JP2010212468A5 - - Google Patents
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基板１０の横方向の両側に配置された第１ＮｉＣｏパターン層３２は、それらの間にスリットＳが設けられた状態でその長手方向が横方向を向いて並んで形成されている（図５参照）。また、基板１０の縦方向の両側に配置された第１ＮｉＣｏパターン層３２は、それらの間にスリットＳが設けられた状態でその長手方向が縦方向を向いて並んで形成されている（図５参照）。
さらに、第１ＮｉＣｏパターン層３２及び第１絶縁層２０の上には第２絶縁層２２（下側絶縁層）が形成されている。第２絶縁層２２の上にはパッド部４０ａとそれに繋がって時計回転方向に巻かれたコイル部４０ｂとによって構成される第１平面コイル層４０が形成されている。第１平面コイル層４０のコイル部４０ｂは四角形で巻かれて配置されている。
以上により、第２実施形態のインダクタ装置１ａが得られる。
図１４（ｂ）に示すように、第２実施形態のインダクタ装置１ａでは、最下に、第１触媒金属含侵樹脂パターン層３０とその下に同一パターンで配置された第１ＮｉＣｏパターン層３２とが形成されている。第１触媒金属含侵樹脂パターン層３０の上には第１絶縁層６０（下側絶縁層）が形成されている。
これと同時に、ホールＨを形成することにより、第１、第２ＮｉＣｏパターン層３２，３６同士の距離（第１絶縁ギャップＡ）が第１平面コイル層４０と第１ＮｉＣｏパターン層３２との間の距離（第２絶縁ギャップＢ）よりも短くなるように設定すればよい（図１４（ｂ））。
なお、図１６の例では、第１、第２平面コイル層４０，４２の外側周縁部の全体にリング状に第１、第２ＮｉＣｏパターン層３２，３６を配置しているが、四隅部にホールＨをまとめて配置し、四隅部に三角状の第１、第２ＮｉＣｏパターン層３２，３６を延在させてもよい。
また、前述した第１実施形態のインダクタ装置１に同様なホールＨを形成して同様な構造としてもよい。この場合、前述した第１実施形態において、第１、第２平面コイル層４０，４２のパッド部４０ａ，４２ａが省略され、パッド部４０ａ，４２ｂに対応する大きな径のビアホールＶＨの側面にビア導体が設けられて、第１、第２平面コイル層４０，４２が相互接続される。
１，１ａ…インダクタ装置、２，…インダクタ素子、１０…基板、２０，２２，２４，２６，６０、６２…絶縁層、３０ａ…第１触媒金属含侵樹脂層、３０…第１触媒金属含侵樹脂パターン層、３２…第１ＮｉＣｏパターン層（磁性体パターン層）、３４…第２触媒金属含侵樹脂パターン層、３６…第２ＮｉＣｏパターン層（磁性体パターン層）、４０…第１平面コイル層、４０ａ，４２ａ…パッド部、４０ｂ，４２ｂ…コイル部、４１…ビア導体、４２…第２平面コイル層、Ａ，Ｂ，Ｃ…絶縁ギャップ、ＴＨ…スルーホール、ＶＨ…ビアホール、Ｈ…ホール、Ｓ…スリット。
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