JP2006323244A - 光導波路および光導波路構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】耐熱性に優れるとともに吸水性が低く、また材料コストが低く抑えられる光導波路および光導波路構造体を提供すること。
【解決手段】光導波路構造体９は、コア部９４と、該コア部９４より屈折率が低いクラッド部９５とを備えるコア層９３と、該コア層９３の両面に接触して設けられ、前記コア部９３より屈折率の低いクラッド層９１、９２とを有する光導波路９０と、光導波路９０の両面に設けられた導体層９０１、９０２とを有し、前記クラッド層９１、９２は、ノルボルネン系ポリマーを主材料として構成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、光導波路および光導波路構造体に関するものである。

近年、光周波搬送波を使用してデータを移送する光通信がますます重要になっている。このような光通信において、光周波搬送波を、一地点から他地点に導くための手段として、光導波路がある。

この光導波路は、例えば、一対のクラッド層と、一対のクラッド層の間に設けられたコア層を有して構成される。コア層は、繊維状のコア部とクラッド部とを有し、これらが交互に配列されている。コア部は、光周波搬送波の光に対して実質的に透明な材料によって構成され、クラッド層およびクラッド部は、コア部より屈折率が低い材料によって構成されている。

このような光導波路では、コア部が、コア部よりも屈折率が低いクラッド層およびクラッド部によって囲まれた構成となっている。したがって、コア部の端部から導入された光は、クラッド層およびクラッド部との境界で反射しながら、コア部の軸に沿って搬送される。

この光導波路の材料としては、従来から汎用されているガラスの他、ポリマー等が挙げられる。このうちポリマーは、微細加工が容易であり、光導波路が組み込まれた回路基板の高密度化に有利であることから有望視されている。

このような光導波路の材料となるポリマーとしては、ポリメチルメタクリレート（例えば、特許文献１参照。）、エポキシ樹脂（例えば、特許文献２参照。）、フッ素化ポリイミド（例えば、特許文献３参照。）、ポリベンゾオキサゾール（例えば、特許文献４参照。）、セルロース・アセテート・ブチレート／アクリレートモノマー（例えば、特許文献５参照。）等が使用されている。

しかし、これらポリマーには、次のような問題がある。
まず、ポリメチルメタクリレートおよびエポキシ樹脂は、耐熱温度が２００℃以下である。このため、これらポリマーによって構成された光導波路を、回路基板に実装しようとすると、はんだ処理等の熱処理によって軟化してしまうおそれがある。

また、フッ素化ポリイミドは、フッ素化によって高耐熱性、高透明性、低吸水性が付与されたポリマーである。しかし、フッ素化を合成過程に有するため、コストがかかり、実用性に欠ける。

しかも、ポリイミドやポリベンゾオキサゾール等の重縮合によって合成されるポリマーは、重縮合の工程で、イミド環もしくはベンゾオキサゾール環を閉環させるための高温（２５０℃以上）による硬化処理が必要となる。このため、作業性が悪いという問題がある。

また、セルロース・アセテート・ブチレート／アクリレートモノマーは、耐熱温度が１００℃以下と非常に低く、はんだ処理等の熱処理によって軟化してしまう。また、セルロース・アセテート・ブチレートが水酸基を多く有するため吸水性が高い。このため、このようなポリマーによって構成された光導波路は、高湿度環境に放置されると、吸水による寸法変化が生じてしまう。

特開平０９−２５８０５１号公報 特開２００５−０７０５５６号公報 特開平４−９８０７号公報 特開２００２−１７３５３２号公報 米国特許第５２９２６２０号公報

本発明の目的は、耐熱性に優れるとともに吸水性が低く、また材料コストが低く抑えられる光導波路および光導波路構造体を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（４６）の本発明により達成される。
（１） コア部と、該コア部より屈折率が低いクラッド部とを備えるコア層と、
該コア層の少なくとも一方の面に接触して設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド層とを有する光導波路であって、
前記クラッド層は、下記化１で表されるノルボルネン系ポリマーを主材料として構成されていることを特徴とする光導波路。

［式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立して、下記化２〜４で表される置換基を表すが、同時に同一の置換基であることはない。 また、ｐ／ｑ＋ｒが２０以下である。］

［式中、ａは、０〜３の整数を表し、ｂは、１〜３の整数を表す。］

［式中、Ｒ^１は、水素原子またはメチル基を表し、ａは、０〜３の整数を表す。］

［式中、Ｘは、それぞれ独立して、炭素数１〜３のアルキル基を表し、ａは、０〜３の整数を表す。］
（２） 前記ノルボルネン系ポリマーは、その少なくとも一部のものが重合性基において架橋している上記（１）に記載の光導波路。

（３） 前記クラッド層の平均厚さは、前記コア層の平均厚さの０．１〜１．５倍である上記（１）または（２）に記載の光導波路。

（４） 前記コア層は、ポリマーと、該ポリマーと相溶し、かつ、該ポリマーと異なる屈折率を有するモノマーと、活性放射線の照射により活性化する第１の物質と、前記モノマーの反応を開始させ得る第２の物質であって、活性化した前記第１の物質の作用により、活性化温度が変化する第２の物質とを含む層を形成し、
その後、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記第１の物質を活性化させるとともに、前記第２の物質の活性化温度を変化させ、
次いで、前記層に対して加熱処理を施すことにより、前記第２の物質または活性化温度が変化した前記第２の物質のいずれか活性化温度の低い方を活性化させ、前記照射領域または前記活性放射線の未照射領域のいずれかにおいて前記モノマーを反応させて、前記照射領域と前記未照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記未照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の光導波路。

（５） 前記コア層は、前記層の前記照射領域または前記未照射領域のいずれか一方の領域において前記モノマーの反応が進むにつれて、他方の領域から未反応の前記モノマーが集まることにより得られたものである上記（４）に記載の光導波路。

（６） 前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記第２の物質は、前記弱配位アニオンの作用により活性化温度が変化するものである上記（４）または（５）に記載の光導波路。

（７） 前記第２の物質は、活性化した前記第１の物質の作用により活性化温度が低下し、前記加熱処理の温度よりも高い温度での加熱により、前記活性放射線の照射を伴うことなく活性化するものである上記（４）ないし（６）のいずれかに記載の光導波路。

（８） 前記第２の物質は、下記式Ｉａで表される化合物を含む上記（７）に記載の光導波路。
（Ｅ（Ｒ）_３）_２Ｐｄ（Ｑ）_２ ・・・ （Ｉａ）
［式中、Ｅ（Ｒ）_３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表す。］

（９） 前記第２の物質は、下記式Ｉｂで表される化合物を含む上記（７）または（８）に記載の光導波路。
［（Ｅ（Ｒ）_３）_ａＰｄ（Ｑ）（ＬＢ）_ｂ］_ｐ［ＷＣＡ］_ｒ ・・・ （Ｉｂ）
［式中、Ｅ（Ｒ）_３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表し、ＬＢは、ルイス塩基を表し、ＷＣＡは、弱配位アニオンを表し、ａは、１〜３の整数を表し、ｂは、０〜２の整数を表し、ａとｂとの合計は、１〜３であり、ｐおよびｒは、パラジウムカチオンと弱配位アニオンとの電荷のバランスをとる数を表す。］

（１０） ｐおよびｒは、それぞれ、１または２の整数から選択される上記（９）に記載の光導波路。

（１１） 前記コア層は、前記加熱処理の後、前記層を前記加熱処理の温度よりも高い第２の温度で加熱処理することにより得られたものである上記（４）ないし（１０）のいずれかに記載の光導波路。

（１２） 前記コア層は、前記第２の温度での加熱処理の後、前記層を前記第２の温度よりも高い第３の温度で加熱処理することにより得られたものである上記（１１）に記載の光導波路。

（１３） 前記第３の温度は、前記第２の温度より２０℃以上高い上記（１２）に記載の光導波路。

（１４） 前記モノマーは、架橋性モノマーを含む上記（４）ないし（１３）のいずれかに記載の光導波路。

（１５） 前記モノマーは、ノルボルネン系モノマーを主とするものである上記（４）ないし（１４）のいずれかに記載の光導波路。

（１６） 前記モノマーは、ノルボルネン系モノマーを主とするものであり、前記架橋性モノマーとして、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シランを含むものである上記（１４）に記載の光導波路。

（１７） 前記ポリマーは、活性化した前記第１の物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射した際に、前記照射領域において、前記ポリマーの前記離脱性基が離脱する上記（４）ないし（１６）のいずれかに記載の光導波路。

（１８） 前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である上記（１７）に記載の光導波路。

（１９） 前記コア層は、活性放射線の照射により活性化する物質と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した前記物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するポリマーとを含む層を形成し、
その後、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記物質を活性化させ、前記ポリマーの前記離脱性基を離脱させて、当該照射領域と前記活性放射線の非照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記非照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の光導波路。

（２０） 前記コア層は、前記活性放射線の照射の後、前記層に対して加熱処理を施すことにより得られたものである上記（１９）に記載の光導波路。

（２１） 前記物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である上記（１９）または（２０に記載の光導波路。

（２２） 前記酸離脱性基は、−Ｏ−構造、−Ｓｉ−アリール構造および−Ｏ−Ｓｉ−構造のうちの少なくとも１つを有するものである上記（１８）または（２１）に記載の光導波路。

（２３） 前記離脱性基は、その離脱により前記ポリマーの屈折率に低下を生じさせるものである上記（１７）ないし（２２）のいずれかに記載の光導波路。

（２４） 前記離脱性基は、−Ｓｉ−ジフェニル構造および−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造の少なくとも一方である上記（２３）に記載の光導波路。

（２５） 前記活性放射線は、２００〜４５０ｎｍの範囲にピーク波長を有するものである上記（４）ないし（２４）のいずれかに記載の光導波路。

（２６） 前記活性放射線の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ^２である上記（４）ないし（２５）のいずれかに記載の光導波路。

（２７） 前記活性放射線は、マスクを介して前記層に照射される上記（４）ないし（２６）のいずれかに記載の光導波路。

（２８） 前記層は、さらに、酸化防止剤を含む上記（４）ないし（２７）のいずれかに記載の光導波路。

（２９） 前記層は、さらに、増感剤を含む上記（４）ないし（２８）のいずれかに記載の光導波路。

（３０） 前記ポリマーは、ノルボルネン系ポリマーを主とするものである上記（４）ないし（２９）のいずれかに記載の光導波路。

（３１） 前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である上記（３０）に記載の光導波路。

（３２） 前記コア部は、第１のノルボルネン系材料を主材料として構成され、前記クラッド部は、前記第１のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第２のノルボルネン系材料を主材料として構成されている上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の光導波路。

（３３） 前記第１のノルボルネン系材料と前記第２のノルボルネン系材料とは、いずれも、同一のノルボルネン系ポリマーを含有し、かつ、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている上記（３２）に記載の光導波路。

（３４） 前記反応物は、前記ノルボルネン系モノマーの重合体、前記ノルボルネン系ポリマー同士を架橋する架橋構造、および、前記ノルボルネン系ポリマーから分岐する分岐構造のうちの少なくとも１つである上記（３３）に記載の光導波路。

（３５） 前記ノルボルネン系ポリマーは、アラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（３３）または（３４）に記載の光導波路。

（３６） 前記ノルボルネン系ポリマーは、ベンジルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（３３）または（３４）に記載の光導波路。

（３７） 前記ノルボルネン系ポリマーは、フェニルエチルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（３３）または（３４）に記載の光導波路。

（３８） 前記ノルボルネン系ポリマーは、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、
前記コア部と前記クラッド部とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なること、および、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている上記（３３）ないし（３７）のいずれかに記載の光導波路。

（３９） 前記コア層は、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを主材料として構成され、
前記第１のノルボルネン系材料と第２のノルボルネン系材料とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なることにより、それらの屈折率が異なっている上記（３２）に記載の光導波路。

（４０） 前記ノルボルネン系ポリマーは、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランの繰り返し単位を含むものである上記（３８）または（３９）に記載の光導波路。

（４１） 前記ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（３３）ないし（４０）のいずれかに記載の光導波路。

（４２） 前記ノルボルネン系ポリマーは、ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（３３）ないし（４０）のいずれかに記載の光導波路。

（４３） 前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である上記（３３）ないし（４２）のいずれかに記載の光導波路。

（４４） 上記（１）ないし（４３）のいずれかに記載の光導波路と、該光導波路の少なくとも一方の面側に設けられた導体層とを有することを特徴とする光導波路構造体。

（４５） 前記導体層の平均厚さは、前記光導波路の平均厚さの１０〜９０％である上記（４４）に記載の光導波路構造体。

（４６） 前記導体層は、乾式メッキ法、湿式メッキ法および導電性シート材の接合のうちの少なくとも１つの方法により形成されたものである上記（４４）または（４５）に記載の光導波路構造体。

本発明によれば、クラッド層が、ノルボルネン系ポリマーを主材料として構成されているため、光導波路を回路基板に実装するに際して、はんだ処理等の熱処理が施された場合でも、クラッド層が軟化してしまうのが防止される。また、光導波路が高湿度環境に放置された場合でも、クラッド層の吸水による寸法変化が生じ難く、使用環境によらず、光の伝播を安定に行うことができる。さらに、クラッド層にかかる材料コストを低く抑えることができる。

また、ノルボルネン系ポリマーが、（メタ）アクリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むものであるため、クラッド層において、ノルボルネン系ポリマーの少なくとも一部のものの（メタ）アクリル基同士を、直接または架橋剤を介して架橋させることができる。また、架橋剤の種類、コア層に用いるポリマーの種類等によっては、このノルボルネン系ポリマーとコア層に用いるポリマーとを架橋させることもできる。その結果、クラッド層自体の強度を向上させることや、クラッド層とコア層との密着性を向上させることができる。

また、光導波路の少なくとも一方の面側に、導体層を形成した場合には、この導体層を使用して、電子部品を電気的に接続することができ、電子部品と光導波路とが混在する回路基板を容易に得ることができる。

以下、本発明の光導波路および光導波路構造体について添付図面に示す好適実施形態に基づき詳細に説明する。

図１は、本発明の光導波路構造体の実施形態を示す斜視図（一部切り欠いて示す）である。

なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」または「上方」とし、下側を「下」または「下方」とする（以下の図において同様である。）。
また、各図は、層の厚さ方向（各図の上下方向）が誇張して描かれている。

図１に示す光導波路構造体９は、光導波路９０と、その上面および下面に、それぞれ設けられた導体層９０１、９０２とを有し、これら各層が接合されたものである。

導体層９０１、９０２の構成材料としては、それぞれ、例えば、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金のような各種金属材料、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムスズ酸化物（ＦＴＯ）のような各種酸化物材料等が挙げられる。

導体層９０１、９０２の平均厚さは、それぞれ、光導波路９０の平均厚さの１０〜９０％程度であるのが好ましく、２０〜８０％程度であるのがより好ましい。具体的には、導体層９０１、９０２の平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、通常、３〜１００μｍ程度が好ましく、５〜７０μｍ程度がより好ましい。これにより、光導波路構造体９の可撓性が低下するのを防止しつつ、導体層９０１、９０２を導電性に優れたものとすることができる。

また、図１に示す構成では、導体層９０１、９０２は、いずれも、平板状（シート状）をなしている。この場合、導体層９０１、９０２の所定のパターンに加工した後、所望の箇所に、光学素子（発光素子、受光素子等）を実装することにより、光学回路と電気回路とを備える複合装置を製造することができる。

なお、導体層９０１、９０２は、それぞれ、予めパターニングされたもの（配線）であってもよい。また、必要に応じて、導体層９０１および９０２のいずれか一方を省略してもよい。

また、導体層９０１、９０２と光導波路９０との間には、任意の目的（例えば、密着性を向上させる目的等）の層が１層または２層以上設けられていてもよい。

光導波路９０は、図１中下側からクラッド層（下部クラッド層）９１、コア層９３およびクラッド層（上部クラッド層）９２をこの順に積層してなるものであり、コア層９３には、所定パターンのコア部９４と、このコア部（導波路チャンネル）９４に隣接するクラッド部９５とが形成されている。

コア部９４とクラッド部９５との屈折率の差は、特に限定されないが、０．３〜５．５％程度が好ましく、特に０．８〜２．２％程度が好ましい。屈折率の差が前記下限値未満であると光を伝達する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えても、光の伝送効率のそれ以上の増大は期待できない。

なお、前記屈折率差とは、コア部９４の屈折率をＡ、クラッド部９５の屈折率をＢとしたとき、次式で表される。
屈折率差（％）＝｜Ａ／Ｂ−１｜×１００

また、図１に示す構成では、コア部９４は、平面視で直線状に形成されているが、途中で湾曲、分岐等してもよく、その形状は任意である。なお、後述するような光導波路構造体９の製造方法を用いれば、複雑かつ任意の形状のコア部９４を容易にかつ寸法精度よく形成することができる。

また、コア部９４は、その横断面形状が正方形または矩形（長方形）のような四角形をなしている。

コア部９４の幅および高さは、特に限定されないが、それぞれ、1〜２００μｍ程度であるのが好ましく、５〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１０〜６０μｍ程度であるのがさらに好ましい。

このコア部９４は、クラッド部９５に比べて屈折率が高い材料で構成され、また、クラッド層９１、９２に対しても屈折率が高い材料で構成されている。

クラッド層９１および９２は、それぞれ、コア部９４の下部および上部に位置するクラッド部を構成するものである。このような構成により、コア部９４は、その外周をクラッド部に囲まれた導光路として機能する。

クラッド層９１、９２の平均厚さは、コア層９３の平均厚さの０．１〜１．５倍程度であるのが好ましく、０．３〜１．２５倍程度であるのがより好ましく、具体的には、クラッド層９１、９２の平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、通常、1〜２００μｍ程度であるのが好ましく、５〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１０〜６０μｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、光導波路９０が不要に大型化（圧膜化）するのを防止しつつ、クラッド層としての機能が好適に発揮される。

なお、クラッド層９１、クラッド部９５およびクラッド層９２の構成材料は、それぞれ、同一（同種）のものでも異なるものでもよいが、これらは、屈折率が同じかまたは近似しているものであるのが好ましい。クラッド層９１、９２およびコア層９３の構成材料の詳細については、後に説明する。

本発明の光導波路構造体９は、コア部９４の材料の光学特性等によっても若干異なり、特に限定されないが、例えば、６００〜１５５０ｎｍ程度の波長領域の光を使用したデータ通信において好適に使用される。
次に、光導波路構造体９の製造方法の一例について説明する。

＜第１の製造方法＞
まず、光導波路構造体９の第１の製造方法について説明する。
図２〜図７は、それぞれ、本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。

［１Ａ］ まず、支持基板９５１上に、層９１０を形成する（図２参照）。
層９１０は、コア層形成用材料（ワニス）９００を塗布し硬化（固化）させる方法により形成される。

具体的には、層９１０は、支持基板９５１上にコア層形成用材料９００を塗布して液状被膜を形成した後、この支持基板９５１を換気されたレベルテーブルに置いて、液状被膜表面の不均一な部分を水平化するとともに、溶媒を蒸発（脱溶媒）することにより形成する。

層９１０を塗布法で形成する場合、例えば、ドクターブレード法、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法等の方法が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

支持基板９５１には、例えば、シリコン基板、二酸化ケイ素基板、ガラス基板、石英基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等が用いられる。

コア層形成用材料９００は、ポリマー９１５と、添加剤９２０（本実施形態では、少なくともモノマー、助触媒および触媒前駆体を含む）とで構成される光誘発熱現像性材料（ＰＩＴＤＭ）を含有し、活性放射線の照射および加熱により、ポリマー９１５中において、モノマーの反応が生じる材料である。

そして、得られた層９１０中では、ポリマー（マトリックス）９１５は、いずれも、実質的に一様かつランダムに分配され、添加剤９２０は、ポリマー９１５内に実質的に一様かつランダムに分散されている。これにより、層９１０中には、添加剤９２０が実質的に一様かつ任意に分散されている。

このような層９１０の平均厚さは、形成すべきコア層９３の厚さに応じて適宜設定され、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１５〜６５μｍ程度であるのがさらに好ましい。

ポリマー９１５には、透明性が十分に高く（無色透明であり）、かつ、後述するモノマーと相溶性を有するもの、さらに、その中で後述するようにモノマーが反応（重合反応や架橋反応）可能であり、モノマーが重合した後においても、十分な透明性を有するものが好適に用いられる。

ここで、「相溶性を有する」とは、モノマーが少なくとも混和して、コア層形成用材料９００中や層９１０中においてポリマー９１５と相分離を起こさないことを言う。

このようなポリマー９１５としては、例えば、ノルボルネン系樹脂やベンゾシクロブテン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（ポリマーアロイ、ポリマーブレンド（混合物）、共重合体など）用いることができる。

これらの中でも、特に、ノルボルネン系樹脂（ノルボルネン系ポリマー）を主とするものが好ましい。ポリマー９１５としてノルボルネン系ポリマーを用いることにより、優れた光伝送性能や耐熱性を有するコア層９３を得ることができる。

また、ノルボルネン系ポリマーは、高い疎水性を有するため、吸水による寸法変化等を生じ難いコア層９３を得ることができる。

ノルボルネン系ポリマーとしては、単独の繰り返し単位を有するもの（ホモポリマー）、２つ以上のノルボルネン系繰り返し単位を有するもの（コポリマー）のいずれであってもよい。

このようなノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、（１）ノルボルネン型モノマーを付加（共）重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加（共）重合体、（２）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との付加共重合体、（３）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマーとの付加共重合体のような付加重合体、（４）ノルボルネン型モノマーの開環（共）重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（５）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（６）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、または他のモノマーとの開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加したポリマーのような開環重合体が挙げられる。これらの重合体としては、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体等が挙げられる。

これらのノルボルネン系ポリマーは、例えば、開環メタセシス重合（ＲＯＭＰ）、ＲＯＭＰと水素化反応との組み合わせ、ラジカルまたはカチオンによる重合、カチオン性パラジウム重合開始剤を用いた重合、これ以外の重合開始剤（例えば、ニッケルや他の遷移金属の重合開始剤）を用いた重合等、公知のすべての重合方法で得ることができる。

これらの中でも、ノルボルネン系ポリマーとしては、下記化５（構造式Ｂ）で表される少なくとも１個の繰り返し単位を有するもの、すなわち、付加（共）重合体が好ましい。このものは、透明性、耐熱性および可撓性に富むことからも好ましい。

かかるノルボルネン系ポリマーは、例えば、後述するノルボルネン系モノマー（後述する化７で表されるノルボルネン系モノマーや、架橋性ノルボルネン系モノマー）を用いることにより好適に合成される。

なお、比較的高い屈折率を有するポリマー９１５を得るためには、分子構造中に、芳香族環（芳香族基）、窒素原子、臭素原子や塩素原子を有するモノマーを一般的に選択して、ポリマー９１５が合成（重合）される。一方、比較的低い屈折率を有するポリマー９１５を得るためには、分子構造中に、アルキル基、フッ素原子やエーテル構造（エーテル基）を有するモノマーを一般的に選択して、ポリマー９１５が合成（重合）される。

比較的高い屈折率を有するノルボルネン系ポリマーとしては、アラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。かかるノルボルネン系ポリマーは、特に高い屈折率を有する。

アラルキルノルボルネンの繰り返し単位が有するアラルキル基（アリールアルキル基）としては、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基、フルオレニルエチル基、フルオレニルプロピル基等が挙げられるが、ベンジル基やフェニルエチル基が特に好ましい。

かかる繰り返し単位を有するノルボルネン系ポリマーは、極めて高い屈折率を有するものであることから好ましい。

また、ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、柔軟性が高いため、かかるノルボルネン系ポリマーを用いることにより、光導波路９０に高いフレキシビリティ（可撓性）を付与することができる。

アルキルノルボルネンの繰り返し単位が有するアルキル基としては、例えば、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられるが、ヘキシル基が特に好ましい。なお、これらのアルキル基は、直鎖状または分岐状のいずれであってもよい。

ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、ノルボルネン系ポリマー全体の屈折率が低下するのを防止し、かつ、高い柔軟性を保持することができる。また、かかるノルボルネン系ポリマーは、前述したような波長領域（特に、８５０ｎｍ付近の波長領域）の光に対する透過率が優れることから好ましい。

このようなノルボルネン系ポリマーの好ましい具体例としては、ヘキシルノルボルネンのホモポリマー、フェニルエチルノルボルネンのホモポリマー、ベンジルノルボルネンのホモポリマー、ヘキシルノルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとベンジルノルボルネンとのコポリマー等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

本実施形態のコア層形成用材料９００は、添加剤９２０として、モノマー、助触媒（第１の物質）および触媒前駆体（第２の物質）を含んでいる。

モノマーは、後述する活性放射線に照射により、活性放射線の照射領域において反応して反応物を形成し、この反応物の存在により、層９１０において照射領域と、活性放射線の未照射領域とにおいて、屈折率差を生じさせ得るような化合物である。

ここで、この反応物としては、モノマーがポリマー（マトリックス）９１５中で重合して形成されたポリマー（重合体）、ポリマー９１５同士を架橋する架橋構造、および、ポリマー９１５に重合してポリマー９１５から分岐した分岐構造（ブランチポリマーや側鎖（ペンダントグループ））のうちの少なくとも１つが挙げられる。

ここで、層９１０において、照射領域の屈折率が高くなることが望まれる場合には、比較的低い屈折率を有するポリマー９１５と、このポリマー９１５に対して高い屈折率を有するモノマーとが組み合わせて使用され、照射領域の屈折率が低くなることが望まれる場合には、比較的高い屈折率を有するポリマー９１５と、このポリマー９１５に対して低い屈折率を有するモノマーとが組み合わせて使用される。

なお、屈折率が「高い」または「低い」とは、屈折率の絶対値を意味するものではなく、ある材料同士の相対的な関係を意味する。

そして、モノマーの反応（反応物の生成）により、層９１０において照射領域の屈折率が低下する場合、当該部分がクラッド部９５となり、照射領域の屈折率が上昇する場合、当該部分がコア部９４となる。

このようなモノマーとしては、重合可能な部位を有する化合物であればよく、特に限定されないが、例えば、ノルボルネン系モノマー、アクリル酸（メタクリル酸）系モノマー、エポキシ系モノマー、スチレン系モノマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらの中でも、モノマーとしては、ノルボルネン系モノマーを用いるのが好ましい。ノルボルネン系モノマーを用いることにより、光伝送性能に優れ、かつ、耐熱性および柔軟性に優れるコア層９３（光導波路９０）が得られる。

ここで、ノルボルネン系モノマーとは、下記化６（構造式Ａ）で示されるノルボルネン骨格を少なくとも１つ含むモノマーを総称し、例えば、下記化７（構造式Ｃ）で表される化合物が挙げられる。

［式中、ａは、単結合または二重結合を表し、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは無置換の炭化水素基、または官能置換基を表し、ｍは、０〜５の整数を表す。ただし、ａが二重結合の場合、Ｒ^１およびＲ^２のいずれか一方、Ｒ^３およびＲ^４のいずれか一方は存在しない。］

無置換の炭化水素基（ハイドロカルビル基）としては、例えば、直鎖状または分岐状の炭素数１〜１０（Ｃ_１〜Ｃ_１０）のアルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数２〜１０（Ｃ_２〜Ｃ_１０のアルケニル基、直鎖状または分岐状の炭素数２〜１０（Ｃ_２〜Ｃ_１０）のアルキニル基、炭素数４〜１２（Ｃ_４〜Ｃ_１２）のシクロアルキル基、炭素数４〜１２（Ｃ_４〜Ｃ_１２）のシクロアルケニル基、炭素数６〜１２（Ｃ_６〜Ｃ_１２）のアリール基、炭素数７〜２４（Ｃ_７〜Ｃ_２４）のアラルキル基（アリールアルキル基）等が挙げられ、その他、Ｒ^１およびＲ^２、Ｒ^３およびＲ^４が、それぞれ炭素数１〜１０（Ｃ_１〜Ｃ_１０）のアルキリデニル基であってもよい。

アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基およびデシル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

アルケニル基の具体例としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基およびシクロヘキセニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

アルキニル基の具体例としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基および２−ブチニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

シクロアルキル基の具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基およびシクロオクチル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

アリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基およびアントラセニル（ａｎｔｈｒａｃｅｎｙｌ）基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

アラルキル（ａｒａｌｋｙｌ）基の具体例としては、ベンジル基およびフェニルエチル（フェネチル：ｐｈｅｎｅｔｈｙｌ）基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

また、アルキリデニル（ａｌｋｙｌｉｄｅｎｙｌ）基の具体例としては、メチリデニル（ｍｅｔｈｙｌｉｄｅｎｙｌ）基およびエチリデニル（ｅｔｈｙｌｉｄｅｎｙｌ）基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

置換された炭化水素基としては、前記の炭化水素基が有する水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換されたもの、すなわち、ハロハイドロカルビル（ｈａｌｏｈｙｄｒｏｃａｒｂｙｌ）基、パーハロハイドロカルビル（ｐｅｒｈａｌｏｈｙｄｒｏｃａｒｂｙｌ）基であるか、パーハロカルビル（ｐｅｒｈａｌｏｃａｒｂｙｌ）基のようなハロゲン化炭化水素基が挙げられる。

これらのハロゲン化炭化水素基において、水素原子に置換するハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素および臭素から選択される少なくとも１種が好ましく、フッ素原子がより好ましい。

このうち、パーハロゲン化された炭化水素基（パーハロハイドロカルビル基、パーハロカルビル基）の具体例としては、例えば、パーフルオロフェニル基、パーフルオロメチル基（トリフルオロメチル基）、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基等が挙げられる。

なお、ハロゲン化アルキル基には、炭素数１〜１０のもの以外に、炭素数１１〜２０のものも好適に用いることができる。すなわち、ハロゲン化アルキル基には、部分的または完全にハロゲン化され、直鎖状または分岐状をなし、一般式：−Ｃ_ＺＸ’’_２Ｚ＋１で表される基を選択することができる。ここで、Ｘ’’は、それぞれ独立して、ハロゲン原子または水素原子を表し、Ｚは、１〜２０の整数を表す。

また、置換された炭化水素基としては、ハロゲン原子の他、直鎖状または分岐状の炭素数１〜５（Ｃ_１〜Ｃ_５）のアルキル基またはハロアルキル基、アリール基およびシクロアルキル基で更に置換された、シクロアルキル基、アリール基およびアラルキル基（アラアルキル基）等が挙げられる。

また、官能置換基としては、例えば、−（ＣＨ_２）_ｎ−ＣＨ（ＣＦ_２）_２−Ｏ−Ｓｉ（Ｍｅ）_３、−（ＣＨ_２）_ｎ−ＣＨ（ＣＦ_３）_２−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_ｎ−ＣＨ（ＣＦ_３）_２−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（ＣＨ_３）_３、−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｃ（ＣＦ_３）_２−ＯＨ、−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ_２、−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｃ（Ｏ）−Ｃｌ、−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｒ^５、−（ＣＨ_２）ｎ−Ｏ−Ｒ^５、−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ^５、−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ^５、−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＯＲ^５、−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｓｉ（Ｒ^５）_３、−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｓｉ（ＯＲ^５）_３、−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ^５）_３および−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｃ（Ｏ）−ＯＲ^６等が挙げられる。

ここで、前記各式において、それぞれ、ｎは、０〜１０の整数を示し、Ｒ^５は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０（Ｃ_１〜Ｃ_２０）アルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０（Ｃ_１〜Ｃ_２０）のハロゲン化もしくはパーハロゲン化アルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数２〜１０（Ｃ_２〜Ｃ_１０）のアルケニル基、直鎖状または分岐状の炭素数２〜１０（Ｃ_２〜Ｃ_１０）のアルキニル基、炭素数５〜１２（Ｃ_５〜Ｃ_１２）のシクロアルキル基、炭素数６〜１４（Ｃ_６〜Ｃ_１４）のアリール基、炭素数６〜１４（Ｃ_６〜Ｃ_１４）のハロゲン化もしくはパーハロゲン化アリール基または炭素数７〜２４（Ｃ_７〜Ｃ_２４）のアラルキル基を表す。

なお、Ｒ^５で示される炭化水素基は、Ｒ^１〜Ｒ^４で示されるものと同一の炭化水素基を示す。Ｒ^１〜Ｒ^４で示すように、Ｒ^５で示される炭化水素基は、ハロゲン化またはパーハロゲン化されていてもよい。

例えば、Ｒ^５が炭素数１〜２０（Ｃ_１〜Ｃ_２０）のハロゲン化またはパーハロゲン化アルキル基である場合、Ｒ^５は、一般式：−Ｃ_ＺＸ’’_２Ｚ＋１で表される。ここで、ｚおよびＸ’’は、それぞれ、上記の定義と同じであり、Ｘ’’の少なくとも１つは、ハロゲン原子（例えば、臭素原子、塩素原子またはフッ素原子）である。

ここで、パーハロゲン化アルキル基とは、前記一般式において、すべてのＸ’’がハロゲン原子である基であり、その具体例としては、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、−Ｃ_７Ｆ_１５、−Ｃ_１１Ｆ_２３が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

パーハロゲン化アリール基の具体例としては、ペンタクロロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

また、Ｒ^６としては、例えば、−Ｃ（ＣＨ_３）_３、−Ｓｉ（ＣＨ_３）_３、−ＣＨ（Ｒ^７）−Ｏ−ＣＨ_２ＣＨ_３、−ＣＨ（Ｒ^７）ＯＣ（ＣＨ_３）_３および下記化８の環状基等が挙げられる。

ここで、Ｒ^７は、水素原子、あるいは直鎖状または分岐状の炭素数１〜５（Ｃ_１〜Ｃ_５）のアルキル基を表す。

アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル、ペンチル基、ｔ−ペンチル基、ネオペンチル基が挙げられる。

なお、上記化８で表される環状基では、環構造から延びる単結合と酸置換基との間でエステル結合が形成される。

Ｒ^６の具体例としては、例えば、１−メチル−１−シクロヘキシル基、イソボルニル（ｉｓｏｂｏｒｎｙｌ）基、２−メチル−２−イソボルニル基、２−メチル−２−アダマンチル基、テトラヒドロフラニル（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕｒａｎｙｌ）基、テトラヒドロピラノイル（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｐｙｒａｎｏｙｌ）基、３−オクソシクロヘキサノイル（３−ｏｘｏｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｙｌ）基、メバロンラクトニル（ｍｅｖａｌｏｎｉｃ ｌａｃｔｏｎｙｌ）基、１−エトキシエチル基、１−ｔ−ブトキシエチル基等が挙げられる。

また、他のＲ^６としては、例えば、下記化９で表されるジシクロプロピルメチル基（Ｄｃｐｍ）、ジメチルシクロプロピルメチル基（Ｄｍｃｐ）等が挙げられる。

また、モノマーには、上記のモノマーに代えて、または、上記のモノマーとともに架橋性モノマー（架橋剤）を用いることもできる。この架橋性モノマーは、後述する触媒前駆体の存在下で、架橋反応を生じ得る化合物である。

架橋性モノマーを用いることにより、次のような利点がある。すなわち、架橋性モノマーは、より速く重合するので、コア層９３（光導波路９０）の形成（プロセス）に要する時間を短縮することができる。また、架橋性モノマーは、加熱しても蒸発し難くいので、蒸気圧の上昇を抑えることができる。さらに、架橋性モノマーは、耐熱性に優れるため、コア層９３の耐熱性を向上させることができる。

このうち、架橋性ノルボルネン系モノマーは、前記化６（構造式Ａ）で表されるノルボルネン系部位（ノルボルネン系二重結合）を含む化合物である。

架橋性ノルボルネン系モノマーとしては、連続多環環系（ｆｕｓｅｄ ｍｕｌｔｉｃｙｃｌｉｃ ｒｉｎｇ ｓｙｓｔｅｍｓ）の化合物と、連結多環環系（ｌｉｎｋｅｄ ｍｕｌｔｉｃｙｃｌｉｃ ｒｉｎｇ ｓｙｓｔｅｍｓ）の化合物とがある。

連続多環環系の化合物（連続多環環系の架橋性ノルボルネン系モノマー）としては、下記化１０で表される化合物が挙げられる。

［式中、Ｙは、メチレン（−ＣＨ_２−）基を表し、ｍは、０〜５の整数を表わす。ただし、ｍが０である場合、Ｙは、単結合である。］

なお、簡略化のため、ノルボルナジエン（ｎｏｒｂｏｒｎａｄｉｅｎｅ）は、連続多環環系に含まれ、重合性ノルボルネン系二重結合を含むものと考えることとする。

この連続多環環系の化合物の具体例としては、下記化１１で表される化合物が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

一方、連結多環環系の化合物（連結多環環系の架橋性ノルボルネン系モノマー）としては、下記化１２で表される化合物が挙げられる。

［式中、ａは、それぞれ独立して、単結合または二重結合を表し、ｍは、それぞれ独立して、０〜５の整数を表し、Ｒ^９は、それぞれ独立して二価の炭化水素基、二価のエーテル基または二価のシリル基を表す。また、ｎは、０または１である。］

ここで、二価の置換基とは、端部にノルボルネン構造に結合し得る結合手を２つ有する基のことを言う。

二価の炭化水素基（ハイドロカルビル基）の具体例としては、一般式：−（Ｃ_ｄＨ_２ｄ）−で表されるアルキレン基（ｄは、好ましくは１〜１０の整数を表す。）と、二価の芳香族基（アリール基）とが挙げられる。

二価のアルキレン基としては、直鎖状または分岐状の炭素数１〜１０（Ｃ_１〜Ｃ_１０）のアルキレン基が好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、へキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基が挙げられる。

なお、分岐アルキレン基は、主鎖の水素原子が、直鎖状または分岐状のアルキル基で置換されたものである。

一方、二価の芳香族基としては、二価のフェニル基、二価のナフチル基が好ましい。
また、二価のエーテル基は、−Ｒ^１０−Ｏ−Ｒ^１０−で表される基である。
ここで、Ｒ^１０は、それぞれ独立して、Ｒ^９と同じものを表す。

この連結多環環系の化合物の具体例としては、下記化１３、化１４、化１５、化１６、化１７で表される化合物の他、化１８、化１９で表されるフッ素含有化合物（フッ素含有架橋性ノルボルネン系モノマー）が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

この化１４で表される化合物は、ジメチルビス［ビシクロ［２．２．１］へプト−２−エン−５−メトキシ］シランであり、またの命名では、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シラン（「ＳｉＸ」と略される。）と呼ばれる。

［式中、ｎは、０〜４の整数を表す。］

［式中、ｍおよびｎは、それぞれ、１〜４の整数を表す。］

各種の架橋性ノルボルネン系モノマーの中でも、特に、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シラン（ＳｉＸ）が好ましい。ＳｉＸは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位および／またはアラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーに対して十分に低い屈折率を有する。このため、後述する活性放射線を照射する照射領域の屈折率を確実に低くして、クラッド部９５とすることができる。また、コア部９４とクラッド部９５との間における屈折率差を大きくすることができ、コア層９３（光導波路９０）の特性（光伝送性能）の向上を図ることができる。

なお、以上のようなモノマーは、単独または任意に組み合わせて用いるようにしてもよい。

触媒前駆体（第２の物質）は、前記のモノマーの反応（重合反応、架橋反応等）を開始させ得る物質であり、後述する活性放射線の照射により活性化した助触媒（第１の物質）の作用により、活性化温度が変化する物質である。

この触媒前駆体（プロカタリスト：ｐｒｏｃａｔａｌｙｓｔ）としては、活性放射線の照射に伴って活性化温度が変化（上昇または低下）するものであれば、いかなる化合物を用いてもよいが、特に、活性放射線の照射に伴って活性化温度が低下するものが好ましい。これにより、比較的低温による加熱処理でコア層９３（光導波路９０）を形成することができ、他の層に不要な熱が加わって、光導波路９０の特性（光伝送性能）が低下するのを防止することができる。

このような触媒前駆体としては、下記式（Ｉａ）および（Ｉｂ）で表わされる化合物の少なくとも一方を含む（主とする）ものが好適に用いられる。

［式Ｉａ、Ｉｂ中、それぞれ、Ｅ（Ｒ）_３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表す。また、式Ｉｂ中、ＬＢは、ルイス塩基を表し、ＷＣＡは、弱配位アニオンを表し、ａは、１〜３の整数を表し、ｂは、０〜２の整数を表し、ａとｂとの合計は、１〜３であり、ｐおよびｒは、パラジウムカチオンと弱配位アニオンとの電荷のバランスをとる数を表す。］

式Ｉａに従う典型的な触媒前駆体としては、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（Ｐ（ｉ−Ｐｒ）_３）_２、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（Ｐ（Ｃｙ）_３）_２、Ｐｄ（Ｏ_２ＣＣＭｅ_３）_２（Ｐ（Ｃｙ）_３）_２、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（Ｐ（Ｃｐ）_３）_２、Ｐｄ（Ｏ_２ＣＣＦ_３）_２（Ｐ（Ｃｙ）_３）_２、Ｐｄ（Ｏ_２ＣＣ_６Ｈ_５）_３（Ｐ（Ｃｙ）_３）_２が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。ここで、Ｃｐは、シクロペンチル（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔｙｌ）基を表し、Ｃｙは、シクロヘキシル基を表す。

また、式Ｉｂで表される触媒前駆体としては、ｐおよびｒが、それぞれ１および２の整数から選択される化合物が好ましい。

このような式Ｉｂに従う典型的な触媒前駆体としては、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（Ｐ（Ｃｙ）_３）_２が挙げられる。ここで、Ｃｙは、シクロヘキシル基を表し、Ａｃは、アセチル基を表す。

これらの触媒前駆体は、モノマーを効率よく反応（ノルボルネン系モノマーの場合、付加重合反応によって効率よく重合反応や架橋反応等）することができる。

また、活性化温度が低下した状態（活性潜在状態）において、触媒前駆体としては、その活性化温度が本来の活性化温度よりも１０〜８０℃程度（好ましくは、１０〜５０℃程度）低くなるものが好ましい。これにより、コア部９４とクラッド部９５との間の屈折率差を確実に生じさせることができる。

かかる触媒前駆体としては、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（Ｐ（ｉ−Ｐｒ）_３）_２およびＰｄ（ＯＡｃ）_２（Ｐ（Ｃｙ）_３）_２のうちの少なくとも一方を含む（主とする）ものが好適である。

なお、以下では、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（Ｐ（ｉ−Ｐｒ）_３）_２を「Ｐｄ５４５」と、また、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（Ｐ（Ｃｙ）_３）_２を「Ｐｄ７８５」と略すことがある。

助触媒（第１の物質）は、活性放射線の照射によって活性化して、前記の触媒前駆体（プロカタリスト）の活性化温度（モノマーに反応を生じさせる温度）を変化させ得る物質である。

この助触媒（コカタリスト：ｃｏｃａｔａｌｙｓｔ）としては、活性放射線の照射により、その分子構造が変化（反応または分解）して活性化する化合物であれば、いかなるものでも用いることができるが、特定波長の活性放射線の照射によって分解し、プロトンや他の陽イオン等のカチオンと、触媒前駆体の脱離基に置換し得る弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを発生する化合物（光開始剤）を含む（主とする）ものが好適に用いられる。

弱配位アニオンとしては、例えば、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸イオン（ＦＡＢＡ⁻）、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン（ＳｂＦ_６ ⁻）等が挙げられる。

この助触媒（光酸発生剤または光塩基発生剤）としては、例えば、下記化２１で表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩やヘキサフルオロアンチモン酸塩の他、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ガリウム酸塩、アルミン酸塩類、アンチモン酸塩類、他のホウ酸塩類、ガリウム酸塩類、カルボラン類、ハロカルボラン類等が挙げられる。

このような助触媒の市販品としては、例えば、ニュージャージ州クランベリーのＲｈｏｄｉａ ＵＳＡ社から入手可能な「ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ（登録商標、以下同様である。） ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ ２０７４（ＣＡＳ番号第１７８２３３−７２−２番）」、日本国東京の東洋インキ製造株式会社から入手可能な「ＴＡＧ−３７２Ｒ（（ジメチル（２−（２−ナフチル）−２−オキソエチル）スルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート：ＣＡＳ番号第１９３９５７−５４−９番））、日本国東京のみどり化学株式会社から入手可能な「ＭＰＩ−１０３（ＣＡＳ番号第８７７０９−４１−９番）」、日本国東京の東洋インキ製造株式会社から入手可能な「ＴＡＧ−３７１（ＣＡＳ番号第１９３９５７−５３−８番）」、日本国東京の東洋合成工業株式会社から入手可能な「ＴＴＢＰＳ−ＴＰＦＰＢ（トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルフォニウムテトラキス（ペンタペンタフルオロフェニル）ボレート）」、日本国東京のみどり化学工業株式会社より入手可能な「ＮＡＩ−１０５（ＣＡＳ番号第８５３４２−６２−７番）」等が挙げられる。

なお、助触媒（第１の物質）として、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ ２０７４を用いる場合、後述する活性放射線（化学線）としては、紫外線（ＵＶ光）が好適に用いられ、紫外線の照射手段としては、水銀灯（高圧水銀ランプ）が好適に用いられる。これにより、層９１０に対して、３００ｎｍ未満の十分なエネルギーの紫外線（活性放射線）を供給することができ、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ ２０７４を効率よく分解して、上記のカチオンおよびＷＣＡを発生させることができる。

また、コア層形成用材料（ワニス）９００中には、必要に応じて、増感剤を添加するようにしてもよい。

増感剤は、活性放射線に対する助触媒の感度を増大して、助触媒の活性化（反応または分解）に要する時間やエネルギーを減少させる機能や、助触媒の活性化に適する波長に活性放射線の波長を変化させる機能を有するものである。

このような増感剤としては、助触媒の感度や増感剤の吸収のピーク波長等に応じて適宜選択され、特に限定されないが、例えば、９，１０−ジブトキシアントラセン（ＣＡＳ番号第７６２７５−１４−４番）のようなアントラセン類、キサントン類、アントラキノン類、フェナントレン類、クリセン類、ベンツピレン類、フルオラセン類（ｆｌｕｏｒａｎｔｈｅｎｅｓ）、ルブレン類、ピレン類、インダンスリーン類、チオキサンテン−９−オン類（ｔｈｉｏｘａｎｔｈｅｎ−９−ｏｎｅｓ）等が挙げられ、これらを単独または混合物として用いられる。

増感剤の具体例としては、２−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、４−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、１−クロロ−４−プロポキシチオキサントン、フェノチアジン（ｐｈｅｎｏｔｈｉａｚｉｎｅ）またはこれらの混合物が挙げられる。

なお、９，１０−ジブトキシアントラセン（ＤＢＡ）は、日本国神奈川県の川崎化成工業株式会社から入手が可能である。

コア層形成用材料９００中の増感剤の含有量は、特に限定されないが、０．０１重量％以上であるのが好ましく、０．５重量％以上であるのがより好ましく、１重量％以上であるのがさらに好ましい。なお、上限値は、５重量％以下であるのが好ましい。

さらに、コア層形成用材料９００中には、酸化防止剤を添加することができる。これにより、望ましくないフリーラジカルの発生や、ポリマー９１５の自然酸化を防止することができる。その結果、得られたコア層９３（光導波路９０）の特性の向上を図ることができる。

この酸化防止剤としては、ニューヨーク州タリータウンのＣｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社から入手可能なＣｉｂａ（登録商標、以下同様である。） ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標、以下同様である。） １０７６およびＣｉｂａ ＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標、以下同様である。） １６８が好適に用いられる。

また、他の酸化防止剤としては、例えば、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標、以下同様である。） １２９、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ １３３０、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ １０１０、Ｃｉｂａ Ｃｙａｎｏｘ（登録商標、以下同様である。） １７９０、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標） ３１１４、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ ３１２５等を用いることもできる。

なお、このような酸化防止剤は、例えば、層９１０が酸化条件に曝されない場合や、曝される期間が極めて短い場合等には、省略することもできる。

コア層形成用材料（ワニス）９００の調製に用いる溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒等の各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。

さて、支持基板９５１上に形成された液状被膜中から溶媒を除去（脱溶媒）する方法としては、例えば、自然乾燥、加熱、減圧下での放置、不活性ガスの吹付け（ブロー）などによる強制乾燥等の方法が挙げられる。

以上のようにして、支持基板９５１上には、コア層形成用材料９００のフィルム状の固化物（または硬化物）である層９１０が形成される。

このとき、層（ＰＩＴＤＭの乾燥フィルム）９１０は、第１の屈折率（ＲＩ）を有している。この第１の屈折率は、層９１０中に一様に分散（分布）するポリマー９１５およびモノマーの作用による。

［２Ａ］ 次に、開口（窓）９３５１が形成されたマスク（マスキング）９３５を用意し、このマスク９３５を介して、層９１０に対して活性放射線（活性エネルギー光線）９３０を照射する（図３参照）。

以下では、モノマーとして、ポリマー９１５より低い屈折率を有するものを用い、また、触媒前駆体として、活性放射線９３０の照射に伴って活性化温度が低下するものを用いる場合を一例に説明する。

すなわち、ここで示す例では、活性放射線９３０の照射領域９２５がクラッド部９５となる。

したがって、ここで示す例では、マスク９３５には、形成すべきクラッド部９５のパターンと等価な開口（窓）９３５１が形成される。この開口９３５１は、照射する活性放射線９３０が透過する透過部を形成するものである。

マスク９３５は、予め形成（別途形成）されたもの（例えばプレート状のもの）でも、層９１０上に例えば気相成膜法や塗布法により形成されたものでもよい。

マスク９３５として好ましいものの例としては、石英ガラスやＰＥＴ基材等で作製されたフォトマスク、ステンシルマスク、気相成膜法（蒸着、スパッタリング等）により形成された金属薄膜等が挙げられるが、これらの中でもフォトマスクやステンシルマスクを用いるのが特に好ましい。微細なパターンを精度良く形成することができるとともに、ハンドリングがし易く、生産性の向上に有利であるからである。

また、図３においては、形成すべきクラッド部９５のパターンと等価な開口（窓）９３５１は、活性放射線９３０の未照射領域９４０のパターンに沿ってマスクを部分的に除去したものを示したが、前記石英ガラスやＰＥＴ基材等で作製されたフォトマスクを用いる場合、該フォトマスク上に例えばクロム等の金属による遮蔽材で構成された活性放射線９３０の遮蔽部を設けたものを用いることもできる。このマスクでは、遮蔽部以外の部分が前記窓（透過部）となる。

用いる活性放射線９３０は、助触媒に対して、光化学的な反応（変化）を生じさせ得るものであればよく、例えば、可視光、紫外光、赤外光、レーザ光の他、電子線やＸ線等を用いることもできる。

これらの中でも、活性放射線９３０は、助触媒の種類、増感剤を含有する場合には、増感剤の種類等によって適宜選択され、特に限定されないが、波長２００〜４５０ｎｍの範囲にピーク波長を有するものであるのが好ましい。これにより、助触媒を比較的容易に活性化させることができる。

また、活性放射線９３０の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ^２程度であるのが好ましく、０．２〜６Ｊ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましく、０．２〜３Ｊ／ｃｍ^２程度であるのがさらに好ましい。これにより、助触媒を確実に活性化させることができる。

マスク９３５を介して、活性放射線９３０を層９１０に照射すると、活性放射線９３０が照射された照射領域９２５内に存在する助触媒（第１の物質：コカタリスト）は、活性放射線９３０の作用により反応（結合）または分解して、カチオン（プロトンまたは他の陽イオン）と、弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを遊離（発生）する。

そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域９２５内に存在する触媒前駆体（第２の物質：プロカタリスト）の分子構造に変化（分解）を生じさせ、これを活性潜在状態（潜在的活性状態）に変化させる。

ここで、活性潜在状態（または潜在的活性状態）の触媒前駆体とは、本来の活性化温度より活性化温度が低下しているが、温度上昇がないと、すなわち、室温程度では、照射領域９２５内においてモノマーの反応を生じさせることができない状態にある触媒前駆体のことを言う。

したがって、活性放射線９３０照射後においても、例えば−４０℃程度で、層９１０を保管すれば、モノマーの反応を生じさせることなく、その状態を維持することができる。このため、活性放射線９３０照射後の層９１０を複数用意しておき、これらに一括して加熱処理を施すことにより、コア層９３を得ることができ、利便性が高い。

なお、活性放射線９３０として、レーザ光のように指向性の高い光を用いる場合には、マスク９３５の使用を省略してもよい。

［３Ａ］ 次に、層９１０に対して加熱処理（第１の加熱処理）を施す。
これにより、照射領域９２５内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して（活性状態となって）、モノマーの反応（重合反応や架橋反応）が生じる。

そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域９２５内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域９２５と未照射領域９４０との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域９４０からモノマーが拡散（モノマーディフュージョン）して照射領域９２５に集まってくる。

その結果、照射領域９２５では、モノマーやその反応物（重合体、架橋構造や分岐構造）が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになり、第１の屈折率より低い第２の屈折率へと低下する。なお、モノマーの重合体としては、主に付加（共）重合体が生成する。

一方、未照射領域９４０では、当該領域から照射領域９２５にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー９１５の影響が大きく現れるようになり、第１の屈折率より高い第３の屈折率へと上昇する。

このようにして、照射領域９２５と未照射領域９４０との間に屈折率差（第２の屈折率＜第３の屈折率）が生じて、コア部９４（未照射領域９４０）とクラッド部９５（照射領域９２５）とが形成される（図４参照）。

この加熱処理における加熱温度は、特に限定されないが、３０〜８０℃程度であるのが好ましく、４０〜６０℃程度であるのがより好ましい。

また、加熱時間は、照射領域９２５内におけるモノマーの反応がほぼ完了するように設定するのが好ましく、具体的には、０．１〜２時間程度であるのが好ましく、０．１〜１時間程度であるのがより好ましい。

［４Ａ］ 次に、層９１０に対して第２の加熱処理を施す。
これにより、未照射領域９４０および／または照射領域９２５に残存する触媒前駆体を、直接または助触媒の活性化を伴って、活性化させる（活性状態とする）ことにより、各領域９２５、９４０に残存するモノマーを反応させる。

このように、各領域９２５、９４０に残存するモノマーを反応させることにより、得られるコア部９４およびクラッド部９５の安定化を図ることができる。

この第２の加熱処理における加熱温度は、触媒前駆体または助触媒を活性化し得る温度であればよく、特に限定されないが、７０〜１００℃程度であるのが好ましく、８０〜９０℃程度であるのがより好ましい。

また、加熱時間は、０．５〜２時間程度であるのが好ましく、０．５〜１時間程度であるのがより好ましい。

［５Ａ］ 次に、層９１０に対して第３の加熱処理を施す。
これにより、得られるコア層９３に生じる内部応力の低減や、コア部９４およびクラッド部９５の更なる安定化を図ることができる。

この第３の加熱処理における加熱温度は、第２の加熱処理における加熱温度より２０℃以上高く設定するのが好ましく、具体的には、９０〜１８０℃程度であるのが好ましく、１２０〜１６０℃程度であるのがより好ましい。

また、加熱時間は、０．５〜２時間程度であるのが好ましく、０．５〜１時間程度であるのがより好ましい。
以上の工程を経て、コア層９３が得られる。

なお、例えば、第２の加熱処理や第３の加熱処理を施す前の状態で、コア部９４とクラッド部９５との間に十分な屈折率差が得られている場合等には、本工程［５Ａ］や前記工程［４Ａ］を省略してもよい。

［６Ａ］ 次に、支持基板９５２上に、クラッド層９１（９２）を形成する（図５参照）。

クラッド層９１（９２）の形成方法としては、クラッド材を含むワニス（クラッド層形成用材料）を塗布し硬化（固化）させる方法、硬化性を有するモノマー組成物を塗布し硬化（固化）させる方法等、いかなる方法でもよい。

クラッド層９１（９２）を塗布法で形成する場合、例えば、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法等の方法が挙げられる。

支持基板９５２には、支持基板９５１と同様のものを用いることができる。
クラッド層９１（９２）の構成材料としては、下記化２２で表されるノルボルネン系ポリマーを主とするものが用いられる。

［式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立して、下記化２３〜２５で表される置換基を表すが、同時に同一の置換基であることはない。 また、ｐ／ｑ＋ｒが２０以下である。］

［式中、ａは、０〜３の整数を表し、ｂは、１〜３の整数を表す。］

［式中、Ｒ^１は、水素原子またはメチル基を表し、ａは、０〜３の整数を表す。］

［式中、Ｘは、それぞれ独立して、炭素数１〜３のアルキル基を表し、ａは、０〜３の整数を表す。］

ノルボルネン系ポリマーは、耐熱性に優れるが、付加共重合体である化１９で表されるノルボルネン系ポリマーは、特に耐熱性に優れる。このため、これをクラッド層９１（９２）の構成材料として使用する光導波路９０では、光導波路９０に導体層９０１、９０２を形成する際、導体層９０１、９０２を加工して配線を形成する際、光学素子を実装する等に加熱されたとしても、クラッド層９１（９２）が軟化して、変形するのを防止することができる。

また、高い疎水性を有するため、吸水による寸法変化等を生じ難いクラッド層９１（９２）を得ることができる。

また、このノルボルネン系ポリマーは、比較的低い屈折率のものであり、かかるノルボルネン系ポリマーを主材料としてクラッド層９１（９２）を構成することにより、光導波路９０の光伝送性能をより向上させることができる。

また、このノルボルネン系ポリマーまたはその原料であるノルボルネン系モノマーは、比較的安価であり、入手が容易であることからも好ましい。

さらに、クラッド層９１（９２）の材料として、ノルボルネン系ポリマーを主とするものを用いると、コア層９３の構成材料として好適に用いられる材料と同種となるため、コア層９３との密着性がさらに高いものとなり、クラッド層９１（９２）とコア層９３との間での層間剥離を防止することができる。このようなことから、耐久性に優れた光導波路９０が得られる。

特に、化２２で表されるノルボルネン系ポリマーは、重合性基として、エポキシ基、（メタ）アクリル基、または、アルコキシシリル基を有することから、クラッド層９１（９２）において、ノルボルネン系ポリマーの少なくとも一部のものの重合性基同士を、直接または架橋剤を介して架橋させることができる。また、架橋剤の種類、コア層９３に用いるポリマーの種類等によっては、このノルボルネン系ポリマーとコア層９３に用いるポリマーとを架橋させることもできる。換言すれば、かかるノルボルネン系ポリマーは、その少なくとも一部のものが重合性基において架橋しているのが好ましい。

その結果、クラッド層９１（９２）自体の強度を向上させることや、クラッド層９１（９２）とコア層９３との密着性を向上させることができる。

さらに、本発明において用いられるノルボルネン系ポリマーは、２種の異なる重合性基を有することから、架橋密度をさらに向上させることができ、前記効果がより顕著となる。

また、化２２で表されるノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むことから、柔軟性が高く、光導波路９０に高いフレキシビリティ（可撓性）を付与することができる。なお、アルキルノルボルネンが有するアルキル基は、直鎖状または分岐状のいずれであってもよい。

また、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、前述したような波長領域（特に、８５０ｎｍ付近の波長領域）の光に対する透過率が優れることからも好ましい。

このような化２２で表されるノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、ブチルボルネン、ヘキシルノルボルネンまたはデシルノルボルネンのいずれかと、アクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチルと、ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン、トリエトキシシリルノルボルネンまたはトリメトキシシリルノルボルネンのいずれかとのターポリマー、ブチルボルネン、ヘキシルノルボルネンまたはデシルノルボルネンのいずれかと、アクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチルと、メチルグリシジルエーテルノルボルネンとのターポリマー、ブチルボルネン、ヘキシルノルボルネンまたはデシルノルボルネンのいずれかと、メチルグリシジルエーテルノルボルネン、ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン、トリエトキシシリルノルボルネンまたはトリメトキシシリルノルボルネンのいずれかとのターポリマー等が挙げられる。

また、ｐ／ｑ＋ｒは、２０以下であればよいが、１５以下であるのが好ましく、０．１〜１０程度がより好ましい。これにより、アルキルノルボルネンの繰り返し単位と、重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位とを含む効果が如何なく発揮される。

なお、化２２で表されるノルボルネン系ポリマーにおいて、（メタ）アクリル基同士は、加熱により比較的容易に架橋（重合）させることができるが、クラッド層形成用材料中に、ラジカル発生剤を混合することにより、（メタ）アクリル基同士の架橋反応を促進することができる。

ラジカル発生剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１，１−ビス（ｔ−ブチルペロキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン等が好適に用いられる。

また、化２２で表されるノルボルネン系ポリマーにおいて、エポキシ基同士やアルコキシシリル基同士を直接架橋させるためには、クラッド層形成用材料中に、前述した助触媒と同種の物質（光酸発生剤または光塩基発生剤）を混合しておき、この物質の作用により、エポキシ基やアルコキシシリル基を架橋させればよい。

一方、エポキシ基同士、（メタ）アクリル基同士やアルコキシシリル基同士を架橋剤を介して架橋させるためには、さらに、クラッド層形成用材料中に、架橋剤として、各重合性基に対応する重合性基を少なくとも１つを有する化合物を混合するようにすればよい。

エポキシ基を有する架橋剤としては、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（γ−ＧＰＳ）、シリコーンエポキシ樹脂等が好適に用いられる。

（メタ）アクリル基を有する架橋剤としては、例えば、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラントリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカンジメタノールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート等が好適に用いられる。

アルコキシシリル基を有する架橋剤としては、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシランのようなシランカップリング剤等が好適に用いられる。

これらの重合性基同士の架橋反応は、本工程［６Ａ］の最終段階で行うようにしてもよいし、次工程［７Ａ］において光導波路９０を得た後に行うようにしてもよい。

また、クラッド層形成用材料中には、各種の添加剤を添加（混合）するようにしてもよい。

例えば、クラッド層形成用材料中には、前記コア層形成用材料で挙げたモノマー、触媒前駆体および助触媒を混合してもよい。これにより、クラッド層９１（９２）中において、前述したのと同様にして、モノマーを反応させて、クラッド層９１（９２）の屈折率を変化させることができる。

また、この場合、クラッド層９１（９２）中において、屈折率の差を設けることが要求されないので、助触媒を省略して、加熱により容易に活性化する触媒前駆体を用いることもできる。

かかる触媒前駆体としては、例えば、［Ｐｄ（ＰＣｙ_３）_２（Ｏ_２ＣＣＨ_３）（ＮＣＣＨ_３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、［２−ｍｅｔｈａｌｌｙｌ Ｐｄ（ＰＣｙ３）２］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、［Ｐｄ（ＰＣｙ３）２Ｈ（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、［Ｐｄ（Ｐ（ｉＰｒ）３）２（ＯＣＯＣＨ３）（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が挙げられる。

その他の添加剤としては、前述したような酸化防止剤が挙げられる。酸化防止剤を混合することにより、クラッド材（ノルボルネン系ポリマー）の酸化による劣化を防止することができる。
以上のようにして、支持基板９５２上に、クラッド層９１（９２）が形成される。

［７Ａ］ 次に、支持基板９５１からコア層９３を剥離し、このコア層９３を、クラッド層９１が形成された支持基板９５２と、クラッド層９２が形成された支持基板９５２とで挟持する（図６参照）。

そして、図６中の矢印で示すように、クラッド層９２が形成された支持基板９５２の上面側から加圧し、クラッド層９１、９２とコア層９３とを圧着する。
これにより、クラッド層９１、９２とコア層９３とが接合、一体化される。

また、この圧着作業は、加熱下で行われるのが好ましい。加熱温度は、クラッド層９１、９２やコア層９３の構成材料等により適宜決定されるが、通常は、８０〜２００℃程度が好ましく、１２０〜１８０℃程度がより好ましい。

次いで、クラッド層９１、９２から、それぞれ、支持基板９５２を剥離、除去する。これにより、本発明の光導波路９０が得られる。

［８Ａ］ 次に、光導波路９０の上面および下面に、それぞれ導体層９０１、９０２を形成する（図７参照）。

各導体層９０１、９０２の形成方法としては、それぞれ、例えば、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法のような化学的気相成膜法（ＣＶＤ法）、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法のような物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法や、ラミネート法による導電性シート材の接合のうちの少なくとも１つを用いることができる。これにより、各導体層９０１、９０２と光導波路９０との高い密着性が得られる。
以上のようにして、本発明の光導波路構造体９が完成する。

このような光導波路構造体９の好ましい例では、コア層９３において、コア部９４が第１のノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド部９５が第１のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第２のノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド層９１、９２が、それぞれ、第１のノルボルネン系材料（コア層９３のコア部９４）より屈折率が低いノルボルネン系ポリマーを主材料として構成される。

そして、第１のノルボルネン系材料と前記第２のノルボルネン系材料とは、いずれも、同一のノルボルネン系ポリマーを含有するが、このノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、互いに屈折率が異なっている。

ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路構造体９では、光導波路９０の高い光伝送性能が得られる。

また、このような構成により、コア部９４とクラッド部９５との間の高い密着性のみならず、コア層９３とクラッド層９１およびクラッド層９２との間の高い密着性が得られ、光導波路構造体９に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部９４とクラッド部９５との剥離や、コア層９３とクラッド層９１、９２との層間剥離が生じ難く、コア部９４内やクラッド部９５内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路９０の光伝送性能が維持される。

さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路９０（光導波路構造体９）では、耐久性に優れたものとなる。

また、光導波路９０に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下（劣化）を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層９０１、９０２を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部９４と重なるように、導体層９０１、９０２を形成した場合でも、コア部９４の変質・劣化を防止することができる。

また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部９４を有する光導波路構造体９を得ることができる。

＜第２の製造方法＞
次に、光導波路構造体９の第２の製造方法について説明する。

以下、第２の製造方法について説明するが、前記第１の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

第２の製造方法では、コア層形成用材料９００の組成が異なり、それ以外は、前記第１の製造方法と同様である。

すなわち、第２の製造方法で用いられるコア層形成用材料９００は、活性放射線の照射により活性化する離脱剤（物質）と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した離脱剤の作用により、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基（離脱性ぺンダントグループ）とを有するポリマー９１５とを含有している。
離脱剤には、前記第１の製造方法で挙げた助触媒と同様のものを用いることができる。

第２の製造方法において用いられるポリマー９１５としては、前記第１の製造方法で挙げたポリマー９１５が有する置換基を離脱性基で置換したものや、前記第１の製造方法で挙げたポリマー９１５に離脱性基を導入したもの等が挙げられる。

かかるポリマー９１５は、離脱性基の離脱（切断）により、その屈折率が変化（上昇または低下）する。

離脱性基は、カチオン、アニオンまたはフリーラジカルの作用により離脱するもの、すなわち、酸（カチオン）脱離性基、塩基（アニオン）脱離性基、フリーラジカル脱離性基のいずれであってもよいが、好ましくはカチオン（プロトン）の作用により離脱するもの（酸基離脱性基）である。

酸離脱性基としては、その分子構造中に、−Ｏ−構造、−Ｓｉ−アリール構造および−Ｏ−Ｓｉ−構造のうちの少なくとも１つを有するものが好ましい。かかる酸離脱性基は、カチオンの作用により比較的容易に離脱する。

このうち、離脱によりポリマー９１５の屈折率に低下を生じさせる酸離脱性基としては、−Ｓｉ−ジフェニル構造および−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造の少なくとも一方が好ましい。

なお、フリーラジカルの作用により離脱するフリーラジカル脱離性基としては、例えば、末端にアセトフェノン構造を有する置換基等が挙げられる。

また、ポリマー９１５は、前記第１の製造方法で説明したのと同様の理由から、ノルボルネン系ポリマーを用いるのが好ましく、アルキル（特にヘキシル）ノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーを用いるのがより好ましい。

以上のことを考慮した場合、離脱性基の離脱により屈折率が低下するポリマー９１５としては、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランのホモポリマーや、ヘキシルノルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマーが好適に用いられる。

以下では、ポリマー９１５として、離脱性基（特に酸離脱性基）の離脱により屈折率が低下するものを用いる場合を一例に説明する。

すなわち、ここで示す例では、活性放射線９３０の照射領域９２５がクラッド部９５となる。

［１Ｂ］ 前記工程［１Ａ］と同様の工程を行う。
このとき、層（ＰＩＴＤＭの乾燥フィルム）９１０は、第１の屈折率（ＲＩ）を有している。この第１の屈折率は、層９１０中に一様に分散（分布）するポリマー９１５の作用による。

［２Ｂ］ 前記工程［２Ａ］と同様の工程を行う。
マスク９３５を介して、活性放射線９３０を層９１０に照射すると、活性放射線９３０が照射された照射領域９２５内に存在する離脱剤は、活性放射線９３０の作用により反応（結合）または分解して、カチオン（プロトンまたは他の陽イオン）と、弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを遊離（発生）する。

そして、カチオンは、離脱性基そのものを主鎖から離脱させるか、または、離脱性基の分子構造の途中から切断する（フォトブリーチ）。

これにより、照射領域９２５では、未照射領域９４０よりも完全な状態の離脱性基の数が減少し、第１の屈折率より低い第２の屈折率へと低下する。なお、このとき、未照射領域９４０の屈折率は、第１の屈折率が維持される。

このようにして、照射領域９２５と未照射領域９４０との間に屈折率差（第２の屈折率＜第１の屈折率）が生じて、コア部９４（未照射領域９４０）とクラッド部９５（照射領域９２５）とが形成される。

なお、この場合、活性放射線９３０の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ^２程度であるのが好ましく、０．３〜６Ｊ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましく、０．６〜６Ｊ／ｃｍ^２程度であるのがさらに好ましい。これにより、離脱剤を確実に活性化させることができる。

［３Ｂ］ 次に、層９１０に対して加熱処理を施す。
これにより、ポリマー９１５から離脱（切断）された離脱性基が、例えば、照射領域９２５から除去されたり、ポリマー９１５内において再配列または架橋する。

さらに、このとき、クラッド部９５（照射領域９２５）に残存する離脱性基の一部がさらに離脱（切断）すると考えられる。

したがって、このような加熱処理を施すことにより、コア部９４とクラッド部９５との間の屈折率差をより大きくすることができる。

この加熱処理における加熱温度は、特に限定されないが、７０〜１９５℃程度であるのが好ましく、８５〜１５０℃程度であるのがより好ましい。

また、加熱時間は、照射領域９２５から離脱（切断）された離脱性基を十分に除去し得るに設定され、特に限定されないが、０．５〜３時間程度であるのが好ましく、０．５〜２時間程度であるのがより好ましい。

なお、例えば、加熱処理を施す前の状態で、コア部９４とクラッド部９５との間に十分な屈折率差が得られている場合等には、本工程［３Ｂ］を省略してもよい。

また、必要に応じて、１回または複数回の加熱処理（例えば、１５０〜２００℃×１〜８時間程度）の工程を追加することもできる。
以上の工程を経て、コア層９３が得られる。

［４Ｂ］ 前記工程［６Ａ］と同様の工程を行う。
［５Ｂ］ 前記工程［７Ａ］と同様の工程を行う。

［６Ｂ］ 前記工程［８Ａ］と同様の工程を行う。
以上のようにして、本発明の光導波路構造体９が完成する。

このような光導波路構造体９の好ましい例では、コア層９３がノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド層９１、９２が、それぞれ、コア層９３のコア部９４より屈折率が低いノルボルネン系ポリマーを主材料として構成される。

そして、コア部９４とクラッド部９５とは、主鎖と主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを主材料として構成され、コア部９４とクラッド部９５とは、主鎖に結合した状態の離脱性基の数が異なることにより、それらの屈折率が異なっている。

ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路構造体９では、光導波路９０の高い光伝送性能が得られる。

また、このような構成により、コア部９４とクラッド部９５との間の高い密着性のみならず、コア層９３とクラッド層９１およびクラッド層９２との間の高い密着性が得られ、光導波路構造体９に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部９４とクラッド部９５との剥離や、コア層９３とクラッド層９１、９２との層間剥離が生じ難く、コア部９４内やクラッド部９５内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路９０の光伝送性能が維持される。

さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路９０（光導波路構造体９）では、耐久性に優れたものとなる。

また、光導波路９０に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下（劣化）を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層９０１、９０２を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部９４と重なるように、導体層９０１、９０２を形成した場合でも、コア部９４の変質・劣化を防止することができる。

また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部９４を有する光導波路構造体９を得ることができる。

特に、第２の製造方法によれば、少なくとも活性放射線をすればよく、極めて簡単な処理で、コア層９３を形成することができる。

＜第３の製造方法＞
次に、光導波路構造体９の第３の製造方法について説明する。

以下、第３の製造方法について説明するが、前記第１および第２の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

第３の製造方法では、コア層形成用材料９００として、第１および第２の製造方法で用いたコア層形成用材料を組み合わせたものを用い、それ以外は、前記第１または第２の製造方法と同様である。

すなわち、第３の製造方法で用いられるコア層形成用材料９００は、前述したような離脱性基を有するポリマー９１５と、モノマーと、助触媒（第１の物質）と、触媒前駆体（第２の物質）とを含有している。また、助触媒は、前記第２の製造方法における離脱剤と同じものであり、離脱剤を離脱させる機能も有する。

このようなコア層形成用材料９００では、選択する離脱性基と、選択するモノマーとの組み合わせにより、得られるコア層９３において、コア部９４とクラッド部９５との間の屈折率差をより多段階に調整することが可能となる。

なお、前述したように、モノマーとして、ポリマー９１５より低い屈折率を有するものを用い、また、触媒前駆体として、活性放射線９３０の照射に伴って活性化温度が低下するものを用い、ポリマー９１５として、離脱性基の離脱により屈折率が低下するものを用いると、照射領域９２５をクラッド部９５とし、コア部９４との屈折率差が極めて大きいコア層９３を得ることができる。

以下では、このような組み合わせのポリマー９１５、モノマーおよび触媒前駆体を用いる場合を一例に説明する。

すなわち、ここで示す例では、活性放射線９３０の照射領域９２５がクラッド部９５となる。

［１Ｃ］ 前記工程［１Ａ］と同様の工程を行う。
このとき、層（ＰＩＴＤＭの乾燥フィルム）９１０は、第１の屈折率（ＲＩ）を有している。この第１の屈折率は、層９１０中に一様に分散（分布）するポリマー９１５およびモノマーの作用による。

［２Ｃ］ 前記工程［２Ａ］と同様の工程を行う。
マスク９３５を介して、活性放射線９３０を層９１０に照射すると、活性放射線９３０が照射された照射領域９２５内に存在する助触媒（第１の物質：コカタリスト）は、活性放射線９３０の作用により反応または分解して、カチオン（プロトンまたは他の陽イオン）と、弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを遊離（発生）する。

そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域９２５内に存在する触媒前駆体（第２の物質：プロカタリスト）の分子構造に変化（分解）を生じさせ、これを活性潜在状態（潜在的活性状態）に変化させる。

また、カチオンは、離脱性基そのものを主鎖から離脱させるか、または、離脱性基の分子構造の途中から切断する。

これにより、照射領域９２５では、未照射領域９４０よりも完全な状態の離脱性基の数が減少し、屈折率が低下して第１の屈折率より低くなる。なお、このとき、未照射領域９４０の屈折率は、第１の屈折率が維持される。

なお、この場合、活性放射線９３０の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ^２程度であるのが好ましく、０．２〜５Ｊ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましく、０．２〜４Ｊ／ｃｍ^２程度であるのがさらに好ましい。これにより、助触媒を確実に活性化させることができる。

［３Ｃ］ 前記工程［３Ａ］と同様の工程を行う。
これにより、照射領域９２５内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して（活性状態となって）、モノマーの反応（重合反応や架橋反応）が生じる。

そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域９２５内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域９２５と未照射領域９４０との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域９４０からモノマーが拡散して照射領域９２５に集まってくる。

また、この加熱処理により、ポリマー９１５から離脱（切断）された離脱性基が、例えば、照射領域９２５から除去されたり、ポリマー９１５内において再配列または架橋する。

その結果、照射領域９２５では、モノマーやその反応物（重合体、架橋構造や分岐構造）が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになること、ポリマー９１５から離脱（切断）された離脱性基が減少すること等により、さらに屈折率が低下して第２の屈折率となる。

一方、未照射領域９４０では、当該領域から照射領域９２５にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー９１５の影響が大きく現れるようになり、第１の屈折率より高い第３の屈折率へと上昇する。

このようにして、照射領域９２５と未照射領域９４０との間に屈折率差（第２の屈折率＜第３の屈折率）が生じて、コア部９４（未照射領域９４０）とクラッド部９５（照射領域９２５）とが形成される。

［４Ｃ］ 前記工程［４Ａ］と同様の工程を行う。
［５Ｃ］ 前記工程［５Ａ］と同様の工程を行う。

［６Ｃ］ 前記工程［６Ａ］と同様の工程を行う。
［７Ｃ］ 前記工程［７Ａ］と同様の工程を行う。

［８Ｃ］ 前記工程［８Ａ］と同様の工程を行う。
以上のようにして、本発明の光導波路構造体９が完成する。

このような光導波路構造体９の好ましい例では、コア層９３は、主鎖とこの主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを含有しており、コア部９４とクラッド部９５とは、主鎖に結合した状態の離脱性基の数が異なること、および、ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっており、また、クラッド層９１、９２が、それぞれ、コア層９３のコア部９４より屈折率が低いノルボルネン系ポリマーを主材料として構成される。

ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路構造体９では、光導波路９０の高い光伝送性能が得られる。

また、このような構成により、コア部９４とクラッド部９５との間の高い密着性のみならず、コア層９３とクラッド層９１およびクラッド層９２との間の高い密着性が得られ、光導波路構造体９に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部９４とクラッド部９５との剥離や、コア層９３とクラッド層９１、９２との層間剥離が生じ難く、コア部９４内やクラッド部９５内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路９０の光伝送性能が維持される。

さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路９０（光導波路構造体９）では、耐久性に優れたものとなる。

また、光導波路９０に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下（劣化）を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層９０１、９０２を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部９４と重なるように、導体層９０１、９０２を形成した場合でも、コア部９４の変質・劣化を防止することができる。

また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部９４を有する光導波路構造体９を得ることができる。

特に、第３の製造方法によれば、コア部９４とクラッド部９５との間の屈折率差を多段階に設定することが可能となる。

＜第４の製造方法＞
次に、光導波路構造体９の第４の製造方法について説明する。

図８〜図１３は、それぞれ、本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。

以下、第４の製造方法について説明するが、前記第１〜第３の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

第４の製造方法では、光導波路９０の形成工程が異なり、それ以外は、前記第１〜第３の製造方法と同様である。

すなわち、コア層形成用材料９００やクラッド層形成用材料には、前記第１〜第３の製造方法で説明したのと同様のものを用いることができる。

なお、以下では、コア層形成用材料として、前記第１の製造方法で挙げたものを用いる場合を代表に説明する。

［１Ｄ］ まず、支持基板１０００上に、クラッド層形成用材料（第１のワニス）を前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第１の層１１１０を形成する（図８参照）。
支持基板１０００には、支持基板９５１と同様のものを用いることができる。

第１の層１１１０の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１５〜６５μｍ程度であるのがさらに好ましい。

［２Ｄ］ 次に、第１の層１１１０上に、コア層形成用材料（第２のワニス）を前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第２の層１１２０を形成する（図９参照）。

コア層形成用材料は、第１の層１１１０をほぼ完全に乾燥させた後に塗布するようにしてもよいし、第１の層１１１０が乾燥する前に塗布するようにしてもよい。

後者の場合、第１の層１１１０と第２の層１１２０とは、それらの界面において相互に混ざり合った状態となる。この場合、得られた光導波路９０において、クラッド層９１とコア層９３との密着性の向上を図ることができる。

また、この場合、第１のワニスおよび第２のワニスは、それぞれ、粘度（常温）が好ましくは１００〜１００００ｃＰ程度、より好ましくは１５０〜５０００ｃＰ程度、さらに好ましくは２００〜３５００ｃＰ程度に調製される。これにより、第１の層１１１０と第２の層１１２０とが、それらの界面において必要以上に混ざり合うのを防止することができるとともに、第１の層１１１０および第２の層１１２０の厚さが不均一となるのを防止することができる。

なお、第２のワニスの粘度は、第１のワニスの粘度より高くするのが好ましい。これにより、第１の層１１１０と第２の層１１２０とが、それらの界面において必要以上に混ざり合うのを確実に防止することができる。

第２の層１１２０の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１５〜１２５μｍ程度であるのがより好ましく、２５〜１００μｍ程度であるのがさらに好ましい。

［３Ｄ］ 次に、第２の層１１２０上に、クラッド層形成用材料（第３のワニス）を前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第３の層１１３０を形成する（図１０参照）。

第３の層１１３０は、前記第２の層１１２０と同様にして形成することができる。
第３の層１１３０の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１５〜６５μｍ程度であるのがさらに好ましい。
これにより、積層体２０００が得られる。

［４Ｄ］ 次に、積層体２０００中の溶媒を除去（脱溶媒）する。
脱溶媒の方法としては、例えば、加熱、大気圧または減圧下での放置、不活性ガス等の噴き付け（ブロー）等の方法が挙げられるが、加熱による方法が好ましい。これにより、比較的容易かつ短時間での脱溶媒が可能である。

この加熱の温度は、２５〜６０℃程度であるのが好ましく、３０〜４５℃程度であるのがより好ましい。

また、加熱の時間は、１５〜６０分程度であるのが好ましく、１５〜３０分程度であるのがより好ましい。

［５Ｄ］ 次に、開口（窓）９３５１が形成されたマスク（マスキング）９３５を用意し、このマスク９３５を介して、積層体２０００に対して活性放射線（活性エネルギー光線）９３０を照射する（図１１参照）。

マスク９３５を介して、活性放射線９３０を積層体２０００に照射すると、第２の層１１２０の活性放射線９３０が照射された照射領域９２５内に存在する助触媒（第１の物質：コカタリスト）は、活性放射線９３０の作用により反応または分解して、カチオン（プロトンまたは他の陽イオン）と、弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを遊離（発生）する。

そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域９２５内に存在する触媒前駆体（第２の物質：プロカタリスト）の分子構造に変化（分解）を生じさせ、これを活性潜在状態（潜在的活性状態）に変化させる。

［６Ｄ］ 次に、積層体２０００に対して加熱処理（第１の加熱処理）を施す。
これにより、照射領域９２５内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して（活性状態となって）、モノマーの反応（重合反応や架橋反応）が生じる。

そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域９２５内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域９２５と未照射領域９４０との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域９４０からモノマーが拡散して照射領域９２５に集まってくる。

その結果、照射領域９２５では、モノマーやその反応物（重合体、架橋構造や分岐構造）が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになり、第１の屈折率より低い第２の屈折率へと低下する。

一方、未照射領域９４０では、当該領域から照射領域９２５にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー９１５の影響が大きく現れるようになり、第１の屈折率より高い第３の屈折率へと上昇する。

このようにして、照射領域９２５と未照射領域９４０との間に屈折率差（第２の屈折率＜第３の屈折率）が生じて、コア部９４（未照射領域９４０）とクラッド部９５（照射領域９２５）とが形成される（図１２参照）。

［７Ｄ］ 次に、積層体２０００に対して第２の加熱処理を施す。
これにより、未照射領域９４０および／または照射領域９２５に残存する触媒前駆体を、直接または助触媒の活性化を伴って、活性化させる（活性状態とする）ことにより、各領域９２５、９４０に残存するモノマーを反応させる。

このように、各領域９２５、９４０に残存するモノマーを反応させることにより、得られるコア部９４およびクラッド部９５の安定化を図ることができる。

［８Ｄ］ 次に、積層体２０００に対して第３の加熱処理を施す。
これにより、得られるコア層９３に生じる内部応力の低減や、コア部９４およびクラッド部９５の更なる安定化を図ることができる。
以上の工程を経て、本発明の光導波路９０が得られる。

［９Ｄ］ 次に、光導波路９０の上面および下面に、それぞれ導体層９０１、９０２を形成する（図１３参照）。

これは、前記工程［８Ａ］と同様にして行うことができる。
以上のようにして、本発明の光導波路構造体９が完成する。

かかる方法では、第１の加熱処理の後、積層体２０００内にコア部９４が目視で確認することができるようになる。

また、第１のワニスおよび第３のワニスとして、第２のワニスと同様の組成、すなわち、ポリマー９１５、モノマー、助触媒および触媒前駆体を含有するものを用いるようにしてもよい。これにより、モノマーの反応が、第１の層１１１０および第３の層１１３０と、第２の層１１２０の界面、および／または、かかる界面を越えて第１の層１１１０および第３の層１１３０内で生じて、クラッド層９１、９２とコア層９３との剥離をより確実に防止することができる。

また、この場合、例えば、Ｉ：第１の層１１１０および第３の層１１３０のポリマー９１５として、第２の層１１２０のポリマー９１５の屈折率より相対的に低い屈折率（ＲＩ）のものを選択したり、II：第１の層１１１０および第３の層１１３０のモノマーとして、第２の層１１２０のモノマーと同じものを用いるが、第１の層１１１０および第３の層１１３０における触媒前駆体およびモノマーの比率を、第２の層１１２０のそれより低くなるように調節するようにしたりすればよい。

これにより、活性放射線９３０を照射しても、クラッド層９１、９２内に、コア層９３のコア部９４より高い屈折率を有する領域が形成されるのを防止することができる。

なお、コア層形成用材料（第２のワニス）として、離脱性基を有するポリマー９１５を含有するものを用いる場合、クラッド層形成用材料（第１のワニス、第３のワニス）としては、脱離性基を有しないポリマー９１５を用いて調製したものを用いるか、離脱性基を有するポリマー９１５を用いるが、離脱剤を含有しないものを用いるようにすればよい。

これにより、第１の層１１１０および第３の層１１３０において、ポリマー９１５から離脱性基が離脱（分解）することを防止することができる。
また、第４の製造方法では、第１のワニスおよび第３のワニスには、末端にエポキシ構造を含む置換基を有するノルボルネン系ポリマーと、助触媒とを含むものを用いるのが好ましい。これにより、コア部９４およびクラッド部９５を形成する際に、エポキシ構造が開裂し、コア層９３のポリマー９１５との反応（重合）を生じるようになる。その結果、クラッド層９１、９２のコア層９３に対する密着性の向上を図ることができる。

このようなノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）とノルボルネンメチルグリシジルエーテル（ＡＧＥＮＢ）との共重合体等が挙げられる。

また、この場合、助触媒には、コア層９３を形成する際には、活性化しないものを選択するようにしてもよい。例えば、第２のワニスが含有する助触媒の活性化に適した活性放射線を吸収しないか、または、活性放射線に代わって熱の作用により活性化される助触媒を選択するようにすればよい。

このような助触媒としては、例えば、非吸収性光塩基発生剤（ＰＢＧ）や熱塩基発生剤（ＴＢＧ）等が挙げられる。

以上の説明したような光導波路構造体９は、活性放射線の照射という簡単な方法でコア部９４のパターニングをすることができ、コア部（光回路）９４のパターン形状の設計の自由度が広く、しかも寸法精度の高いコア部９４が得られる。

また、予め導体層９０１、９０２が形成されているため、素子への配線（電気回路の形成）が容易であるとともに、素子の種類（端子の設置箇所）等に係わらずそれに適した配線が可能であり、配線回路の構成の自由度（例えば、端子の設置箇所の選択の自由度）が広く、汎用性に富む。

そして、光導波路構造体９は、配線（電気回路）およびコア部（光回路）９４の双方を高い配設密度で形成することができるため、光および電気の混成回路において、効率の良い回路設計が可能となるとともに、さらなる回路の集積化が可能となる。

このような光導波路構造体９は、光回路（光導波路のパターン）や電気回路の設計の幅が広く、歩留まりが良く、光伝送性能を高く維持し、信頼性、耐久性に優れ、汎用性に富むため、種々の電子部品、電子機器等に対し用いることができる。

なお、前記第１〜第４の製造方法では、いずれも、支持基板９５１、９５２、１０００を除去するものとして説明したが、これらを導電性材料で構成し、除去することなく、そのまま導体層９０１、９０２として用いるようにしてもよい。

また、必要に応じて、クラッド層９１、９２のうちのいずれか一方または双方を省略してもよい。

また、コア層９３の形成方法も、前述した方法に限定されるものでないことは、言うまでもない。

また、光導波路９０は、図示の構成に限定されず、例えば、２つのクラッド層の間に、複数層のコア層が積層して設けられるような構成であってもよく、クラッド層とコア層とを順に積層して構成したものであってもよく、２つのクラッド層の間に１つのコア層が設けられた積層体を、複数層積層して構成したもの等であってもよい。

また、コア部９４の途中には、その光路、すなわち、コア部９４の長手方向に対しほぼ４５°傾斜する傾斜面（反射面）を形成してもよい。これにより、コア部９４を伝播する光（伝送光）を、この傾斜面において、ほぼ９０°屈曲させることができる。

そして、この傾斜面の方向を適宜設定することにより、伝送光の光路を、コア層９０内（２次元方向）のみならず、光導波路９０の厚さ方向も含めた３次元方向に変更することが可能となる。

この傾斜面は、コア部９４を、例えば切断、除去（欠損）等することにより形成することができる。なお、傾斜面には、例えば多層光学薄膜や金属薄膜（例えばアルミ蒸着膜）のような反射膜あるいは反射増加膜を形成するようにしてもよい。

以上、本発明の光導波路および光導波路構造体を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意の構成と置換することができ、また、任意の構成が付加されていてもよい。

以下、本発明の具体的実施例について説明する。
なお、以下では、ヘキシルノルボルネン（ＣＡＳ番号第２２０９４−８３−３番）を「ＨｘＮＢ」と、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン（ＣＡＳ番号第３７６６３４−３４−３番）を「ｄｉＰｈＮＢ」と、フェニルエチルノルボルネン（ＣＡＳ番号第２９４１５−０９−６番）を「ＰＥＮＢ」と、ブチルノルボルネン（ＣＡＳ番号第２２０９４−８１−１番）を「ＢｕＮＢ」と、デシルノルボルネン（ＣＡＳ番号第２２０９４−８５−５番）を「ＤｅＮＢ」と、ベンジルノルボルネン（ＣＡＳ番号第２６５９８９−７３−９番）を「ＢｚＮＢ」と、メチルグリシジルエーテルノルボルネン（ＣＡＳ番号第３１８８−７５−８番）を「ＡＧＥＮＢ」と、ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン（ＣＡＳ番号第６８２４５−１９−２番）を「ＴＭＳＥＮＢ」と、トリエトキシシリルノルボルネン（ＣＡＳ番号第１８４０１−４３−９番）を「ＴＥＳＮＢ」と、トリメトキシシリルノルボルネン（ＣＡＳ番号第７５３８−４６−７番）を「ＴＭＳＮＢ」と、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シラン（ＣＡＳ番号第３７６６０９−８７−９番）を「ＳｉＸ」と、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス［２−（５−ノルボルネン−２−イル）エチル］ジシロキサン（ＣＡＳ番号第１９８５７０−３９−７番）を「Ｓｉ_２Ｘ」と、アクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチル（ＣＡＳ番号第９５−３９−６番）「ＣＡＮＢ」と、それぞれ略すことがある。

１．ポリマーの合成およびポリマー溶液の調製
以下に示すようにして、各ポリマーＰ１〜９を合成し、その溶液を調整した。

＜＜ポリマーＰ１：ブチルノルボルネン（ＢｕＮＢ）／アクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチル（ＡＭＮＢ）／トリエトキシシリルノルボルネン（ＴＥＳＮＢ）ターポリマーの合成およびポリマーＰ１溶液の調製＞＞
ＢｕＮＢ（０．０５ｍｏｌ）、ＣＡＮＢ（０．０３ｍｏｌ）、ＴＥＳＮＢ（０．０２ｍｏｌ）、１−ヘキセン（３．７３ｇ，０．０４４ｍｏｌ）、および、トルエン（１７０．０ｇ）を、５００ｍＬのシーラムボトル内で混合し、オイルバスで８０℃で加熱して溶液を形成した。

この溶液に、［Ｐｄ（ＰＣｙ_３）_２（Ｏ_２ＣＣＨ_３）（ＮＣＣＨ_３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（Ｐｄ１４４６）（０．００６４ｇ，４．４４×１０^−６ｍｏｌ）、および、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（ＤＡＮＦＡＢＡ）（０．００３６ｇ，４．４４×１０^−６ｍｏｌ）を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。

添加後、得られた混合物を８０℃で３．５時間維持した。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。
沈殿した共重合体をろ過して集め、６０℃のオーブンで真空で乾燥させた。

共重合体の組成を、^１Ｈ−ＮＭＲで測定すると、その組成比が、合成に使用したモノマーのモル比にほぼ対応したＢｕＮＢ／ＣＡＮＢ／ＴＥＳＮＢコポリマーであった。

そして、乾燥させた共重合体をトルエンに溶解して３０ｗｔ％のポリマーＰ１溶液とした。

＜＜ポリマーＰ２〜９の合成およびポリマーＰ２〜９溶液の調製＞＞
ポリマーＰ１の合成およびポリマーＰ１溶液の調製と同様にして、以下に示すポリマーＰ２〜９を合成し、ポリマーＰ２〜９溶液を調製した。

・ポリマーＰ２
ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）／アクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチル（ＣＡＮＢ）／トリメトキシシリルノルボルネン（ＴＭＳＮＢ）ターポリマー
合成に使用したモノマーのモル比：ＨｘＮＢ／ＣＡＮＢ／ＴＭＳＮＢ＝５／３／２

・ポリマーＰ３
デシルノルボルネン（ＤｅＮＢ）／アクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチル（ＣＡＮＢ）／ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン（ＴＭＳＥＮＢ）ターポリマー
合成に使用したモノマーのモル比：ＤｅＮＢ／ＡＭＮＢ／ＴＭＳＥＮＢ＝５／３／２

・ポリマーＰ４
ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）／アクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチル（ＣＡＮＢ）／メチルグリシジルエーテルノルボルネン（ＡＧＥＮＢ）ターポリマー
合成に使用したモノマーのモル比：ＨｘＮＢ／ＣＡＮＢ／ＡＧＥＮＢ＝５／３／２

・ポリマーＰ５
ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）／トリエトキシシリルノルボルネン（ＴＥＳＮＢ）／メチルグリシジルエーテルノルボルネン（ＡＧＥＮＢ）ターポリマー
合成に使用したモノマーのモル比：ＨｘＮＢ／ＴＥＳＮＢ／ＡＧＥＮＢ＝５／３／２

・ポリマーＰ６
ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）／トリエトキシシリルノルボルネン（ＴＥＳＮＢ）コポリマー
合成に使用したモノマーのモル比：ＨｘＮＢ／ＴＥＳＮＢ＝５／５

・ポリマーＰ７
ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）／メチルグリシジルエーテルノルボルネン（ＡＧＥＮＢ）コポリマー
合成に使用したモノマーのモル比：ＨｘＮＢ／ＡＧＥＮＢ＝５／５

・ポリマーＰ８
ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）／ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン（ｄｉＰｈＮＢ）コポリマー
合成に使用したモノマーのモル比：ＨｘＮＢ／ｄｉＰｈＮＢ＝５／５

・ポリマーＰ９
ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）／フェニルエチルノルボルネン（ＰＥＮＢ）コポリマー
合成に使用したモノマーのモル比：ＨｘＮＢ／ＰＥＮＢ＝５／５
なお、各Ｐ２〜９のコポリマーを^１Ｈ−ＮＭＲで測定すると、いずれも、その組成比が、合成に使用したモノマーのモル比にほぼ対応したものであった。

また、各Ｐ１〜９のコポリマーをＴＨＦ溶媒でＧＰＣ法（ゲル浸透クロマトグラフィー法）により測定すると、いずれも、重量平均分子量は、ほぼ等しいものであった。
以上合成した各ポリマーを、下記表１に要約する。

２．ワニスの調製
以下に示すようにして、各ワニスＶ１〜１８を、それぞれ調製した。

＜＜ワニスＶ１の調製＞＞
ＨｘＮＢ（４２．０３ｇ，０．２４ｍｏｌ）、および、ＳｉＸ（７．９７ｇ，０．０２６ｍｏｌ）を秤量しガラス瓶にいれた。

このモノマー溶液に、フェノール系酸化防止剤として、Ｃｉｂａ社製、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．５ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、Ｃｉｂａ社製、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．１２５ｇ）を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。

上記のポリマーＰ８溶液（３０．０ｇ）に、モノマー酸化防止剤溶液（３．０ｇ）、触媒前駆体として、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（ＰＣｙ_３）_２（４．９３×１０^−４ｇ，６．２８×１０^−７ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）、および、光酸発生剤（助触媒）として、Ｒｈｏｄｉａ社製、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ ２０７４（２．５５×１０^−３ｇ，２．５１×１０^−６ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）を加えて、ワニスＶ１を得た。
このワニスＶ１を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。

なお、以下では、「Ｃｉｂａ社製、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６」を「ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６」と、「Ｃｉｂａ社製、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８」を「ＩＲＧＡＦＯＳ １６８」と、「Ｒｈｏｄｉａ社製、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ ２０７４」を「ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ２０７４」と略す。
＜＜ワニスＶ２の調製＞＞
ＨｘＮＢ（１６．６４ｇ，０．０９３ｍｏｌ）、および、ＳｉＸ（３３．３６ｇ，０．１１０ｍｏｌ）を秤量しガラス瓶にいれた。

このモノマー溶液に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．５ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．１２５ｇ）を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。

上記のポリマーＰ９溶液（３０．０ｇ）に、モノマー酸化防止剤溶液（２．１６ｇ）、触媒前駆体として、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（ＰＣｙ_３）_２（１．４７×１０^−３ｇ，１．８８×１０^−６ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）、および、光酸発生剤（助触媒）として、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ２０７４（７．６７×１０^−３ｇ，７．５４×１０^−６ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）を加えて、ワニスＶ２を得た。
このワニスＶ２を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。

＜＜ワニスＶ３の調製＞＞
上記のポリマーＰ８（５ｇ）に、メシチレン（２０ｇ）、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．０５ｇ）、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．０１２５ｇ）、および、光酸発生剤（離脱剤）として、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ２０７４（４．０×１０^−３ｇ、０．１ｍＬのメチレンクロライド中）を加えて、ワニスＶ３を調製した。
このワニスＶ３を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。

＜＜ワニスＶ４１の調製＞＞
上記のポリマーＰ１溶液（３０．０ｇ）に、トリプロピレングリコールジアクリレート（４．５ｇ）、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン（０．０９ｇ）、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．０５ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（１．２５×１０^−２ｇ）を加えて、ワニスＶ４１を得た。
このワニスＶ４１を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。

＜＜ワニスＶ４２の調製＞＞
トリプロピレングリコールジアクリレートを省略した以外は、前記ワニスＶ４１と同様にしてワニスＶ４２を得た。
このワニスＶ４２を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。

＜＜ワニスＶ４３の調製＞＞
上記のポリマーＰ２溶液（１０．０ｇ）に、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社、ＫＢＭ−４０３）（０．３ｇ，１．３×１０^−３ｍｏｌ）、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．０３ｇ）、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（７．５×１０^−３ｇ）、および、光酸発生剤として、ＴＡＧ−３７２Ｒ（３．３×１０^−２ｇ，メチレンクロライド０．５ｍＬ中）を加えてワニスＶ４３を得た。
このワニスＶ４３を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。

＜＜ワニスＶ４４の調製＞＞
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを省略した以外は、前記ワニスＶ４３と同様にしてワニスＶ４４を得た。
このワニスＶ４４を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。

＜＜ワニスＶ４５の調製＞＞
上記のポリマーＰ３溶液（３０．０ｇ）に、トリプロピレングリコールジアクリレート（４．５ｇ）、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン（０．０９ｇ）、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社、ＫＢＭ−４０３）（０．３ｇ，１．３×１０^−３ｍｏｌ）、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．０３ｇ）、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（７．５×１０^−３ｇ）、および、光酸発生剤として、ＴＡＧ−３７２Ｒ（３．３×１０^−２ｇ，メチレンクロライド０．５ｍＬ中）を加えてワニスＶ４５を得た。
このワニスＶ４５を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。

＜＜ワニスＶ４６の調製＞＞
トリプロピレングリコールジアクリレート、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、および、ＴＡＧ−３７２Ｒを省略した以外は、前記ワニスＶ４５と同様にしてワニスＶ４６を得た。
このワニスＶ４６を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。

＜＜ワニスＶ４７の調製＞＞
上記のポリマーＰ４溶液（３０．０ｇ）に、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（γ−ＧＰＳ）（０．２ｇ）、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．０９ｇ）、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．０２３ｇ）、および、光酸発生剤として、ＴＡＧ−３７２Ｒ（０．０２ｇ）を加えて、マグネティックスターラーを用いた２時間の攪拌により溶解混合し、ワニスＶ４７を得た。
このワニスＶ４７を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。

＜＜ワニスＶ４８の調製＞＞
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（γ−ＧＰＳ）を省略した以外は、前記ワニスＶ４７と同様にしてワニスＶ４８を得た。
このワニスＶ４８を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。

＜＜ワニスＶ４９の調製＞＞
上記のポリマーＰ５溶液（３０．０ｇ）に、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（γ−ＧＰＳ）（０．２ｇ）、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．０９ｇ）、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．０２３ｇ）、および、光酸発生剤として、ＴＡＧ−３７２Ｒ（０．０２ｇ）を加えて、マグネティックスターラーを用いた２時間の攪拌により溶解混合し、ワニスＶ４９を得た。
このワニスＶ４９を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。

＜＜ワニスＶ５０の調製＞＞
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（γ−ＧＰＳ）を省略した以外は、前記ワニスＶ４９と同様にしてワニスＶ５０を得た。
このワニスＶ５０を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。

＜＜ワニスＶ５１の調製＞＞
上記のポリマーＰ６溶液（１０．０ｇ）に、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社、ＫＢＭ−４０３）（０．３ｇ，１．３×１０^−３ｍｏｌ）、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．０３ｇ）、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（７．５×１０^−３ｇ）、および、光酸発生剤として、ＴＡＧ−３７２Ｒ（３．３×１０^−２ｇ，メチレンクロライド０．５ｍＬ中）を加えてワニスＶ５１を得た。
このワニスＶ５１を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。

＜＜ワニスＶ５２の調製＞＞
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを省略した以外は、前記ワニスＶ５１と同様にしてワニスＶ５２を得た。
このワニスＶ５２を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。

＜＜ワニスＶ５３の調製＞＞
上記のポリマーＰ７溶液（３０．０ｇ）に、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（γ−ＧＰＳ）（０．２ｇ）、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．０９ｇ）、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．０２３ｇ）、および、光酸発生剤として、ＴＡＧ−３７２Ｒ（０．０２ｇ）を加えて、マグネティックスターラーを用いた２時間の攪拌により溶解混合し、ワニスＶ５３を得た。
このワニスＶ５３を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。

＜＜ワニスＶ５４の調製＞＞
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（γ−ＧＰＳ）を省略した以外は、前記ワニスＶ５３と同様にしてワニスＶ５４を得た。
このワニスＶ５４を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。

＜＜ワニスＶ５５の調製＞＞
上記のポリマーＰ８溶液（３０．０ｇ）に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．０９ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．０２３ｇ）を加えて、マグネティックスターラーを用いた２時間の攪拌により溶解混合し、ワニスＶ５５を得た。

このワニスＶ５５を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
以上調製した各ワニスの組成を、下記表２に要約する。

３．光導波路構造体の作製および評価
３−１．光導波路構造体の作製
以下に示すようにして、実施例１〜１２および比較例１〜５の光導波路構造体を、それぞれ１０個ずつ作製した。

（実施例１）
まず、クラッド層形成用材料としてワニスＶ４１を、４インチ厚みのガラス基板上に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定厚さに広げた。

次に、これをホットプレートに置いて５０℃で１５分間加熱し、これにフォトマスクなしでＵＶ光を照射した（照射量：２０００ｍＪ／ｃｍ^２、波長：３６５ｎｍ）。

続いて、８０℃で２０分間、その後１５０℃で１時間硬化させ、下部クラッド層を形成した。

次に、コア層形成用材料としてワニスＶ１を、下部クラッド層の表面に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定厚さに広げた。

次に、これをホットプレートに置いて４５℃で１０分間加熱し、溶剤を蒸発させ、実質的に乾燥した固体フィルムを形成した。

このフィルムにフォトマスクを通してＵＶ光を照射（照射量：３０００ｍＪ／ｃｍ^２、波長：３６５ｎｍ）した後、４５℃のホットプレートで３０分間加熱したところ、直線状のコア部のパターンが出現した。

得られたサンプルをクリーンオーブン中で、８５℃で３０分間、さらに１５０℃で６０分間加熱してパターニングされたコア層を得た。

次に、クラッド層形成用材料としてワニスＶ４１を用い、下部クラッド層と同様の方法にて、コア層上に上部クラッド層を形成した。これにより、ガラス基板上に、幅０．５ｃｍ、長さ１０ｃｍの直線状の光導波路を得た。

なお、得られた光導波路において、コア層の平均厚さは、５０μｍ（コア部の幅：５０μｍ）、クラッド層（上部および下部）の平均厚さは、５０μｍであった。

次に、この光導波路を基板から剥離し、その両面に、それぞれ、ロールラミネート法により、平均厚さ４５μｍの銅層（導体層）を接合して、光導波路構造体を作製した。

（実施例２）
コア層形成用材料として、ワニスＶ２を使用した以外は、前記実施例１と同様にして、光導波路構造体を得た。

（実施例３）
まず、離型処理したＰＥＴフィルム基板上に、クラッド層形成用材料としてワニスＶ４１を注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定厚さに広げた。

次に、これをホットプレートに置いて５０℃で１５分間加熱乾燥した後、これにフォトマスクなしで超高圧水銀ランプを用いてＵＶ光を照射（照射量：２０００ｍＪ／ｃｍ^２、波長：３６５ｎｍ）した後、ＰＥＴフィルムから剥離して単体の下部クラッド層を形成した。また、同様の材料、方法により単体の上部クラッド層も準備した。

一方、コア層形成用材料としてワニスＶ３を、石英ガラス基板の上に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定の厚さに広げた。

次に、これをホットプレートに置いて４５℃で１０分間加熱し、溶剤を蒸発させ、実質的に乾燥した固体フィルムを形成した。

このフィルムにフォトマスクを通してＵＶ光を照射（照射量：３０００ｍＪ／ｃｍ^２、波長：３６５ｎｍ）した後、８５℃のクリーンオーブンで３０分間加熱したところ、直線状のコア部（幅：５０μｍ）のパターンが出現した。

さらに１６０℃で２時間加熱してパターニングされたフィルムを得た。このフィルムを水中で石英ガラス基板から剥離し、十分な水で洗浄し、４５℃で１時間、オーブンで乾燥させて、単体のコア層を得た。

このコア層を、前記の上下のクラッド層の間に挟み、電熱プレスを用い、６ＭＰａの圧力を掛けながらで１５０℃で１時間加熱して、幅０．５ｃｍ、長さ１０ｃｍの直線状の光導波路を得た。

なお、得られた光導波路において、コア層の平均厚さは、５０μｍ、クラッド層（上部および下部）の平均厚さは、５０μｍであった。

次に、この光導波路の両面に、それぞれ、ロールラミネート法により、平均厚さ４５μｍの銅層（導体層）を接合して、光導波路構造体を作製した。

（実施例４〜１２）
クラッド層形成用材料として、ワニスＶ４２〜５０を使用した以外は、それぞれ、前記実施例１と同様にして、光導波路構造体を得た。

（比較例１〜５）
クラッド層形成用材料として、ワニスＶ５１〜５５を使用した以外は、それぞれ、前記実施例１と同様にして、光導波路構造体を得た。

３−２．評価
３−２−１．光伝播損失の測定
各実施例および比較例の光導波路構造体に対して、それぞれ、光伝播損失を「カットバック法」を使用して測定した。

これは、レーザダイオードから発生させた光を、光ファイバーを通して、コア部の一端から入力し、他端からの出力を測定し、コア部の長さを数段階の長さにカットして、各長さについて光出力を測定することにより行った。

各長さのコア部での総光損失は、下記式で表される。
総光損失（ｄＢ） ＝ −１０ｌｏｇ（Ｐｎ／Ｐｏ）
式中、Ｐｎは、Ｐ１、Ｐ２、…Ｐｎの各長さのコア部の他端での測定された出力であり、Ｐｏは、光ファイバーをコア部の一端に結合する前の光ファイバーの端部における光源の測定出力である。

次に、総光損失は、図１４（チャート１）のようにプロットされる。このデータの回帰直線は、下記式によって表わされる。
ｙ＝ｍｘ＋ｂ
式中、ｍは、光伝播損失を示し、ｂは、結合損失（ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｌｏｓｓ）を示す。

３−２−２．密着性試験
各実施例および各比較例の光導波路構造体に対して、それぞれ、コア層とクラッド層との密着性試験を行った。

これは、コア層からクラッド層を９０°上方に引き剥がすピール試験により行った。
光伝播損失の測定および密着性試験の結果を、それぞれ、下記表３に示す。

なお、表中の各数値は、それぞれ、５個の平均値を、比較例５の数値を「１」としたときの相対値で示した。

表３からも明らかなように、各実施例の光導波路構造体は、いずれも、光伝播損失が小さく、光伝送性能が高いものであり、また、コア層とクラッド層との密着力が高いものであった。

これに対して、比較例１〜４の光導波路構造体は、光伝播損失が実施例より若干劣る程度であったが、コア層とクラッド層との密着力が明らかに劣るものものであった。

また、各実施例および各比較例の光導波路構造体を、高湿度環境（６０℃、９０％ＲＨ、２０００時間）に曝した後、前記と同様にして光伝播損失の測定を行った。その結果、各実施例の光導波路構造体は、いずれも、各比較例の光導波路構造体に対して光伝播損失の低下が低く抑えられる傾向を示した。

さらに、各実施例および各比較例で作製した光導波路構造体（高湿度環境に曝す前のもの）の導体層を、それぞれ、パターニングして配線を形成し、所定の箇所に、発光素子および受光素子を実装して、複合装置を作製した。

そして、これらの複合装置を動作させたところ、各実施例および比較例１〜４の光導波路構造体を用いた複合装置は、いずれも、比較例５の光導波路構造体を用いた複合装置に対して、より高速での動作が可能なことが確認された。

本発明の光導波路構造体の実施形態を示す斜視図（一部切り欠いて示す）である。 本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 コア部の長さの変化に伴う総光損失の変化を示すチャートである。

符号の説明

９ 光導波路構造体
９０ 光導波路
９１、９２ クラッド層
９３ コア層
９４ コア部
９５ クラッド部
９０１、９０２ 導体層
９００ コア層形成用材料
９１０ 層
９１５ ポリマー
９２０ 添加剤
９２５ 照射領域
９３０ 活性放射線
９３５ マスク
９３５１ 開口
９４０ 未照射領域
９５１、９５２ 支持基板
１０００ 支持基板
１１１０ 第１の層
１１２０ 第２の層
１１３０ 第３の層
２０００ 積層体

Claims (46)

1. コア部と、該コア部より屈折率が低いクラッド部とを備えるコア層と、
   該コア層の少なくとも一方の面に接触して設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド層とを有する光導波路であって、
   前記クラッド層は、下記化１で表されるノルボルネン系ポリマーを主材料として構成されていることを特徴とする光導波路。
   

   

   
   ［式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立して、下記化２〜４で表される置換基を表すが、同時に同一の置換基であることはない。 また、ｐ／ｑ＋ｒが２０以下である。］
   

   

   
   ［式中、ａは、０〜３の整数を表し、ｂは、１〜３の整数を表す。］
   

   

   ［式中、Ｒ^１は、水素原子またはメチル基を表し、ａは、０〜３の整数を表す。］
   

   

   
   ［式中、Ｘは、それぞれ独立して、炭素数１〜３のアルキル基を表し、ａは、０〜３の整数を表す。］
2. 前記ノルボルネン系ポリマーは、その少なくとも一部のものが重合性基において架橋している請求項１に記載の光導波路。
3. 前記クラッド層の平均厚さは、前記コア層の平均厚さの０．１〜１．５倍である請求項１または２に記載の光導波路。
4. 前記コア層は、ポリマーと、該ポリマーと相溶し、かつ、該ポリマーと異なる屈折率を有するモノマーと、活性放射線の照射により活性化する第１の物質と、前記モノマーの反応を開始させ得る第２の物質であって、活性化した前記第１の物質の作用により、活性化温度が変化する第２の物質とを含む層を形成し、
   その後、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記第１の物質を活性化させるとともに、前記第２の物質の活性化温度を変化させ、
   次いで、前記層に対して加熱処理を施すことにより、前記第２の物質または活性化温度が変化した前記第２の物質のいずれか活性化温度の低い方を活性化させ、前記照射領域または前記活性放射線の未照射領域のいずれかにおいて前記モノマーを反応させて、前記照射領域と前記未照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記未照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものである請求項１ないし３のいずれかに記載の光導波路。
5. 前記コア層は、前記層の前記照射領域または前記未照射領域のいずれか一方の領域において前記モノマーの反応が進むにつれて、他方の領域から未反応の前記モノマーが集まることにより得られたものである請求項４に記載の光導波路。
6. 前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記第２の物質は、前記弱配位アニオンの作用により活性化温度が変化するものである請求項４または５に記載の光導波路。
7. 前記第２の物質は、活性化した前記第１の物質の作用により活性化温度が低下し、前記加熱処理の温度よりも高い温度での加熱により、前記活性放射線の照射を伴うことなく活性化するものである請求項４ないし６のいずれかに記載の光導波路。
8. 前記第２の物質は、下記式Ｉａで表される化合物を含む請求項７に記載の光導波路。
   （Ｅ（Ｒ）_３）_２Ｐｄ（Ｑ）_２ ・・・ （Ｉａ）
   ［式中、Ｅ（Ｒ）_３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表す。］
9. 前記第２の物質は、下記式Ｉｂで表される化合物を含む請求項７または８に記載の光導波路。
   ［（Ｅ（Ｒ）_３）_ａＰｄ（Ｑ）（ＬＢ）_ｂ］_ｐ［ＷＣＡ］_ｒ ・・・ （Ｉｂ）
   ［式中、Ｅ（Ｒ）_３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表し、ＬＢは、ルイス塩基を表し、ＷＣＡは、弱配位アニオンを表し、ａは、１〜３の整数を表し、ｂは、０〜２の整数を表し、ａとｂとの合計は、１〜３であり、ｐおよびｒは、パラジウムカチオンと弱配位アニオンとの電荷のバランスをとる数を表す。］
10. ｐおよびｒは、それぞれ、１または２の整数から選択される請求項９に記載の光導波路。
11. 前記コア層は、前記加熱処理の後、前記層を前記加熱処理の温度よりも高い第２の温度で加熱処理することにより得られたものである請求項４ないし１０のいずれかに記載の光導波路。
12. 前記コア層は、前記第２の温度での加熱処理の後、前記層を前記第２の温度よりも高い第３の温度で加熱処理することにより得られたものである請求項１１に記載の光導波路。
13. 前記第３の温度は、前記第２の温度より２０℃以上高い請求項１２に記載の光導波路。
14. 前記モノマーは、架橋性モノマーを含む請求項４ないし１３のいずれかに記載の光導波路。
15. 前記モノマーは、ノルボルネン系モノマーを主とするものである請求項４ないし１４のいずれかに記載の光導波路。
16. 前記モノマーは、ノルボルネン系モノマーを主とするものであり、前記架橋性モノマーとして、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シランを含むものである請求項１４に記載の光導波路。
17. 前記ポリマーは、活性化した前記第１の物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射した際に、前記照射領域において、前記ポリマーの前記離脱性基が離脱する請求項４ないし１６のいずれかに記載の光導波路。
18. 前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である請求項１７に記載の光導波路。
19. 前記コア層は、活性放射線の照射により活性化する物質と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した前記物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するポリマーとを含む層を形成し、
    その後、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記物質を活性化させ、前記ポリマーの前記離脱性基を離脱させて、当該照射領域と前記活性放射線の非照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記非照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものである請求項１ないし３のいずれかに記載の光導波路。
20. 前記コア層は、前記活性放射線の照射の後、前記層に対して加熱処理を施すことにより得られたものである請求項１９に記載の光導波路。
21. 前記物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である請求項１９または２０に記載の光導波路。
22. 前記酸離脱性基は、−Ｏ−構造、−Ｓｉ−アリール構造および−Ｏ−Ｓｉ−構造のうちの少なくとも１つを有するものである請求項１８または２１に記載の光導波路。
23. 前記離脱性基は、その離脱により前記ポリマーの屈折率に低下を生じさせるものである請求項１７ないし２２のいずれかに記載の光導波路。
24. 前記離脱性基は、−Ｓｉ−ジフェニル構造および−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造の少なくとも一方である請求項２３に記載の光導波路。
25. 前記活性放射線は、２００〜４５０ｎｍの範囲にピーク波長を有するものである請求項４ないし２４のいずれかに記載の光導波路。
26. 前記活性放射線の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ^２である請求項４ないし２５のいずれかに記載の光導波路。
27. 前記活性放射線は、マスクを介して前記層に照射される請求項４ないし２６のいずれかに記載の光導波路。
28. 前記層は、さらに、酸化防止剤を含む請求項４ないし２７のいずれかに記載の光導波路。
29. 前記層は、さらに、増感剤を含む請求項４ないし２８のいずれかに記載の光導波路。
30. 前記ポリマーは、ノルボルネン系ポリマーを主とするものである請求項４ないし２９のいずれかに記載の光導波路。
31. 前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である請求項３０に記載の光導波路。
32. 前記コア部は、第１のノルボルネン系材料を主材料として構成され、前記クラッド部は、前記第１のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第２のノルボルネン系材料を主材料として構成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の光導波路。
33. 前記第１のノルボルネン系材料と前記第２のノルボルネン系材料とは、いずれも、同一のノルボルネン系ポリマーを含有し、かつ、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている請求項３２に記載の光導波路。
34. 前記反応物は、前記ノルボルネン系モノマーの重合体、前記ノルボルネン系ポリマー同士を架橋する架橋構造、および、前記ノルボルネン系ポリマーから分岐する分岐構造のうちの少なくとも１つである請求項３３に記載の光導波路。
35. 前記ノルボルネン系ポリマーは、アラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項３３または３４に記載の光導波路。
36. 前記ノルボルネン系ポリマーは、ベンジルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項３３または３４に記載の光導波路。
37. 前記ノルボルネン系ポリマーは、フェニルエチルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項３３または３４に記載の光導波路。
38. 前記ノルボルネン系ポリマーは、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、
    前記コア部と前記クラッド部とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なること、および、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている請求項３３ないし３７のいずれかに記載の光導波路。
39. 前記コア層は、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを主材料として構成され、
    前記第１のノルボルネン系材料と第２のノルボルネン系材料とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なることにより、それらの屈折率が異なっている請求項３２に記載の光導波路。
40. 前記ノルボルネン系ポリマーは、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランの繰り返し単位を含むものである請求項３８または３９に記載の光導波路。
41. 前記ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項３３ないし４０のいずれかに記載の光導波路。
42. 前記ノルボルネン系ポリマーは、ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項３３ないし４０のいずれかに記載の光導波路。
43. 前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である請求項３３ないし４２のいずれかに記載の光導波路。
44. 請求項１ないし４３のいずれかに記載の光導波路と、該光導波路の少なくとも一方の面側に設けられた導体層とを有することを特徴とする光導波路構造体。
45. 前記導体層の平均厚さは、前記光導波路の平均厚さの１０〜９０％である請求項４４に記載の光導波路構造体。
46. 前記導体層は、乾式メッキ法、湿式メッキ法および導電性シート材の接合のうちの少なくとも１つの方法により形成されたものである請求項４４または４５に記載の光導波路構造体。
    

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