベース樹脂の架橋剤の架橋開始温度以上でプリベークを行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。
（付記２）
ポジ型の前記レジストを用い、前記プリベークを前記脱離開始温度＋３０℃以下で行うことを特徴とする付記１に記載のレジストパターン形成方法。
（付記３）
ネガ型の前記レジストを用い、前記プリベークを前記架橋開始温度＋３０℃以下で行うことを特徴とする付記１に記載のレジストパターン形成方法。
（付記４）
前記露光工程では、前記レジストのうち、感度の高い部分ほど露光量が小さく、感度の低い部分ほど露光量が大きくなるように、露光することを特徴とする付記１乃至３のいずれか１つに記載のレジストパターン形成方法。
（付記５）
前記露光工程では、前記レジストのうち、高温で前記プリベークが行われた部分ほど露光量が小さく、低温で前記プリベークが行われた部分ほど露光量が大きくなるように、露光することを特徴とする付記１乃至４のいずれか１つに記載のレジストパターン形成方法。
（付記６）
前記露光工程では、前記レジストのうち、前記プリベークの際に熱源に近かった部分ほど露光量が小さく、前記プリベークの際に熱源から遠かった部分ほど露光量が大きくなるように、露光することを特徴とする付記１乃至５のいずれか１つに記載のレジストパターン形成方法。
（付記７）
半導体ウェーハ上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記半導体ウェーハを加工する工程と、
を備え、
前記レジストパターン形成工程は、付記１乃至６のいずれか１つに記載のレジストパターン形成方法により行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Claims (1)

1. ポジ型又はネガ型の化学増幅タイプのレジストを基材に塗布するレジスト塗布工程と、
   前記レジストをプリベークするプリベーク工程と、
   前記レジストを露光する露光工程と、
   前記レジストをポストエクスポージャーべークするポストエクスポージャーベーク工程と、
   前記レジストを現像することにより、該レジストを所定のパターン形状に形成する現像工程と、
   をこの順に行い、
   前記プリベーク工程では、前記レジストがポジ型の場合には該レジストに含まれるベース樹脂の保護基の脱離開始温度以上でプリベークを行い、前記レジストがネガ型の場合には該レジストに含まれるベース樹脂の架橋剤の架橋開始温度以上でプリベークを行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。