JP2011203343A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 披検査パターンの設計データを、披検査パターンの検査に用いる照明の照明条件に依存した情報に基づいて加工する工程と、
   前記加工された設計データから前記披検査パターンの参照データを生成する工程と、
   実際に形成された前記披検査パターンのデータと前記参照データとを比較する工程と、
   を備えたパターン検査方法であって、
   前記照明条件は、前記照明の照明形状及び前記照明の偏光状態の少なくとも一方と、前記照明の波長及び前記照明の開口数の少なくとも一方とを含み、
   前記情報は、前記披検査パターンの光学特性にさらに依存し、
   前記情報は、前記披検査パターンの予測形状を前記照明条件に基づいてシミュレーションすることで、又は前記披検査パターンの予測形状を予め求められた実験結果に基づいて予測することで得られ、
   前記照明条件は、前記パターン検査方法によって検査されたリソグラフィ用マスク上のパターンを転写する際の照明条件と同じである
   ことを特徴とするパターン検査方法。
2. 披検査パターンの設計データを、披検査パターンの検査に用いる照明の照明条件に依存した情報に基づいて加工する工程と、
   前記加工された設計データから前記披検査パターンの参照データを生成する工程と、
   実際に形成された前記披検査パターンのデータと前記参照データとを比較する工程と、
   を備えたことを特徴とするパターン検査方法。
3. 前記照明条件は、前記照明の照明形状及び前記照明の偏光状態の少なくとも一方を含む
   ことを特徴とする請求項２に記載のパターン検査方法。
4. 前記照明条件は、前記照明の波長及び前記照明の開口数の少なくとも一方をさらに含む
   ことを特徴とする請求項３に記載のパターン検査方法。
5. 前記情報は、前記披検査パターンの光学特性にさらに依存する
   ことを特徴とする請求項２に記載のパターン検査方法。
6. 前記情報は、前記披検査パターンの予測形状を前記照明条件に基づいてシミュレーションすることで得られる
   ことを特徴とする請求項２に記載のパターン検査方法。
7. 前記情報は、前記披検査パターンの予測形状を予め求められた実験結果に基づいて予測することで得られる
   ことを特徴とする請求項２に記載のパターン検査方法。
8. 前記照明条件は、前記パターン検査方法によって検査されたリソグラフィ用マスク上のパターンを転写する際の照明条件と同じである
   ことを特徴とする請求項２に記載のパターン検査方法。
9. 請求項２に記載のパターン検査方法によって検査されたリソグラフィ用マスクを用意する工程と、
   前記リソグラフィ用マスク上のパターンを半導体基板上に転写する工程と、
   を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。