JPH088214A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ダイシングのためのアライメントに際してタ
ーゲットマークからの光の反射率を高めて、ダイシング
時のアライメント精度を高める。 【構成】 オーバコート膜１３及び反射防止膜１４のう
ちで、ダイシング時におけるアライメント用のターゲッ
トマーク１２の少なくとも一部分上の部分を、パッド上
の部分と同時に除去して、開口１５を形成する。このた
め、ターゲットマーク１２とターゲットマーク１２以外
の部分との間におけるコントラストが高く、ＣＣＤイメ
ージセンサによる二値化検出の精度が高くて、アライメ
ント精度が高い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本願の発明は、ダイシング時にお
けるアライメント用のターゲットマークを有している半
導体装置及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェハに形成された多数の半導体
チップを個々に分離するためのダイシングに際しては、
アライメントが必要である。このため、図２に示す様に
４個の四角いパターンのＡｌ膜１１を十字型に配置した
ターゲットマーク１２を、図３に示す様にオーバコート
膜１３の下に設け、半導体ウェハに照射した可視光の反
射光をＣＣＤイメージセンサで二値化して、位置の検出
を行っている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体装置
を微細化するために露光装置の解像度を高めるに連れ
て、焦点深度が浅くなってきている。また、配線の多層
化に伴って段差が大きくなることによっても、焦点深度
が実質的に浅くなってきている。この様な状態におい
て、リソグラフィ工程の露光時に、下地からの反射光に
よるハレーションや定在波効果等が生じると、パターン
の制御性が大幅に低下する。このため、Ａｌ膜１１上に
反射防止膜１４（図１）が設けられる様になってきてい
るが、そのためにターゲットマーク１２の反射率が低下
してきている。

【０００４】また、半導体装置を微細化してもオーバコ
ート膜１３の段差被覆性が低下して耐湿性が低下しない
様に、多層構造のオーバコート膜１３（図１）を用い
て、オーバコート膜１３の表面を平滑化する様になって
きている。このため、多層構造のオーバコート膜１３中
の層同士の界面で光が反射して、オーバコート膜１３の
透過率が低下してきている。

【０００５】これらのために、ダイシングのためのアラ
イメントに際して、ＣＣＤイメージセンサによる二値化
検出の精度が低下してきており、アライメント精度が低
下して、ダイシングの歩留りが低下してきている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】請求項１の半導体装置
は、ダイシング時におけるアライメント用のターゲット
マーク１２の少なくとも一部分が被覆膜１３、１４に覆
われていないことを特徴としている。

【０００７】請求項２の半導体装置は、請求項１の半導
体装置において、前記ターゲットマーク１２のうちで端
縁部を除く部分が前記被覆膜１３、１４に覆われていな
いことを特徴としている。

【０００８】請求項３の半導体装置は、請求項１の半導
体装置において、前記ターゲットマーク１２の全体が前
記被覆膜１３、１４に覆われていないことを特徴として
いる。

【０００９】請求項４の半導体装置の製造方法は、請求
項１〜３の何れかの半導体装置を製造するに際して、前
記被覆膜１３、１４のうちでパッド上の部分と前記少な
くとも一部分上の部分とを同時に除去することを特徴と
している。

【００１０】

【作用】請求項１の半導体装置では、ダイシングのため
のアライメントに際して、ターゲットマーク１２からの
光の反射率が高くて、ターゲットマーク１２とターゲッ
トマーク１２以外の部分との間におけるコントラストが
高いので、ダイシング時のアライメント精度が高い。

【００１１】請求項２の半導体装置では、ターゲットマ
ーク１２のうちで端縁部は被覆膜１３、１４に覆われて
いるので、ターゲットマーク１２上の被覆膜１３、１４
をエッチングで除去しても、ターゲットマーク１２の下
地の層間絶縁膜はエッチングされていない。

【００１２】請求項３の半導体装置では、ターゲットマ
ーク１２の端縁も被覆膜１３、１４から露出しているの
で、ターゲットマーク１２とターゲットマーク１２以外
の部分との間におけるコントラストが更に高くて、ダイ
シング時のアライメント精度が更に高い。

【００１３】請求項４の半導体装置の製造方法では、被
覆膜１３、１４のうちでパッド上の部分とターゲットマ
ーク１２上の部分とを同時に除去しているので、ターゲ
ットマーク１２上の被覆膜１３、１４を除去するために
製造工程が増加することはない。

【００１４】

【実施例】以下、本願の発明の第１及び第２実施例を、
図１、２を参照しながら説明する。なお、図３に示した
一従来例と対応する構成部分には、同一の符号を付して
ある。

【００１５】図１（ａ）が、第１実施例を示しており、
この第１実施例にも、図２に示したターゲットマーク１
２が設けられている。そして、この第１実施例では、タ
ーゲットマーク１２や配線（図示せず）を形成している
Ａｌ膜１１上に反射防止膜１４が設けられており、且つ
３層構造のオーバコート膜１３がＡｌ膜１１及び反射防
止膜１４を覆っている。

【００１６】しかし、この第１実施例では、ターゲット
マーク１２のＡｌ膜１１と同一層のＡｌ膜で形成されて
いるパッド（図示せず）に対する開口をオーバコート膜
１３及び反射防止膜１４に形成すると同時に、ターゲッ
トマーク１２のＡｌ膜１１上にも開口１５が形成されて
いる。

【００１７】このため、ダイシングのためのアライメン
トに際して、ターゲットマーク１２からの光の反射率が
高くて、ターゲットマーク１２とターゲットマーク１２
以外の部分との間におけるコントラストが高い。従っ
て、ＣＣＤイメージセンサによる二値化検出の精度が高
くて、ダイシングの歩留りが高い。

【００１８】図１（ｂ）が、第２実施例を示している。
この第２実施例も、ターゲットマーク１２のＡｌ膜１１
を露出させるための開口１５がＡｌ膜１１上のみならず
Ａｌ膜１１の周辺にも広がっていることを除いて、図１
（ａ）に示した第１実施例と実質的に同様の構成を有し
ている。

【００１９】この様な第２実施例では、Ａｌ膜１１の端
縁が露出しているので、ターゲットマーク１２とターゲ
ットマーク１２以外の部分との間におけるコントラスト
が第１実施例よりも高い。従って、ＣＣＤイメージセン
サによる二値化検出の精度が更に高くて、ダイシングの
歩留りが更に高い。

【００２０】但し、図１（ｂ）からも明らかな様に、オ
ーバコート膜１３のエッチングに際して、Ａｌ膜１１の
周辺において、Ａｌ膜１１の下地の層間絶縁膜も同時に
エッチングされる。従って、下地の層間絶縁膜のエッチ
ングによって耐湿性等の信頼性の低下が懸念される場合
は、第１実施例の方が好ましい。

【００２１】

【発明の効果】請求項１の半導体装置では、ダイシング
時のアライメント精度が高いので、ダイシングの歩留り
が高い。

【００２２】請求項２の半導体装置では、ターゲットマ
ークの下地の層間絶縁膜はエッチングされていないの
で、耐湿性等の信頼性が高い。

【００２３】請求項３の半導体装置では、ダイシング時
のアライメント精度が更に高いので、ダイシングの歩留
りが更に高い。

【００２４】請求項４の半導体装置の製造方法では、タ
ーゲットマーク上の被覆膜を除去するために製造工程が
増加することはないので、ダイシング時のアライメント
精度が高い半導体装置を、スループットを低下させるこ
となく製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）（ｂ）は本願の発明の夫々第１及び第２
実施例を示しており、図２のＳ−Ｓ線に沿う位置に対応
する拡大側断面図である。

【図２】ダイシング時におけるライメント用のターゲッ
トマークの平面図である。

【図３】本願の発明の一従来例を示しており、図２のＳ
−Ｓ線に沿う位置に対応する拡大側断面図である。

【符号の説明】

１２ ターゲットマーク １３ オーバコート膜 １４ 反射防止膜

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ダイシング時におけるアライメント用の
   ターゲットマークの少なくとも一部分が被覆膜に覆われ
   ていないことを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記ターゲットマークのうちで端縁部を
   除く部分が前記被覆膜に覆われていないことを特徴とす
   る請求項１記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記ターゲットマークの全体が前記被覆
   膜に覆われていないことを特徴とする請求項１記載の半
   導体装置。
4. 【請求項４】 前記被覆膜のうちでパッド上の部分と前
   記少なくとも一部分上の部分とを同時に除去することを
   特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装
   置の製造方法。