JP2010228813A - 確実な読み取りシステム - Google Patents

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Abstract

【課題】確実な読み取りシステムを提供する。
【解決手段】塗布に使用される材料を収容する容器のための確実な読み取りシステム（ＳＲＳ）を開示する。材料に関する情報を記憶する情報記憶メカニズムを有する容器を提供する。読み取り装置を有するＳＲＳのコネクタを設けて、容器に物理的に結合して、そこから定期的に情報を読み取る。コネクタは物理的に容器に結合するように構成されるとともに読み取りと同時に容器から材料を抜き出すことができる。
【選択図】図３

Description

背景
記載の実施形態は、読み取りまたは追跡システムに関する。特に、実施形態は、確実且つ適正な読み取りを確保にする構成を採用した読み取りシステムに関する。また、実施形態は、１つの読み取りまたは追跡アイテムから別のアイテムへの特性の変化を捕らえる構成に関する。
関連技術の背景
半導体デバイスの製造において、様々な目的の材料を半導体基板上に堆積する。半導体基板は二酸化シリコンなどの単結晶シリコン材料のウエハであることが多い。その上に堆積した材料には、半導体基板のトレンチ内に金属線または他の回路構成を形成するための銅、アルミニウムおよび他の金属がある。製造プロセス中に半導体基板上にさらに回路構成および材料層を形成する場合もある。
上述のようにトレンチを形成するために、まずフォトレジスト材料を半導体基板の上方に堆積させる。半導体基板へのフォトレジスト材料の搬送および供給の手法は、製造プロセスにとって重要である。例えば、間違った類型のフォトレジストを塗布するとコストは非常に高くなる場合がある。このような誤りは回路デバイスウエハなどの高価な半導体基板の破壊、無駄なフォトレジスト、およびエラーを修正するのに必要な中断時間の点でコストがかかることになる。
上記のフォトレジスト材料は、液体の状態で半導体基板の表面に搬送および供給される。通例、フォトレジスト材料をスピンオンプロセスにより半導体基板表面全体に塗布して薄く拡げる。スピンオンプロセスのパラメータを選択することにより、確実にフォトレジストを半導体基板の表面全体に非常に均一に薄く分散させる。この後、半導体基板を加熱することが多く、これにより半導体基板上に固体のフォトレジスト層が形成される。
上記の固体フォトレジスト層をパターン化することにより、従来のエッチング技術による以下のトレンチ形成が可能になる。しかし、適正なトレンチ形成および均一性は、一部には、トレンチを規定する薄いフォトレジスト層が示す均一度による。実際に、半導体基板へのフォトレジスト材料の適正な搬送および供給は信頼性の高い半導体デバイスの製造にとって重要である。事実、金属線などのデバイス構成が小さくなるにつれ、フォトレジストの不均一性がデバイス構成に及ぼす悪影響は大きくなる。
均一に薄いフォトレジスト層の達成には、フォトレジスト材料の具体的な物理的および機能的特性に基づいてパラメータを用いるスピンオンまたは他のプロセスの適用が必要となる。残念ながら、フォトレジスト材料タイプの特性は、１つのバッチと次のバッチでは異なる場合がある。例えば、フォトレジストタイプの粘度が１つのバッチまたは容器と次のものとは異なることがある。このように十分に均一なフォトレジスト層を半導体基板上に形成するために信頼性の高い所定のパラメータを設定することは、不可能ではなくても、達成するのが非常に困難であることがある。半導体基板へのフォトレジスト材料の適正な搬送および塗布は、適正タイプのフォトレジスト材料を提供することと、提供されたフォトレジスト材料の正確な特性に鑑み、適正な塗布パラメータを採用することの両方に関連する課題に直面する。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、本発明を完成するに至った。すわなち、本発明は、材料を含む内部を有する容器本体と、前記容器本体の一部分と結合し、前記材料に関する情報を記憶する情報記憶メカニズムであって、前記一部分が前記内部および前記情報にアクセスする唯一の経路を物理的に提供するコネクタと結合するように構成された、情報記憶メカニズムと、を備える容器アセンブリを提供する。
読み取りシステムの一実施形態の断面斜視図である。 図１の読み取りシステムの容器アセンブリの一実施形態の展開斜視図である。 図２の容器アセンブリの断面図である。 図３の４−４に沿った容器アセンブリのアンテナの拡大図である。 複数の容器アセンブリを含む、図１の読み取りシステムのキャビネットの材料引出しの一実施形態の斜視図である。 スピンオンツールを示す、図１のプロセスアセンブリの断面図である。 図１のような読み取りシステムを用いた方法を要約したフローチャートである。 図１のような読み取りシステムを用いたさらなる方法を要約したフローチャートである。
詳細な説明
確実な読み取りシステムの特定の構成を参照して、以下に実施形態を説明する。特に、フォトレジスト材料を含む容器アセンブリの信頼性および保全性を確保するのに役立つ構成を説明する。さらに、塗布パラメータの連続的な補正を可能にして、フォトレジスト材料の１つのバッチまたは容器から次のバッチまたは容器へ変わる際に、フォトレジスト材料タイプの特性のいかなる変化にも対応することを確実にする構成を説明する。
図１を参照すると、確実な読み取りシステム（ＳＲＳ）１００の一実施形態が示されている。ＳＲＳ１００は容器アセンブリ１１０を収容する材料キャビネット１０１を含む。図示の実施形態において、１つの容器アセンブリ１１０のみが見える。しかし、複数の容器アセンブリ１１０が含まれている場合もある。さらに、材料キャビネット１０１は収容される容器アセンブリ１１０の数およびタイプを増やすために、図示のように多数の材料引出し１３０を有してもよい。
容器アセンブリ１１０は、情報タグ２００（図２参照）などのその中に含まれる材料に関する情報を記憶するための情報記憶メカニズムを含んでいる。図１に示すように、容器本体１２０に結合したキャップ１１５が配設されている。図示の実施形態では、情報タグ２００は、具体的には、キャップ１１５に配されている。キャップ１１５はコネクタ１１８を受容して固定するように構成されている。このコネクタ１１８は、容器アセンブリ１１０を、以下にさらに説明するようなプロセスアセンブリ１０３および制御ユニット１０２に同時に結合するように構成されている。
容器アセンブリ１１０は、プロセスアセンブリ１０３に供給される材料を収容するように構成されている。図示の実施形態において、前記コネクタ１１８は材料ライン１２５によってプロセスアセンブリ１０３に結合されている。同様に、前記コネクタ１１８は制御ユニット１０２に結合されている。制御ユニット１０２はここでさらに説明するように容器アセンブリ１１０を識別且つ監視するように構成されている。容器アセンブリ１１０と制御ユニット１０２の間の通信用に情報ケーブル１２２が設けられている。
図１に示した実施形態において、制御ユニット１０２は、容器アセンブリ１１０に直結したコントローラ１５０とタッチスクリーンモニタ１４０とを含む。タッチスクリーンモニタ１４０は、ここでさらに説明するように直接容器アセンブリ１１０に関する、またはその中の材料に関する情報を表示することもできる。容器アセンブリ１１０の識別および監視に加えて、制御ユニット１０２は容器アセンブリ１１０に含まれる材料を使用するプロセスアセンブリ１０３における塗布を指示することもできる。
中央処理能力はコントローラ１５０内に含まれており、そこにプロセスアセンブリ１０３を結合するためにコントローラ・ケーブル１５５が設けられている。このようにして、制御ユニット１０２によって容器アセンブリ１１０からの材料を用いる塗布が指示される。例えば、ユーザがタッチスクリーンモニタ１４０を介して、塗布を指示することもできる。ある実施形態では、このような塗布の指示は上述の情報記憶メカニズムから得られた情報に基づいて、さらに以下の図２（情報タグ２００を参照）を参照している。
図１の参照を続けると、プロセスアセンブリ１０３はマイクロプロセッサ１６０に結合されたプロセス室１７５を含む。マイクロプロセッサ１６０は、所定の一連の命令またはコントローラ１５０からの情報に基づいて、プロセス室１７５内の塗布を指示することもできる。プロセス室１７５は容器アセンブリ１１０に含まれる材料を使用するためのツールまたは装置を含む場合もある。例えば、一実施形態において、プロセス室１７５は容器アセンブリ１１０からのフォトレジスト材料３００を半導体基板６７５（図６参照）に塗布するためのスピンオンツール６００を含む場合もある。
ここで図２を参照すると、容器アセンブリ１１０がさらに詳細に示されている。上述したように、コネクタ１１８がキャップ１１５において容器アセンブリ１１０に結合されている。キャップ１１５は容器アセンブリ１１０の内容物を当初密封するために破断可能（rupturable）膜２１０を含む場合もある。このような実施形態において、コネクタ１１８のプローブ２１５を用いて破断可能膜２１０を貫通するとともに、容器アセンブリ１１０の材料とコネクタ１１８の間を連通させることができる。上述したように、コネクタ１１８は情報ケーブル１２２および材料ライン１２５も含んでいる。材料ライン１２５はコネクタ１１８の本体内でプローブ２１５に連結している。情報ケーブル１２２は、以下にさらに説明するアンテナアセンブリ２７５において終端している。
さらに図７および８を参照して、図１に示したＳＲＳ１００を用いる実施形態をフローチャートの形で要約する。使用時にＳＲＳ１００の構成がどのように相互作用するか、を説明する助けとして、後述する全体部分の説明を通して図７および８を参照する。
上述もしたように、容器アセンブリ１１０のキャップ１１５は情報記憶メカニズムとして情報タグ２００も含んでいる。情報タグ２００は容器アセンブリ１１０に含まれている材用に関するデータを保存するように構成されている。例えば、一実施形態において、材料の性質、製造日および条件、量、および他の特性に関するデータが、情報タグ２００に記憶される（図７の７１０参照）。
情報タグ２００はバーコード、磁気ストリップ、電気的消去可能プログラム可能読取専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）を用いた高周波識別（ＲＦＩＤ）装置、あるいは容器アセンブリ１１０内に含まれている材料に関する情報を記憶するのに適した任意の他の従来メカニズムでもよい。一実施形態において、情報タグ２００は、情報タグ２００に記憶されるデータ量を増やすためにＥＥＰＲＯＭを含んでいる。本実施形態において、図８の８２０に示すように、容器アセンブリ１１０内の材料が変わるときに（例えば、塗布で使用したことにより材料量が減少するとき）、情報タグ２００へ書き込みを行うことによりデータを更新することができる。
図２および３の参照を続けると、容器アセンブリ１１０が特定の塗布に用いるフォトレジスト材料３００を含む場合がある。コネクタ１１８は、適正なフォトレジスト材料３００および適正なフォトレジスト材料３００を有する容器アセンブリ１１０を塗布に用いるコネクタ１１８に結合することを確実にする構成を含む。
情報ケーブル１２２は、既述したようにアンテナアセンブリ２７５において終端する。プローブ２１５を容器本体１２０内に入れるとともにアンテナアセンブリ２７５を情報タグ２００に隣接させた状態でコネクタ１１８を物理的にキャップ１１５に結合することができる。一旦このように配置すると、アンテナアセンブリ２７５はキャップ１１５において情報タグ２００から情報を読み取ることができる。一実施形態において、ここで説明したこの種のコネクタ１１８とキャップ１１５間の結合が採用されるまでアンテナアセンブリ２７５は情報を読み取ることができない。コネクタ１１８を容器アセンブリ１１０において物理的に固定且つ配置する方法のため、アンテナアセンブリ２７５によって読み取られた情報を、容器アセンブリ１１０と独占的に関連付けることができる。このようにコネクタ１１８は容器アセンブリ１１０内の材料および情報タグ２００からの情報が通過可能な唯一の経路として機能する。
所望の塗布をするために、適正材料および容器アセンブリ１１０をコネクタ１１８に結合することをさらに確実にするために、コネクタ１１８を容器アセンブリ１１０のキャップ１１５に結合する前に、確認ツール２５０を使用することができる。確認ツール２５０はコントローラ１５０（図１参照）に結合された確認ケーブル２５５を含む。確認ケーブル２５５は情報タグ２００から情報を読み取るための確認アンテナ２６５で終端する。確認アンテナ２６５は、可視光発光ダイオード（ＬＥＤ）または他の適当なメカニズムなどの確認表示器２６０を含む。
さらに図７を参照すると、制御ユニット１０２（図１参照）において塗布を選択することができる。７３０に示すように、確認ツール２５０の確認アンテナ２６５を情報タグ２００に隣接配置し、コントローラ１５０（図１参照）によって指示することにより情報タグ２００から情報を読み取ることができる。その後確認表示器２６０は確認アンテナ２６５によって読み取られた情報に対して目に見える応答を示すことができる。例えば、一実施形態において、確認表示器２６０は、情報タグ２００から読み取られた情報が所定の塗布用の許容材料３００および容器アセンブリ１１０が存在することを示す場合に緑色光を発することができる。代替的には、確認表示器２６０は、情報タグ２００からの情報がそうでないことを示す場合に赤色光を発することができる。このような方法で、コネクタ１１８を容器アセンブリ１１０のキャップ１１５に結合する前にフォトレジスト材料３００および容器アセンブリ１１０を確認することができる。
図示の実施形態において上述したような確認により、所望の塗布に用いる容器アセンブリ１１０およびフォトレジスト材料３００を確認するため、破断可能膜２１０の破断およびフォトレジスト材料３００の露出を防止することができる。さらに、確認表示器２６０はコントローラ１５０で指示されたときにアンテナアセンブリ２７５から目に見える応答を引き出すことができる。これは、図５に示した材料引出し１３０におけるような多数のアンテナアセンブリ２７５からの同時に目に見える応答を含む場合もある。
図３を参照すると、７４０（図７参照）に示すように、容器アセンブリ１１０は図１のＳＲＳ１００に物理的に固定される。これは、コネクタ１１８をキャップ１１５に結合することにより達成される。プローブ２１５は容器本体１２０内へ下方に延び材料と接触する。図示のように、コネクタ１１８は、従来の手段により流体（例えばフォトレジスト材料３００）を容器本体１２０からプローブ２１５を介して材料ライン１２５へと抜き取るあるいはポンプで汲み上げるように容器アセンブリ１１０に適切に固定される。
コネクタ１１８は、同時に、情報タグ２００からの情報をアンテナアセンブリ２７５によって読み取れるように、キャップ１１５に固定される。コネクタ１１８は容器アセンブリ１１０からフォトレジスト材料３００を抜き取るのを容易にすると同時に、情報タグ２００からアンテナアセンブリ２７５への情報の伝達を確実にするように固定される。これによりアンテナアセンブリ２７５がコネクタ１１８と同時に連通しているまさにその容器アセンブリ１１０の情報タグ２００以外の任意の情報源から情報を読み取る可能性が物理的に排除される。例えば、これによりユーザが１つの使用可能容器アセンブリ１１０およびフォトレジスト材料３００の情報タグ２００から情報を得て、その後塗布に際して誤って別の使用不可能容器をコネクタ１１８に結合することを防止する。
図３を参照すると、コネクタ１１８を容器アセンブリ１１０に組み付けた状態で容器アセンブリ１１０が示されている。プローブ２１５は塗布に使用するためにフォトレジスト材料３００を材料ライン１２５へ抜き出すように容器本体１２０に延びている。プローブ２１５は、図示のように容器本体１２０内へ垂直に延びることができる。代替的には、プローブ２１５を異なる形状あるいは長さに構成して、フォトレジスト材料３００を容器本体１２０の最下部から抜き取るようにすることができる。コネクタ１１８を、図示のように、キャップ１１５において固定すると、アンテナアセンブリ２７５は情報タグ２００に隣接して位置する。上述したように情報は情報タグ２００とアンテナアセンブリ２７５の間で交換可能であるとともに、情報ケーブル１２２に沿って伝達することができる。こうして、８１０に示すように塗布を実行する前に、７５０に示すように適正な容器アセンブリ１１０の物理的結合を確認することができる（図７および８参照）。
図３および４を参照すると、アンテナ部４８０とアンテナ表示器４８５とを有するアンテナアセンブリ２７５が示されている。アンテナ部４８０は情報タグ２００から情報を読み取るための従来のアンテナでもよい。アンテナ部４８０と情報タグ２００の間の物理的結合は必要ない。図示の実施形態において、コネクタ１１８が、キャップ１１５に適正に固定された場合、情報タグ２００とアンテナ部４８０の間に極小クリアランス４９０が設けられる。情報タグ２００とアンテナ部４８０の間に物理的接触がないことが、情報タグ２００とアンテナ部４８０の保全性（integrity）を維持するのに役立つ。
アンテナ部４８０は、情報タグ２００から情報を読み取る働きをすることができる。アンテナ表示器４８５は、情報タグ２００から得られた情報に基づいて点灯するように構成されたＬＥＤ構成を含む場合もある。例えば、一実施形態において、アンテナ表示器４８５は、情報タグ２００から読み取られた情報が所定の塗布用の許容なフォトレジスト材料３００および容器アセンブリ１１０が存在することを示す場合に緑色光を発することができる。代替的には、アンテナ表示器４８５は、情報タグ２００からの情報がそうでないことを示す場合に赤色光を発することができる。これにより、フォトレジスト材料３００を用いて塗布を行う前に適正な容器アセンブリ１１０が使用されているという確証をユーザに与えることができる。
図１〜４を続けて参照すると、コントローラ１５０によって情報タグ２００とアンテナアセンブリ２７５の間の情報交換を指示することができる。上述したようにコントローラ１５０は採用する塗布を指示することもできる。よって、一実施形態において、特定の容器アセンブリ１１０が特定の塗布に許容可能であるかどうかという判断はコントローラ１５０に記憶された一連の所定の判断基準に基づく。許容不可能な容器アセンブリ１１０がコネクタ１１８に結合されると、コントローラ１５０はアンテナ表示器４８５に上述したように示す。さらに、コントローラ１５０は容器本体１２０からフォトレジスト材料３００が抜き取られる前に、塗布を終了することにより応答することができる。
情報タグ２００から得られた読み取り値に基づいて塗布を指示することに加えて、コントローラ１５０は、図８の８３０に示したように、読み取りを連続または進行形式で行うことを指示することもできる。進行読み取りを用いることにより、検出を行わずに複数の塗布間で許容可能容器アセンブリ１１０の交換を防止することもできる。好適な実施形態において、ミリ秒間隔で読み取りを行う。しかし、読み取りを他の間隔で行ってもよい。例えば、一実施形態において、塗布の推定継続時間よりも短い間隔で、アンテナ部４８０により読み取り値を得る。これにより、その容器アセンブリ１１０の交換前に、アンテナ部４８０によって多数の読み取り値が確実に得られる。このようにして、許容可能容器アセンブリ１１０がコネクタ１１８に結合されて直ちに塗布が始まる場合でも、その後検出を行うことなく許容不可能な容器をコネクタ１１８に結合する十分な時間はない。他の実施形態において、推定容器交換時間（すなわち容器アセンブリ１１０を交換するのに必要な時間）未満の間隔で読み取り値を得る。これにより、塗布がまだ実行されていない場合でも、容器アセンブリ１１０の交換前にアンテナ部４８０による多数の読み取り値が得られる。例えば、容器アセンブリ１１０の交換が物理的に５秒を超えるユーザ時間を必要とする一実施形態において、約５秒以下の間隔で読み取りが行われる。
図１〜４を引き続き参照すると、図８の８２０に示すように、更新済み情報を情報タグ２００に書き込むように、アンテナアセンブリ２７５を構成することができる。例えば、上記のように、情報タグ２００は高周波識別（ＲＦＩＤ）性能を含んでもよい。そのため容器アセンブリ１１０内の材料３００の量に関する情報を情報タグ２００に記憶することができる。一実施形態において、塗布中にある量の材料３００を容器アセンブリ１１０から抜き出す際に、容器アセンブリ１１０内のフォトレジスト材料３００の量に関する情報を更新することができる。この更新はアンテナアセンブリ２７５が、塗布中に抜き出されたフォトレジスト材料３００の量を示す、新しい情報を情報タグ２００に書き込むことにより達成される。よって、フォトレジスト材料３００の量に関する最新の情報が容器アセンブリ１１０とともに残る。こうして容器アセンブリ１１０内のフォトレジスト材料３００の量に関する情報を失うことなく容器アセンブリ１１０をＳＲＳ１００から取り外すまたは他のシステムとともに使用することができる。
図１〜５を参照すると、ＳＲＳ１００の材料引出し１３０内に容器アセンブリ１１０が示されている。材料引出し１３０はコントローラにより指示される様々な可能性のある塗布に使用する数個のこのようなアセンブリを保持している。この使い勝手のよい収容能力はＳＲＳ１００に組込み効率も提供する。
図６を参照すると、図１のプロセスアセンブリ１０３がより詳細に示されている。図示の実施形態において、プロセスアセンブリ１０３はスピンオンツール６００が設けられたプロセス室１７５を含む。スピンオンツール６００は半導体基板６７５の表面全体にフォトレジスト材料３００を受容して供給するように構成されている。他の実施形態において、プロセス室１７５は、メニスカスコーティング、ステンシル印刷、あるいはフォトレジスト供給に関係ない塗布など、材料を供給する代替技術用のツールを含んでもよい。
図６に示したように、半導体基板６７５をスピンオンツール６００の回転可能プラットフォーム６８０上の中心に位置させる。その回転可能プラットフォーム６８０は半導体基板６７５の付近で終端する、中空部６８８を有するパイプ６８５により支持されている。このようにして、従来の手段によりパイプ６８５を介して真空（矢印６８８で示す）を適用し、図示のように半導体基板６７５を固定する。
図１〜６を参照すると、フォトレジスト材料３００を半導体基板６７５の表面に供給する際に、スピンオンツール６００を回転させるパイプ６８５に結合された回転可能モータ６９０が示されている。コントローラ１５０に指示されたように、フォトレジスト材料３００が材料ライン１２５およびキャビネット１０１から供給される。そのコントローラ１５０はフォトレジスト材料３００の機能的性質に従って、マイクロプロセッサ１６０を介して上記の塗布を指示する。かかる機能的性質情報は、上述したように容器アセンブリ１１０から得られる。
一実施形態において、フォトレジスト材料３００はノボラック樹脂およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）溶媒中のフェノール化合物などのｉ線フォトレジストである。フェノール化合物はジアゾナフタキノン（ｄｉａｚｏｎａｐｈｔｈａｑｕｉｎｏｎｅ）誘導体である。コントローラ１５０は、フォトレジスト材料３００が供給される際に、マイクロプロセッサ１６０により約４０００ｒｐｍ〜約５０００ｒｐｍのスピンオンツール６００の回転を指示する。その後、半導体基板６７５は約２５秒〜約３５秒の間、約９０℃〜約１００℃の温度に曝される。こうして、フォトレジスト材料３００の膜が半導体基板６７５上に設けられる。得られた膜は、約１．０ミクロン〜約１．４ミクロンの厚さを有することができる。
他の実施形態において、同様であるが他のパラメータを使用して、異なる厚さを有するフォトレジスト材料３００の別の膜を設けることができる。例えば、一実施形態において、約０．６ミクロン〜約１．０ミクロンの厚さを有する遠紫外線（ＵＶ）フォトレジスト膜を設けることができる。他の実施形態において、遠（ディープ）ＵＶフォトレジストと同様の特性の約０．６ミクロン〜約０．８ミクロンの厚さを有する１９３ｎｍフォトレジストを設けることができる。
上記の塗布は、一部には、容器アセンブリ１１０に記憶された情報に基づいて進行する。しかし、ある状況ではその情報は完全に正確ではない。ここに説明した実施形態において、これが所望の範囲から逸脱する膜厚あるいは他の供給問題につながる。例えば、フォトレジストの１つのバッチまたは容器と、当初情報が容器アセンブリ１１０に記憶された時には不明の次のものとで粘度が変わることがある。図８に示すように、従来の手段および変更した塗布により誤った情報の存在を識別８４０して、更新されたパラメータを使用８５０してもよい。すなわち、制御ユニット１０２を介して更新された情報を入力することにより、塗布のパラメータを変更することができる。図示の実施形態において、これにはタッチスクリーン１４０において得られる望ましくない膜厚を示すだけでよい。不均衡を補うアルゴリズムの調整をコントローラ１５０により行い、直ちにフォトレジスト材料３００を使用する塗布に適用することができる。ＳＲＳ１００はこのような連続的な補正を可能にするように構成されている。これが、かかる塗布を実行する際の極小中断時間およびスループットの向上をもたらす。
さらに他の実施形態において、情報記憶メカニズムから得られた情報を動的に用いることができる。例えば、粘度などの材料の性質が時間とともに変化する状況において、情報記憶メカニズムに記憶された情報は材料の古さまたは所定の時刻におけるその粘度に関連する。塗布を実行する際にこのような情報を自動的に捕らえることができる。例えば、コントローラ１５０がその中に記憶された既知の粘度率変化情報を有する場合（図１参照）、塗布の正確な時刻における材料の粘度を示すようにアルゴリズム値を自動的に設定することができる。
上述の実施形態は、特定の所定材料を所定の塗布に専用に利用することを確保する確実な方法を提供する。また、材料が使用される塗布パラメータを確認、および必要に応じて更新する、利用しやすく且つ連続的な方法を提供する実施形態が説明されている。
特定の半導体フォトレジスト塗布を参照して上記の実施形態を説明しているが、他の実施形態および特徴を用いてもよい。例えば、実施形態を、誘電体膜塗布を対象にしてもよい。さらに上述したようなシステムを、ガス容器、血液バッグ、生物薬剤容器、薬物供給装置、および回収可能および再利用可能容器を始めとする様々な材料タイプのうちの１つを含む容器、を使用する用途用に構成してもよい。再利用可能容器は、その後内部に新たな材料を有する容器の各利用毎に、そこに書き込まれた新しい材料情報を有する情報メカニズムを使用することもできる。説明した実施形態は、例えば、ある容器またはバッチから次の容器またはバッチへと材料特性が変わりやすい場合に特に有益である。さらに説明した実施形態の範囲内にある様々な他の特徴および方法を利用することができる。
１００…セキュアな読み取りシステム（ＳＲＳ）、１０１…材料キャビネット、１０２…制御ユニット、１０３…プロセスアセンブリ、１１０…容器アセンブリ、１１５…キャップ、１１８…コネクタ、１２０…容器本体、１２２…情報ケーブル、１２５…材料ライン、１３０…材料引出し、１４０…タッチスクリーンモニタ、１５０…コントローラ、１５５…コントローラ・ケーブル、１６０…マイクロプロセッサ、１７５…プロセス室、２００…情報タグ、２１０…破断可能膜、２１５…プローブ、２５０…確認ツール、２５５…確認ケーブル、２６０…確認表示器、２６５…確認アンテナ、２７５…アンテナアセンブリ、３００…フォトレジスト材料、４８０…アンテナ部、４８５…アンテナ表示器、４９０…極小クリアランス、６００…スピンオンツール、６７５…半導体基板、６８０…回転可能プラットフォーム、６８５…パイプ、６８８…中空部、６９０…回転可能モータ

Claims (30)

  1. 材料を含む内部を有する容器本体と、
    前記容器本体の一部分と結合し、前記材料に関する情報を記憶する情報記憶メカニズムであって、前記一部分が前記内部および前記情報にアクセスする唯一の経路を物理的に提供するコネクタと結合するように構成された、情報記憶メカニズムと、
    を備える容器アセンブリ。
  2. 前記一部分が前記容器本体を密封するキャップである、請求項１に記載の容器アセンブリ。
  3. 前記情報が、前記材料の性質、製造日、製造条件、および量のうちの１つに関するものである、請求項１に記載の容器アセンブリ。
  4. 前記材料が、ｉ線、遠紫外線および１９３ｎｍフォトレジストのうちの１つである、請求項１に記載の容器アセンブリ。
  5. 前記コネクタが塗布の際に前記材料を使用するためにプロセスアセンブリと、塗布を指示するために制御ユニットとに同時に結合している、請求項１に記載の容器アセンブリ。
  6. 材料に関する情報を記憶する情報記憶メカニズムを含むキャップであって、前記材料を含む内部を有する容器と結合するとともに、前記内部および前記情報にアクセスする唯一の経路を物理的に提供するコネクタと結合するキャップ。
  7. 前記情報記憶メカニズムが、バーコード、磁気ストリップ、および高周波識別装置のうちの１つの形態における情報タグである、請求項６に記載のキャップ。
  8. 前記内部を密封するとともに、破断して前記コネクタが前記内部にアクセスすることを可能にする破断可能膜をさらに含む、請求項６に記載のキャップ。
  9. 容器の内部で材料にアクセスするためのプローブと、
    前記容器の一部分に結合された情報記憶メカニズムから独占的手法で情報を読み取るためのアンテナアセンブリとを含み、前記一部分に物理的に結合して前記独占的手法を確実にする装置。
  10. 前記材料を受容するためにプロセスアセンブリと、前記情報を受容するためにコントローラとに同時に結合する、請求項９に記載の装置。
  11. 前記アンテナアセンブリと前記情報記憶メカニズムの間に間隙が設けられている、請求項９に記載の装置。
  12. 塗布の際に材料を使用するプロセスアセンブリと、
    前記材料に関する情報に基づいて前記塗布を指示する制御ユニットと、
    前記プロセスアセンブリおよび前記制御ユニットに結合し、前記プロセスアセンブリに前記材料へのアクセスおよび前記制御ユニットに前記情報へのアクセスを提供するコネクタと、
    を備えるシステム。
  13. 前記プロセスアセンブリが、半導体基板上への前記材料のスピンオンコーティング、メニスカスコーティング、およびステンシル印刷のうちの１つのためのツールを含む、請求項１２に記載のシステム。
  14. 前記材料を含む内部を有する容器アセンブリと、
    前記情報を記憶するための情報記憶メカニズムと、
    をさらに備える、請求項１２に記載のシステム。
  15. 前記容器を収容する材料キャビネットをさらに備える、請求項１４に記載のシステム。
  16. 破断して前記コネクタが前記プロセスアセンブリに前記材料へのアクセスを提供することを可能にする膜を有するキャップにおいて、前記コネクタが前記容器アセンブリに結合された、請求項１４に記載のシステム。
  17. 前記制御ユニットに結合されるとともに、前記破断に先立って前記情報を確認するための確認ツールをさらに備える、請求項１６に記載のシステム。
  18. プロセスアセンブリに結合する制御ユニットであって、前記プロセスアセンブリが塗布の際に材料を使用し、前記制御ユニットがコネクタからの前記材料に関する情報に基づいて前記塗布を指示し、前記コネクタが前記プロセスアセンブリに前記材料へのアクセスを提供する、制御ユニット。
  19. 前記指示のための中央処理能力を有するコントローラをさらに備える、請求項１８に記載の制御ユニット。
  20. 容器の内部を材料で満たすステップと、
    前記材料に関する情報を記憶する情報記憶メカニズムを有し、前記内部および前記情報にアクセスする唯一の経路を物理的に提供するコネクタに結合するキャップで、前記容器を密封するステップと、
    を含む方法。
  21. 前記材料が誘電体、フォトレジスト、ガス、血液、および薬剤のうちの１つである、請求項２０に記載の方法。
  22. 材料で満たされている容器を提供するステップと、
    コネクタを前記容器に結合するステップと、
    前記容器から且つ前記コネクタを介して前記材料に関する情報を読み取るステップと、
    前記容器から且つ前記コネクタを介して前記材料を抜き出すステップと、
    を含む方法。
  23. 前記結合に先立ち、前記情報を確認するステップをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
  24. 前記抜き出すステップの後に、前記容器を再利用するステップをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
  25. 前記抜き出すステップの後に、前記情報を更新するステップをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
  26. 前記情報に基づいて塗布を実行するステップをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
  27. 前記読み取るステップが、ほぼ前記塗布の推定継続時間、推定容器交換時間、および５秒のうちの１つより短い間隔で進行している、請求項２６に記載の方法。
  28. 前記実行の時間に基づいて、前記塗布のパラメータを設定する、請求項２６に記載の方法。
  29. 前記情報の誤りを識別するステップと、
    前記誤りのため前記塗布のパラメータを調整するステップと、
    をさらに含む、請求項２６に記載の方法。
  30. 前記調整するステップが前記塗布を指示するコントローラにおいて前記誤りの結果を入力するステップを含み、前記コントローラが、前記入力に基づいて自動的に前記調整を提供する、請求項２９に記載の方法。
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