JP2010189619A - 低誘電率及び低損失特性を有するノルボルネン系重合体及びこれを用いた絶縁材 - Google Patents
低誘電率及び低損失特性を有するノルボルネン系重合体及びこれを用いた絶縁材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010189619A JP2010189619A JP2009229172A JP2009229172A JP2010189619A JP 2010189619 A JP2010189619 A JP 2010189619A JP 2009229172 A JP2009229172 A JP 2009229172A JP 2009229172 A JP2009229172 A JP 2009229172A JP 2010189619 A JP2010189619 A JP 2010189619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- norbornene
- general formula
- based polymer
- polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 0 C*C(OC[C@@]1[C@@](COC(*C)=O)C2[C@@](*)*C3C1C23)=O Chemical compound C*C(OC[C@@]1[C@@](COC(*C)=O)C2[C@@](*)*C3C1C23)=O 0.000 description 9
- SBKPSHZVULRXED-ZXVYDBTHSA-N C[C@@H]1[C@@H]([C@@H]2C(O3)=O)C=C[C@@H]1[C@H]2C3=O Chemical compound C[C@@H]1[C@@H]([C@@H]2C(O3)=O)C=C[C@@H]1[C@H]2C3=O SBKPSHZVULRXED-ZXVYDBTHSA-N 0.000 description 1
- DACWUZFAJUWOAN-BWWPFHEWSA-N OC[C@H]1[C@@H](CO)C2CC1BC2 Chemical compound OC[C@H]1[C@@H](CO)C2CC1BC2 DACWUZFAJUWOAN-BWWPFHEWSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F232/00—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F4/00—Polymerisation catalysts
- C08F4/42—Metals; Metal hydrides; Metallo-organic compounds; Use thereof as catalyst precursors
- C08F4/72—Metals; Metal hydrides; Metallo-organic compounds; Use thereof as catalyst precursors selected from metals not provided for in group C08F4/44
- C08F4/80—Metals; Metal hydrides; Metallo-organic compounds; Use thereof as catalyst precursors selected from metals not provided for in group C08F4/44 selected from iron group metals or platinum group metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F32/00—Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L45/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having no unsaturated aliphatic radicals in side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic or in a heterocyclic ring system; Compositions of derivatives of such polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
- H01B3/307—Other macromolecular compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
- H01B3/44—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
- H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
【解決手段】ノルボルネンの5−位又は6−位に少なくとも一つの下記の群から選択される置換基を有し、
(ここで、R5、R6、及びR7はそれぞれ独立に水素、C1−C6のアルキル基、脂環式基で置換されたC1−C6のアルキル基、置換または非置換のC2−C6のアルケニル基、及び置換または非置換のC7−C31のアラルキル基からなる群より選択され、LはC1−C3のアルキレン基である。)付加重合による繰り返し単位の少なくとも1種を50〜500個含むノルボルネン系重合体。
【選択図】なし
Description
上述した技術的課題を解決するために、本発明の一実施形態では、一般式(1)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を50〜500個含むノルボルネン系重合体が提供される。
また、上記R2及びR3は同一であっても、異なってもよい。
ここで、上記R5、R6、及びR7はそれぞれ独立に水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、及びヘキシル基からなる群より選択されることができる。
からなる群より選択されることができる。
ここで、上記2種以上の繰り返し単位を有する共重合体の繰り返し単位の少なくとも一つは上記R1〜R4の少なくとも一つの末端にアクリル基またはビニル基を有してもよい。
本発明の一実施形態によれば、上記絶縁材はエンベデッド印刷回路基板または機能性電子素子に使用されることができる。
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特許群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
本発明において、「ノルボルネン系」とは、下記の構造Aによる一つ以上のノルボルネン部分を含む単量体物質あるいはこれら単量体から形成された重合体物質、及び下記の構造Bによる一つ以上の繰り返し単位を有する重合体物質を意味する。
からなる群より選択され、残りは水素である。)
などの環状アルキル基、または
などのアラルキル基から選択されることができる。
このように、本発明のノルボルネン系重合体はポリノルボルネンの低誘電性質をそのまま保持しながら、結合された官能基により優れた加工性が得られる。
一具体例において、上記製造方法のうちの上記Pd(II)ベースの触媒は(6−メトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−エンド−5σ,2π)−パラジウム(II)ヘキサフルオロアンチモネートであってもよい。
<製造例>
下記の製造例において、空気及び湿気に敏感な物質を乾燥ボックス(dry box)中で定量してシュレンクフラスコ(Schlenk flask)を用いて合成した。各ステップの出発物質中の一部及び付加的に用いられた触媒や溶媒などはアクロス(ACROS)社、アルドリッチ(Aldrich)社、ランカスター(Lancaster)社、TCI社などから購入したものを用いた。
「(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ−2,5−ジエン)ジクロロパラジウム(II)」
塩化白金(II)(1.97g、11.1mmol)を大気中50℃で5mLの濃塩酸に溶解した。1時間後、室温に冷却し、100mLのエタノールで希釈した後、濾過し、50mLエタノールで洗浄した後、50mLのエタノールを加えて溶液にした。得られた溶液に、ノルボルナジエン(Norbornadiene)(2.7mL、25mmol)を激しく撹拌しながらゆっくり添加した。黄色の固体が沈殿した。10分間激しく撹拌した後、沈殿物を濾過し、ジエチルエーテルで洗浄した。黄色の粉末を真空乾燥して(ビシクロ[2.2.1]ヘブタ−2,5−ジエン)ジクロロパラジウム(II)を得た。
収率:2.85g(95.3%)
mp:192〜198℃(分解された)
1H-NMR(DMSO−d6):δ=6.76(t,4H)、3.55(quin,2H)、1.87(t,2H)
13C-NMR(DMSO−d6):δ=143.1,74.8,50.4
得られた(ビシクロ[2.2.1]ヘブタ−2,5−ジエン)ジクロロパラジウム(II)(0.545g、2.02mmol)をAr下で、−60℃〜−40℃温度で8mLの乾燥メタノール中で撹拌した。そこへ、ナトリウムメトキシド溶液(5.0mL(0.5M)、2.5mmol)をゆっくり添加した。45分後に、得られた乳白色の溶液を濾過し、冷たいメタノールで洗浄した後、真空乾燥してジ−μ−クロロ−ビス−(6−メトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−エンド−5σ,2π)−パラジウム(II)を得た。
収率:0.37g(69.0%)
等モル量のジ−μ−クロロ−ビス−(6−メトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−エンド−5σ,2π)−パラジウム(II)とAgSbF6をそれぞれクロロベンゼンに溶解した。AgSbF6溶液をジ−μ−クロロ−ビス−(6−メトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−エンド−5σ,2π)−パラジウム(II)溶液に添加した。活性の(6−メトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−エンド−5σ、2π)−パラジウム(II)ヘキサフルオロアンチモネート(触媒I)溶液がその場(in situ)で製造された。注射器フィルタを用いてAgClを濾過、除去して(6−メトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−エンド−5σ、2π)−パラジウム(II)ヘキサフルオロアンチモネート(触媒I)を製造した。
<1>5−ノルボルネン−エキソ−2,3−ジカルボン酸無水物の合成
150mLの圧力容器鋼(steel pressure vessel)をアルゴン雰囲気下でジシクロペンタジエン(46.65g、0.35mol)及び6−フェニル−1−ヘキセン(113g、0.71mol)で充填した。上記反応混合物を1時間撹拌し、240℃で12時間加熱した。上記反応混合物を冷却し、未反応の6−フェニル−1−ヘキセンを蒸留させることで除去した。その生成物を真空下で分別蒸留により分離して2−(4−フェニルブチル)−5−ノルボルネンを得た。このように、2−(4−フェニルブチル)−5−ノルボルネンのエキソ/エンド混合物がジシクロペンタジエンと6−フェニル−1−ヘキセンとのディールスアルダー反応により生成された。ここで、100℃以上で加熱すると、ジシクロペンタジエンは逆ディールスアルダー(retro-Diels-Alder)反応によりその場で6−フェニル−1−ヘキセンと反応するシクロペンタジエンを得ることができ、シクロペンタジエンとエチレン誘導体のディールスアルダー縮合は2種のノルボルネン誘導体、すなわちエキソ及びエンド異性体を生成できるようにし、大部分の場合、アルダーの法則(Alder’s rule)によりエンド異性体が優勢である。
(1)で合成された触媒Iと(2)で合成された各単量体を、完全に蒸留して水分を除去したクロロベンゼンを溶媒として用いて、高純度アルゴンガス環境下で重合させ、完結のために1〜3日間反応させた。この過程において、一部の高分子に対して商業的に利用可能な新規な触媒を用いて単一重合体及び共重合体の合成を試みた。また、不安定なアクリレートを熱硬化グループとして有する単量体の場合は、抑制剤としてハイドロキノンを用いて保護することにより、反応後にも熱硬化グループが高分子上に存在して、以後、別途に架橋化することができる。
[1]TGA(Thermal gravimetric analysis)による熱安定性の測定
図1及び図2のグラフはTGA測定結果グラフである。図1のPNB−1−エステル、PNB−2−エステル、及びPNB−3−エステルは、上述した一般式(6)のmがそれぞれ1、2、及び3である場合を意味し、図2において、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、及びベンジルは一般式(3)におけるR5の置換基の名前を意味する。エステル及びエーテル結合により連結されているポリノルボルネン置換基の熱分解時、重量減少が見られる温度は全て300℃以上であって、ポリノルボルネンが熱的に非常に安定した高分子であることが分かる。置換基に応じて分解が始まる温度は少し異なるが、骨格(backbone)の分解は全て300℃以上で行われた。
図3及び図4のグラフはDMA測定結果グラフである。図3は、上述した一般式(4)のR7がプロピル基の場合であり、図4は、一般式(3)のR5がヘキシル基の場合のものである。通常、ガラス転移温度はDSC(Differential scanning calorimetry)測定により確認できるが、ポリノルボルネン系の高分子は大部分DSCで検出されない。DSCとは異なって、DMAは熱分析ではなくモジュラス(Modulus)分析によりガラス転移温度が検出される。ポリノルボルネンは硬い骨格を有するため、置換基がない場合にはガラス転移温度が非常に高い(370℃以上)と知られており、置換基を導入した場合には温度が300℃以下に下がることをDMAグラフから確認できる。しかし、大部分のポリノルボルネンは目標としている180℃よりは高いガラス転移温度を有する。
WAXSにより確認したポリノルボルネン高分子の構造上の特徴は、特定の二つのピークの変化により確認できる。図5及び表1にその結果データを示す。PNBは置換基のないポリノルボルネンを意味し、PNB−エステル−1−フェニル、PNB−エステル−2−フェニル、及びPNB−エステル−3−フェニルは、それぞれ一般式(6)におけるmが1、2、及び3である場合を意味する。図5のグラフにおいて、高い位置の2θ値(下記表1の三番目列の値)は隣り合うCH2グループ間の間隔によるものであって、アルキル鎖の長さが増加してもほぼ変化はないが(d-spacing;4.69〜4.70Å)、高い位置の2θ値(下記表1の二番目列の値)は鎖間間隔(interchain spacing)によるものであって、鎖の長さが増加するほど低い角度に移動(shifting)する(d-spacing;16.1〜17.8Å)ことが分かる。これは増加したアルキル鎖の長さによりアルキル鎖間の立体反発(steric repulsion)が大きくなってd−spacingの値が増加することになると判断される。置換基のないポリノルボルネンの値と比較すれば、明確な差があることが分かる。
PNB−エステル−2−フェニル(PNB-ester-2-phenyl、一般式(6)におけるmが2であるもの)のTGA、DMA、誘電定数、及びtanδ値をそれぞれ図6、7、8、及び9に示す。測定したPNB−エステル−2−フェニルは、数平均分子量(Mn)が27,000、分子平均分子量(Mw)が35,000、PDI(polydispersity、Mw/Mn)が1.3、屈折率が1.55であり、400℃まで熱的に安定し、ガラス転移温度は250℃であった。500MHzでDkは2.63、Tanδは0.005であり、1GHzでDkは2.62、Tanδは0.006であった。
PNB−エステル−1−ノルボルナン(PNB-ester-1-norbornane、一般式(8)におけるnが1であるもの)のTGA及びDMAの測定結果をそれぞれ図10及び11に示す。測定したPNB−エステル−1−ノルボルナンは、Mnが23,300、Mwが46,000、PDIが1.97、屈折率が1.51であり、400℃まで熱的に安定し、ガラス転移温度は175℃及び325℃であった。
PNB−エステル−2−アダマンタン(PNB-ester-2-adamantane、一般式(9)におけるoが2であるもの)のTGA及びDMAの測定結果をそれぞれ図12及び13に示す。測定したPNB−エステル−2−アダマンタンは、Mnが51,000、Mwが97,000、PDIが1.9、屈折率が1.51であり、400℃まで熱的に安定し、ガラス転移温度は190℃及び320℃であった。
熱硬化グループを導入したポリノルボルネン(一般式(10)の場合)をDSCで分析した結果、140℃〜180℃で現れた発熱ピーク(exo peak)から、上記温度区間で硬化が起きることを確認できた。シリコンウェハ上に高分子溶液をスピンコートしてフィルムを作製し、このうちの一部を真空オーブン中190℃で1時間硬化(curing)させ、残りは硬化させずに、そのまま室温で放置した。このフィルムと硬化されていないフィルムとの比較のために、THFに1時間浸漬した結果、硬化により架橋化されたサンプルはTHFには全く溶けずコート時の色をそのまま保持したが、硬化されなかったサンプルはTHFに完全に溶けてシリコンウェハの表面がそのまま露出された(図14)。
一般式(2)の繰り返し単位(X)と一般式(11)の繰り返し単位(Y)を含む共重合体(共重合体A)、一般式(2)の繰り返し単位(X)と一般式(12)の繰り返し単位(Y)を含む共重合体(共重合体B)のモル比による物性測定結果を下記表2及び3に示す。表3において、硬化は190℃、1時間の加熱により行い、誘電率(εr)は、硬化後のフィルムでの値である。
特許請求の範囲、明細書、及び図面中において示したシステム及び方法における動作、手順、ステップ、及び工程等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、及び図面中の動作フローに関して、便宜上「先ず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
Claims (10)
- 下記一般式(1)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を50〜500個含むノルボルネン系重合体。
- 前記R1及びR4は水素であり、前記R2及びR3はそれぞれ
- 前記R5、R6、及びR7がそれぞれ独立に水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、及びヘキシル基からなる群より選択されることを特徴とする請求項1または2に記載のノルボルネン系重合体。
- 前記R5、R6、及びR7がそれぞれ独立にビニル基、
からなる群より選択されることを特徴とする請求項1または2に記載のノルボルネン系重合体。 - 前記R1〜R4の少なくとも一つの末端にアクリル基またはビニル基を有することを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載のノルボルネン系重合体。
- 前記一般式(1)で表される繰り返し単位の2種以上を含むことを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載のノルボルネン系重合体。
- 前記2種以上の繰り返し単位の少なくとも一種は前記R1〜R4の少なくとも一つの末端にアクリル基またはビニル基を有することを特徴とする請求項6に記載のノルボルネン系重合体。
- 前記ノルボルネン系重合体は、一般式(2)で表される繰り返し単位をさらに含む共重合体であることを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載のノルボルネン系重合体。
- 請求項1〜8の何れか1項に記載のノルボルネン系重合体を含む絶縁材。
- 前記絶縁材が、エンベデッド印刷回路基板用または機能性電子素子用であることを特徴とする請求項9に記載の絶縁材。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090012040A KR101100351B1 (ko) | 2009-02-13 | 2009-02-13 | 저유전율 및 저손실 특성을 가진 노르보넨계 중합체 및 이를 이용한 절연재 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010189619A true JP2010189619A (ja) | 2010-09-02 |
Family
ID=42560501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009229172A Pending JP2010189619A (ja) | 2009-02-13 | 2009-10-01 | 低誘電率及び低損失特性を有するノルボルネン系重合体及びこれを用いた絶縁材 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100210803A1 (ja) |
JP (1) | JP2010189619A (ja) |
KR (1) | KR101100351B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2018016527A1 (ja) * | 2016-07-22 | 2019-06-13 | 京セラ株式会社 | 有機絶縁体、金属張積層板および配線基板 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160311970A1 (en) | 2013-12-13 | 2016-10-27 | Transfert Plus, Société En Commandite | Insertion polynorbornene-based thermoset resins |
US20190313642A1 (en) * | 2016-11-15 | 2019-10-17 | Albert-Ludwigs-Universität Freiburg | A simultaneously antimicrobial and protein-repellent polyzwitterion |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11505880A (ja) * | 1995-05-25 | 1999-05-25 | ザ ビー.エフ.グッドリッチ カンパニー | 官能性置換基を含有する多環性オレフィンの付加重合体 |
JP2002212209A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-07-31 | Jsr Corp | ノルボルネン系環状オレフィン付加重合体の製造方法 |
JP2002293843A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Jsr Corp | 環状オレフィン系共重合体、この複合体、これらの架橋体、および光学材料 |
JP2005521785A (ja) * | 2002-07-10 | 2005-07-21 | エルジー・ケム・リミテッド | エステル基又はアセチル基を含むノルボルネン系付加重合体の製造方法 |
JP2005527696A (ja) * | 2002-07-10 | 2005-09-15 | エルジ・ケム・リミテッド | ノルボルネン−エステル系付加重合体およびその製造方法 |
JP2006096812A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体表面保護膜用樹脂組成物、及びそれを用いた半導体装置 |
JP2006323244A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路および光導波路構造体 |
JP2008031319A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Fujifilm Corp | ノルボルネン系重合体、フィルム、偏光板および液晶表示装置 |
WO2008103776A2 (en) * | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Thermally cured underlayer for lithographic application |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6232417B1 (en) * | 1996-03-07 | 2001-05-15 | The B. F. Goodrich Company | Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups |
US8030425B2 (en) * | 2002-07-03 | 2011-10-04 | Promerus Llc | Photosensitive compositions based on polycyclic polymers for low stress, high temperature films |
KR101046430B1 (ko) * | 2008-09-11 | 2011-07-05 | 삼성전기주식회사 | 저유전율 및 저손실 특성을 가진 노르보넨계 중합체, 이를이용한 절연재, 인쇄회로기판 및 기능성 소자 |
-
2009
- 2009-02-13 KR KR1020090012040A patent/KR101100351B1/ko active IP Right Grant
- 2009-08-03 US US12/534,433 patent/US20100210803A1/en not_active Abandoned
- 2009-10-01 JP JP2009229172A patent/JP2010189619A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11505880A (ja) * | 1995-05-25 | 1999-05-25 | ザ ビー.エフ.グッドリッチ カンパニー | 官能性置換基を含有する多環性オレフィンの付加重合体 |
JP2002212209A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-07-31 | Jsr Corp | ノルボルネン系環状オレフィン付加重合体の製造方法 |
JP2002293843A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Jsr Corp | 環状オレフィン系共重合体、この複合体、これらの架橋体、および光学材料 |
JP2005521785A (ja) * | 2002-07-10 | 2005-07-21 | エルジー・ケム・リミテッド | エステル基又はアセチル基を含むノルボルネン系付加重合体の製造方法 |
JP2005527696A (ja) * | 2002-07-10 | 2005-09-15 | エルジ・ケム・リミテッド | ノルボルネン−エステル系付加重合体およびその製造方法 |
JP2006096812A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体表面保護膜用樹脂組成物、及びそれを用いた半導体装置 |
JP2006323244A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路および光導波路構造体 |
JP2008031319A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Fujifilm Corp | ノルボルネン系重合体、フィルム、偏光板および液晶表示装置 |
WO2008103776A2 (en) * | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Thermally cured underlayer for lithographic application |
JP2010520930A (ja) * | 2007-02-23 | 2010-06-17 | フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド | リソグラフィー用途のための熱硬化型下層 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2018016527A1 (ja) * | 2016-07-22 | 2019-06-13 | 京セラ株式会社 | 有機絶縁体、金属張積層板および配線基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100210803A1 (en) | 2010-08-19 |
KR101100351B1 (ko) | 2011-12-30 |
KR20100092759A (ko) | 2010-08-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010065206A (ja) | 低誘電率及び低損失特性を有するノルボルネン系重合体、これを用いた絶縁材、印刷回路基板、機能性素子 | |
KR102457056B1 (ko) | 경화성 화합물 | |
JP2010189619A (ja) | 低誘電率及び低損失特性を有するノルボルネン系重合体及びこれを用いた絶縁材 | |
JPWO2008114705A1 (ja) | 有機絶縁材料、それを用いた樹脂膜用ワニス、樹脂膜並びに半導体装置 | |
TWI736247B (zh) | 磷系(2,6-二甲基苯醚)寡聚物及其製備方法與固化物 | |
WO2021124938A1 (ja) | 硬化性組成物 | |
KR100414697B1 (ko) | 감광성 수지조성물 및 이를 사용한 반도체장치 | |
JP5365331B2 (ja) | 有機絶縁材料、樹脂膜及び半導体装置 | |
CN114249892B (zh) | 一种聚酰亚胺前体树脂及其制备方法和应用 | |
TW201910381A (zh) | 具低介電與難燃性之雙環戊二烯衍生聚醚開發與應用 | |
JP2023539665A (ja) | マレイミド変性の活性エステル及びその調製方法と使用 | |
KR20020063073A (ko) | 3,6-다이(3',5'-비스(트리플로오로메틸)벤젠)피로멜리틱다이안하이드라이드 및 그 제조방법 | |
JP4033426B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
KR100965915B1 (ko) | 저유전율 및 저손실 특성을 가진 폴리(p-자일릴렌)계중합체, 이를 이용한 절연재, 인쇄회로기판 및 기능성 소자 | |
JP2010138376A (ja) | 絶縁膜形成用重合体の重合方法、絶縁膜形成用重合体、有機絶縁膜用材料及び有機絶縁膜並びに電子デバイス | |
KR20110120845A (ko) | 새로운 열경화성 시아네이트 수지, 및 이의 제조방법 | |
TWI841812B (zh) | 化合物及其製造方法、樹脂組成物、樹脂片、多層印刷電路板、以及半導體裝置 | |
JP6627185B2 (ja) | 環状オレフィン系共重合体およびその製造方法 | |
KR20230163301A (ko) | 신규한 디산클로라이드 화합물, 폴리아마이드 중합체 및 이로부터 형성된 폴리벤조옥사졸 | |
KR20050120437A (ko) | 연성금속박막 적층필름의 제조방법 | |
JP2024515360A (ja) | オリゴアミド―延長ビスマレイミドに基づく誘電材料 | |
KR20230163934A (ko) | 신규한 디아민 화합물, 폴리아마이드 중합체 및 이로부터 형성된 폴리벤조옥사졸 | |
TW202130615A (zh) | 化合物及其製造方法、樹脂組成物、樹脂片、多層印刷電路板、以及半導體裝置 | |
KR20080047685A (ko) | 노보넨계 중합체 또는 공중합체 | |
KR20050113384A (ko) | 폴리(아미드-이미드) 유연성 절연필름을 포함하는연성금속박막 적층필름 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121219 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131217 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140610 |