JP2010199625A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、ガラス基板14が貼り合された半導体ウェハ10を、ダイシング領域60に沿ってブレードを移動させながら切削する工程を含む半導体装置の製造方法であって、以下の特徴を有する。即ち、半導体ウェハ10上のダイシング領域60の両側に、互いに対向する1対のアラインメントマーク51a,51bを形成する。そして、切削工程において、ダイシング領域60の中心、即ちセンターライン61に回転ブレードの位置を合わせる際、アラインメントマーク51a,51bの位置を認識カメラにより検出し、その検出結果に基づいてセンターライン61を求め、当該センターライン61上に回転ブレードの位置を合わせ、センターラインに沿って半導体ウェハの裏面から前記ウィンドウ内で露出するパッドの端部に接触することなく前記支持体の厚さ方向の途中まで達する切削溝を形成する工程と具備するものである。
【選択図】 図1
Description
20を形成する。ここで、例えば、半導体ウェハ10の裏面を上方に向けた後、有機樹脂の回転塗布により、切削溝40内を含む半導体ウェハ10の裏面全体に、当該有機樹脂を行きわたらせる。これにより、切削溝40内に露出する全ての層、即ち、第2の絶縁膜16、半導体ウェハ10、第1の絶縁膜12、樹脂15及びガラス基板14の露出面が保護膜20によって覆われる。
12 第1の絶縁膜 14 ガラス基板 15 樹脂
16 第2の絶縁膜 17 緩衝部材
18,18a,18b 第2の配線 8a,8b 端部
19 メッキ膜 20 保護膜 21 導電端子
30 ウィンドウ 40 切削溝
51a,51b,52a,52c アラインメントマーク
60 ダイシング領域 61,62 センターライン
Claims (11)
- 半導体ウェハの表面に画定されたダイシング領域に沿って1対のパッドが配置され、前記半導体ウェハの裏面において前記1対のパッドに対応する位置に限り、当該1対のパッドを露出し得るように開口されたウィンドウが形成され、かつ前記半導体ウェハの表面上に支持体が貼り付けられて成る積層体を、前記ダイシング領域に沿ってブレードを移動させながら、前記半導体ウェハの裏面から前記支持体の厚さ方向の途中まで達するように切削して、当該積層体に切削溝を形成する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ウェハの裏面における前記ダイシング領域の両側に、当該ダイシング領域を挟むようにして互いに対向する1対のアラインメントマークを形成し、当該1対のアラインメントマークの位置を認識手段により検出し、当該検出結果に基づいて前記ダイシング領域のセンターラインを求め、当該センターライン上にブレードの位置を合わせ、センターラインに沿って半導体ウェハの裏面から前記ウィンドウ内で露出するパッドの端部に接触することなく前記支持体の厚さ方向の途中まで達する切削溝を形成する工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記切削溝を形成した後の工程において、
前記1対のアラインメントマークの位置を認識手段により検出し、当該検出結果に基づいて前記ダイシング領域のセンターラインを求め、当該センターライン上にブレードの位置を合わせて、前記半導体ウェハの裏面側から切削を行うことにより、前記積層体を個々の半導体チップに分離することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記アラインメントマークは、半導体装置の製造工程で用いられる材料により形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記アラインメントマークは、エッチングによって形成される窪みであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ウィンドウから露出したパッドに接続され、前記半導体ウェハの裏面上に延在する配線を形成する工程を具備することを特徴とする請求項1乃至請求項4のうちいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ダイシング領域は、第1の方向のダイシング領域と、前記第1の方向のダイシング領域と直交する第2のダイシング領域とから成り、
前記1対のアライメントマークは、前記第1の方向のダイシング領域の両側に、当該ダイシング領域を挟むようにして互いに対向する第1の1対のアライメントマークと、前記第2の方向のダイシング領域の両側に、当該ダイシング領域を挟むようにして向かい合う第2の1対のアライメントマークとを有し、
前記第1及び第2の1対のアライメントマークは分割される個々の半導体チップの角部に形成されており、
前記個々の半導体チップの一部の角部にはアライメントマークが形成されていないことを特徴とする請求項1乃至請求項5のうちいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体チップの表面に画定されたダイシング領域に沿って配置されたパッドと、
前記半導体チップの裏面において前記パッドに対応する位置に限り、当該半導体チップを開口するウィンドウを介して前記パッドと接続され、前記半導体チップの裏面に延在した配線と、
前記半導体チップの表面に貼り付けられ、その厚さ方向の途中まで達する切削溝を有する支持体と、
前記半導体チップの裏面における前記ダイシング領域に沿って形成されたアラインメントマークと、を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記アラインメントマークは、半導体装置の製造工程で用いられる材料により形成されることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 前記アラインメントマークは、エッチングによって形成される窪みであることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の半導体装置。
- 前記アラインメントマークと前記配線は、同一層から成ることを特徴とする請求項7乃至請求項9のうちいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体チップは第1,第2,第3及び第4の角部を有し、
前記ダイシング領域は、前記第1の角部から前記第2の角部への方向と平行な第1の方向のダイシング領域と、
前記第1の角部から前記第3の角部への方向と平行であって、前記第1の方向のダイシング領域と直交する第2のダイシング領域とから成り、
前記アライメントマークは前記半導体チップの前記第1,第2,及び第3の角部に形成され、
前記第1の角部に形成されたアライメントマークは、前記第1及び第2の方向のダイシング領域のそれぞれの方向に沿って形成され、
前記第1の角部の対角にある第4の角部にアライメントマークが形成されておらず、
前記第2の角部に形成されたアライメントマークは、前記第2の方向のダイシング領域に沿って形成され、
前記第3の角部に形成されたアライメントマークは、前記第1の方向のダイシング領域に沿って形成されていることを特徴とする請求項7乃至請求項9のうちいずれか1項に記載の半導体装置。
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