JP2010225927A - 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 - Google Patents
固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010225927A JP2010225927A JP2009072575A JP2009072575A JP2010225927A JP 2010225927 A JP2010225927 A JP 2010225927A JP 2009072575 A JP2009072575 A JP 2009072575A JP 2009072575 A JP2009072575 A JP 2009072575A JP 2010225927 A JP2010225927 A JP 2010225927A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- chip
- solid
- imaging device
- state imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 133
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 32
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 25
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 25
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 21
- 230000006870 function Effects 0.000 description 14
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/79—Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】複数の画素4が形成された第1のチップ2と、画素4を駆動する複数の画素駆動回路11が形成された第2のチップ3とが積層された構成とする。画素4は、受光量に応じて信号電荷を生成する受光部と、受光部で生成された信号電荷を読み出し、画素信号として出力する複数のMOSトランジスタとから構成され、第1のチップ2に複数形成されている。画素駆動回路11は、画素4に所望の駆動パルスを供給するものであり第2のチップ3に複数形成されている。そして、このような構成を有する第1のチップ2と第2のチップ3において、第2のチップ3は、第1のチップ2に形成された画素4の下部に、該画素に対応する画素駆動回路11が配されるように、第1のチップ2の下層に積層されている。
【選択図】図1
Description
画素は、受光量に応じて信号電荷を生成する受光部と、前記受光部で生成された信号電荷を読み出し、画素信号として出力する複数のMOSトランジスタとから構成され、第11のチップに複数形成されている。
画素駆動回路は、画素に所望の駆動パルスを供給するものであり第2のチップに複数形成されている。
これらの第1のチップと第2のチップは、第1のチップに形成された画素の下部に、該画素に対応する画素駆動回路が配されるように、第1のチップの下層に第2のチップが積層された構成とされる。そして、これらの第1のチップと第2のチップとは、画素と該画素の下部に配された画素駆動回路とを電気的に接続するための接続部によって接続される。
1.第1の実施形態:固体撮像装置
1.1 固体撮像装置全体の構成
1.2 固体撮像装置の断面構成
1.3 固体撮像装置の回路構成
1.4 変形例
2.第2の実施形態:固体撮像装置
3.第3の実施形態:固体撮像装置
4.第4の実施形態:電子機器
[1.1 固体撮像装置全体の構成]
図1A,Bは、本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の概略斜視図、及び上面からみた概略構成図である。
本実施形態例の固体撮像装置1は、図1Aに示すように、複数の画素4が形成され光入射側に配された第1のチップ2と、複数の画素駆動回路11が形成され反光入射側となる第1のチップ2の下層に積層された第2のチップ3とを有して構成されている。第1のチップ2と第2のチップ3は、図2Bに示すように、1列分の画素4の下部(本実施形態例では直下)に、垂直方向に延在して形成された1本の画素駆動回路11が配されるように積層されている。
そして、これらの2層に積層された第1のチップ2及び第2のチップ3は、図1Aに示すように画素4と画素駆動回路11を電気的に接続するための接続部12によって接続されている。
制御回路9はデコーダで構成され、図示しないアドレス発生回路から入力されるアドレス信号をデコードし、タイミング同期回路10にデコード信号を供給する。
タイミング同期回路10は、デコード信号に基づいて選択された画素4に、各MOSトランジスタを駆動するタイミング信号を出力する。タイミング同期回路10から出力されたタイミング信号は、複数の画素駆動回路11にそれぞれ入力される。
画素駆動回路11は、第1のチップ2に形成された画素部5の、垂直方向に配置された1行分の画素列毎に1つの画素駆動回路11が対応するように複数本形成されている。この画素駆動回路11では、タイミング同期回路10から供給されるタイミング信号に基づいて、対応する画素4の所望のMOSトランジスタに、所望の駆動パルスを供給する。
次に、画素4と、画素駆動回路11との接続部12に係る構成について詳細に説明する。
図3は、第1のチップ2に形成された画素4と、第2のチップ3に形成された画素駆動回路11と、その接続部12を含む領域の概略断面構成図である。図3では、1画素分の断面構成図を示している。
オンチップマイクロレンズ30は、カラーフィルタ層29上部に形成されており、入射した光を受光部16に効率よく集光するように設けられている。
図4は、本実施形態例の固体撮像装置1の画素部5における電気的な接続関係を示すブロック図である。図4に示すように、各画素駆動回路11では、タイミング同期回路から供給されたタイミング信号に応答して、対応する画素4の転送パルス、リセットパルス、選択パルスを生成し、転送配線37、リセット配線38、選択配線39を介して対応する画素4に供給する。
これにより、従来の固体撮像装置では困難とされてきた画素単位、あるいは任意の一部分の画素のみの駆動制御も可能となる。
第2転送トランジスタTr1bのソースは電荷蓄積容量部17aに接続されており、ドレインはフローティングディフュージョン部17bに接続されている。そして、第2転送トランジスタTr1bのゲート電極21bには、読み出しパルスφROGが供給される。
リセットトランジスタTr2aのソースはフローティングディフュージョン部17bに接続されており、ドレインは電源電圧VDDに接続されている。また、リセットトランジスタTr2aのゲート電極22aにはリセットパルスφRSTが供給される。
増幅トランジスタTr3のゲート電極23には、フローティングディフュージョン部17bが電気的に接続されている。また、増幅トランジスタTr3のソースは電源電圧VDDに接続されており、ドレインは選択トランジスタTr4のソースに接続されている。
選択トランジスタTr4のソースは、増幅トランジスタTr3のドレインに接続されており、ソースは、垂直信号線13に接続されている。また、選択トランジスタTr4のゲート電極24には選択パルスφSELが供給される。
受光部用リセットトランジスタTr2bのソースは受光部16のアノード側に接続されており、ドレインは電源電圧VDDに接続されている。また、受光部用リセットトランジスタTr2bのゲート電極22bには、受光部用リセットパルスφOFGが供給さている。
そして、受光部用リセットパルスφOFGをオフすることにより、全画素同時に受光部16において露光を開始する。その後、全画素同時に転送パルスφTRGをオンすることにより、露光を終了すると共に、受光部16において生成、蓄積された信号電荷を電荷蓄積容量部17aに転送する。
その後、画素4毎に読み出しパルスφROGをオンすることにより、電荷蓄積容量部17aに保持されていた信号電荷をフローティングディフュージョン部17bに読み出し、通常の固体撮像装置と同様の方法で垂直信号線13に増幅処理された画素信号を出力する。
図7に、本実施形態例の変形例に係る固体撮像装置1の画素部5における電気的な接続関係を示すブロック図を示す。図7において、図4に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
次に、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。図8A,Bは、本実施形態例に係る固体撮像装置41の概略斜視図、及び上面から見た概略構成図である。また、図9Aは、第1のチップ42の概略構成図であり、図9Bは、第2のチップ43の概略構成図である。
図8,9において、図1,2に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
次に、本発明の第4の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。図11は、本実施形態例の固体撮像装置の画素、画素駆動回路、及び接続部を含む領域の断面構成図である。本実施形態例の全体の構成は、図1A,Bと同様であるから、重複説明を省略する。また、図11において、図3に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
オンチップマイクロレンズは、カラーフィルタ層29上部に形成されており、入射した光を受光部56に効率よく集光するように設けられている。
なお、固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、画素部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
次に、本発明の第4の実施形態に係る電子機器について説明する。図12は、本実施形態例に係る電子機器200の概略構成図である。
シャッタ装置211は、固体撮像装置1への光照射期間および遮光期間を制御する。
駆動回路212は、固体撮像装置1の転送動作およびシャッタ装置211のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路212から供給される駆動信号(タイミング信号)により、固体撮像装置1の信号転送を行なう。信号処理回路213は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、あるいはモニタに出力される。
2 第1のチップ
3 第2のチップ
4 画素
5 画素部
6 カラム信号処理回路
7 水平駆動回路
8 出力回路
9 制御回路
10 タイミング同期回路
11 画素駆動回路
12 接続部
13 垂直信号線
14 水平信号線
15 基板
16 受光部
17 フローティングディフュージョン部
17a 電荷蓄積容量部
17b フローティングディフュージョン部
18 不純物領域
19 不純物領域
20 不純物領域
21 ゲート電極
21a ゲート電極
21b ゲート電極
22 ゲート電極
22a ゲート電極
22b ゲート電極
23 ゲート電極
24 ゲート電極
25 ゲート絶縁膜
26 多層配線層
27 層間絶縁膜
28 配線層
29 カラーフィルタ層
30 オンチップマイクロレンズ
31 コンタクト部
32 コンタクト部
33 コンタクト部
34 マイクロパッド
35 マイクロバンプ
Claims (8)
- 受光量に応じて信号電荷を生成する受光部と、前記受光部で生成された信号電荷を読み出し、画素信号として出力する複数のMOSトランジスタとから構成される画素が、複数形成された第1のチップと、
前記画素に所望の駆動パルスを供給する複数の画素駆動回路が形成され、前記第1のチップに形成された各画素の下部に該画素を駆動する画素駆動回路が配されるように、前記第1のチップの下層に積層された第2のチップと、
前記画素と、前記画素の下部に配された画素駆動回路とを電気的に接続するための接続部と
を含んで構成される固体撮像装置。 - 前記第1のチップは光入射側に配置され、前記第2のチップは反光入射側に配置される
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記駆動回路は、1つ、又は複数個の画素に対して1つの画素駆動回路が対応するように形成されている
請求項2記載の固体撮像装置。 - 前記受光部は前記第1のチップの光入射側に配置される基板に形成され、前記複数のMOSトランジスタのゲート電極を含む多層配線層は、前記基板に対して反光入射側に形成され、
前記接続部は前記多層配線層側に形成された、
請求項3記載の固体撮像装置。 - 前記接続部は、マイクロボンディング又は、第1のチップ及び第2のチップに形成された貫通ビアによって構成されている
請求項4記載の固体撮像装置。 - 前記駆動回路は、1列、又は複数列の画素列に対して1つの画素駆動回路が対応するように形成されている
請求項2記載の固体撮像装置。 - 受光量に応じて信号電荷を生成する受光部と、前記受光部で生成された信号電荷を読み出し、画素信号として出力する複数のMOSトランジスタとから構成される画素が、複数形成された第1のチップと、
前記画素に所望の駆動パルスを供給する複数の画素駆動回路が形成され、前記第1のチップに形成された各画素の下部に該画素を駆動する画素駆動回路が配されるように、前記第1のチップの下層に積層された第2のチップと、
前記画素と、前記画素の下部に配された画素駆動回路とを電気的に接続するための接続部と
を含んで構成される固体撮像装置において、
全画素同時に露光を開始し、全画素同時に露光を終了すると共に、前記全画素の受光部で生成された信号電荷を電荷蓄積容量部に読み出す工程、
所望の画素に、前記所望の画素の下部に配された画素駆動回路から駆動パルスを入力して、前記所望の画素の電荷蓄積容量部に保持された信号電荷を、画素信号として出力する工程、
を含む固体撮像装置の駆動方法。 - 光学レンズと、
前記光学レンズを介して受光した光の受光量に応じて信号電荷を生成する受光部と、前記受光部で生成された信号電荷を読み出し、画素信号として出力する複数のMOSトランジスタとから構成される画素が、複数形成された第1のチップと、
前記画素に所望の駆動パルスを供給する複数の画素駆動回路が形成され、前記第1のチップに形成された各画素の下部に該画素を駆動する画素駆動回路が配されるように、前記第1のチップの下層に積層された第2のチップと、
前記画素と前記画素の下部に配された画素駆動回路とを電気的に接続するための接続部と
を含んで構成される、固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、
を含む電子機器。
Priority Applications (13)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009072575A JP4941490B2 (ja) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
AT10002531T ATE543215T1 (de) | 2009-03-24 | 2010-03-10 | Festkörper-abbildungsvorrichtung, ansteuerverfahren für festkörper- abbildungsvorrichtung und elektronische vorrichtung |
EP10002531A EP2234387B8 (en) | 2009-03-24 | 2010-03-10 | Solid-state imaging device, driving method of solid-state imaging device, and electronic apparatus |
TW099107283A TWI442770B (zh) | 2009-03-24 | 2010-03-12 | 固體攝像裝置、固體攝像裝置之驅動方法、及電子機器 |
KR1020100023269A KR101679854B1 (ko) | 2009-03-24 | 2010-03-16 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 구동 방법, 및 전자 기기 |
CN201010138514.5A CN101848344B (zh) | 2009-03-24 | 2010-03-17 | 固态成像装置及其驱动方法、以及电子设备 |
US12/725,938 US8854517B2 (en) | 2009-03-24 | 2010-03-17 | Solid-state imaging device with stacked sensor and processing chips |
US14/475,286 US9060143B2 (en) | 2009-03-24 | 2014-09-02 | Solid-state imaging device, method of driving a solid-state imaging device, and electronic apparatus including a solid-state imaging device |
US14/633,903 US9848143B2 (en) | 2009-03-24 | 2015-02-27 | Solid-state imaging device, driving method of solid-state imaging device, and electronic apparatus |
KR1020160115409A KR101721381B1 (ko) | 2009-03-24 | 2016-09-08 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 구동 방법, 및 전자 기기 |
KR1020170020423A KR101762091B1 (ko) | 2009-03-24 | 2017-02-15 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 구동 방법, 및 전자 기기 |
KR1020170085192A KR101804100B1 (ko) | 2009-03-24 | 2017-07-05 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 구동 방법, 및 전자 기기 |
US15/684,804 US10270993B2 (en) | 2009-03-24 | 2017-08-23 | Solid-state imaging device including nonvolatile memory, driving method of solid-state imaging device, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009072575A JP4941490B2 (ja) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011101634A Division JP4985862B2 (ja) | 2011-04-28 | 2011-04-28 | 固体撮像装置の駆動方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010225927A true JP2010225927A (ja) | 2010-10-07 |
JP4941490B2 JP4941490B2 (ja) | 2012-05-30 |
Family
ID=43042786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009072575A Active JP4941490B2 (ja) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4941490B2 (ja) |
Cited By (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012104684A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
KR20130020565A (ko) * | 2011-08-17 | 2013-02-27 | 소니 주식회사 | 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 전자 기기 |
JP2013090304A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Sony Corp | 半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステム |
JP2014514782A (ja) * | 2011-05-12 | 2014-06-19 | オリーブ・メディカル・コーポレーション | 最小垂直相互接続を有するハイブリッド画像センサに対する積み重ねスキームを用いた画素アレイの領域最適化 |
JP2014120858A (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-30 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP2014531820A (ja) * | 2011-09-21 | 2014-11-27 | アプティナ イメージング コーポレイションAptina Imaging Corporation | スタックトチップイメージングシステム |
JP2015070591A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-13 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
KR101527908B1 (ko) * | 2011-08-02 | 2015-06-10 | 캐논 가부시끼가이샤 | 주변회로를 배치해 칩 면적증대를 억제한 촬상소자, 및 촬상장치 |
WO2015159728A1 (ja) * | 2014-04-15 | 2015-10-22 | ソニー株式会社 | 撮像素子、電子機器 |
TWI507811B (zh) * | 2013-02-08 | 2015-11-11 | Omnivision Tech Inc | 用於感測器故障檢測的系統及方法 |
WO2015198876A1 (ja) * | 2014-06-24 | 2015-12-30 | ソニー株式会社 | 撮像素子、電子機器 |
KR20160145040A (ko) * | 2014-04-11 | 2016-12-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 반도체 장치의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법 |
JP2017022259A (ja) * | 2015-07-10 | 2017-01-26 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
US9627428B2 (en) | 2014-02-19 | 2017-04-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor and electronic device |
US9635291B2 (en) | 2013-11-29 | 2017-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Image capturing apparatus and mobile telephone |
KR101745319B1 (ko) * | 2013-11-26 | 2017-06-12 | 캐논 가부시끼가이샤 | 촬상소자, 촬상장치 및 휴대전화기 |
JPWO2016151792A1 (ja) * | 2015-03-25 | 2018-01-11 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置 |
KR20180044952A (ko) | 2015-09-30 | 2018-05-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 촬상 소자 및 전자 카메라 |
KR20180048779A (ko) | 2015-09-30 | 2018-05-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 촬상 소자 및 전자 카메라 |
US9998700B1 (en) | 2016-12-05 | 2018-06-12 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor failure detection |
JP2018139451A (ja) * | 2018-05-31 | 2018-09-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、および光電変換装置を用いた撮像システム |
US10455173B2 (en) | 2015-09-30 | 2019-10-22 | Nikon Corporation | Image sensor and electronic camera |
WO2019244514A1 (ja) * | 2018-06-19 | 2019-12-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子及び電子機器 |
JP2020017987A (ja) * | 2012-03-30 | 2020-01-30 | 株式会社ニコン | 電子機器 |
US10636830B2 (en) | 2016-02-01 | 2020-04-28 | Nikon Corporation | Image-capturing element manufacturing method, image-capturing element and image-capturing device |
JP2020108152A (ja) * | 2011-08-02 | 2020-07-09 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
US10728439B2 (en) | 2015-12-16 | 2020-07-28 | Nikon Corporation | Image-capturing apparatus and motion detection method |
JP2020532098A (ja) * | 2017-08-16 | 2020-11-05 | フェイスブック・テクノロジーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーFacebook Technologies, Llc | 画素レベル相互接続部付きの積層フォトセンサアセンブリ |
US10852184B2 (en) | 2012-02-29 | 2020-12-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and image pickup system having photoelectric conversion apparatus |
US10937818B2 (en) | 2015-11-05 | 2021-03-02 | Olympus Corporation | Solid state imaging device |
JP2021048627A (ja) * | 2017-01-31 | 2021-03-25 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
WO2021131840A1 (ja) * | 2019-12-24 | 2021-07-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体素子 |
US11418731B2 (en) | 2017-01-31 | 2022-08-16 | Nikon Corporation | Image sensor and electronic camera |
US11706541B2 (en) | 2016-03-30 | 2023-07-18 | Nikon Corporation | Image sensor, image-capturing apparatus, and semiconductor memory |
US11978755B2 (en) | 2019-06-24 | 2024-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor apparatus and equipment |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006049361A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sony Corp | 半導体モジュール及びmos型固体撮像装置 |
JP2008235478A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Nikon Corp | 撮像素子 |
JP2009170448A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
-
2009
- 2009-03-24 JP JP2009072575A patent/JP4941490B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006049361A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sony Corp | 半導体モジュール及びmos型固体撮像装置 |
JP2008235478A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Nikon Corp | 撮像素子 |
JP2009170448A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
Cited By (99)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9087758B2 (en) | 2010-11-11 | 2015-07-21 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic equipment |
US9692999B2 (en) | 2010-11-11 | 2017-06-27 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic equipment |
KR101750567B1 (ko) * | 2010-11-11 | 2017-07-04 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치 및 전자 기기 |
JP2012104684A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
US9712767B2 (en) | 2010-11-11 | 2017-07-18 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic equipment |
US9462201B2 (en) | 2010-11-11 | 2016-10-04 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic equipment |
JP2014514782A (ja) * | 2011-05-12 | 2014-06-19 | オリーブ・メディカル・コーポレーション | 最小垂直相互接続を有するハイブリッド画像センサに対する積み重ねスキームを用いた画素アレイの領域最適化 |
US10999550B2 (en) | 2011-08-02 | 2021-05-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device that is provided with peripheral circuits to prevent chip area from being increased, and image pickup apparatus |
KR20160075414A (ko) * | 2011-08-02 | 2016-06-29 | 캐논 가부시끼가이샤 | 촬상소자 및 촬상장치 |
KR20150077389A (ko) * | 2011-08-02 | 2015-07-07 | 캐논 가부시끼가이샤 | 촬상소자 및 촬상장치 |
US9666626B2 (en) | 2011-08-02 | 2017-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device that is provided with peripheral circuits to prevent chip area from being increased, and image pickup apparatus |
US12088939B2 (en) | 2011-08-02 | 2024-09-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device that is provided with peripheral circuits to prevent chip area from being increased, and image pickup apparatus |
JP2021166395A (ja) * | 2011-08-02 | 2021-10-14 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
JP7497396B2 (ja) | 2011-08-02 | 2024-06-10 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
JP7135167B2 (ja) | 2011-08-02 | 2022-09-12 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
KR101610135B1 (ko) | 2011-08-02 | 2016-04-07 | 캐논 가부시끼가이샤 | 주변회로를 배치해 칩 면적증대를 억제한 촬상소자, 및 촬상장치 |
KR101799262B1 (ko) | 2011-08-02 | 2017-11-20 | 캐논 가부시끼가이샤 | 촬상소자 및 촬상장치 |
KR101629775B1 (ko) | 2011-08-02 | 2016-06-14 | 캐논 가부시끼가이샤 | 촬상소자 및 촬상장치 |
KR101527908B1 (ko) * | 2011-08-02 | 2015-06-10 | 캐논 가부시끼가이샤 | 주변회로를 배치해 칩 면적증대를 억제한 촬상소자, 및 촬상장치 |
KR101710021B1 (ko) | 2011-08-02 | 2017-02-24 | 캐논 가부시끼가이샤 | 촬상소자 및 촬상장치 |
US10506190B2 (en) | 2011-08-02 | 2019-12-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device that is provided with peripheral circuits to prevent chip area from being increased, and image pickup apparatus |
JP2020108152A (ja) * | 2011-08-02 | 2020-07-09 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
US11606526B2 (en) | 2011-08-02 | 2023-03-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device that is provided with peripheral circuits to prevent chip area from being increased, and image pickup apparatus |
JP2022171700A (ja) * | 2011-08-02 | 2022-11-11 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
KR101996676B1 (ko) * | 2011-08-17 | 2019-07-04 | 소니 주식회사 | 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 전자 기기 |
JP2013042005A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-02-28 | Sony Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器 |
KR20130020565A (ko) * | 2011-08-17 | 2013-02-27 | 소니 주식회사 | 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 전자 기기 |
JP2014531820A (ja) * | 2011-09-21 | 2014-11-27 | アプティナ イメージング コーポレイションAptina Imaging Corporation | スタックトチップイメージングシステム |
US9231011B2 (en) | 2011-09-21 | 2016-01-05 | Semiconductor Components Industries, Llc | Stacked-chip imaging systems |
US9736409B2 (en) | 2011-10-21 | 2017-08-15 | Sony Corporation | Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system |
US9350929B2 (en) | 2011-10-21 | 2016-05-24 | Sony Corporation | Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system |
JP2013090304A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Sony Corp | 半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステム |
US10027912B2 (en) | 2011-10-21 | 2018-07-17 | Sony Corporation | Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system having via holes between substrates |
US10554912B2 (en) | 2011-10-21 | 2020-02-04 | Sony Corporation | Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system |
US9654708B2 (en) | 2011-10-21 | 2017-05-16 | Sony Corporation | Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system |
US9838626B2 (en) | 2011-10-21 | 2017-12-05 | Sony Corporation | Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system |
US9509933B2 (en) | 2011-10-21 | 2016-11-29 | Sony Corporation | Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system |
US10852184B2 (en) | 2012-02-29 | 2020-12-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and image pickup system having photoelectric conversion apparatus |
US11743608B2 (en) | 2012-03-30 | 2023-08-29 | Nikon Corporation | Imaging unit, imaging apparatus, and computer readable medium storing thereon an imaging control program |
JP2020017987A (ja) * | 2012-03-30 | 2020-01-30 | 株式会社ニコン | 電子機器 |
JP2014120858A (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-30 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
TWI507811B (zh) * | 2013-02-08 | 2015-11-11 | Omnivision Tech Inc | 用於感測器故障檢測的系統及方法 |
JP2015070591A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-13 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
US10319774B2 (en) | 2013-10-01 | 2019-06-11 | Olympus Corporation | Image capturing device |
US9866776B2 (en) | 2013-11-26 | 2018-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor, image capturing apparatus, and cellular phone |
KR101745319B1 (ko) * | 2013-11-26 | 2017-06-12 | 캐논 가부시끼가이샤 | 촬상소자, 촬상장치 및 휴대전화기 |
US9635291B2 (en) | 2013-11-29 | 2017-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Image capturing apparatus and mobile telephone |
KR101745318B1 (ko) * | 2013-11-29 | 2017-06-12 | 캐논 가부시끼가이샤 | 촬상장치 및 휴대전화기 |
US9627428B2 (en) | 2014-02-19 | 2017-04-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor and electronic device |
KR20160145040A (ko) * | 2014-04-11 | 2016-12-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 반도체 장치의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법 |
JP2020096374A (ja) * | 2014-04-11 | 2020-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | イメージセンサ |
KR102352581B1 (ko) * | 2014-04-11 | 2022-01-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 반도체 장치의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법 |
KR102357356B1 (ko) * | 2014-04-11 | 2022-02-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 반도체 장치의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법 |
KR20220018083A (ko) * | 2014-04-11 | 2022-02-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 반도체 장치의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법 |
KR102397186B1 (ko) * | 2014-04-11 | 2022-05-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 반도체 장치의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법 |
KR20210040188A (ko) * | 2014-04-11 | 2021-04-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 반도체 장치의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법 |
KR102407291B1 (ko) * | 2014-04-15 | 2022-06-10 | 소니그룹주식회사 | 촬상 소자, 전자 기기 |
KR20160144358A (ko) * | 2014-04-15 | 2016-12-16 | 소니 주식회사 | 촬상 소자, 전자 기기 |
JPWO2015159728A1 (ja) * | 2014-04-15 | 2017-04-13 | ソニー株式会社 | 撮像素子、電子機器 |
KR102516304B1 (ko) | 2014-04-15 | 2023-03-31 | 소니그룹주식회사 | 촬상 소자, 전자 기기 |
KR20220080031A (ko) * | 2014-04-15 | 2022-06-14 | 소니그룹주식회사 | 촬상 소자, 전자 기기 |
CN106233465A (zh) * | 2014-04-15 | 2016-12-14 | 索尼公司 | 摄像元件和电子装置 |
CN106233465B (zh) * | 2014-04-15 | 2020-10-27 | 索尼公司 | 摄像元件和电子装置 |
US10015427B2 (en) | 2014-04-15 | 2018-07-03 | Sony Corporation | Image sensor and electronic apparatus including multiple substrates |
WO2015159728A1 (ja) * | 2014-04-15 | 2015-10-22 | ソニー株式会社 | 撮像素子、電子機器 |
US10375334B2 (en) | 2014-04-15 | 2019-08-06 | Sony Corporation | Image sensor and electronic apparatus including multiple substrates |
WO2015198876A1 (ja) * | 2014-06-24 | 2015-12-30 | ソニー株式会社 | 撮像素子、電子機器 |
JPWO2016151792A1 (ja) * | 2015-03-25 | 2018-01-11 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2017022259A (ja) * | 2015-07-10 | 2017-01-26 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
US11539904B2 (en) | 2015-09-30 | 2022-12-27 | Nikon Corporation | Image sensor and electronic camera |
US11664404B2 (en) | 2015-09-30 | 2023-05-30 | Nikon Corporation | Image sensor and electronic camera |
KR20180044952A (ko) | 2015-09-30 | 2018-05-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 촬상 소자 및 전자 카메라 |
US11044430B2 (en) | 2015-09-30 | 2021-06-22 | Nikon Corporation | Image sensor and electronic camera |
US12081886B2 (en) | 2015-09-30 | 2024-09-03 | Nikon Corporation | Image sensor and electronic camera |
US10944924B2 (en) | 2015-09-30 | 2021-03-09 | Nikon Corporation | Image sensor and electronic camera |
JP2021168499A (ja) * | 2015-09-30 | 2021-10-21 | 株式会社ニコン | 撮像素子及び撮像装置 |
KR20200051062A (ko) | 2015-09-30 | 2020-05-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 촬상 소자 및 전자 카메라 |
US10574930B2 (en) | 2015-09-30 | 2020-02-25 | Nikon Corporation | Image sensor and electronic camera |
KR20180048779A (ko) | 2015-09-30 | 2018-05-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 촬상 소자 및 전자 카메라 |
US10455173B2 (en) | 2015-09-30 | 2019-10-22 | Nikon Corporation | Image sensor and electronic camera |
KR20200040901A (ko) | 2015-09-30 | 2020-04-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 촬상 소자 및 전자 카메라 |
JP2020058066A (ja) * | 2015-09-30 | 2020-04-09 | 株式会社ニコン | 撮像素子 |
US10937818B2 (en) | 2015-11-05 | 2021-03-02 | Olympus Corporation | Solid state imaging device |
US10728439B2 (en) | 2015-12-16 | 2020-07-28 | Nikon Corporation | Image-capturing apparatus and motion detection method |
US10937823B2 (en) | 2016-02-01 | 2021-03-02 | Nikon Corporation | Image-capturing element manufacturing method, image-capturing element and image-capturing device |
US10636830B2 (en) | 2016-02-01 | 2020-04-28 | Nikon Corporation | Image-capturing element manufacturing method, image-capturing element and image-capturing device |
US11706541B2 (en) | 2016-03-30 | 2023-07-18 | Nikon Corporation | Image sensor, image-capturing apparatus, and semiconductor memory |
US9998700B1 (en) | 2016-12-05 | 2018-06-12 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor failure detection |
JP2021048627A (ja) * | 2017-01-31 | 2021-03-25 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
US11418731B2 (en) | 2017-01-31 | 2022-08-16 | Nikon Corporation | Image sensor and electronic camera |
JP7167974B2 (ja) | 2017-01-31 | 2022-11-09 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
US11917310B2 (en) | 2017-01-31 | 2024-02-27 | Nikon Corporation | Image sensor and image-capturing device including adjustment unit for reducing capacitance |
JP2020532098A (ja) * | 2017-08-16 | 2020-11-05 | フェイスブック・テクノロジーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーFacebook Technologies, Llc | 画素レベル相互接続部付きの積層フォトセンサアセンブリ |
JP2018139451A (ja) * | 2018-05-31 | 2018-09-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、および光電変換装置を用いた撮像システム |
US11924403B2 (en) | 2018-06-19 | 2024-03-05 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging element and electronic device |
WO2019244514A1 (ja) * | 2018-06-19 | 2019-12-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子及び電子機器 |
US11978755B2 (en) | 2019-06-24 | 2024-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor apparatus and equipment |
DE102020116357B4 (de) | 2019-06-24 | 2024-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Halbleitervorrichtung und -ausrüstung |
WO2021131840A1 (ja) * | 2019-12-24 | 2021-07-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4941490B2 (ja) | 2012-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4941490B2 (ja) | 固体撮像装置、及び電子機器 | |
JP5537172B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
KR101799262B1 (ko) | 촬상소자 및 촬상장치 | |
JP4835710B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 | |
JP4799594B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP5476745B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
JP5458582B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 | |
JP6334203B2 (ja) | 固体撮像装置、および電子機器 | |
JP2021097241A (ja) | 固体撮像素子および電子機器 | |
WO2018105334A1 (ja) | 固体撮像素子及び電子機器 | |
JP7497396B2 (ja) | 撮像素子及び撮像装置 | |
JP2010103667A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 | |
JP5348176B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 | |
JP6276297B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP5278491B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 | |
JP2017175164A (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP4985862B2 (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
JP5874777B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP2017139498A (ja) | 固体撮像装置、および電子機器 | |
JP5234100B2 (ja) | 固体撮像装置および撮像装置 | |
JP2009206423A (ja) | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法および撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120131 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120213 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4941490 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150309 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |