JP4536409B2 - 確実な読み取りシステム - Google Patents

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Description

背景
記載の実施形態は、読み取りまたは追跡システムに関する。特に、実施形態は、確実且つ適正な読み取りを確保にする構成を採用した読み取りシステムに関する。また、実施形態は、1つの読み取りまたは追跡アイテムから別のアイテムへの特性の変化を捕らえる構成に関する。
関連技術の背景
半導体デバイスの製造において、様々な目的の材料を半導体基板上に堆積する。半導体基板は二酸化シリコンなどの単結晶シリコン材料のウエハであることが多い。その上に堆積した材料には、半導体基板のトレンチ内に金属線または他の回路構成を形成するための銅、アルミニウムおよび他の金属がある。製造プロセス中に半導体基板上にさらに回路構成および材料層を形成する場合もある。
上述のようにトレンチを形成するために、まずフォトレジスト材料を半導体基板の上方に堆積させる。半導体基板へのフォトレジスト材料の搬送および供給の手法は、製造プロセスにとって重要である。例えば、間違った類型のフォトレジストを塗布するとコストは非常に高くなる場合がある。このような誤りは回路デバイスウエハなどの高価な半導体基板の破壊、無駄なフォトレジスト、およびエラーを修正するのに必要な中断時間の点でコストがかかることになる。
上記のフォトレジスト材料は、液体の状態で半導体基板の表面に搬送および供給される。通例、フォトレジスト材料をスピンオンプロセスにより半導体基板表面全体に塗布して薄く拡げる。スピンオンプロセスのパラメータを選択することにより、確実にフォトレジストを半導体基板の表面全体に非常に均一に薄く分散させる。この後、半導体基板を加熱することが多く、これにより半導体基板上に固体のフォトレジスト層が形成される。
上記の固体フォトレジスト層をパターン化することにより、従来のエッチング技術による以下のトレンチ形成が可能になる。しかし、適正なトレンチ形成および均一性は、一部には、トレンチを規定する薄いフォトレジスト層が示す均一度による。実際に、半導体基板へのフォトレジスト材料の適正な搬送および供給は信頼性の高い半導体デバイスの製造にとって重要である。事実、金属線などのデバイス構成が小さくなるにつれ、フォトレジストの不均一性がデバイス構成に及ぼす悪影響は大きくなる。
均一に薄いフォトレジスト層の達成には、フォトレジスト材料の具体的な物理的および機能的特性に基づいてパラメータを用いるスピンオンまたは他のプロセスの適用が必要となる。残念ながら、フォトレジスト材料タイプの特性は、1つのバッチと次のバッチでは異なる場合がある。例えば、フォトレジストタイプの粘度が1つのバッチまたは容器と次のものとは異なることがある。このように十分に均一なフォトレジスト層を半導体基板上に形成するために信頼性の高い所定のパラメータを設定することは、不可能ではなくても、達成するのが非常に困難であることがある。半導体基板へのフォトレジスト材料の適正な搬送および塗布は、適正タイプのフォトレジスト材料を提供することと、提供されたフォトレジスト材料の正確な特性に鑑み、適正な塗布パラメータを採用することの両方に関連する課題に直面する。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、本発明を完成するに至った。すわなち、本発明は、材料を含む内部を有する容器本体と、前記容器本体の一部分と結合し、前記材料に関する情報を記憶する情報記憶メカニズムであって、前記一部分が前記内部および前記情報にアクセスする唯一の経路を物理的に提供するコネクタと結合するように構成された、情報記憶メカニズムと、を備える容器アセンブリを提供する。
詳細な説明
確実な読み取りシステムの特定の構成を参照して、以下に実施形態を説明する。特に、フォトレジスト材料を含む容器アセンブリの信頼性および保全性を確保するのに役立つ構成を説明する。さらに、塗布パラメータの連続的な補正を可能にして、フォトレジスト材料の1つのバッチまたは容器から次のバッチまたは容器へ変わる際に、フォトレジスト材料タイプの特性のいかなる変化にも対応することを確実にする構成を説明する。
図1を参照すると、確実な読み取りシステム(SRS)100の一実施形態が示されている。SRS100は容器アセンブリ110を収容する材料キャビネット101を含む。図示の実施形態において、1つの容器アセンブリ110のみが見える。しかし、複数の容器アセンブリ110が含まれている場合もある。さらに、材料キャビネット101は収容される容器アセンブリ110の数およびタイプを増やすために、図示のように多数の材料引出し130を有してもよい。
容器アセンブリ110は、情報タグ200(図2参照)などのその中に含まれる材料に関する情報を記憶するための情報記憶メカニズムを含んでいる。図1に示すように、容器本体120に結合したキャップ115が配設されている。図示の実施形態では、情報タグ200は、具体的には、キャップ115に配されている。キャップ115はコネクタ118を受容して固定するように構成されている。このコネクタ118は、容器アセンブリ110を、以下にさらに説明するようなプロセスアセンブリ103および制御ユニット102に同時に結合するように構成されている。
容器アセンブリ110は、プロセスアセンブリ103に供給される材料を収容するように構成されている。図示の実施形態において、前記コネクタ118は材料ライン125によってプロセスアセンブリ103に結合されている。同様に、前記コネクタ118は制御ユニット102に結合されている。制御ユニット102はここでさらに説明するように容器アセンブリ110を識別且つ監視するように構成されている。容器アセンブリ110と制御ユニット102の間の通信用に情報ケーブル122が設けられている。
図1に示した実施形態において、制御ユニット102は、容器アセンブリ110に直結したコントローラ150とタッチスクリーンモニタ140とを含む。タッチスクリーンモニタ140は、ここでさらに説明するように直接容器アセンブリ110に関する、またはその中の材料に関する情報を表示することもできる。容器アセンブリ110の識別および監視に加えて、制御ユニット102は容器アセンブリ110に含まれる材料を使用するプロセスアセンブリ103における塗布を指示することもできる。
中央処理能力はコントローラ150内に含まれており、そこにプロセスアセンブリ103を結合するためにコントローラ・ケーブル155が設けられている。このようにして、制御ユニット102によって容器アセンブリ110からの材料を用いる塗布が指示される。例えば、ユーザがタッチスクリーンモニタ140を介して、塗布を指示することもできる。ある実施形態では、このような塗布の指示は上述の情報記憶メカニズムから得られた情報に基づいて、さらに以下の図2(情報タグ200を参照)を参照している。
図1の参照を続けると、プロセスアセンブリ103はマイクロプロセッサ160に結合されたプロセス室175を含む。マイクロプロセッサ160は、所定の一連の命令またはコントローラ150からの情報に基づいて、プロセス室175内の塗布を指示することもできる。プロセス室175は容器アセンブリ110に含まれる材料を使用するためのツールまたは装置を含む場合もある。例えば、一実施形態において、プロセス室175は容器アセンブリ110からのフォトレジスト材料300を半導体基板675(図6参照)に塗布するためのスピンオンツール600を含む場合もある。
ここで図2を参照すると、容器アセンブリ110がさらに詳細に示されている。上述したように、コネクタ118がキャップ115において容器アセンブリ110に結合されている。キャップ115は容器アセンブリ110の内容物を当初密封するために破断可能(rupturable)膜210を含む場合もある。このような実施形態において、コネクタ118のプローブ215を用いて破断可能膜210を貫通するとともに、容器アセンブリ110の材料とコネクタ118の間を連通させることができる。上述したように、コネクタ118は情報ケーブル122および材料ライン125も含んでいる。材料ライン125はコネクタ118の本体内でプローブ215に連結している。情報ケーブル122は、以下にさらに説明するアンテナアセンブリ275において終端している。
さらに図7および8を参照して、図1に示したSRS100を用いる実施形態をフローチャートの形で要約する。使用時にSRS100の構成がどのように相互作用するか、を説明する助けとして、後述する全体部分の説明を通して図7および8を参照する。
上述もしたように、容器アセンブリ110のキャップ115は情報記憶メカニズムとして情報タグ200も含んでいる。情報タグ200は容器アセンブリ110に含まれている材用に関するデータを保存するように構成されている。例えば、一実施形態において、材料の性質、製造日および条件、量、および他の特性に関するデータが、情報タグ200に記憶される(図7の710参照)。
情報タグ200はバーコード、磁気ストリップ、電気的消去可能プログラム可能読取専用メモリ(EEPROM)を用いた高周波識別(RFID)装置、あるいは容器アセンブリ110内に含まれている材料に関する情報を記憶するのに適した任意の他の従来メカニズムでもよい。一実施形態において、情報タグ200は、情報タグ200に記憶されるデータ量を増やすためにEEPROMを含んでいる。本実施形態において、図8の820に示すように、容器アセンブリ110内の材料が変わるときに(例えば、塗布で使用したことにより材料量が減少するとき)、情報タグ200へ書き込みを行うことによりデータを更新することができる。
図2および3の参照を続けると、容器アセンブリ110が特定の塗布に用いるフォトレジスト材料300を含む場合がある。コネクタ118は、適正なフォトレジスト材料300および適正なフォトレジスト材料300を有する容器アセンブリ110を塗布に用いるコネクタ118に結合することを確実にする構成を含む。
情報ケーブル122は、既述したようにアンテナアセンブリ275において終端する。プローブ215を容器本体120内に入れるとともにアンテナアセンブリ275を情報タグ200に隣接させた状態でコネクタ118を物理的にキャップ115に結合することができる。一旦このように配置すると、アンテナアセンブリ275はキャップ115において情報タグ200から情報を読み取ることができる。一実施形態において、ここで説明したこの種のコネクタ118とキャップ115間の結合が採用されるまでアンテナアセンブリ275は情報を読み取ることができない。コネクタ118を容器アセンブリ110において物理的に固定且つ配置する方法のため、アンテナアセンブリ275によって読み取られた情報を、容器アセンブリ110と独占的に関連付けることができる。このようにコネクタ118は容器アセンブリ110内の材料および情報タグ200からの情報が通過可能な唯一の経路として機能する。
所望の塗布をするために、適正材料および容器アセンブリ110をコネクタ118に結合することをさらに確実にするために、コネクタ118を容器アセンブリ110のキャップ115に結合する前に、確認ツール250を使用することができる。確認ツール250はコントローラ150(図1参照)に結合された確認ケーブル255を含む。確認ケーブル255は情報タグ200から情報を読み取るための確認アンテナ265で終端する。確認アンテナ265は、可視光発光ダイオード(LED)または他の適当なメカニズムなどの確認表示器260を含む。
さらに図7を参照すると、制御ユニット102(図1参照)において塗布を選択することができる。730に示すように、確認ツール250の確認アンテナ265を情報タグ200に隣接配置し、コントローラ150(図1参照)によって指示することにより情報タグ200から情報を読み取ることができる。その後確認表示器260は確認アンテナ265によって読み取られた情報に対して目に見える応答を示すことができる。例えば、一実施形態において、確認表示器260は、情報タグ200から読み取られた情報が所定の塗布用の許容材料300および容器アセンブリ110が存在することを示す場合に緑色光を発することができる。代替的には、確認表示器260は、情報タグ200からの情報がそうでないことを示す場合に赤色光を発することができる。このような方法で、コネクタ118を容器アセンブリ110のキャップ115に結合する前にフォトレジスト材料300および容器アセンブリ110を確認することができる。
図示の実施形態において上述したような確認により、所望の塗布に用いる容器アセンブリ110およびフォトレジスト材料300を確認するため、破断可能膜210の破断およびフォトレジスト材料300の露出を防止することができる。さらに、確認表示器260はコントローラ150で指示されたときにアンテナアセンブリ275から目に見える応答を引き出すことができる。これは、図5に示した材料引出し130におけるような多数のアンテナアセンブリ275からの同時に目に見える応答を含む場合もある。
図3を参照すると、740(図7参照)に示すように、容器アセンブリ110は図1のSRS100に物理的に固定される。これは、コネクタ118をキャップ115に結合することにより達成される。プローブ215は容器本体120内へ下方に延び材料と接触する。図示のように、コネクタ118は、従来の手段により流体(例えばフォトレジスト材料300)を容器本体120からプローブ215を介して材料ライン125へと抜き取るあるいはポンプで汲み上げるように容器アセンブリ110に適切に固定される。
コネクタ118は、同時に、情報タグ200からの情報をアンテナアセンブリ275によって読み取れるように、キャップ115に固定される。コネクタ118は容器アセンブリ110からフォトレジスト材料300を抜き取るのを容易にすると同時に、情報タグ200からアンテナアセンブリ275への情報の伝達を確実にするように固定される。これによりアンテナアセンブリ275がコネクタ118と同時に連通しているまさにその容器アセンブリ110の情報タグ200以外の任意の情報源から情報を読み取る可能性が物理的に排除される。例えば、これによりユーザが1つの使用可能容器アセンブリ110およびフォトレジスト材料300の情報タグ200から情報を得て、その後塗布に際して誤って別の使用不可能容器をコネクタ118に結合することを防止する。
図3を参照すると、コネクタ118を容器アセンブリ110に組み付けた状態で容器アセンブリ110が示されている。プローブ215は塗布に使用するためにフォトレジスト材料300を材料ライン125へ抜き出すように容器本体120に延びている。プローブ215は、図示のように容器本体120内へ垂直に延びることができる。代替的には、プローブ215を異なる形状あるいは長さに構成して、フォトレジスト材料300を容器本体120の最下部から抜き取るようにすることができる。コネクタ118を、図示のように、キャップ115において固定すると、アンテナアセンブリ275は情報タグ200に隣接して位置する。上述したように情報は情報タグ200とアンテナアセンブリ275の間で交換可能であるとともに、情報ケーブル122に沿って伝達することができる。こうして、810に示すように塗布を実行する前に、750に示すように適正な容器アセンブリ110の物理的結合を確認することができる(図7および8参照)。
図3および4を参照すると、アンテナ部480とアンテナ表示器485とを有するアンテナアセンブリ275が示されている。アンテナ部480は情報タグ200から情報を読み取るための従来のアンテナでもよい。アンテナ部480と情報タグ200の間の物理的結合は必要ない。図示の実施形態において、コネクタ118が、キャップ115に適正に固定された場合、情報タグ200とアンテナ部480の間に極小クリアランス490が設けられる。情報タグ200とアンテナ部480の間に物理的接触がないことが、情報タグ200とアンテナ部480の保全性(integrity)を維持するのに役立つ。
アンテナ部480は、情報タグ200から情報を読み取る働きをすることができる。アンテナ表示器485は、情報タグ200から得られた情報に基づいて点灯するように構成されたLED構成を含む場合もある。例えば、一実施形態において、アンテナ表示器485は、情報タグ200から読み取られた情報が所定の塗布用の許容なフォトレジスト材料300および容器アセンブリ110が存在することを示す場合に緑色光を発することができる。代替的には、アンテナ表示器485は、情報タグ200からの情報がそうでないことを示す場合に赤色光を発することができる。これにより、フォトレジスト材料300を用いて塗布を行う前に適正な容器アセンブリ110が使用されているという確証をユーザに与えることができる。
図1〜4を続けて参照すると、コントローラ150によって情報タグ200とアンテナアセンブリ275の間の情報交換を指示することができる。上述したようにコントローラ150は採用する塗布を指示することもできる。よって、一実施形態において、特定の容器アセンブリ110が特定の塗布に許容可能であるかどうかという判断はコントローラ150に記憶された一連の所定の判断基準に基づく。許容不可能な容器アセンブリ110がコネクタ118に結合されると、コントローラ150はアンテナ表示器485に上述したように示す。さらに、コントローラ150は容器本体120からフォトレジスト材料300が抜き取られる前に、塗布を終了することにより応答することができる。
情報タグ200から得られた読み取り値に基づいて塗布を指示することに加えて、コントローラ150は、図8の830に示したように、読み取りを連続または進行形式で行うことを指示することもできる。進行読み取りを用いることにより、検出を行わずに複数の塗布間で許容可能容器アセンブリ110の交換を防止することもできる。好適な実施形態において、ミリ秒間隔で読み取りを行う。しかし、読み取りを他の間隔で行ってもよい。例えば、一実施形態において、塗布の推定継続時間よりも短い間隔で、アンテナ部480により読み取り値を得る。これにより、その容器アセンブリ110の交換前に、アンテナ部480によって多数の読み取り値が確実に得られる。このようにして、許容可能容器アセンブリ110がコネクタ118に結合されて直ちに塗布が始まる場合でも、その後検出を行うことなく許容不可能な容器をコネクタ118に結合する十分な時間はない。他の実施形態において、推定容器交換時間(すなわち容器アセンブリ110を交換するのに必要な時間)未満の間隔で読み取り値を得る。これにより、塗布がまだ実行されていない場合でも、容器アセンブリ110の交換前にアンテナ部480による多数の読み取り値が得られる。例えば、容器アセンブリ110の交換が物理的に5秒を超えるユーザ時間を必要とする一実施形態において、約5秒以下の間隔で読み取りが行われる。
図1〜4を引き続き参照すると、図8の820に示すように、更新済み情報を情報タグ200に書き込むように、アンテナアセンブリ275を構成することができる。例えば、上記のように、情報タグ200は高周波識別(RFID)性能を含んでもよい。そのため容器アセンブリ110内の材料300の量に関する情報を情報タグ200に記憶することができる。一実施形態において、塗布中にある量の材料300を容器アセンブリ110から抜き出す際に、容器アセンブリ110内のフォトレジスト材料300の量に関する情報を更新することができる。この更新はアンテナアセンブリ275が、塗布中に抜き出されたフォトレジスト材料300の量を示す、新しい情報を情報タグ200に書き込むことにより達成される。よって、フォトレジスト材料300の量に関する最新の情報が容器アセンブリ110とともに残る。こうして容器アセンブリ110内のフォトレジスト材料300の量に関する情報を失うことなく容器アセンブリ110をSRS100から取り外すまたは他のシステムとともに使用することができる。
図1〜5を参照すると、SRS100の材料引出し130内に容器アセンブリ110が示されている。材料引出し130はコントローラにより指示される様々な可能性のある塗布に使用する数個のこのようなアセンブリを保持している。この使い勝手のよい収容能力はSRS100に組込み効率も提供する。
図6を参照すると、図1のプロセスアセンブリ103がより詳細に示されている。図示の実施形態において、プロセスアセンブリ103はスピンオンツール600が設けられたプロセス室175を含む。スピンオンツール600は半導体基板675の表面全体にフォトレジスト材料300を受容して供給するように構成されている。他の実施形態において、プロセス室175は、メニスカスコーティング、ステンシル印刷、あるいはフォトレジスト供給に関係ない塗布など、材料を供給する代替技術用のツールを含んでもよい。
図6に示したように、半導体基板675をスピンオンツール600の回転可能プラットフォーム680上の中心に位置させる。その回転可能プラットフォーム680は半導体基板675の付近で終端する、中空部688を有するパイプ685により支持されている。このようにして、従来の手段によりパイプ685を介して真空(矢印688で示す)を適用し、図示のように半導体基板675を固定する。
図1〜6を参照すると、フォトレジスト材料300を半導体基板675の表面に供給する際に、スピンオンツール600を回転させるパイプ685に結合された回転可能モータ690が示されている。コントローラ150に指示されたように、フォトレジスト材料300が材料ライン125およびキャビネット101から供給される。そのコントローラ150はフォトレジスト材料300の機能的性質に従って、マイクロプロセッサ160を介して上記の塗布を指示する。かかる機能的性質情報は、上述したように容器アセンブリ110から得られる。
一実施形態において、フォトレジスト材料300はノボラック樹脂およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)溶媒中のフェノール化合物などのi線フォトレジストである。フェノール化合物はジアゾナフタキノン(diazonaphthaquinone)誘導体である。コントローラ150は、フォトレジスト材料300が供給される際に、マイクロプロセッサ160により約4000rpm〜約5000rpmのスピンオンツール600の回転を指示する。その後、半導体基板675は約25秒〜約35秒の間、約90℃〜約100℃の温度に曝される。こうして、フォトレジスト材料300の膜が半導体基板675上に設けられる。得られた膜は、約1.0ミクロン〜約1.4ミクロンの厚さを有することができる。
他の実施形態において、同様であるが他のパラメータを使用して、異なる厚さを有するフォトレジスト材料300の別の膜を設けることができる。例えば、一実施形態において、約0.6ミクロン〜約1.0ミクロンの厚さを有する遠紫外線(UV)フォトレジスト膜を設けることができる。他の実施形態において、遠(ディープ)UVフォトレジストと同様の特性の約0.6ミクロン〜約0.8ミクロンの厚さを有する193nmフォトレジストを設けることができる。
上記の塗布は、一部には、容器アセンブリ110に記憶された情報に基づいて進行する。しかし、ある状況ではその情報は完全に正確ではない。ここに説明した実施形態において、これが所望の範囲から逸脱する膜厚あるいは他の供給問題につながる。例えば、フォトレジストの1つのバッチまたは容器と、当初情報が容器アセンブリ110に記憶された時には不明の次のものとで粘度が変わることがある。図8に示すように、従来の手段および変更した塗布により誤った情報の存在を識別840して、更新されたパラメータを使用850してもよい。すなわち、制御ユニット102を介して更新された情報を入力することにより、塗布のパラメータを変更することができる。図示の実施形態において、これにはタッチスクリーン140において得られる望ましくない膜厚を示すだけでよい。不均衡を補うアルゴリズムの調整をコントローラ150により行い、直ちにフォトレジスト材料300を使用する塗布に適用することができる。SRS100はこのような連続的な補正を可能にするように構成されている。これが、かかる塗布を実行する際の極小中断時間およびスループットの向上をもたらす。
さらに他の実施形態において、情報記憶メカニズムから得られた情報を動的に用いることができる。例えば、粘度などの材料の性質が時間とともに変化する状況において、情報記憶メカニズムに記憶された情報は材料の古さまたは所定の時刻におけるその粘度に関連する。塗布を実行する際にこのような情報を自動的に捕らえることができる。例えば、コントローラ150がその中に記憶された既知の粘度率変化情報を有する場合(図1参照)、塗布の正確な時刻における材料の粘度を示すようにアルゴリズム値を自動的に設定することができる。
上述の実施形態は、特定の所定材料を所定の塗布に専用に利用することを確保する確実な方法を提供する。また、材料が使用される塗布パラメータを確認、および必要に応じて更新する、利用しやすく且つ連続的な方法を提供する実施形態が説明されている。
特定の半導体フォトレジスト塗布を参照して上記の実施形態を説明しているが、他の実施形態および特徴を用いてもよい。例えば、実施形態を、誘電体膜塗布を対象にしてもよい。さらに上述したようなシステムを、ガス容器、血液バッグ、生物薬剤容器、薬物供給装置、および回収可能および再利用可能容器を始めとする様々な材料タイプのうちの1つを含む容器、を使用する用途用に構成してもよい。再利用可能容器は、その後内部に新たな材料を有する容器の各利用毎に、そこに書き込まれた新しい材料情報を有する情報メカニズムを使用することもできる。説明した実施形態は、例えば、ある容器またはバッチから次の容器またはバッチへと材料特性が変わりやすい場合に特に有益である。さらに説明した実施形態の範囲内にある様々な他の特徴および方法を利用することができる。
読み取りシステムの一実施形態の断面斜視図である。 図1の読み取りシステムの容器アセンブリの一実施形態の展開斜視図である。 図2の容器アセンブリの断面図である。 図3の4−4に沿った容器アセンブリのアンテナの拡大図である。 複数の容器アセンブリを含む、図1の読み取りシステムのキャビネットの材料引出しの一実施形態の斜視図である。 スピンオンツールを示す、図1のプロセスアセンブリの断面図である。 図1のような読み取りシステムを用いた方法を要約したフローチャートである。 図1のような読み取りシステムを用いたさらなる方法を要約したフローチャートである。
符号の説明
100…セキュアな読み取りシステム(SRS)、101…材料キャビネット、102…制御ユニット、103…プロセスアセンブリ、110…容器アセンブリ、115…キャップ、118…コネクタ、120…容器本体、122…情報ケーブル、125…材料ライン、130…材料引出し、140…タッチスクリーンモニタ、150…コントローラ、155…コントローラ・ケーブル、160…マイクロプロセッサ、175…プロセス室、200…情報タグ、210…破断可能膜、215…プローブ、250…確認ツール、255…確認ケーブル、260…確認表示器、265…確認アンテナ、275…アンテナアセンブリ、300…フォトレジスト材料、480…アンテナ部、485…アンテナ表示器、490…極小クリアランス、600…スピンオンツール、675…半導体基板、680…回転可能プラットフォーム、685…パイプ、688…中空部、690…回転可能モータ

Claims (13)

  1. 液体を保持するように構成され、容器開口部を画定する容器と、
    前記容器開口部に隣接して前記容器に固定可能であって、高周波識別タグを備え、前記容器に固定されると前記容器が密封されて内部の液体が封じ込められるように構成されたキャップと、
    コネクタアンテナを含むコネクタ本体と、当該コネクタ本体から伸びるコネクタプローブとを備えるコネクタであって、前記プローブは、前記コネクタが前記キャップに係合される際に、前記容器から前記プローブを通って液体の流れを送出するように設けられ前記コネクタアンテナは、(i)前記コネクタ本体が前記キャップに係合されると、前記高周波識別タグと連通し、かつ、(ii)前記高周波識別タグから当該コネクタアンテナを介して受信した情報に基づいて前記プローブを通じた前記容器からの液体の分配を制御するように構成されたコントローラと連通するように構成されるものである、コネクタと、
    前記コネクタを前記キャップと係合すべきかどうかを決定するために用いられる情報を前記高周波識別タグから受信するように構成された確認アンテナを有する確認ツールと、
    を備える液体処理システム。
  2. 前記キャップが、当該キャップに画定されるプローブ受入開口にわたって、あるいはこれに隣接して設けられる破断しやすい密封要素を備える請求項1に記載の液体処理システム。
  3. 前記破断しやすい密封要素が、破断可能膜を含む請求項2に記載の液体処理システム。
  4. 前記コネクタアンテナと前記確認アンテナの少なくとも一つが、前記高周波識別タグから情報を読み取り、かつ、前記高周波識別タグに情報を格納するように構成される請求項1に記載の液体処理システム。
  5. 前記高周波識別タグが、高周波パッシブトランスポンダを備える請求項1に記載の液体処理システム。
  6. 前記高周波識別タグが、EEPROMを備える請求項1に記載の 液体処理システム。
  7. 前記容器が剛性の内面を有し、当該内面に接触する液体を保持する請求項1に記載の液体処理システム。
  8. 前記プローブが一定の長さを有し、前記容器が一定の深さを有し、前記プローブの長さと前記容器の深さは略同一である請求項1に記載の液体処理システム。
  9. 前記コネクタ本体が前記キャップに係合されると、前記コネクタアンテナと前記高周波識別タグは垂直方向に一列に配列される請求項1に記載の液体処理システム。
  10. 前記コネクタ本体が前記キャップに係合されると、前記コネクタアンテナは前記高周波識別タグから10ミリメートル未満の距離に位置する請求項1に記載の液体処理システム。
  11. 前記コントローラとプロセスツールをさらに備え、前記コントローラが、前記プロセスツールと連通するように構成される請求項1に記載の液体処理システム。
  12. 前記プロセスツールが、集積回路製造プロセスツールを備える請求項11に記載の液体処理システム。
  13. 前記容器内に配置される半導体処理液をさらに備える、請求項1に記載の液体処理システム。
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