JP2008158473A - 光配線部品及び光素子実装部品 - Google Patents

光配線部品及び光素子実装部品 Download PDF

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浩司 長木
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Abstract

【課題】 耐熱性に優れるとともに吸水性が低く、光伝播の損失を低減できる光素子実装部品を提供する。
【解決手段】 コア部と、該コア部より屈折率が低いクラッド部とを備えるコア層と、該コア層の少なくとも一方の面に接触して設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド層とを有する光導波路層より構成された光回路基板と、前記光回路基板を接続するコネクタと、を含んで構成され、前記クラッド層は、ノルボルネン系ポリマーを主材料として構成されている、光配線部品。受／発光部を有する光素子と、配線部品と、前記光配線部品とを含んで構成され、前記光素子は、前記配線部品において、前記光配線部品のコア部の光路と、前記受／発光部とが光接続される位置に搭載された、光素子実装部品。
【選択図】 図１５

Description

本発明は、光配線部品及び光素子実装部品に関するものである。
近年、光周波搬送波を使用してデータを移送する光通信がますます重要になっている。このような光通信において、光周波搬送波を、一地点から他地点に導くための手段として、光導波路がある。また、光通信技術においては、電気信号を伝送する配線回路基板と光を伝送する光導波路を混載した光電気混載配線が利用されている。
この光導波路は、例えば、一対のクラッド層と、一対のクラッド層の間に設けられたコア層を有して構成される。コア層は、線状のコア部とクラッド部とを有し、これらが交互に配列されている。コア部は、光周波搬送波の光に対して実質的に透明な材料によって構成され、クラッド層およびクラッド部は、コア部より屈折率が低い材料によって構成されている。
このような光導波路では、コア部が、コア部よりも屈折率が低いクラッド層およびクラッド部によって囲まれた構成となっている。したがって、コア部の端部から導入された光は、クラッド層およびクラッド部との境界で反射しながら、コア部の軸に沿って搬送される。
この光導波路の材料としては、従来から汎用されているガラスの他、ポリマー等が挙げられる。このうちポリマーは、微細加工が容易であり、光導波路が組み込まれた回路基板の高密度化に有利であることから有望視されている。
このような光導波路の材料となるポリマーとしては、ポリメチルメタクリレート（例えば、特許文献１参照。）、エポキシ樹脂（例えば、特許文献２参照。）、フッ素化ポリイミド（例えば、特許文献３参照。）、ポリベンゾオキサゾール（例えば、特許文献４参照。）、セルロース・アセテート・ブチレート／アクリレートモノマー（例えば、特許文献５参照。）等が使用されている。
しかし、これらポリマーには、次のような問題がある。
まず、ポリメチルメタクリレートおよびエポキシ樹脂は、耐熱温度が２００℃以下である。このため、これらポリマーによって構成された光導波路を、回路基板に実装しようとすると、はんだ処理等の熱処理によって軟化してしまうおそれがある。
また、フッ素化ポリイミドは、フッ素化によって高耐熱性、高透明性、低吸水性が付与されたポリマーである。しかし、フッ素化を合成過程に有するため、コストがかかり、実用性に欠ける。
しかも、ポリイミドやポリベンゾオキサゾール等の重縮合によって合成されるポリマーは、重縮合の工程で、イミド環もしくはベンゾオキサゾール環を閉環させるための高温（２５０℃以上）による硬化処理が必要となる。このため、作業性が悪いという問題がある。
また、セルロース・アセテート・ブチレート／アクリレートモノマーは、耐熱温度が１００℃以下と非常に低く、はんだ処理等の熱処理によって軟化してしまう。また、セルロース・アセテート・ブチレートが水酸基を多く有するため吸水性が高い。このため、このようなポリマーによって構成された光導波路は、高湿度環境に放置されると、吸水による寸法変化が生じてしまう。
上記光電気混載配線においては、このような問題解決が求められていた。
特開平０９−２５８０５１号公報 特開２００５−０７０５５６号公報 特開平４−９８０７号公報 特開２００２−１７３５３２号公報 米国特許第５２９２６２０号公報
本発明は、耐熱性に優れるとともに吸水性が低く、光伝播の損失を低減できる光素子実装部品を提供するものである。
本発明は、下記第（１）項から第（５８）項の光配線部品、第（５９）項から第（６１）項の光素子実装部品により達成される。
（１） コア部と、該コア部より屈折率が低いクラッド部とを備えるコア層と、該コア層の少なくとも一方の面に接触して設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド層とを有する光導波路層より構成された光回路基板と、
前記光回路基板を接続するコネクタと、
を含んで構成され、
前記クラッド層は、ノルボルネン系ポリマーを主材料として構成されている、光配線部品。
（２） コア部と、該コア部より屈折率が低いクラッド部とを備えるコア層と、該コア層の少なくとも一方の面に接触して設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド層とを有する光導波路層より構成された光回路基板と、
前記光回路基板を接続し、受／発光部を有する光素子が搭載され、前記光素子は、前記光回路基板のコア部の光路と、前記受／発光部とが光接続される位置に搭載されたコネクタと、
を含んで構成され、
前記クラッド層は、ノルボルネン系ポリマーを主材料として構成されている、光配線部品。
（３） 前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である第（１）項または第（２）項に記載の光配線部品。
（４） 前記ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである第（１）項ないし第（３）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（５） 前記ノルボルネン系ポリマーは、重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むものである第（１）項ないし第（４）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（６） 前記ノルボルネン系ポリマーは、下記化１で表されるものを主とするものである第（１）項ないし第（５）項のいずれか１項に記載の光配線部品。


［式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、ａは、０〜３の整数を表し、ｂは、１〜３の整数を表し、ｐ／ｑが２０以下である。］
（７） 前記ノルボルネン系ポリマーは、その少なくとも一部のものが重合性基において架橋している第（５）項または第（６）項に記載の光配線部品。
（８） 前記クラッド層の平均厚さは、前記コア層の平均厚さの０．１〜１．５倍である第（１）項ないし第（７）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（９） 前記コア層は、ポリマーと、該ポリマーと相溶し、かつ、該ポリマーと異なる屈折率を有するモノマーと、活性放射線の照射により活性化する第１の物質と、前記モノマーの反応を開始させ得る第２の物質であって、活性化した前記第１の物質の作用により、活性化温度が変化する第２の物質とを含む層を形成し、
その後、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記第１の物質を活性化させるとともに、前記第２の物質の活性化温度を変化させ、
次いで、前記層に対して加熱処理を施すことにより、前記第２の物質または活性化温度が変化した前記第２の物質のいずれか活性化温度の低い方を活性化させ、前記照射領域または前記活性放射線の未照射領域のいずれかにおいて前記モノマーを反応させて、前記照射領域と前記未照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記未照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものである第（１）項ないし第（８）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（１０） 前記コア層は、前記層の前記照射領域または前記未照射領域のいずれか一方の領域において前記モノマーの反応が進むにつれて、他方の領域から未反応の前記モノマーが集まることにより得られたものである第（９）項に記載の光配線部品。
（１１） 前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記第２の物質は、前記弱配位アニオンの作用により活性化温度が変化するものである第（９）項または第（１０）項に記載の光配線部品。
（１２） 前記第２の物質は、活性化した前記第１の物質の作用により活性化温度が低下し、前記加熱処理の温度よりも高い温度での加熱により、前記活性放射線の照射を伴うことなく活性化するものである第（９）項ないし第（１１）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（１３） 前記第２の物質は、下記式Ｉａで表される化合物を含む第（１２）項に記載の光配線部品。
（Ｅ（Ｒ）３）２Ｐｄ（Ｑ）２ ・・・ （Ｉａ）
［式中、Ｅ（Ｒ）３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表す。］
（１４） 前記第２の物質は、下記式Ｉｂで表される化合物を含む第（１２）項または第（１３）項に記載の光配線部品。
［（Ｅ（Ｒ）３）ａＰｄ（Ｑ）（ＬＢ）ｂ］ｐ［ＷＣＡ］ｒ ・・・ （Ｉｂ）
［式中、Ｅ（Ｒ）３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表し、ＬＢは、ルイス塩基を表し、ＷＣＡは、弱配位アニオンを表し、ａは、１〜３の整数を表し、ｂは、０〜２の整数を表し、ａとｂとの合計は、１〜３であり、ｐおよびｒは、パラジウムカチオンと弱配位アニオンとの電荷のバランスをとる数を表す。］
（１５） ｐおよびｒは、それぞれ、１または２の整数から選択される第（１４）項に記載の光配線部品。
（１６） 前記コア層は、前記加熱処理の後、前記層を前記加熱処理の温度よりも高い第２の温度で加熱処理することにより得られたものである第（９）項ないし第（１５）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（１７） 前記コア層は、前記第２の温度での加熱処理の後、前記層を前記第２の温度よりも高い第３の温度で加熱処理することにより得られたものである第（１６）項に記載の光配線部品。
（１８） 前記第３の温度は、前記第２の温度より２０℃以上高い第（１７）項に記載の光配線部品。
（１９） 前記モノマーは、架橋性モノマーを含む第（９）項ないし第（１８）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（２０） 前記モノマーは、ノルボルネン系モノマーを主とするものである第（９）項ないし第（１９）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（２１） 前記モノマーは、ノルボルネン系モノマーを主とするものであり、前記架橋性モノマーとして、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シランを含むものである第（１９）項に記載の光配線部品。
（２２） 前記ポリマーは、活性化した前記第１の物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射した際に、前記照射領域において、前記ポリマーの前記離脱性基が離脱する第（９）項ないし第（２１）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（２３） 前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である第（２２）項に記載の光配線部品。
（２４） 前記コア層は、活性放射線の照射により活性化する物質と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した前記物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するポリマーとを含む層を形成し、
その後、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記物質を活性化させ、前記ポリマーの前記離脱性基を離脱させて、当該照射領域と前記活性放射線の非照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記非照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものである第（１）項ないし第（８）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（２５） 前記コア層は、前記活性放射線の照射の後、前記層に対して加熱処理を施すことにより得られたものである第（２４）項に記載の光配線部品。
（２６） 前記物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である第（２４）項または第（２５）項に記載の光配線部品。
（２７） 前記酸離脱性基は、−Ｏ−構造、−Ｓｉ−アリール構造および−Ｏ−Ｓｉ−構造のうちの少なくとも１つを有するものである第（２３）項または第（２６）項に記載の光配線部品。
（２８） 前記離脱性基は、その離脱により前記ポリマーの屈折率に低下を生じさせるものである第（２２）項ないし第（２７）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（２９） 前記離脱性基は、−Ｓｉ−ジフェニル構造および−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造の少なくとも一方である第（２８）項に記載の光配線部品。
（３０） 前記活性放射線は、２００〜４５０ｎｍの範囲にピーク波長を有するものである第（９）項ないし第（２９）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（３１） 前記活性放射線の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ２である第（９）項ないし第（３０）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（３２） 前記活性放射線は、マスクを介して前記層に照射される第（９）項ないし第（３１）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（３３） 前記層は、さらに、酸化防止剤を含む第（９）項ないし第（３２）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（３４） 前記層は、さらに、増感剤を含む第（９）項ないし第（３３）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（３５） 前記ポリマーは、ノルボルネン系ポリマーを主とするものである第（９）項ないし第（３４）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（３６） 前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である第（３５）項に記載の光配線部品。
（３７） 前記コア部は、第１のノルボルネン系材料を主材料として構成され、前記クラッド部は、前記第１のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第２のノルボルネン系材料を主材料として構成されている第（１）項ないし第（８）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（３８） 前記第１のノルボルネン系材料と前記第２のノルボルネン系材料とは、いずれも、同一のノルボルネン系ポリマーを含有し、かつ、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている第（３７）項に記載の光配線部品。
（３９） 前記反応物は、前記ノルボルネン系モノマーの重合体、前記ノルボルネン系ポリマー同士を架橋する架橋構造、および、前記ノルボルネン系ポリマーから分岐する分岐構造のうちの少なくとも１つである第（３８）項に記載の光配線部品。
（４０） 前記ノルボルネン系ポリマーは、アラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである第（３８）項または第（３９）項に記載の光配線部品。
（４１） 前記ノルボルネン系ポリマーは、ベンジルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである第（３８）項または第（３９）項に記載の光配線部品。
（４２） 前記ノルボルネン系ポリマーは、フェニルエチルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである第（３８）項または第（３９）項に記載の光配線部品。
（４３） 前記ノルボルネン系ポリマーは、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、
前記コア部と前記クラッド部とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なること、および、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている第（３８）項ないし第（４２）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（４４） 前記コア層は、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを主材料として構成され、
前記第１のノルボルネン系材料と第２のノルボルネン系材料とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なることにより、それらの屈折率が異なっている第（３７）項に記載の光配線部品。
（４５） 前記ノルボルネン系ポリマーは、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランの繰り返し単位を含むものである第（４３）項または第（４４）項に記載の光配線部品。
（４６） 前記ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである第（３８）項ないし第（４５）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（４７） 前記ノルボルネン系ポリマーは、ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである第（３８）項ないし第（４５）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（４８） 前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である第（３８）項ないし第（４７）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（４９） 前記光回路基板は、前記光導波路層上に導体回路を有するものである、第（１）項ないし第（４８）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（５０） 前記コネクタは、光ファイバガイド孔を有する多心光コネクタである、第（１）項、および、第（３）項〜第（４９）項、のいずれか１項に記載の光配線部品。
（５１） 前記コネクタは、複数段の光ファイバガイド孔を有する多心光コネクタである、第（５０）項に記載の光配線部品。
（５２） 前記光回路基板は、複数のコア部と、クラッド部と、前記コア部に、前記コア部の光路を、前記光ファイバガイド孔に向けて、屈曲させる光路変換部を有するものである、第（５０）項または第（５１）項に記載の光配線部品。
（５３） 前記光素子は、複数段の受／発光部を有するものである、第（２）項ないし第（４９）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（５４） 前記光回路基板は、複数のコア部と、クラッド部と、前記コア部に、前記コア部の光路を、前記光素子が有する複数段の受／発光部に向けて、屈曲させる光路変換部を有するものである、第（５３）項に記載の光配線部品。
（５５） 前記光回路基板は、前記光路変換部が、前記複数段の光ファイバガイド孔または前記複数段の受／発光部に相対するように配置されるように、光導波路の短手方向の一端より他端に向かい、隣接する段の、前記光ファイバガイド孔または前記受／発光部に対し順番に、これを繰り返して、パターニングがなされた千鳥構造端部を有する、第（５２）項または第（５４）項に記載の光配線部品。
（５６） 前記光回路基板は、アライメント用穴を有するものである、第（５０）項ないし第（５５）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（５７） 前記コネクタは、前記光回路基板端部を固定する挿入部を有するものである、第（１）項ないし第（５５）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（５８） 前記光配線部品は、２つの前記コネクタが、前記光回路基板により橋架け状に接合された構造を有するものである、第（１）項ないし第（５７）項のいずれか１項に記載の光配線部品。
（５９） 受／発光部を有する光素子と、配線部品と、第（１）項、および、第（３）項〜第（５２）項、および第（５５）項〜第（５８）項のいずれか１項に記載の光配線部品とを含んで構成され、
前記光素子は、前記配線部品において、前記光配線部品のコア部の光路と、前記受／発光部とが光接続される位置に搭載された、光素子実装部品。
（６０） 配線部品と、第（２）項〜第（４９）項、および第（５３）項〜第（５８）項のいずれか１項に記載の光配線部品とを含んで構成され、
前記光配線部品に搭載された光素子は、前記配線部品と電気的に接続された、光素子実装部品。
（６１） 前記配線部品は、駆動素子が搭載されたものである、第（５９）項または第（６０）項に記載の光素子実装部品。
本発明によれば、耐熱性に優れるとともに吸水性が低い光回路基板を備え、光伝播の損失を低減できる光素子実装部品が得られる。
本発明は、コア部と、該コア部より屈折率が低いクラッド部とを備えるコア層と、該コア層の少なくとも一方の面に接触して設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド層とを有する光導波路層より構成された光回路基板と、前記光回路基板を接続するコネクタと、を含んで構成され、前記クラッド層は、ノルボルネン系ポリマーを主材料として構成されている、光配線部品である。
また、本発明は、コア部と、該コア部より屈折率が低いクラッド部とを備えるコア層と、該コア層の少なくとも一方の面に接触して設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド層とを有する光導波路層より構成された光回路基板と、前記光回路基板を接続し、前記コア部の光路を受発光可能な位置に光素子が搭載されたコネクタと、を含んで構成され、前記クラッド層は、ノルボルネン系ポリマーを主材料として構成されている、光配線部品である。
これによれば、耐熱性に優れるとともに吸水性が低い光回路基板を備え、光素子の搭載において位置あわせ精度が良好で、光素子の実装が容易であり、更には、前記配線部品と前記光回路基板との組み合わせ自由度は高く、小型化が可能となる光素子実装用部品が得られる。
また、本発明は、光素子と、配線部品と、前記第１の光配線部品とを含んで構成され、前記光素子は、前記配線部品において、前記光配線部品のコア部の光路を受発光可能な位置に搭載された、光素子実装部品である。
また、本発明は、配線部品と、第２の光配線部品とを含んで構成され、前記光配線部品に搭載された光素子は、前記配線部品と電気的に接続された、光素子実装部品である。
これによれば、実装精度が高く、光伝播の損失を低減できる光素子実装部品が得られる。本発明の光素子実装部品は、光素子の受発光部と光導波路のコア部と距離が短いので、光を効率よく伝えられるとともに、薄型化ができる。
また、本発明において、光回路基板は、多条に形成された光導波路が、多心光コネクタまたは受／発光部を有する光素子などと光接続されても良く、特に、複数段の光ファイバガイド孔を有する多心光コネクタまたは複数段の受／発光部を有する光素子を用いる場合、前記光回路基板における光導波路層は、複数のコア部を有し、前記コア部に、前記コア部の光路を、前記光ファイバガイド孔または前記複数段の受／発光部に向けて、屈曲させる光路変換部を有し、複数段の光ファイバガイド孔を有する多心コネクタまたは複数段の受／発光部を有する光素子と光接続される構造を有するものとすることができる。このとき、前記コア部における光路変換部が、前記光ファイバガイド孔または複数段の受／発光部に相対するように配置され、千鳥構造端部を有すると良い。このようにすることにより、前記光回路基板において、光導波路層を複数層にしたり、多心光コネクタを複数用いるなどすることなく、部品を小型化することができる。
本発明において、千鳥構造とは、光導波路の短手方向の一端より他端に向かい、複数のコア部における光路変換部が、光ファイバガイド孔または複数段の受／発光部などに合うように、ずれるように、隣接する段の、光ファイバガイド孔または受／発光部などに対し、一段目、二段目、一段目、二段目のように、順番に繰り返して、パターニングがなされたものである。光ファイバガイド孔または受／発光部などが三段の場合は、一段目、二段目、三段目、一段目、二段目、三段目のように、光導波路の短手方向の一端より他端に向かい、光路変換部が、光ファイバガイド孔または受／発光部などに合うように、ずれるように、パターニングがなされる。図面においては、コア部先端部の長さが交互になっているが、光路変換部の設け方によっては、同じ長さであっても良い。
前記複数段の光ファイバ穴を有する多心光コネクタとしては、前記光路接続部として光ファイバ穴を有するものであり、例えば、光ファイバ穴の配列として、１６心（８心×２列（段））、２４心（１２心×２列（段））、３２心（８心×４列（段））、６０心（１２心×５列（段））、８０心（１６心×５列（段））などが挙げられる。このとき、前記穴の径としては、１２５μｍを用いることができ、穴と穴との間のピッチ間隔としては、２５０μｍ、５００μｍなどが用いられる。また、このような多心光コネクタの断面積としては、光ファイバ穴の配列にもよるが、例えば、２．５ｍｍ×４．４〜８．４ｍｍなどが用いられる。
前記複数段の受／発光部を有する光素子としては、前記受光部および発光部が光路接続部となるもので、受／発光部が複数段に形成された光素子、また、これらが一段配列された光素子であっても、一段配列の光素子を二つ以上並べることにより複数段として用いることができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明するが、本発明は何らこれらに限定されない。
本発明の光配線部品及び光素子実装部品について、詳細に説明する。
本発明における光回路基板は、コア部とクラッド部とを有する光導波路層を有するものである。前記光回路基板は、クラッド部に電気回路又は電気回路と光回路基板を貫通して両面の電気導通をはかるための導体ポストなどを有していても良い。前記光回路基板は、前記光導波路層上に導体回路を有していても良い。
本発明において、前記光回路基板における光導波路層は、前記コア部１０５における光路変換部（図示されていないが、光ファイバ孔１０４の位置に形成されている。）が、前記光ファイバ孔１０４に相対するように配置されるように、光導波路の短手方向の一端より他端に、隣接する段の光ファイバガイド孔に対し、順番に繰り返して、パタンニングがなされた千鳥構造端部を有するものであり（図１７）、その際、前記パターニングは、前記光ファイバガイド孔に相対するように配置されるように、前記コア部が端部に向かい湾曲する（湾曲部１０７を有する。図１８）ようになされたものであることが設計上好ましい。前記湾曲部は屈曲部であってもよく、光損失を生じない程度に変形させれば良い。
前記光回路基板において、固定用ガイドに相対するアライメント用穴を設ける（図２８）ことにより、アライメント用穴と固定用ガイドを嵌合させることにより、光回路基板の光路変換部と光ファイバ穴を精度よく受動的に嵌合させることが可能となる。
図１は、本発明の光素子実装用部品における光回路基板を製造する際に用いる光導波路層の実施形態を示す斜視図（一部切り欠いて示す）である。
なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」または「上方」とし、下側を「下」または「下方」とする（以下の図において同様である。）。
また、各図は、層の厚さ方向（各図の上下方向）が誇張して描かれている。
図１に示す光導波路層９０は、光導波路層９０と、その上面および下面に、それぞれ設けられた導体層９０１、９０２とを有し、これら各層が接合された光導波路構造体９であっても良い（図２）。これにより、導体回路を有する光回路基板を製造することができる。このとき、導体層は一方の面側に有していても良い。
導体層９０１、９０２の構成材料としては、それぞれ、例えば、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金のような各種金属材料、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムスズ酸化物（ＦＴＯ）のような各種酸化物材料等が挙げられる。
導体層９０１、９０２の平均厚さは、それぞれ、光導波路層９０の平均厚さの１０〜９０％程度であるのが好ましく、２０〜８０％程度であるのがより好ましい。具体的には、導体層９０１、９０２の平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、通常、３〜１００μｍ程度が好ましく、５〜７０μｍ程度がより好ましい。これにより、光導波路構造体９の可撓性が低下するのを防止しつつ、導体層９０１、９０２を導電性に優れたものとすることができる。
また、図２に示す構成では、導体層９０１、９０２は、いずれも、平板状（シート状）をなしている。この場合、導体層９０１、９０２の所定のパターンに加工した後、所望の箇所に、光学素子（発光素子、受光素子等）を実装することにより、光学回路と電気回路とを備える複合装置を製造することができる。
なお、導体層９０１、９０２は、それぞれ、予めパターニングされたもの（配線）であってもよい。また、必要に応じて、導体層９０１および９０２のいずれか一方を省略してもよい。
また、導体層９０１、９０２と光導波路層９０との間には、任意の目的（例えば、密着性を向上させる目的等）の層が１層または２層以上設けられていてもよい。
光導波路層９０は、図１中下側からクラッド層（下部クラッド層）９１、コア層９３およびクラッド層（上部クラッド層）９２をこの順に積層してなるものであり、コア層９３には、所定パターンのコア部９４と、このコア部（導波路チャンネル）９４に隣接するクラッド部９５とが形成されている。
コア部９４とクラッド部９５との屈折率の差は、特に限定されないが、０．３〜５．５％程度が好ましく、特に０．８〜２．２％程度が好ましい。屈折率の差が前記下限値未満であると光を伝達する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えても、光の伝送効率のそれ以上の増大は期待できない。
なお、前記屈折率差とは、コア部９４の屈折率をＡ、クラッド部９５の屈折率をＢとしたとき、次式で表される。
屈折率差（％）＝｜Ａ／Ｂ−１｜×１００
また、図１に示す構成では、コア部９４は、平面視で直線状に形成されているが、途中で湾曲、分岐等してもよく、その形状は任意である。なお、後述するような光導波路構造体９の製造方法を用いれば、複雑かつ任意の形状のコア部９４を容易にかつ寸法精度よく形成することができる。
また、コア部９４は、その横断面形状が正方形または矩形（長方形）のような四角形をなしている。
コア部９４の幅および高さは、特に限定されないが、それぞれ、1〜２００μｍ程度であるのが好ましく、５〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１０〜６０μｍ程度であるのがさらに好ましい。
このコア部９４は、クラッド部９５に比べて屈折率が高い材料で構成され、また、クラッド層９１、９２に対しても屈折率が高い材料で構成されている。
クラッド層９１および９２は、それぞれ、コア部９４の下部および上部に位置するクラッド部を構成するものである。このような構成により、コア部９４は、その外周をクラッド部に囲まれた導光路として機能する。
クラッド層９１、９２の平均厚さは、コア層９３の平均厚さの０．１〜１．５倍程度であるのが好ましく、０．３〜１．２５倍程度であるのがより好ましく、具体的には、クラッド層９１、９２の平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、通常、1〜２００μｍ程度であるのが好ましく、５〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１０〜６０μｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、光導波路層９０が不要に大型化（圧膜化）するのを防止しつつ、クラッド層としての機能が好適に発揮される。
なお、クラッド層９１、クラッド部９５およびクラッド層９２の構成材料は、それぞれ、同一（同種）のものでも異なるものでもよいが、これらは、屈折率が同じかまたは近似しているものであるのが好ましい。クラッド層９１、９２およびコア層９３の構成材料の詳細については、後に説明する。
本発明における光導波路層９０は、コア部９４の材料の光学特性等によっても若干異なり、特に限定されないが、例えば、６００〜１５５０ｎｍ程度の波長領域の光を使用したデータ通信において好適に使用される。
次に、光導波路層９０および光導波路構造体９の製造方法の一例について説明する。
＜第１の製造方法＞
まず、光導波路層９０および光導波路構造体９の第１の製造方法について説明する。
図３〜図８は、それぞれ、本発明における光導波路層９０および光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
［１Ａ］ まず、支持基板９５１上に、層９１０を形成する（図３参照）。
層９１０は、コア層形成用材料（ワニス）９００を塗布し硬化（固化）させる方法により形成される。
具体的には、層９１０は、支持基板９５１上にコア層形成用材料９００を塗布して液状被膜を形成した後、この支持基板９５１を換気されたレベルテーブルに置いて、液状被膜表面の不均一な部分を水平化するとともに、溶媒を蒸発（脱溶媒）することにより形成する。
層９１０を塗布法で形成する場合、例えば、ドクターブレード法、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法等の方法が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
支持基板９５１には、例えば、シリコン基板、二酸化ケイ素基板、ガラス基板、石英基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等が用いられる。
コア層形成用材料９００は、ポリマー９１５と、添加剤９２０（本実施形態では、少なくともモノマー、助触媒および触媒前駆体を含む）とで構成される光誘発熱現像性材料（ＰＩＴＤＭ）を含有し、活性放射線の照射および加熱により、ポリマー９１５中において、モノマーの反応が生じる材料である。
そして、得られた層９１０中では、ポリマー（マトリックス）９１５は、いずれも、実質的に一様かつランダムに分配され、添加剤９２０は、ポリマー９１５内に実質的に一様かつランダムに分散されている。これにより、層９１０中には、添加剤９２０が実質的に一様かつ任意に分散されている。
このような層９１０の平均厚さは、形成すべきコア層９３の厚さに応じて適宜設定され、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１５〜６５μｍ程度であるのがさらに好ましい。
ポリマー９１５には、透明性が十分に高く（無色透明であり）、かつ、後述するモノマーと相溶性を有するもの、さらに、その中で後述するようにモノマーが反応（重合反応や架橋反応）可能であり、モノマーが重合した後においても、十分な透明性を有するものが好適に用いられる。
ここで、「相溶性を有する」とは、モノマーが少なくとも混和して、コア層形成用材料９００中や層９１０中においてポリマー９１５と相分離を起こさないことを言う。
このようなポリマー９１５としては、例えば、ノルボルネン系樹脂やベンゾシクロブテン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（ポリマーアロイ、ポリマーブレンド（混合物）、共重合体など）用いることができる。
これらの中でも、特に、ノルボルネン系樹脂（ノルボルネン系ポリマー）を主とするものが好ましい。ポリマー９１５としてノルボルネン系ポリマーを用いることにより、優れた光伝送性能や耐熱性を有するコア層９３を得ることができる。
また、ノルボルネン系ポリマーは、高い疎水性を有するため、吸水による寸法変化等を生じ難いコア層９３を得ることができる。
ノルボルネン系ポリマーとしては、単独の繰り返し単位を有するもの（ホモポリマー）、２つ以上のノルボルネン系繰り返し単位を有するもの（コポリマー）のいずれであってもよい。
このようなノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、（１）ノルボルネン型モノマーを付加（共）重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加（共）重合体、（２）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との付加共重合体、（３）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマーとの付加共重合体のような付加重合体、（４）ノルボルネン型モノマーの開環（共）重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（５）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（６）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、または他のモノマーとの開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加したポリマーのような開環重合体が挙げられる。これらの重合体としては、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体等が挙げられる。
これらのノルボルネン系ポリマーは、例えば、開環メタセシス重合（ＲＯＭＰ）、ＲＯＭＰと水素化反応との組み合わせ、ラジカルまたはカチオンによる重合、カチオン性パラジウム重合開始剤を用いた重合、これ以外の重合開始剤（例えば、ニッケルや他の遷移金属の重合開始剤）を用いた重合等、公知のすべての重合方法で得ることができる。
これらの中でも、ノルボルネン系ポリマーとしては、下記化２（構造式Ｂ）で表される少なくとも１個の繰り返し単位を有するもの、すなわち、付加（共）重合体が好ましい。このものは、透明性、耐熱性および可撓性に富むことからも好ましい。
かかるノルボルネン系ポリマーは、例えば、後述するノルボルネン系モノマー（後述する化４で表されるノルボルネン系モノマーや、架橋性ノルボルネン系モノマー）を用いることにより好適に合成される。
なお、比較的高い屈折率を有するポリマー９１５を得るためには、分子構造中に、芳香族環（芳香族基）、窒素原子、臭素原子や塩素原子を有するモノマーを一般的に選択して、ポリマー９１５が合成（重合）される。一方、比較的低い屈折率を有するポリマー９１５を得るためには、分子構造中に、アルキル基、フッ素原子やエーテル構造（エーテル基）を有するモノマーを一般的に選択して、ポリマー９１５が合成（重合）される。
比較的高い屈折率を有するノルボルネン系ポリマーとしては、アラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。かかるノルボルネン系ポリマーは、特に高い屈折率を有する。
アラルキルノルボルネンの繰り返し単位が有するアラルキル基（アリールアルキル基）としては、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基、フルオレニルエチル基、フルオレニルプロピル基等が挙げられるが、ベンジル基やフェニルエチル基が特に好ましい。
かかる繰り返し単位を有するノルボルネン系ポリマーは、極めて高い屈折率を有するものであることから好ましい。
また、ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、柔軟性が高いため、かかるノルボルネン系ポリマーを用いることにより、光導波路層９０に高いフレキシビリティ（可撓性）を付与することができる。
アルキルノルボルネンの繰り返し単位が有するアルキル基としては、例えば、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられるが、ヘキシル基が特に好ましい。なお、これらのアルキル基は、直鎖状または分岐状のいずれであってもよい。
ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、ノルボルネン系ポリマー全体の屈折率が低下するのを防止し、かつ、高い柔軟性を保持することができる。また、かかるノルボルネン系ポリマーは、前述したような波長領域（特に、８５０ｎｍ付近の波長領域）の光に対する透過率が優れることから好ましい。
このようなノルボルネン系ポリマーの好ましい具体例としては、ヘキシルノルボルネンのホモポリマー、フェニルエチルノルボルネンのホモポリマー、ベンジルノルボルネンのホモポリマー、ヘキシルノルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとベンジルノルボルネンとのコポリマー等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本実施形態のコア層形成用材料９００は、添加剤９２０として、モノマー、助触媒（第１の物質）および触媒前駆体（第２の物質）を含んでいる。
モノマーは、後述する活性放射線に照射により、活性放射線の照射領域において反応して反応物を形成し、この反応物の存在により、層９１０において照射領域と、活性放射線の未照射領域とにおいて、屈折率差を生じさせ得るような化合物である。
ここで、この反応物としては、モノマーがポリマー（マトリックス）９１５中で重合して形成されたポリマー（重合体）、ポリマー９１５同士を架橋する架橋構造、および、ポリマー９１５に重合してポリマー９１５から分岐した分岐構造（ブランチポリマーや側鎖（ペンダントグループ））のうちの少なくとも１つが挙げられる。
ここで、層９１０において、照射領域の屈折率が高くなることが望まれる場合には、比較的低い屈折率を有するポリマー９１５と、このポリマー９１５に対して高い屈折率を有するモノマーとが組み合わせて使用され、照射領域の屈折率が低くなることが望まれる場合には、比較的高い屈折率を有するポリマー９１５と、このポリマー９１５に対して低い屈折率を有するモノマーとが組み合わせて使用される。
なお、屈折率が「高い」または「低い」とは、屈折率の絶対値を意味するものではなく、ある材料同士の相対的な関係を意味する。
そして、モノマーの反応（反応物の生成）により、層９１０において照射領域の屈折率が低下する場合、当該部分がクラッド部９５となり、照射領域の屈折率が上昇する場合、当該部分がコア部９４となる。
このようなモノマーとしては、重合可能な部位を有する化合物であればよく、特に限定されないが、例えば、ノルボルネン系モノマー、アクリル酸（メタクリル酸）系モノマー、エポキシ系モノマー、スチレン系モノマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、モノマーとしては、ノルボルネン系モノマーを用いるのが好ましい。
ノルボルネン系モノマーを用いることにより、光伝送性能に優れ、かつ、耐熱性および柔軟性に優れるコア層９３（光導波路層９０）が得られる。
ここで、ノルボルネン系モノマーとは、下記化３（構造式Ａ）で示されるノルボルネン骨格を少なくとも１つ含むモノマーを総称し、例えば、下記化４（構造式Ｃ）で表される化合物が挙げられる。

［式中、ａは、単結合または二重結合を表し、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは無置換の炭化水素基、または官能置換基を表し、ｍは、０〜５の整数を表す。ただし、ａが二重結合の場合、Ｒ１およびＲ２のいずれか一方、Ｒ３およびＲ４のいずれか一方は存在しない。］
無置換の炭化水素基（ハイドロカルビル基）としては、例えば、直鎖状または分岐状の炭素数１〜１０（Ｃ１〜Ｃ１０）のアルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数２〜１０（Ｃ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖状または分岐状の炭素数２〜１０（Ｃ２〜Ｃ１０）のアルキニル基、炭素数４〜１２（Ｃ４〜Ｃ１２）のシクロアルキル基、炭素数４〜１２（Ｃ４〜Ｃ１２）のシクロアルケニル基、炭素数６〜１２（Ｃ６〜Ｃ１２）のアリール基、炭素数７〜２４（Ｃ７〜Ｃ２４）のアラルキル基（アリールアルキル基）等が挙げられ、その他、Ｒ１およびＲ２、Ｒ３およびＲ４が、それぞれ炭素数１〜１０（Ｃ１〜Ｃ１０）のアルキリデニル基であってもよい。
アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基およびデシル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
アルケニル基の具体例としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基およびシクロヘキセニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
アルキニル基の具体例としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基および２−ブチニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
シクロアルキル基の具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基およびシクロオクチル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
アリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基およびアントラセニル（ａｎｔｈｒａｃｅｎｙｌ）基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
アラルキル（ａｒａｌｋｙｌ）基の具体例としては、ベンジル基およびフェニルエチル（フェネチル：ｐｈｅｎｅｔｈｙｌ）基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
また、アルキリデニル（ａｌｋｙｌｉｄｅｎｙｌ）基の具体例としては、メチリデニル（ｍｅｔｈｙｌｉｄｅｎｙｌ）基およびエチリデニル（ｅｔｈｙｌｉｄｅｎｙｌ）基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
置換された炭化水素基としては、前記の炭化水素基が有する水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換されたもの、すなわち、ハロハイドロカルビル（ｈａｌｏｈｙｄｒｏｃａｒｂｙｌ）基、パーハロハイドロカルビル（ｐｅｒｈａｌｏｈｙｄｒｏｃａｒｂｙｌ）基であるか、パーハロカルビル（ｐｅｒｈａｌｏｃａｒｂｙｌ）基のようなハロゲン化炭化水素基が挙げられる。
これらのハロゲン化炭化水素基において、水素原子に置換するハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素および臭素から選択される少なくとも１種が好ましく、フッ素原子がより好ましい。
このうち、パーハロゲン化された炭化水素基（パーハロハイドロカルビル基、パーハロカルビル基）の具体例としては、例えば、パーフルオロフェニル基、パーフルオロメチル基（トリフルオロメチル基）、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基等が挙げられる。
なお、ハロゲン化アルキル基には、炭素数１〜１０のもの以外に、炭素数１１〜２０のものも好適に用いることができる。すなわち、ハロゲン化アルキル基には、部分的または完全にハロゲン化され、直鎖状または分岐状をなし、一般式：−ＣＺＸ’’２Ｚ＋１で表される基を選択することができる。ここで、Ｘ’’は、それぞれ独立して、ハロゲン原子または水素原子を表し、Ｚは、１〜２０の整数を表す。
また、置換された炭化水素基としては、ハロゲン原子の他、直鎖状または分岐状の炭素数１〜５（Ｃ１〜Ｃ５）のアルキル基またはハロアルキル基、アリール基およびシクロアルキル基で更に置換された、シクロアルキル基、アリール基およびアラルキル基（アラアルキル基）等が挙げられる。
また、官能置換基としては、例えば、−（ＣＨ２）ｎ−ＣＨ（ＣＦ２）２−Ｏ−Ｓｉ（Ｍｅ）３、−（ＣＨ２）ｎ−ＣＨ（ＣＦ３）２−Ｏ−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−（ＣＨ２）ｎ−ＣＨ（ＣＦ３）２−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（ＣＦ３）２−ＯＨ、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ２、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（Ｏ）−Ｃｌ、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｒ５、−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−Ｒ５、−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ５、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ５、−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＯＲ５、−（ＣＨ２）ｎ−Ｓｉ（Ｒ５）３、−（ＣＨ２）ｎ−Ｓｉ（ＯＲ５）３、−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ５）３および−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（Ｏ）−ＯＲ６等が挙げられる。
ここで、前記各式において、それぞれ、ｎは、０〜１０の整数を示し、Ｒ５は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０（Ｃ１〜Ｃ２０）アルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０（Ｃ１〜Ｃ２０）のハロゲン化もしくはパーハロゲン化アルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数２〜１０（Ｃ２〜Ｃ１０）のアルケニル基、直鎖状または分岐状の炭素数２〜１０（Ｃ２〜Ｃ１０）のアルキニル基、炭素数５〜１２（Ｃ５〜Ｃ１２）のシクロアルキル基、炭素数６〜１４（Ｃ６〜Ｃ１４）のアリール基、炭素数６〜１４（Ｃ６〜Ｃ１４）のハロゲン化もしくはパーハロゲン化アリール基または炭素数７〜２４（Ｃ７〜Ｃ２４）のアラルキル基を表す。
なお、Ｒ５で示される炭化水素基は、Ｒ１〜Ｒ４で示されるものと同一の炭化水素基を示す。Ｒ１〜Ｒ４で示すように、Ｒ５で示される炭化水素基は、ハロゲン化またはパーハロゲン化されていてもよい。
例えば、Ｒ５が炭素数１〜２０（Ｃ１〜Ｃ２０）のハロゲン化またはパーハロゲン化アルキル基である場合、Ｒ５は、一般式：−ＣＺＸ’’２Ｚ＋１で表される。ここで、ｚおよびＸ’’は、それぞれ、上記の定義と同じであり、Ｘ’’の少なくとも１つは、ハロゲン原子（例えば、臭素原子、塩素原子またはフッ素原子）である。
ここで、パーハロゲン化アルキル基とは、前記一般式において、すべてのＸ’’がハロゲン原子である基であり、その具体例としては、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、−Ｃ７Ｆ１５、−Ｃ１１Ｆ２３が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
パーハロゲン化アリール基の具体例としては、ペンタクロロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
また、Ｒ６としては、例えば、−Ｃ（ＣＨ３）３、−Ｓｉ（ＣＨ３）３、−ＣＨ（Ｒ７）−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ（Ｒ７）ＯＣ（ＣＨ３）３および下記化５の環状基等が挙げられる。
ここで、Ｒ７は、水素原子、あるいは直鎖状または分岐状の炭素数１〜５（Ｃ１〜Ｃ５）のアルキル基を表す。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル、ペンチル基、ｔ−ペンチル基、ネオペンチル基が挙げられる。
なお、上記化５で表される環状基では、環構造から延びる単結合と酸置換基との間でエステル結合が形成される。
Ｒ６の具体例としては、例えば、１−メチル−１−シクロヘキシル基、イソボルニル（ｉｓｏｂｏｒｎｙｌ）基、２−メチル−２−イソボルニル基、２−メチル−２−アダマンチル基、テトラヒドロフラニル（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕｒａｎｙｌ）基、テトラヒドロピラノイル（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｐｙｒａｎｏｙｌ）基、３−オクソシクロヘキサノイル（３−ｏｘｏｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｙｌ）基、メバロンラクトニル（ｍｅｖａｌｏｎｉｃ ｌａｃｔｏｎｙｌ）基、１−エトキシエチル基、１−ｔ−ブトキシエチル基等が挙げられる。
また、他のＲ６としては、例えば、下記化６で表されるジシクロプロピルメチル基（Ｄｃｐｍ）、ジメチルシクロプロピルメチル基（Ｄｍｃｐ）等が挙げられる。
また、モノマーには、上記のモノマーに代えて、または、上記のモノマーとともに架橋性モノマー（架橋剤）を用いることもできる。この架橋性モノマーは、後述する触媒前駆体の存在下で、架橋反応を生じ得る化合物である。
架橋性モノマーを用いることにより、次のような利点がある。すなわち、架橋性モノマーは、より速く重合するので、コア層９３（光導波路層９０）の形成（プロセス）に要する時間を短縮することができる。また、架橋性モノマーは、加熱しても蒸発し難くいので、蒸気圧の上昇を抑えることができる。さらに、架橋性モノマーは、耐熱性に優れるため、コア層９３の耐熱性を向上させることができる。
このうち、架橋性ノルボルネン系モノマーは、前記化３（構造式Ａ）で表されるノルボルネン系部位（ノルボルネン系二重結合）を含む化合物である。
架橋性ノルボルネン系モノマーとしては、連続多環環系（ｆｕｓｅｄ ｍｕｌｔｉｃｙｃｌｉｃ ｒｉｎｇ ｓｙｓｔｅｍｓ）の化合物と、連結多環環系（ｌｉｎｋｅｄ ｍｕｌｔｉｃｙｃｌｉｃ ｒｉｎｇ ｓｙｓｔｅｍｓ）の化合物とがある。
連続多環環系の化合物（連続多環環系の架橋性ノルボルネン系モノマー）としては、下記化７で表される化合物が挙げられる。

［式中、Ｙは、メチレン（−ＣＨ２−）基を表し、ｍは、０〜５の整数を表わす。ただし、ｍが０である場合、Ｙは、単結合である。］
なお、簡略化のため、ノルボルナジエン（ｎｏｒｂｏｒｎａｄｉｅｎｅ）は、連続多環環系に含まれ、重合性ノルボルネン系二重結合を含むものと考えることとする。
この連続多環環系の化合物の具体例としては、下記化８で表される化合物が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
一方、連結多環環系の化合物（連結多環環系の架橋性ノルボルネン系モノマー）としては、下記化９で表される化合物が挙げられる。

［式中、ａは、それぞれ独立して、単結合または二重結合を表し、ｍは、それぞれ独立して、０〜５の整数を表し、Ｒ９は、それぞれ独立して二価の炭化水素基、二価のエーテル基または二価のシリル基を表す。また、ｎは、０または１である。］
ここで、二価の置換基とは、端部にノルボルネン構造に結合し得る結合手を２つ有する基のことを言う。
二価の炭化水素基（ハイドロカルビル基）の具体例としては、一般式：−（ＣｄＨ２ｄ）−で表されるアルキレン基（ｄは、好ましくは１〜１０の整数を表す。）と、二価の芳香族基（アリール基）とが挙げられる。
二価のアルキレン基としては、直鎖状または分岐状の炭素数１〜１０（Ｃ１〜Ｃ１０）のアルキレン基が好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、へキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基が挙げられる。
なお、分岐アルキレン基は、主鎖の水素原子が、直鎖状または分岐状のアルキル基で置換されたものである。
一方、二価の芳香族基としては、二価のフェニル基、二価のナフチル基が好ましい。
また、二価のエーテル基は、−Ｒ１０−Ｏ−Ｒ１０−で表される基である。
ここで、Ｒ１０は、それぞれ独立して、Ｒ９と同じものを表す。
この連結多環環系の化合物の具体例としては、下記化１０、化１１、化１２、化１３、化１４で表される化合物の他、化１５、化１６で表されるフッ素含有化合物（フッ素含有架橋性ノルボルネン系モノマー）が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
この化１１で表される化合物は、ジメチルビス［ビシクロ［２．２．１］へプト−２−エン−５−メトキシ］シランであり、またの命名では、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シラン（「ＳｉＸ」と略される。）と呼ばれる。

［式中、ｎは、０〜４の整数を表す。］

［式中、ｍおよびｎは、それぞれ、１〜４の整数を表す。］
各種の架橋性ノルボルネン系モノマーの中でも、特に、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シラン（ＳｉＸ）が好ましい。ＳｉＸは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位および／またはアラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーに対して十分に低い屈折率を有する。このため、後述する活性放射線を照射する照射領域の屈折率を確実に低くして、クラッド部９５とすることができる。また、コア部９４とクラッド部９５との間における屈折率差を大きくすることができ、コア層９３（光導波路層９０）の特性（光伝送性能）の向上を図ることができる。
なお、以上のようなモノマーは、単独または任意に組み合わせて用いるようにしてもよい。
触媒前駆体（第２の物質）は、前記のモノマーの反応（重合反応、架橋反応等）を開始させ得る物質であり、後述する活性放射線の照射により活性化した助触媒（第１の物質）の作用により、活性化温度が変化する物質である。
この触媒前駆体（プロカタリスト：ｐｒｏｃａｔａｌｙｓｔ）としては、活性放射線の照射に伴って活性化温度が変化（上昇または低下）するものであれば、いかなる化合物を用いてもよいが、特に、活性放射線の照射に伴って活性化温度が低下するものが好ましい。これにより、比較的低温による加熱処理でコア層９３（光導波路層９０）を形成することができ、他の層に不要な熱が加わって、光導波路層９０の特性（光伝送性能）が低下するのを防止することができる。
このような触媒前駆体としては、下記式（Ｉａ）および（Ｉｂ）で表わされる化合物の少なくとも一方を含む（主とする）ものが好適に用いられる。

［式Ｉａ、Ｉｂ中、それぞれ、Ｅ（Ｒ）３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表す。また、式Ｉｂ中、ＬＢは、ルイス塩基を表し、ＷＣＡは、弱配位アニオンを表し、ａは、１〜３の整数を表し、ｂは、０〜２の整数を表し、ａとｂとの合計は、１〜３であり、ｐおよびｒは、パラジウムカチオンと弱配位アニオンとの電荷のバランスをとる数を表す。］
式Ｉａに従う典型的な触媒前駆体としては、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（ｉ−Ｐｒ）３）２、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２、Ｐｄ（Ｏ２ＣＣＭｅ３）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｐ）３）２、Ｐｄ（Ｏ２ＣＣＦ３）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２、Ｐｄ（Ｏ２ＣＣ６Ｈ５）３（Ｐ（Ｃｙ）３）２が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。ここで、Ｃｐは、シクロペンチル（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔｙｌ）基を表し、Ｃｙは、シクロヘキシル基を表す。
また、式Ｉｂで表される触媒前駆体としては、ｐおよびｒが、それぞれ１および２の整数から選択される化合物が好ましい。
このような式Ｉｂに従う典型的な触媒前駆体としては、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２が挙げられる。ここで、Ｃｙは、シクロヘキシル基を表し、Ａｃは、アセチル基を表す。
これらの触媒前駆体は、モノマーを効率よく反応（ノルボルネン系モノマーの場合、付加重合反応によって効率よく重合反応や架橋反応等）することができる。
また、活性化温度が低下した状態（活性潜在状態）において、触媒前駆体としては、その活性化温度が本来の活性化温度よりも１０〜８０℃程度（好ましくは、１０〜５０℃程度）低くなるものが好ましい。これにより、コア部９４とクラッド部９５との間の屈折率差を確実に生じさせることができる。
かかる触媒前駆体としては、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（ｉ−Ｐｒ）３）２およびＰｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２のうちの少なくとも一方を含む（主とする）ものが好適である。
なお、以下では、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（ｉ−Ｐｒ）３）２を「Ｐｄ５４５」と、また、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２を「Ｐｄ７８５」と略すことがある。
助触媒（第１の物質）は、活性放射線の照射によって活性化して、前記の触媒前駆体（プロカタリスト）の活性化温度（モノマーに反応を生じさせる温度）を変化させ得る物質である。
この助触媒（コカタリスト：ｃｏｃａｔａｌｙｓｔ）としては、活性放射線の照射により、その分子構造が変化（反応または分解）して活性化する化合物であれば、いかなるものでも用いることができるが、特定波長の活性放射線の照射によって分解し、プロトンや他の陽イオン等のカチオンと、触媒前駆体の脱離基に置換し得る弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを発生する化合物（光開始剤）を含む（主とする）ものが好適に用いられる。
弱配位アニオンとしては、例えば、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸イオン（ＦＡＢＡ−）、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン（ＳｂＦ６ −）等が挙げられる。
この助触媒（光酸発生剤または光塩基発生剤）としては、例えば、下記化１８で表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩やヘキサフルオロアンチモン酸塩の他、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ガリウム酸塩、アルミン酸塩類、アンチモン酸塩類、他のホウ酸塩類、ガリウム酸塩類、カルボラン類、ハロカルボラン類等が挙げられる。
このような助触媒の市販品としては、例えば、ニュージャージ州クランベリーのＲｈｏｄｉａ ＵＳＡ社から入手可能な「ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ（登録商標、以下同様である。）
ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ ２０７４（ＣＡＳ番号第１７８２３３−７２−２番）」、日本国東京の東洋インキ製造株式会社から入手可能な「ＴＡＧ−３７２Ｒ（（ジメチル（２−（２−ナフチル）−２−オキソエチル）スルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート：ＣＡＳ番号第１９３９５７−５４−９番））、日本国東京のみどり化学株式会社から入手可能な「ＭＰＩ−１０３（ＣＡＳ番号第８７７０９−４１−９番）」、日本国東京の東洋インキ製造株式会社から入手可能な「ＴＡＧ−３７１（ＣＡＳ番号第１９３９５７−５３−８番）」、日本国東京の東洋合成工業株式会社から入手可能な「ＴＴＢＰＳ−ＴＰＦＰＢ（トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルフォニウムテトラキス（ペンタペンタフルオロフェニル）ボレート）」、日本国東京のみどり化学工業株式会社より入手可能な「ＮＡＩ−１０５（ＣＡＳ番号第８５３４２−６２−７番）」等が挙げられる。
なお、助触媒（第１の物質）として、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ ２０７４を用いる場合、後述する活性放射線（化学線）としては、紫外線（ＵＶ光）が好適に用いられ、紫外線の照射手段としては、水銀灯（高圧水銀ランプ）が好適に用いられる。これにより、層９１０に対して、３００ｎｍ未満の十分なエネルギーの紫外線（活性放射線）を供給することができ、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ ２０７４を効率よく分解して、上記のカチオンおよびＷＣＡを発生させることができる。
また、コア層形成用材料（ワニス）９００中には、必要に応じて、増感剤を添加するようにしてもよい。
増感剤は、活性放射線に対する助触媒の感度を増大して、助触媒の活性化（反応または分解）に要する時間やエネルギーを減少させる機能や、助触媒の活性化に適する波長に活性放射線の波長を変化させる機能を有するものである。
このような増感剤としては、助触媒の感度や増感剤の吸収のピーク波長等に応じて適宜選択され、特に限定されないが、例えば、９，１０−ジブトキシアントラセン（ＣＡＳ番号第７６２７５−１４−４番）のようなアントラセン類、キサントン類、アントラキノン類、フェナントレン類、クリセン類、ベンツピレン類、フルオラセン類（ｆｌｕｏｒａｎｔｈｅｎｅｓ）、ルブレン類、ピレン類、インダンスリーン類、チオキサンテン−９−オン類（ｔｈｉｏｘａｎｔｈｅｎ−９−ｏｎｅｓ）等が挙げられ、これらを単独または混合物として用いられる。
増感剤の具体例としては、２−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、４−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、１−クロロ−４−プロポキシチオキサントン、フェノチアジン（ｐｈｅｎｏｔｈｉａｚｉｎｅ）またはこれらの混合物が挙げられる。
なお、９，１０−ジブトキシアントラセン（ＤＢＡ）は、日本国神奈川県の川崎化成工業株式会社から入手が可能である。
コア層形成用材料９００中の増感剤の含有量は、特に限定されないが、０．０１重量％以上であるのが好ましく、０．５重量％以上であるのがより好ましく、１重量％以上であるのがさらに好ましい。なお、上限値は、５重量％以下であるのが好ましい。
さらに、コア層形成用材料９００中には、酸化防止剤を添加することができる。これにより、望ましくないフリーラジカルの発生や、ポリマー９１５の自然酸化を防止することができる。その結果、得られたコア層９３（光導波路層９０）の特性の向上を図ることができる。
この酸化防止剤としては、ニューヨーク州タリータウンのＣｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社から入手可能なＣｉｂａ（登録商標、以下同様である。） ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標、以下同様である。） １０７６およびＣｉｂａ ＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標、以下同様である。） １６８が好適に用いられる。
また、他の酸化防止剤としては、例えば、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標、以下同様である。） １２９、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ １３３０、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ １０１０、Ｃｉｂａ Ｃｙａｎｏｘ（登録商標、以下同様である。） １７９０、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標） ３１１４、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ ３１２５等を用いることもできる。
なお、このような酸化防止剤は、例えば、層９１０が酸化条件に曝されない場合や、曝される期間が極めて短い場合等には、省略することもできる。
コア層形成用材料（ワニス）９００の調製に用いる溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒等の各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
さて、支持基板９５１上に形成された液状被膜中から溶媒を除去（脱溶媒）する方法としては、例えば、自然乾燥、加熱、減圧下での放置、不活性ガスの吹付け（ブロー）などによる強制乾燥等の方法が挙げられる。
以上のようにして、支持基板９５１上には、コア層形成用材料９００のフィルム状の固化物（または硬化物）である層９１０が形成される。
このとき、層（ＰＩＴＤＭの乾燥フィルム）９１０は、第１の屈折率（ＲＩ）を有している。この第１の屈折率は、層９１０中に一様に分散（分布）するポリマー９１５およびモノマーの作用による。
［２Ａ］ 次に、開口（窓）９３５１が形成されたマスク（マスキング）９３５を用意し、このマスク９３５を介して、層９１０に対して活性放射線（活性エネルギー光線）９３０を照射する（図４参照）。
以下では、モノマーとして、ポリマー９１５より低い屈折率を有するものを用い、また、触媒前駆体として、活性放射線９３０の照射に伴って活性化温度が低下するものを用いる場合を一例に説明する。
すなわち、ここで示す例では、活性放射線９３０の照射領域９２５がクラッド部９５となる。
したがって、ここで示す例では、マスク９３５には、形成すべきクラッド部９５のパターンと等価な開口（窓）９３５１が形成される。この開口９３５１は、照射する活性放射線９３０が透過する透過部を形成するものである。
前記光回路基板において、多条に形成される光導波路の複数のコア部を、前記千鳥構造端部を有するものとする場合、そのような形状となるようなマスク（パターン）を用いれば良い。
マスク９３５は、予め形成（別途形成）されたもの（例えばプレート状のもの）でも、層９１０上に例えば気相成膜法や塗布法により形成されたものでもよい。
マスク９３５として好ましいものの例としては、石英ガラスやＰＥＴ基材等で作製されたフォトマスク、ステンシルマスク、気相成膜法（蒸着、スパッタリング等）により形成された金属薄膜等が挙げられるが、これらの中でもフォトマスクやステンシルマスクを用いるのが特に好ましい。微細なパターンを精度良く形成することができるとともに、ハンドリングがし易く、生産性の向上に有利であるからである。
また、図４においては、形成すべきクラッド部９５のパターンと等価な開口（窓）９３５１は、活性放射線９３０の未照射領域９４０のパターンに沿ってマスクを部分的に除去したものを示したが、前記石英ガラスやＰＥＴ基材等で作製されたフォトマスクを用いる場合、該フォトマスク上に例えばクロム等の金属による遮蔽材で構成された活性放射線９３０の遮蔽部を設けたものを用いることもできる。このマスクでは、遮蔽部以外の部分が前記窓（透過部）となる。
用いる活性放射線９３０は、助触媒に対して、光化学的な反応（変化）を生じさせ得るものであればよく、例えば、可視光、紫外光、赤外光、レーザ光の他、電子線やＸ線等を用いることもできる。
これらの中でも、活性放射線９３０は、助触媒の種類、増感剤を含有する場合には、増感剤の種類等によって適宜選択され、特に限定されないが、波長２００〜４５０ｎｍの範囲にピーク波長を有するものであるのが好ましい。これにより、助触媒を比較的容易に活性化させることができる。
また、活性放射線９３０の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．２〜６Ｊ／ｃｍ２程度であるのがより好ましく、０．２〜３Ｊ／ｃｍ２程度であるのがさらに好ましい。これにより、助触媒を確実に活性化させることができる。
マスク９３５を介して、活性放射線９３０を層９１０に照射すると、活性放射線９３０が照射された照射領域９２５内に存在する助触媒（第１の物質：コカタリスト）は、活性放射線９３０の作用により反応（結合）または分解して、カチオン（プロトンまたは他の陽イオン）と、弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを遊離（発生）する。
そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域９２５内に存在する触媒前駆体（第２の物質：プロカタリスト）の分子構造に変化（分解）を生じさせ、これを活性潜在状態（潜在的活性状態）に変化させる。
ここで、活性潜在状態（または潜在的活性状態）の触媒前駆体とは、本来の活性化温度より活性化温度が低下しているが、温度上昇がないと、すなわち、室温程度では、照射領域９２５内においてモノマーの反応を生じさせることができない状態にある触媒前駆体のことを言う。
したがって、活性放射線９３０照射後においても、例えば−４０℃程度で、層９１０を保管すれば、モノマーの反応を生じさせることなく、その状態を維持することができる。このため、活性放射線９３０照射後の層９１０を複数用意しておき、これらに一括して加熱処理を施すことにより、コア層９３を得ることができ、利便性が高い。
なお、活性放射線９３０として、レーザ光のように指向性の高い光を用いる場合には、マスク９３５の使用を省略してもよい。
［３Ａ］ 次に、層９１０に対して加熱処理（第１の加熱処理）を施す。
これにより、照射領域９２５内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して（活性状態となって）、モノマーの反応（重合反応や架橋反応）が生じる。
そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域９２５内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域９２５と未照射領域９４０との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域９４０からモノマーが拡散（モノマーディフュージョン）して照射領域９２５に集まってくる。
その結果、照射領域９２５では、モノマーやその反応物（重合体、架橋構造や分岐構造）が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになり、第１の屈折率より低い第２の屈折率へと低下する。なお、モノマーの重合体としては、主に付加（共）重合体が生成する。
一方、未照射領域９４０では、当該領域から照射領域９２５にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー９１５の影響が大きく現れるようになり、第１の屈折率より高い第３の屈折率へと上昇する。
このようにして、照射領域９２５と未照射領域９４０との間に屈折率差（第２の屈折率＜第３の屈折率）が生じて、コア部９４（未照射領域９４０）とクラッド部９５（照射領域９２５）とが形成される（図５参照）。
この加熱処理における加熱温度は、特に限定されないが、３０〜８０℃程度であるのが好ましく、４０〜６０℃程度であるのがより好ましい。
また、加熱時間は、照射領域９２５内におけるモノマーの反応がほぼ完了するように設定するのが好ましく、具体的には、０．１〜２時間程度であるのが好ましく、０．１〜１時間程度であるのがより好ましい。
［４Ａ］ 次に、層９１０に対して第２の加熱処理を施す。
これにより、未照射領域９４０および／または照射領域９２５に残存する触媒前駆体を、直接または助触媒の活性化を伴って、活性化させる（活性状態とする）ことにより、各領域９２５、９４０に残存するモノマーを反応させる。
このように、各領域９２５、９４０に残存するモノマーを反応させることにより、得られるコア部９４およびクラッド部９５の安定化を図ることができる。
この第２の加熱処理における加熱温度は、触媒前駆体または助触媒を活性化し得る温度であればよく、特に限定されないが、７０〜１００℃程度であるのが好ましく、８０〜９０℃程度であるのがより好ましい。
また、加熱時間は、０．５〜２時間程度であるのが好ましく、０．５〜１時間程度であるのがより好ましい。
［５Ａ］ 次に、層９１０に対して第３の加熱処理を施す。
これにより、得られるコア層９３に生じる内部応力の低減や、コア部９４およびクラッド部９５の更なる安定化を図ることができる。
この第３の加熱処理における加熱温度は、第２の加熱処理における加熱温度より２０℃以上高く設定するのが好ましく、具体的には、９０〜１８０℃程度であるのが好ましく、１２０〜１６０℃程度であるのがより好ましい。
また、加熱時間は、０．５〜２時間程度であるのが好ましく、０．５〜１時間程度であるのがより好ましい。
以上の工程を経て、コア層９３が得られる。
なお、例えば、第２の加熱処理や第３の加熱処理を施す前の状態で、コア部９４とクラッド部９５との間に十分な屈折率差が得られている場合等には、本工程［５Ａ］や前記工程［４Ａ］を省略してもよい。
［６Ａ］ 次に、支持基板９５２上に、クラッド層９１（９２）を形成する（図６参照）。
クラッド層９１（９２）の形成方法としては、クラッド材を含むワニス（クラッド層形成用材料）を塗布し硬化（固化）させる方法、硬化性を有するモノマー組成物を塗布し硬化（固化）させる方法等、いかなる方法でもよい。
クラッド層９１（９２）を塗布法で形成する場合、例えば、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法等の方法が挙げられる。
支持基板９５２には、支持基板９５１と同様のものを用いることができる。
クラッド層９１（９２）の構成材料としては、ノルボルネン系ポリマーを主とするものが用いられる。ノルボルネン系ポリマーは、耐熱性に優れるため、これをクラッド層９１（９２）の構成材料として使用する光導波路層９０では、光導波路層９０に導体層９０１、９０２を形成する際、導体層９０１、９０２を加工して配線を形成する際、光学素子を実装する等に加熱されたとしても、クラッド層９１（９２）が軟化して、変形するのを防止することができる。
また、高い疎水性を有するため、吸水による寸法変化等を生じ難いクラッド層９１（９２）を得ることができる。
また、ノルボルネン系ポリマーまたはその原料であるノルボルネン系モノマーは、比較的安価であり、入手が容易であることからも好ましい。
さらに、クラッド層９１（９２）の材料として、ノルボルネン系ポリマーを主とするものを用いると、コア層９３の構成材料として好適に用いられる材料と同種となるため、コア層９３との密着性がさらに高いものとなり、クラッド層９１（９２）とコア層９３との間での層間剥離を防止することができる。このようなことから、耐久性に優れた光導波路層９０が得られる。
このようなノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、（１）ノルボルネン型モノマーを付加（共）重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加（共）重合体、（２）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との付加共重合体、（３）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマーとの付加共重合体のような付加重合体、（４）ノルボルネン型モノマーの開環（共）重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（５）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（６）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、または他のモノマーとの開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加したポリマーのような開環重合体が挙げられる。これらの重合体としては、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体等が挙げられる。
これらのノルボルネン系ポリマーは、例えば、開環メタセシス重合（ＲＯＭＰ）、ＲＯＭＰと水素化反応との組み合わせ、ラジカルまたはカチオンによる重合、カチオン性パラジウム重合開始剤を用いた重合、これ以外の重合開始剤（例えば、ニッケルや他の遷移金属の重合開始剤）を用いた重合等、公知のすべての重合方法で得ることができる。
これらの中でも、ノルボルネン系ポリマーとしては、付加（共）重合体が好ましい。このものは、透明性、耐熱性および可撓性に富むことからも好ましい。
また、ノルボルネン系ポリマーは、重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。これにより、クラッド層９１（９２）において、ノルボルネン系ポリマーの少なくとも一部のものの重合性基同士を、直接または架橋剤を介して架橋させることができる。また、重合性基の種類、架橋剤の種類、コア層９３に用いるポリマーの種類等によっては、このノルボルネン系ポリマーとコア層９３に用いるポリマーとを架橋させることもできる。換言すれば、かかるノルボルネン系ポリマーは、その少なくとも一部のものが重合性基において架橋しているのが好ましい。
その結果、クラッド層９１（９２）自体の強度を向上させることや、クラッド層９１（９２）とコア層９３との密着性を向上させることができる。
このような重合性基としては、例えば、エポキシ基、（メタ）アクリル基、アルコキシシリル基等のうちの１種または２種以上の組み合わせが挙げられるが、特に、エポキシ基が好ましい。エポキシ基は、各種重合性基の中でも、反応性が高いことから好ましい。
また、ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。なお、アルキル基は、直鎖状または分岐状のいずれであってもよい。アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、柔軟性が高いため、かかるノルボルネン系ポリマーを用いることにより、光導波路層９０に高いフレキシビリティ（可撓性）を付与することができる。
また、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、前述したような波長領域（特に、８５０ｎｍ付近の波長領域）の光に対する透過率が優れることからも好ましい。
このようなことから、クラッド層９１（９２）に用いるノルボルネン系ポリマーとしては、下記化１９で表されるものが好適である。

［式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、ａは、０〜３の整数を表し、ｂは、１〜３の整数を表し、ｐ／ｑが２０以下である。］
かかるノルボルネン系ポリマーは、前述した特性に加えて、比較的低い屈折率のものであり、かかるノルボルネン系ポリマーを主材料としてクラッド層９１（９２）を構成することにより、光導波路層９０の光伝送性能をより向上させることができる。
なお、化１９で表されるのノルボルネン系ポリマーの中でも、特に、Ｒが炭素数４〜１０のアルキル基であり、ａおよびｂがそれぞれ１である化合物、例えば、ブチルボルネンとメチルグリシジルエーテルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとメチルグリシジルエーテルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとメチルグリシジルエーテルノルボルネンとのコポリマー等が好ましい。
また、ｐ／ｑは、２０以下であればよいが、１５以下であるのが好ましく、０．１〜１０程度がより好ましい。これにより、２種のノルボルネンの繰り返し単位を含む効果が如何なく発揮される。
なお、エポキシ基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーにおいて、エポキシ基同士を直接架橋させるためには、クラッド層形成用材料中に、前述した助触媒と同種の物質（光酸発生剤または光塩基発生剤）を混合しておき、この物質の作用により、エポキシ基を開裂させて架橋させればよい。
また、エポキシ基同士を架橋剤を介して架橋させるためには、さらに、クラッド層形成用材料中に、架橋剤として少なくとも１つのエポキシ基を有する化合物を混合するようにすればよい。
このような架橋剤としては、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（γ−ＧＰＳ）、シリコーンエポキシ樹脂等が好適に用いられる。
このエポキシ基同士の架橋反応は、本工程［６Ａ］の最終段階で行うようにしてもよいし、次工程［７Ａ］において光導波路層９０を得た後に行うようにしてもよい。
また、クラッド層形成用材料中には、各種の添加剤を添加（混合）するようにしてもよい。
例えば、クラッド層形成用材料中には、添加剤として、前記コア層形成用材料で挙げたモノマー、触媒前駆体および助触媒を混合してもよい。これにより、クラッド層９１（９２）中において、前述したのと同様にして、モノマーを反応させて、クラッド層９１（９２）の屈折率を変化させることができる。
また、この場合、クラッド層９１（９２）中において、屈折率の差を設けることが要求されないので、助触媒を省略して、加熱により容易に活性化する触媒前駆体を用いることもできる。
かかる触媒前駆体としては、例えば、［Ｐｄ（ＰＣｙ３）２（Ｏ２ＣＣＨ３）（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、［２−ｍｅｔｈａｌｌｙｌ Ｐｄ（ＰＣｙ３）２］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、［Ｐｄ（ＰＣｙ３）２Ｈ（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、［Ｐｄ（Ｐ（ｉＰｒ）３）２（ＯＣＯＣＨ３）（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が挙げられる。
その他の添加剤としては、前述したような酸化防止剤が挙げられる。酸化防止剤を混合することにより、クラッド材（ノルボルネン系ポリマー）の酸化による劣化を防止することができる。
以上のようにして、支持基板９５２上に、クラッド層９１（９２）が形成される。
［７Ａ］ 次に、支持基板９５１からコア層９３を剥離し、このコア層９３を、クラッド層９１が形成された支持基板９５２と、クラッド層９２が形成された支持基板９５２とで挟持する（図７参照）。
そして、図７中の矢印で示すように、クラッド層９２が形成された支持基板９５２の上面側から加圧し、クラッド層９１、９２とコア層９３とを圧着する。
これにより、クラッド層９１、９２とコア層９３とが接合、一体化される。
また、この圧着作業は、加熱下で行われるのが好ましい。加熱温度は、クラッド層９１、９２やコア層９３の構成材料等により適宜決定されるが、通常は、８０〜２００℃程度が好ましく、１２０〜１８０℃程度がより好ましい。
次いで、クラッド層９１、９２から、それぞれ、支持基板９５２を剥離、除去する。これにより、本発明における光導波路層９０が得られる。
［８Ａ］ 次に、導体回路を形成する場合、光導波路層９０の上面および下面に、それぞれ導体層９０１、９０２を形成する（図８参照）。
各導体層９０１、９０２の形成方法としては、それぞれ、例えば、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法のような化学的気相成膜法（ＣＶＤ法）、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法のような物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法や、ラミネート法による導電性シート材の接合のうちの少なくとも１つを用いることができる。これにより、各導体層９０１、９０２と光導波路層９０との高い密着性が得られる。
以上のようにして、本発明に用いる光導波路構造体９が完成する。上記導体層は片面だけでも良い。
このような光導波路層９０および光導波路構造体９の好ましい例では、コア層９３において、コア部９４が第１のノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド部９５が第１のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第２のノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド層９１、９２が、それぞれ、第１のノルボルネン系材料（コア層９３のコア部９４）より屈折率が低いノルボルネン系ポリマーを主材料として構成される。
そして、第１のノルボルネン系材料と前記第２のノルボルネン系材料とは、いずれも、同一のノルボルネン系ポリマーを含有するが、このノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、互いに屈折率が異なっている。
ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路層９０および光導波路構造体９では、光導波路層９０の高い光伝送性能が得られる。
また、このような構成により、コア部９４とクラッド部９５との間の高い密着性のみならず、コア層９３とクラッド層９１およびクラッド層９２との間の高い密着性が得られ、光導波路層９０および光導波路構造体９に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部９４とクラッド部９５との剥離や、コア層９３とクラッド層９１、９２との層間剥離が生じ難く、コア部９４内やクラッド部９５内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路層９０の光伝送性能が維持される。
さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路層９０（光導波路構造体９）では、耐久性に優れたものとなる。
また、光導波路層９０に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下（劣化）を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層９０１、９０２を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部９４と重なるように、導体層９０１、９０２を形成した場合でも、コア部９４の変質・劣化を防止することができる。
また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部９４を有する光導波路層９０および光導波路構造体９を得ることができる。
＜第２の製造方法＞
次に、光導波路層９０および光導波路構造体９の第２の製造方法について説明する。
以下、第２の製造方法について説明するが、前記第１の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２の製造方法では、コア層形成用材料９００の組成が異なり、それ以外は、前記第１の製造方法と同様である。
すなわち、第２の製造方法で用いられるコア層形成用材料９００は、活性放射線の照射により活性化する離脱剤（物質）と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した離脱剤の作用により、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基（離脱性ぺンダントグループ）とを有するポリマー９１５とを含有している。
離脱剤には、前記第１の製造方法で挙げた助触媒と同様のものを用いることができる。
第２の製造方法において用いられるポリマー９１５としては、前記第１の製造方法で挙げたポリマー９１５が有する置換基を離脱性基で置換したものや、前記第１の製造方法で挙げたポリマー９１５に離脱性基を導入したもの等が挙げられる。
かかるポリマー９１５は、離脱性基の離脱（切断）により、その屈折率が変化（上昇または低下）する。
離脱性基は、カチオン、アニオンまたはフリーラジカルの作用により離脱するもの、すなわち、酸（カチオン）脱離性基、塩基（アニオン）脱離性基、フリーラジカル脱離性基のいずれであってもよいが、好ましくはカチオン（プロトン）の作用により離脱するもの（酸基離脱性基）である。
酸離脱性基としては、その分子構造中に、−Ｏ−構造、−Ｓｉ−アリール構造および−Ｏ−Ｓｉ−構造のうちの少なくとも１つを有するものが好ましい。かかる酸離脱性基は、カチオンの作用により比較的容易に離脱する。
このうち、離脱によりポリマー９１５の屈折率に低下を生じさせる酸離脱性基としては、−Ｓｉ−ジフェニル構造および−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造の少なくとも一方が好ましい。
なお、フリーラジカルの作用により離脱するフリーラジカル脱離性基としては、例えば、末端にアセトフェノン構造を有する置換基等が挙げられる。
また、ポリマー９１５は、前記第１の製造方法で説明したのと同様の理由から、ノルボルネン系ポリマーを用いるのが好ましく、アルキル（特にヘキシル）ノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーを用いるのがより好ましい。
以上のことを考慮した場合、離脱性基の離脱により屈折率が低下するポリマー９１５としては、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランのホモポリマーや、ヘキシルノルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマーが好適に用いられる。
以下では、ポリマー９１５として、離脱性基（特に酸離脱性基）の離脱により屈折率が低下するものを用いる場合を一例に説明する。
すなわち、ここで示す例では、活性放射線９３０の照射領域９２５がクラッド部９５となる。
［１Ｂ］ 前記工程［１Ａ］と同様の工程を行う。
このとき、層（ＰＩＴＤＭの乾燥フィルム）９１０は、第１の屈折率（ＲＩ）を有している。この第１の屈折率は、層９１０中に一様に分散（分布）するポリマー９１５の作用による。
［２Ｂ］ 前記工程［２Ａ］と同様の工程を行う。
マスク９３５を介して、活性放射線９３０を層９１０に照射すると、活性放射線９３０が照射された照射領域９２５内に存在する離脱剤は、活性放射線９３０の作用により反応（結合）または分解して、カチオン（プロトンまたは他の陽イオン）と、弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを遊離（発生）する。
そして、カチオンは、離脱性基そのものを主鎖から離脱させるか、または、離脱性基の分子構造の途中から切断する（フォトブリーチ）。
これにより、照射領域９２５では、未照射領域９４０よりも完全な状態の離脱性基の数が減少し、第１の屈折率より低い第２の屈折率へと低下する。なお、このとき、未照射領域９４０の屈折率は、第１の屈折率が維持される。
このようにして、照射領域９２５と未照射領域９４０との間に屈折率差（第２の屈折率＜第１の屈折率）が生じて、コア部９４（未照射領域９４０）とクラッド部９５（照射領域９２５）とが形成される。
なお、この場合、活性放射線９３０の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．３〜６Ｊ／ｃｍ２程度であるのがより好ましく、０．６〜６Ｊ／ｃｍ２程度であるのがさらに好ましい。これにより、離脱剤を確実に活性化させることができる。
［３Ｂ］ 次に、層９１０に対して加熱処理を施す。
これにより、ポリマー９１５から離脱（切断）された離脱性基が、例えば、照射領域９２５から除去されたり、ポリマー９１５内において再配列または架橋する。
さらに、このとき、クラッド部９５（照射領域９２５）に残存する離脱性基の一部がさらに離脱（切断）すると考えられる。
したがって、このような加熱処理を施すことにより、コア部９４とクラッド部９５との間の屈折率差をより大きくすることができる。
この加熱処理における加熱温度は、特に限定されないが、７０〜１９５℃程度であるのが好ましく、８５〜１５０℃程度であるのがより好ましい。
また、加熱時間は、照射領域９２５から離脱（切断）された離脱性基を十分に除去し得るに設定され、特に限定されないが、０．５〜３時間程度であるのが好ましく、０．５〜２時間程度であるのがより好ましい。
なお、例えば、加熱処理を施す前の状態で、コア部９４とクラッド部９５との間に十分な屈折率差が得られている場合等には、本工程［３Ｂ］を省略してもよい。
また、必要に応じて、１回または複数回の加熱処理（例えば、１５０〜２００℃×１〜８時間程度）の工程を追加することもできる。
以上の工程を経て、コア層９３が得られる。
［４Ｂ］ 前記工程［６Ａ］と同様の工程を行う。
［５Ｂ］ 前記工程［７Ａ］と同様の工程を行う。
［６Ｂ］ 前記工程［８Ａ］と同様の工程を行う。（導体層を形成する場合。）
以上のようにして、本発明に用いる光導波路層９０および光導波路構造体９が完成する。
このような光導波路層９０および光導波路構造体９の好ましい例では、コア層９３がノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド層９１、９２が、それぞれ、コア層９３のコア部９４より屈折率が低いノルボルネン系ポリマーを主材料として構成される。
そして、コア部９４とクラッド部９５とは、主鎖と主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを主材料として構成され、コア部９４とクラッド部９５とは、主鎖に結合した状態の離脱性基の数が異なることにより、それらの屈折率が異なっている。
ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路層９０および光導波路構造体９では、光導波路層９０の高い光伝送性能が得られる。
また、このような構成により、コア部９４とクラッド部９５との間の高い密着性のみならず、コア層９３とクラッド層９１およびクラッド層９２との間の高い密着性が得られ、光導波路層９０および光導波路構造体９に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部９４とクラッド部９５との剥離や、コア層９３とクラッド層９１、９２との層間剥離が生じ難く、コア部９４内やクラッド部９５内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路層９０の光伝送性能が維持される。
さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路層９０（光導波路構造体９）では、耐久性に優れたものとなる。
また、光導波路層９０に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下（劣化）を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層９０１、９０２を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部９４と重なるように、導体層９０１、９０２を形成した場合でも、コア部９４の変質・劣化を防止することができる。
また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部９４を有する光導波路層９０および光導波路構造体９を得ることができる。
特に、第２の製造方法によれば、少なくとも活性放射線を放射すればよく、極めて簡単な処理で、コア層９３を形成することができる。
＜第３の製造方法＞
次に、光導波路層９０および光導波路構造体９の第３の製造方法について説明する。
以下、第３の製造方法について説明するが、前記第１および第２の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第３の製造方法では、コア層形成用材料９００として、第１および第２の製造方法で用いたコア層形成用材料を組み合わせたものを用い、それ以外は、前記第１または第２の製造方法と同様である。
すなわち、第３の製造方法で用いられるコア層形成用材料９００は、前述したような離脱性基を有するポリマー９１５と、モノマーと、助触媒（第１の物質）と、触媒前駆体（第２の物質）とを含有している。また、助触媒は、前記第２の製造方法における離脱剤と同じものであり、離脱剤を離脱させる機能も有する。
このようなコア層形成用材料９００では、選択する離脱性基と、選択するモノマーとの組み合わせにより、得られるコア層９３において、コア部９４とクラッド部９５との間の屈折率差をより多段階に調整することが可能となる。
なお、前述したように、モノマーとして、ポリマー９１５より低い屈折率を有するものを用い、また、触媒前駆体として、活性放射線９３０の照射に伴って活性化温度が低下するものを用い、ポリマー９１５として、離脱性基の離脱により屈折率が低下するものを用いると、照射領域９２５をクラッド部９５とし、コア部９４との屈折率差が極めて大きいコア層９３を得ることができる。
以下では、このような組み合わせのポリマー９１５、モノマーおよび触媒前駆体を用いる場合を一例に説明する。
すなわち、ここで示す例では、活性放射線９３０の照射領域９２５がクラッド部９５となる。
［１Ｃ］ 前記工程［１Ａ］と同様の工程を行う。
このとき、層（ＰＩＴＤＭの乾燥フィルム）９１０は、第１の屈折率（ＲＩ）を有している。この第１の屈折率は、層９１０中に一様に分散（分布）するポリマー９１５およびモノマーの作用による。
［２Ｃ］ 前記工程［２Ａ］と同様の工程を行う。
マスク９３５を介して、活性放射線９３０を層９１０に照射すると、活性放射線９３０が照射された照射領域９２５内に存在する助触媒（第１の物質：コカタリスト）は、活性放射線９３０の作用により反応または分解して、カチオン（プロトンまたは他の陽イオン）と、弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを遊離（発生）する。
そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域９２５内に存在する触媒前駆体（第２の物質：プロカタリスト）の分子構造に変化（分解）を生じさせ、これを活性潜在状態（潜在的活性状態）に変化させる。
また、カチオンは、離脱性基そのものを主鎖から離脱させるか、または、離脱性基の分子構造の途中から切断する。
これにより、照射領域９２５では、未照射領域９４０よりも完全な状態の離脱性基の数が減少し、屈折率が低下して第１の屈折率より低くなる。なお、このとき、未照射領域９４０の屈折率は、第１の屈折率が維持される。
なお、この場合、活性放射線９３０の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．２〜５Ｊ／ｃｍ２程度であるのがより好ましく、０．２〜４Ｊ／ｃｍ２程度であるのがさらに好ましい。これにより、助触媒を確実に活性化させることができる。
［３Ｃ］ 前記工程［３Ａ］と同様の工程を行う。
これにより、照射領域９２５内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して（活性状態となって）、モノマーの反応（重合反応や架橋反応）が生じる。
そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域９２５内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域９２５と未照射領域９４０との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域９４０からモノマーが拡散して照射領域９２５に集まってくる。
また、この加熱処理により、ポリマー９１５から離脱（切断）された離脱性基が、例えば、照射領域９２５から除去されたり、ポリマー９１５内において再配列または架橋する。
その結果、照射領域９２５では、モノマーやその反応物（重合体、架橋構造や分岐構造）が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになること、ポリマー９１５から離脱（切断）された離脱性基が減少すること等により、さらに屈折率が低下して第２の屈折率となる。
一方、未照射領域９４０では、当該領域から照射領域９２５にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー９１５の影響が大きく現れるようになり、第１の屈折率より高い第３の屈折率へと上昇する。
このようにして、照射領域９２５と未照射領域９４０との間に屈折率差（第２の屈折率＜第３の屈折率）が生じて、コア部９４（未照射領域９４０）とクラッド部９５（照射領域９２５）とが形成される。
［４Ｃ］ 前記工程［４Ａ］と同様の工程を行う。
［５Ｃ］ 前記工程［５Ａ］と同様の工程を行う。
［６Ｃ］ 前記工程［６Ａ］と同様の工程を行う。
［７Ｃ］ 前記工程［７Ａ］と同様の工程を行う。
［８Ｃ］ 前記工程［８Ａ］と同様の工程を行う。（導体層を形成する場合。）
以上のようにして、本発明に用いる光導波路層９０および光導波路構造体９が完成する。
このような光導波路層９０および光導波路構造体９の好ましい例では、コア層９３は、主鎖とこの主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを含有しており、コア部９４とクラッド部９５とは、主鎖に結合した状態の離脱性基の数が異なること、および、ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっており、また、クラッド層９１、９２が、それぞれ、コア層９３のコア部９４より屈折率が低いノルボルネン系ポリマーを主材料として構成される。
ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路層９０および光導波路構造体９では、光導波路層９０の高い光伝送性能が得られる。
また、このような構成により、コア部９４とクラッド部９５との間の高い密着性のみならず、コア層９３とクラッド層９１およびクラッド層９２との間の高い密着性が得られ、光導波路層９０および光導波路構造体９に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部９４とクラッド部９５との剥離や、コア層９３とクラッド層９１、９２との層間剥離が生じ難く、コア部９４内やクラッド部９５内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路層９０の光伝送性能が維持される。
さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路層９０（光導波路構造体９）では、耐久性に優れたものとなる。
また、光導波路層９０に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下（劣化）を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層９０１、９０２を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部９４と重なるように、導体層９０１、９０２を形成した場合でも、コア部９４の変質・劣化を防止することができる。
また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部９４を有する光導波路層９０および光導波路構造体９を得ることができる。
特に、第３の製造方法によれば、コア部９４とクラッド部９５との間の屈折率差を多段階に設定することが可能となる。
＜第４の製造方法＞
次に、光導波路層９０および光導波路構造体９の第４の製造方法について説明する。
図９〜図１４は、それぞれ、本発明に用いる光導波路層９０および光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
以下、第４の製造方法について説明するが、前記第１〜第３の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第４の製造方法では、光導波路層９０の形成工程が異なり、それ以外は、前記第１〜第３の製造方法と同様である。
すなわち、コア層形成用材料９００やクラッド層形成用材料には、前記第１〜第３の製造方法で説明したのと同様のものを用いることができる。
なお、以下では、コア層形成用材料として、前記第１の製造方法で挙げたものを用いる場合を代表に説明する。
［１Ｄ］ まず、支持基板１０００上に、クラッド層形成用材料（第１のワニス）を前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第１の層１１１０を形成する（図９参照）。
支持基板１０００には、支持基板９５１と同様のものを用いることができる。
第１の層１１１０の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１５〜６５μｍ程度であるのがさらに好ましい。
［２Ｄ］ 次に、第１の層１１１０上に、コア層形成用材料（第２のワニス）を前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第２の層１１２０を形成する（図１０参照）。
コア層形成用材料は、第１の層１１１０をほぼ完全に乾燥させた後に塗布するようにしてもよいし、第１の層１１１０が乾燥する前に塗布するようにしてもよい。
後者の場合、第１の層１１１０と第２の層１１２０とは、それらの界面において相互に混ざり合った状態となる。この場合、得られた光導波路層９０において、クラッド層９１とコア層９３との密着性の向上を図ることができる。
また、この場合、第１のワニスおよび第２のワニスは、それぞれ、粘度（常温）が好ましくは１００〜１００００ｃＰ程度、より好ましくは１５０〜５０００ｃＰ程度、さらに好ましくは２００〜３５００ｃＰ程度に調製される。これにより、第１の層１１１０と第２の層１１２０とが、それらの界面において必要以上に混ざり合うのを防止することができるとともに、第１の層１１１０および第２の層１１２０の厚さが不均一となるのを防止することができる。
なお、第２のワニスの粘度は、第１のワニスの粘度より高くするのが好ましい。これにより、第１の層１１１０と第２の層１１２０とが、それらの界面において必要以上に混ざり合うのを確実に防止することができる。
第２の層１１２０の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１５〜１２５μｍ程度であるのがより好ましく、２５〜１００μｍ程度であるのがさらに好ましい。
［３Ｄ］ 次に、第２の層１１２０上に、クラッド層形成用材料（第３のワニス）を前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第３の層１１３０を形成する（図１１参照）。
第３の層１１３０は、前記第２の層１１２０と同様にして形成することができる。
第３の層１１３０の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１５〜６５μｍ程度であるのがさらに好ましい。
これにより、積層体２０００が得られる。
［４Ｄ］ 次に、積層体２０００中の溶媒を除去（脱溶媒）する。
脱溶媒の方法としては、例えば、加熱、大気圧または減圧下での放置、不活性ガス等の噴き付け（ブロー）等の方法が挙げられるが、加熱による方法が好ましい。これにより、比較的容易かつ短時間での脱溶媒が可能である。
この加熱の温度は、２５〜６０℃程度であるのが好ましく、３０〜４５℃程度であるのがより好ましい。
また、加熱の時間は、１５〜６０分程度であるのが好ましく、１５〜３０分程度であるのがより好ましい。
［５Ｄ］ 次に、開口（窓）９３５１が形成されたマスク（マスキング）９３５を用意し、このマスク９３５を介して、積層体２０００に対して活性放射線（活性エネルギー光線）９３０を照射する（図１２参照）。
マスク９３５を介して、活性放射線９３０を積層体２０００に照射すると、第２の層１１２０の活性放射線９３０が照射された照射領域９２５内に存在する助触媒（第１の物質：コカタリスト）は、活性放射線９３０の作用により反応または分解して、カチオン（プロトンまたは他の陽イオン）と、弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを遊離（発生）する。
そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域９２５内に存在する触媒前駆体（第２の物質：プロカタリスト）の分子構造に変化（分解）を生じさせ、これを活性潜在状態（潜在的活性状態）に変化させる。
［６Ｄ］ 次に、積層体２０００に対して加熱処理（第１の加熱処理）を施す。
これにより、照射領域９２５内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して（活性状態となって）、モノマーの反応（重合反応や架橋反応）が生じる。
そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域９２５内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域９２５と未照射領域９４０との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域９４０からモノマーが拡散して照射領域９２５に集まってくる。
その結果、照射領域９２５では、モノマーやその反応物（重合体、架橋構造や分岐構造）が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになり、第１の屈折率より低い第２の屈折率へと低下する。
一方、未照射領域９４０では、当該領域から照射領域９２５にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー９１５の影響が大きく現れるようになり、第１の屈折率より高い第３の屈折率へと上昇する。
このようにして、照射領域９２５と未照射領域９４０との間に屈折率差（第２の屈折率＜第３の屈折率）が生じて、コア部９４（未照射領域９４０）とクラッド部９５（照射領域９２５）とが形成される（図１３参照）。
［７Ｄ］ 次に、積層体２０００に対して第２の加熱処理を施す。
これにより、未照射領域９４０および／または照射領域９２５に残存する触媒前駆体を、直接または助触媒の活性化を伴って、活性化させる（活性状態とする）ことにより、各領域９２５、９４０に残存するモノマーを反応させる。
このように、各領域９２５、９４０に残存するモノマーを反応させることにより、得られるコア部９４およびクラッド部９５の安定化を図ることができる。
［８Ｄ］ 次に、積層体２０００に対して第３の加熱処理を施す。
これにより、得られるコア層９３に生じる内部応力の低減や、コア部９４およびクラッド部９５の更なる安定化を図ることができる。
以上の工程を経て、本発明の光導波路層９０が得られる。
［９Ｄ］ 次に、光導波路層９０の上面および下面に、それぞれ導体層９０１、９０２を形成する（図１４参照）。（導体層を形成する場合。）
これは、前記工程［８Ａ］と同様にして行うことができる。
以上のようにして、本発明に用いる光導波路層９０および光導波路構造体９が完成する。
かかる方法では、第１の加熱処理の後、積層体２０００内にコア部９４が目視で確認することができるようになる。
また、第１のワニスおよび第３のワニスとして、第２のワニスと同様の組成、すなわち、ポリマー９１５、モノマー、助触媒および触媒前駆体を含有するものを用いるようにしてもよい。これにより、モノマーの反応が、第１の層１１１０および第３の層１１３０と、第２の層１１２０の界面、および／または、かかる界面を越えて第１の層１１１０および第３の層１１３０内で生じて、クラッド層９１、９２とコア層９３との剥離をより確実に防止することができる。
また、この場合、例えば、Ｉ：第１の層１１１０および第３の層１１３０のポリマー９１５として、第２の層１１２０のポリマー９１５の屈折率より相対的に低い屈折率（ＲＩ）のものを選択したり、II：第１の層１１１０および第３の層１１３０のモノマーとして、第２の層１１２０のモノマーと同じものを用いるが、第１の層１１１０および第３の層１１３０における触媒前駆体およびモノマーの比率を、第２の層１１２０のそれより低くなるように調節するようにしたりすればよい。
これにより、活性放射線９３０を照射しても、クラッド層９１、９２内に、コア層９３のコア部９４より高い屈折率を有する領域が形成されるのを防止することができる。
なお、コア層形成用材料（第２のワニス）として、離脱性基を有するポリマー９１５を含有するものを用いる場合、クラッド層形成用材料（第１のワニス、第３のワニス）としては、脱離性基を有しないポリマー９１５を用いて調製したものを用いるか、離脱性基を有するポリマー９１５を用いるが、離脱剤を含有しないものを用いるようにすればよい。
これにより、第１の層１１１０および第３の層１１３０において、ポリマー９１５から離脱性基が離脱（分解）することを防止することができる。
また、第４の製造方法では、第１のワニスおよび第３のワニスには、末端にエポキシ構造を含む置換基を有するノルボルネン系ポリマーと、助触媒とを含むものを用いるのが好ましい。これにより、コア部９４およびクラッド部９５を形成する際に、エポキシ構造が開裂し、コア層９３のポリマー９１５との反応（重合）を生じるようになる。その結果、クラッド層９１、９２のコア層９３に対する密着性の向上を図ることができる。
このようなノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）とノルボルネンメチルグリシジルエーテル（ＡＧＥＮＢ）との共重合体等が挙げられる。
また、この場合、助触媒には、コア層９３を形成する際には、活性化しないものを選択するようにしてもよい。例えば、第２のワニスが含有する助触媒の活性化に適した活性放射線を吸収しないか、または、活性放射線に代わって熱の作用により活性化される助触媒を選択するようにすればよい。
このような助触媒としては、例えば、非吸収性光塩基発生剤（ＰＢＧ）や熱塩基発生剤（ＴＢＧ）等が挙げられる。
以上の説明したような光導波路層９０および光導波路構造体９は、活性放射線の照射という簡単な方法でコア部９４のパターニングをすることができ、コア部（光回路）９４のパターン形状の設計の自由度が広く、しかも寸法精度の高いコア部９４が得られる。
また、予め導体層９０１、９０２が形成されているため、素子への配線（電気回路の形成）が容易であるとともに、素子の種類（端子の設置箇所）等に係わらずそれに適した配線が可能であり、配線回路の構成の自由度（例えば、端子の設置箇所の選択の自由度）が広く、汎用性に富む。
そして、光導波路構造体９は、配線（電気回路）およびコア部（光回路）９４の双方を高い配設密度で形成することができるため、光および電気の混成回路において、効率の良い回路設計が可能となるとともに、さらなる回路の集積化が可能となる。
このような光導波路構造体９は、光回路（光導波路のパターン）や電気回路の設計の幅が広く、歩留まりが良く、光伝送性能を高く維持し、信頼性、耐久性に優れ、汎用性に富むため、種々の電子部品、電子機器等に対し用いることができる。
なお、前記第１〜第４の製造方法では、いずれも、支持基板９５１、９５２、１０００を除去するものとして説明したが、これらを導電性材料で構成し、除去することなく、そのまま導体層９０１、９０２として用いるようにしてもよい。光導波路層上に、導体回路を形成する場合、導体回路を形成する面側の支持基板を導体層として用い、これを所望のパターンにエッチングすることにより、導体回路を形成できる。
また、必要に応じて、クラッド層９１、９２のうちのいずれか一方または双方を省略してもよい。
また、コア層９３の形成方法も、前述した方法に限定されるものでないことは、言うまでもない。
また、光導波路層９０は、図示の構成に限定されず、例えば、２つのクラッド層の間に、複数層のコア層が積層して設けられるような構成であってもよく、クラッド層とコア層とを順に積層して構成したものであってもよく、２つのクラッド層の間に１つのコア層が設けられた積層体を、複数層積層して構成したもの等であってもよい。
また、コア部９４の途中には、その光路、すなわち、コア部９４の長手方向に対しほぼ４５°傾斜する傾斜面（反射面）を形成してもよい。これにより、コア部９４を伝播する光（伝送光）を、この傾斜面において、ほぼ９０°屈曲させることができる。
そして、この傾斜面の方向を適宜設定することにより、伝送光の光路を、コア層９０内（２次元方向）のみならず、光導波路層９０の厚さ方向も含めた３次元方向に変更することが可能となる。
これらにより、前記コア部の光路を、光素子の受発光部に向けて、屈曲させる光路変換部を設けることができる。
また、前記光路変換部は、前記コネクタに固定される光回路基板端部領域のコア部途中に設けられたものであることが好ましい。
この傾斜面は、コア部９４を、例えば切断、除去（欠損）等することにより形成することができる。なお、傾斜面には、例えば多層光学薄膜や金属薄膜（例えばアルミ蒸着膜）のような反射膜あるいは反射増加膜を形成するようにしてもよい。
ここで、前記光回路基板において、固定用ガイドに相対するアライメント用穴を設ける方法としては、例えば、エキシマレーザーを用いたアブレーションによる方法、ＮＣドリルを用いた精密穴あけ方法などが挙げられる。前記アライメント用穴の大きさとしては、径で、例えば５００〜７００μｍなどが挙げられ、その誤差としては±０．５〜０．８μｍ程度が好ましい。
次に、配線部品について説明する。
本発明に用いる配線部品としては、絶縁層と回路層とを有する回路基板が挙げられ、これを複数重ね合わせた多層回路基板で有ってもよく、リジッド回路基板及びフレキシブル回路基板などを用いることができる。その中でも特に数ＧＨｚ以上の極高周波で電子部品を駆動する必要がある場合などは、高周波回路基板を用いることが好ましい。配線部品に光素子を搭載する場合は、コネクタ搭載部が設けられるが、このコネクタ搭載部には、光電変換を行って光の送受信を行うための光素子搭載用スペースが設けられており、その搭載位置は前記反射面を経由して光素子が受発光する光の損失が最も小さくなるように、精度よくアライメントされているものが好ましい。また、コネクタに光素子を搭載する場合は、光素子の電極と配線部品の電気回路などの導電部材との電気導通をはかるための搭載部パッドが設けられる。前記配線部品には、駆動素子が搭載され、さらには、電子部品が搭載されていても良い。また、前記配線部品としては、半導体素子の基板、コネクタなどの部品であっても良い。更には、前記配線部品としては、コンピューター、液晶ディスプレー、ゲーム機、カーナビゲーションシステム及び携帯電話などの電子機器用配線部品を用いることができる。
図２３は、本発明に用いる配線部品の一例を示す断面図である。
図２３（ａ）に示すように、配線部品６０１は、絶縁層を有するコア基板６０２に、ドリル機で開口された開口部６０３が形成されている。また、コア基板６０２の両表面には導体回路６０４が形成されている。
このとき、導体回路６０４には、光素子を搭載する際に、光素子の電極と配線部品の電気回路などの導電部材との電気導通をはかるための搭載部となるパッドが設けられている。配線部品の両面に、光回路基板を介して、光素子を搭載する場合は、配線部品の両面の導体回路に、上記パッドを設ければ良い。

また、開口部６０３の内部はメッキ処理されており、コア基板６０２の両表面の導体回路６０４が導通されている。
前記絶縁層としては、例えば、シアネート樹脂、環状オレフィン系樹脂、フェノール樹脂及びエポキシ樹脂などの絶縁樹脂を用いた樹脂組成物より構成されるものを挙げることができる。特に、光素子を搭載する際に、寸法変化を小さくする上では、高耐熱性及び低線膨張率などの特性を有するシアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーと、エポキシ樹脂を含有する樹脂組成物を用いることが好ましい。
このような配線板を製造する方法としては、図２３を用いて説明すると、例えば、コア基板（例えばＦＲ−４の両面銅箔）６０２に、ドリル機で開孔して開口部６０３を設けた後、無電解めっきにより、開口部６０３にメッキ処理を行い、コア基板６０２の両面の導通を図る。そして、前記銅箔をエッチングすることにより、光素子の導電部材と配線部品の導電部材との電気導通をはかるための搭載部となるパッドを含む導体回路６０４を形成する（図２３（ａ））。
上記パッドは、その表面に、電気メッキなどにより、金皮膜６０５を形成することが好ましく（図２３（ｂ））、金属の拡散防止層としてニッケルなどを電解メッキで形成してから金皮膜を形成しても良い。
導体回路６０４の材質としては、この製造方法に適するものであれば、どのようなものでも良いが、導体回路の形成において、エッチングや剥離などの方法により除去可能であることが好ましく、前記エッチングにおいては、これに使用される薬液などに耐性を有するものが好ましい。そのような導体回路６０４の材質としては、例えば、銅、銅合金、４２合金及びニッケル等が挙げられる。特に、銅箔、銅板及び銅合金板は、電解めっき品や圧延品を選択できるだけでなく、様々な厚みのものを容易に入手できるため、導体回路６０４として使用するのに最も好ましい。
次に、光素子について説明する。
本発明における光素子としては、受光素子及び発光素子などが挙げられる。
本発明に用いる光素子としては、その電極上に、金属突起部（バンプ）７０２を有するものを用いることができる（図２４（ａ））。金属突起部７０２の材質としては、金、銅、半田などが挙げられるが、金属接合方法により選択さる。
前記光素子７０１について、図２４を用いて詳細な例を説明すると、例えば、単一の受光部又は発光部を有する光素子では、受／発光部７０３側に、信号線接続用電極上に設けた金属突起部（導電部材）７０２ａと、グラウンド接続用電極上に設けた金属突起部７０２ｂと、位置決め固定用金属突起部７０２ｃとを有するものが挙げられる（図２４（ａ）、三方向より示す図。）。前記位置決め固定用突起部は、一つ設けることにより、光素子の位置決め及び固定が確実なものとなり、複数設けることもできる。また、光素子は、受光部又は発光部が複数有するものであっても良く、例えば、上記単一の受光部又は発光部を有する光素子が４つ並列したものであってもよい（図２４（ｂ））。前記受光部又は発光部が複数有する光素子は、光回路基板において、コア部を複数有するものに用いられ、コア部の数に応じて、受光部又は発光部の数も決定される。
金属突起部の大きさとしては、前記配線部品のパッドと、十分に金属接合できる程度の大きさを有していれば良い。金属突起部を複数有する場合、前記金属突起部間のピッチは、前記光素子の導電部材間のピッチに相当し、一般的には、１２５μｍ又は２５０μｍであるが、数十μｍ程度であっても良い。
次に、本発明の光配線部品および光素子実装部品について、説明する。
本発明の光素子実装部品の第１の態様としては、光回路基板と、前記光回路基板を接続するコネクタと、を含んで構成される光配線部品を用い、これと、光素子と、配線部品と、を含んで構成されるものである。
前記光配線部品における前記光回路基板としては、少なくとも上記で得られた光導波路層より構成されるものである。また、前記光導波路層上に導体回路を有していても良く、この場合、上記で得られた光導波路構造体を用いることができ、導体回路を形成する面側に、導体層を有する光導波路構造体において、前記導体層を所望のパターンにエッチングして導体回路を設けることができる。
前記光回路基板において、前記光路変換部は、前記コネクタに固定される光回路基板端部領域のコア部途中に設けられたものを用いることができ、この場合、前記光導波路層または光導波路構造体の製造において、コア部途中に、コア部の長手方向に対し傾斜面（反射面）を形成したものを用いれば良い。
また、前記光回路基板において、前記光路変換部をコア部途中に設けない場合は、前記光導波路層または光導波路構造体の製造において、コア部端部を、例えば切断等することにより傾斜面を形成したものを用いることができる。
第１の態様におけるコネクタは、前記光回路基板の端部を配線部品上に固定し、前記光回路基板のコア部の光路を、配線部品に搭載された光素子の受／発光部に向かうように、前記光回路基板を設置するものである。
前記コネクタの例としては、光回路基板１０２の先端部が挿入され、光回路基板先端部または先端部付近のコア部１０５に設けられた光路変換部１０９が、コア部の光路が、光素子１１１の受／発光部１１２に向かうように位置あわせされ、前記光回路基板１０２と前記受／発光部１１２と光接続されるようになっており、前記配線部品に設けられたコネクタ搭載部１１４にあうように凹部などが設けられていても良い（図１５）。
また、光回路基板先端部または先端部付近のコア部に光路変換部が設けられていない光回路基板を用いる場合は、コア部１０５の光路が、光素子の受／発光部に向かうように、コネクタ１１３内部に光路変換部１０９が設けられていても良い（図２１）。
前記コネクタの第２の例としては、光ファイバ孔１０４を有する多心光コネクタ１０１を用いることができる。前記多心光コネクタは、光ファイバガイド孔が複数段形成された多次元配列のものであり、例えば、上記で挙げたように、光ファイバ孔の配列が、８心×２段、１２心×２段、１２心×５段、１６心×５段などが挙げられる。
本発明の光素子実装部品の第１の態様における第１の例としては、前記コネクタの第１の例において、前記コネクタに固定される光回路基板端部領域のコア部途中に光路変換部を設けられた前記光回路基板の端部を、光素子の受／発光部に光路が合うように第１のコネクタの所定の位置に配置し、また前記光回路基板の他端部も同様にして、第２のコネクタに配置することにより、第１の光配線部品を製造することができる。
次いで、駆動素子１１５と、光素子１１１が所定の位置に搭載された配線部品１１６を用意し、第１の光配線部品１１７における第１のコネクタ１１３の光回路基板１０２における光路変換部（図示せず。）と、光素子１１１の受／発光部１１２の位置を合わせて、第１のコネクタ１１３を前記配線部品１１６の搭載部１１４に搭載し、さらに、同様にして、第２のコネクタをもうひとつの配線部品の所定の位置に搭載して、光素子実装部品を得ることができる（図１５）。
本発明の光素子実装部品の第１の態様における第２の例としては、前記コネクタの第１の例において、コア部１０５端部に傾斜面（光路変換部１０９）を設けた前記光回路基板１０２の端部を、光素子の受／発光部に光路が合うように第１のコネクタ１１３の所定の位置に配置し、また前記光回路基板の他端部も同様にして、第２のコネクタに配置することにより、第２の光配線部品を製造することができる（図１６）。
ここで、端部の一方がコア部途中に光路変換部が設けられ、端部の他方がコア部端部に傾斜面（光路変換部）を設けた前記光回路基板であっても良い。
次いで、駆動素子と、光素子が所定の位置に搭載された配線部品を用意し、第２の光配線部品における第１のコネクタの光回路基板における光路変換部と、光素子の受発光部の位置を合わせて、第１のコネクタを前記配線部品の搭載部に搭載し、さらに、同様にして、第２のコネクタをもうひとつの配線部品の所定の位置に搭載して、光素子実装部品を得ることができる（図１５）。
本発明の光素子実装部品の第１の態様における第３の例としては、前記コネクタの第１の例において、光回路基板１０２端部領域に光路変換部を設けられていなく、コア部１０５端部が露出した前記光回路基板１０２の端部を、光路変化部１０９が設けられたコネクタ１１３の光路変換部と、前記コア部端部とを、位置あわせして、第１のコネクタ１１３の所定の位置に配置し、また前記光回路基板の他端部も同様にして、第２のコネクタに配置することにより、第３の光配線部品を製造することができる（図２１）。
次いで、光素子が所定の位置に搭載された配線部品を用意し、第３の光配線部品における第１のコネクタにおける光路変換部と、光素子の受発光部の位置を合わせて、第１のコネクタを前記配線部品の搭載部に搭載し、さらに、同様にして、第２のコネクタをもうひとつの配線部品の所定の位置に搭載して、光素子実装部品を得ることができる（図１５）。
本発明の光素子実装部品の第１の態様における第４の例としては、前記コネクタの第２の例において、前記千鳥構造端部１０３を有する光回路基板１０２を、前記コア部１０５の光路変換部と、前記多心光コネクタ１０１の光ファイバ穴１０４に相対するように配置し、コネクタの固定用ガイド１０６にあわせ、固定用カバー（図示せず。）を固定し、第４の光配線部品を製造することができる（図１７）。
図１７は、千鳥構造端部を有する光回路基板１０２の光導波路層のコア部１０５の端部に、光路変換部１０９を設けた例であり、それぞれの光路変換部１０９と光ファイバ穴１０４とを位置あわせして、組み立てた例である。
前記組み立ての方法としては、例えば、上記で得た光回路基板と、多心光コネクタとを、前記光回路基板の光路変換部をコア部の光路が、前記多心光コネクタの光ファイバ穴に向かうように、位置あわせして重ね合わせ、次いで、光回路基板の上部に固定用カバー（図示せず）を重ね合わせて、光回路基板を挟持して固定することができる。
このとき、固定用ガイドに相対するアライメント用穴１１９を設けた前記光回路基板（図２８）を用いることにより、アライメント用穴と固定用ガイドを容易に嵌合させることにができ、光回路基板の光路変換部と光ファイバ穴を精度よく受動的に嵌合させることが可能となる。
また、前記固定用カバーとしては、前記アライメント用穴に相対する位置に、アライメント用穴またはガイドピンを備える、平板やコネクタフェルールなどを用いることができる。
上記のようにして組み立てた光配線部品は、光ファイバ穴１０４に光ファイバ１１０が挿入され、光導波路の光路と光ファイバが光接続された構造とすることができる（図１９）。前記第４の光配線部品は、配線部品上の所定の位置に配置され、前記光ファイバ他端部は、配線部品上の光素子の受／発光部に合うように配置されて、光素子実装部品を得ることができる。
上記例（図１９）においては、光路変換部１０９と光ファイバ１１０とが光ファイバ穴１０４により光接続された例を示したが、光ファイバ穴１０４をガイドとして、光ファイバ１１０を更に挿入し、光路変換部１０９と光ファイバ１１０とを直接光接続することができる（図２６）。）このようにするとにより、光損失の少ない効率的な光ファイバと導波路の接合が可能となり、また、千鳥構造によって更に省スペース化が可能となる。
これらの組み立てにおいても、固定用ガイド１０６に相対するアライメント用穴１１９を有する光回路基板を用いることにより、前記アライメント用穴１１９および固定用ガイド１０６にガイドピンを挿入することにより、位置あわせが容易なものとなり、また、さらには前記固定用カバー（図示せず。）においても、固定用ガイドに相対する位置にアライメント用穴１１９を設けておくことにより、前記固定用カバーのアライメント用穴１１９、前記光導波路構造体のアライメント穴１１９および前記多心光コネクタの固定用ガイド１０６にガイドピンを挿入することにより位置あわせが容易なものとなる。
また、上記光配線部品は、光ファイバを用いず、直接、発光素子及び受光素子などの光素子と光接続するようにすることもでき、例えば、光ファイバ穴１０４に光ファイバ１１０を挿入せず、前記光ファイバ穴１０４において、光路変換部１０９を設けられた側とは反対側に、配線部品上の光素子１１１を配置した構造（図２０）として、光素子実装部品を得ることもできる。このとき、前記光ファイバ穴１０４を介して、光導波路の光路が、光素子の受／発光部１１２に伝送されるように配置される。
この構造の組み立ての方法としては、電気回路基板などの基板に光素子１１１を配置した基板を用意し、前記同様にして、光回路基板１０２と、多心光コネクタ１０１とを、位置あわせして重ね合わせ、さらに、多心光コネクタ１０１の光ファイバ穴１０４における光路が、前記光素子の受／発光部１１２に向かうように位置あわせして重ね合わせて、光回路基板の上部に固定用カバー（図示せず）を重ね合わせて、光回路基板１０２と多心光コネクタ１０１を挟持して固定することができる。
また、前記光配線部品は、前記コア部の光路が、前記光路変換部より光素子の受／発光部に直接光接続することもでき、具体的な構造の例としては、受／発光部が複数段に形成された光素子として、受／発光部１１２が一段配列された光素子１１１を、電気回路基板などの基板に、二つ配列し（二つ以上であっても良い。）、前記受／発光部１１２に、光回路基板１０２の光路変換部１０９が配置された構造とすることができる（図２７）。
この構造の組み立て方法としては、上記で得た光回路基板、電気回路基板などの基板１２０に少なくとも受／発光部１１２を露出して搭載した基板、および固定用カバー１２１を用意する。次いで、前記光回路基板の光路変換部をコア部の光路が、前記受／発光部１１２に向かうように、位置あわせして重ね合わせ、さらに固定用カバー１２１を重ね合わせて、光回路基板１０２を挟持して固定することができる。このとき、前記光回路基板１０２、前記基板１２０および前記固定用カバー１２１に、アライメント用穴を所定の位置に設けておくと、上記同様にガイドピンを用いて、位置あわせが容易なものとなる。
本発明の光素子実装部品の第２の態様としては、光回路基板と、前記光回路基板を接続し、前記コア部の光路を受発光可能な位置に、受／発光部を有する光素子が搭載され、前記光素子は、前記光回路基板のコア部の光路と、前記受／発光部とが光接続される位置に搭載されたコネクタと、を含んで構成され、前記光配線部品に搭載された光素子は、前記配線部品と電気的に接続されるものである。
第２の態様における光回路基板としては、第１の態様に用いたものと同様のものを用いることができる。
第２の態様におけるコネクタは、前記光回路基板の端部を配線部品上に固定し、前記光回路基板のコア部の光路を、該コネクタに搭載された光素子の受／発光部に向かうように、前記光回路基板を設置するものである。
前記コネクタの例としては、光回路基板１０２の先端部が挿入され、光回路基板先端部または先端部付近のコア部に設けられた光路変換部１０９が、コア部１０５の光路が、コネクタ１１３に搭載された光素子１１１の受／発光部１１２に向かうように位置あわせされ、前記光回路基板と前記受／発光部と光接続されるようになっており、また、コネクタは、前記配線部品に設けられたコネクタ搭載部にあうように凹部などが設けられていても良い（図２２）。図面においては、上側に光素子が搭載されているが、下側（配線部品側）に搭載されていても良い。このとき、光路変換部より光素子側の部分は中空構造１１８として良い。
本発明の光素子実装部品の第２の態様における第１の例としては、前記コネクタに固定される光回路基板端部領域のコア部途中に光路変換部を設けられた前記光回路基板の端部を、光素子の受発光部に光路が合うように第１のコネクタの所定の位置に配置するとともに、光素子を前記コネクタの搭載部に搭載し、また前記光回路基板の他端部も同様にして、第２のコネクタに設置することにより、第１の光配線部品を製造することができる。
次いで、光素子が所定の位置に搭載された第１の光配線部品における第１のコネクタの端子を、配線部品の端子接合部と接合して、第１のコネクタを前記配線部品の搭載部に搭載し、さらに、同様にして、第２のコネクタをもうひとつの配線部品の所定の位置に搭載して、光素子実装部品を得ることができる。
本発明の光素子実装部品の第２の態様における第２の例としては、コア部端部に傾斜面（光路変換部）を設けた前記光回路基板の端部を、光素子の受発光部に光路が合うように第１のコネクタの所定の位置に配置するとともに、光素子を前記コネクタの搭載部に搭載し、また前記光回路基板の他端部も同様にして、第２のコネクタに設置することにより、第２の光配線部品を製造することができる。
ここで、端部の一方がコア部途中に光路変換部が設けられ、端部の他方がコア部端部に傾斜面（光路変換部）を設けた前記光回路基板であっても良い。
次いで、光素子が所定の位置に搭載された第１の光配線部品における第１のコネクタの端子を、配線部品の端子接合部と接合して、第１のコネクタを前記配線部品の搭載部に搭載し、さらに、同様にして、第２のコネクタをもうひとつの配線部品の所定の位置に搭載して、光素子実装部品を得ることができる。
本発明の光素子実装部品の第２の態様における第３の例としては、光回路基板端部領域に光路変換部を設けられていなく、コア部端部が露出した前記光回路基板の端部を、光路変化部が設けられたコネクタの光路変換部と、前記コア部端部とを、位置あわせして、第１のコネクタの所定の位置に配置するとともに、光素子を前記コネクタの搭載部に搭載し、また前記光回路基板の他端部も同様にして、第２のコネクタに設置することにより、第３の光配線部品を製造することができる。
次いで、光素子が所定の位置に搭載された第１の光配線部品における第１のコネクタの端子を、配線部品の端子接合部と接合して、第１のコネクタを前記配線部品の搭載部に搭載し、さらに、同様にして、第２のコネクタをもうひとつの配線部品の所定の位置に搭載して、光素子実装部品を得ることができる。
さらには、本発明の光配線部品において、光回路基板の一端が、上記いずれかの構造のコネクタ１１３を用い、他端には、上記における同じかまたは異なるコネクタと接続されていても良い。また、図１８に示すように、光回路基板に分岐部１０８を設けて、他のコネクタに接続された構造とすることができる。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれになんら限定されない。
なお、以下では、ヘキシルノルボルネン（ＣＡＳ番号第２２０９４−８３−３番）を「ＨｘＮＢ」と、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン（ＣＡＳ番号第３７６６３４−３４−３番）を「ｄｉＰｈＮＢ」と、フェニルエチルノルボルネン（ＣＡＳ番号第２９４１５−０９−６番）を「ＰＥＮＢ」と、ブチルノルボルネン（ＣＡＳ番号第２２０９４−８１−１番）を「ＢｕＮＢ」と、デシルノルボルネン（ＣＡＳ番号第２２０９４−８５−５番）を「ＤｅＮＢ」と、ベンジルノルボルネン（ＣＡＳ番号第２６５９８９−７３−９番）を「ＢｚＮＢ」と、メチルグリシジルエーテルノルボルネン（ＣＡＳ番号第３１８８−７５−８番）を「ＡＧＥＮＢ」と、ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン（ＣＡＳ番号第６８２４５−１９−２番）を「ＴＭＳＥＮＢ」と、トリエトキシシリルノルボルネン（ＣＡＳ番号第１８４０１−４３−９番）を「ＴＥＳＮＢ」と、トリメトキシシリルノルボルネン（ＣＡＳ番号第７５３８−４６−７番）を「ＴＭＳＮＢ」と、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シラン（ＣＡＳ番号第３７６６０９−８７−９番）を「ＳｉＸ」と、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス［２−（５−ノルボルネン−２−イル）エチル］ジシロキサン（ＣＡＳ番号第１９８５７０−３９−７番）を「Ｓｉ２Ｘ」と、それぞれ略すことがある。
１．ポリマーの合成およびポリマー溶液の調製
以下に示すようにして、各ポリマーＰ１〜５を合成し、その溶液を調整した。
＜＜ポリマーＰ１：ブチルノルボルネン（ＢｕＮＢ）／メチルグリシジルエーテルノルボルネン（ＡＧＥＮＢ）コポリマーの合成およびポリマーＰ１溶液の調製＞＞
ＢｕＮＢ（１０．５２ｇ，０．０７ｍｏｌ）、ＡＧＥＮＢ（５．４１ｇ，０．０３ｍｏｌ）、および、トルエン（５８．０ｇ）を、シーラムボトルで混合し、オイルバス中８０℃に加熱して混合溶液を得た。
次いで、この溶液に、（η６−トルエン）Ｎｉ（Ｃ６Ｆ５）２（０．６９ｇ，０．００１４ｍｏｌ）のトルエン溶液（５ｇ）を加えた。
添加後、得られた溶液を室温で４時間維持した。次いで、トルエン溶液（８７．０ｇ）を反応溶液に加え、勢いよく攪拌した反応混合物に、メタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。
沈殿した共重合体をろ過して集め、６０℃のオーブン中、真空雰囲気で乾燥させた。乾燥後の重量は１２．７４ｇであった（収率：８０％）。
上記で得た共重合体の分子量を、ＴＨＦ溶媒でＧＰＣ法（ゲル浸透クロマトグラフィー法）により測定すると（ポリスチレン換算）、Ｍｗ＝３２０，０００およびＭｎ＝１３０，０００であった。
共重合体の組成を、１Ｈ−ＮＭＲにより測定すると、７８／２２＝ＢｕＮＢ／ＡＧＥＮＢコポリマーであった。
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長６３３ｎｍで、ＴＥモードで１．５１６２であり、ＴＭモードで１．５１５７であった。
そして、乾燥させた共重合体をトルエンに溶解して３０ｗｔ％のポリマーＰ１溶液とした。
＜＜ポリマーＰ２：ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）／メチルグリシジルエーテルノルボルネン（ＡＧＥＮＢ）コポリマーの合成およびポリマーＰ２溶液の調製＞＞
ＨｘＮＢ（１２．４８ｇ，０．０７ｍｏｌ）、ＡＧＥＮＢ（５．４１ｇ，０．０３ｍｏｌ）、および、トルエン（５８．０ｇ）を、ドライボックス内のシーラムボトルに加え、この溶液を８０℃のオイルバス中で攪拌した。
次いで、この溶液に、（η６−トルエン）Ｎｉ（Ｃ６Ｆ５）２（０．６９ｇ，０．００１４ｍｏｌ）のトルエン溶液（５ｇ）を加えた。
添加後、得られた混合物を室温で４時間維持した。次いで、トルエン溶液（８７．０ｇ）を反応溶液に加え、勢いよく攪拌した反応混合物に、メタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。
沈殿した共重合体をろ過して集め、６０℃のオーブンで、真空で乾燥させた。乾燥後の重量は１３．７８ｇであった（収率：７７％）。
上記で得た共重合体の分子量を、ＴＨＦ溶媒でＧＰＣ法により測定すると（ポリスチレン換算）、Ｍｗ＝１５０，０００およびＭｎ＝７６，０００であった。
共重合体の組成を、１Ｈ−ＮＭＲにより測定すると、７９／２１＝ＨｘＮＢ／ＡＧＥＮＢコポリマーであった。
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長６３３ｎｍで、ＴＥモードで１．５１５９であり、ＴＭモードで１．５１５３であった。
そして、乾燥させた共重合体をトルエンに溶解して３０ｗｔ％のポリマーＰ２溶液とした。
＜＜ポリマーＰ３：デシルノルボルネン（ＤｅＮＢ）／メチルグリシジルエーテルノルボルネン（ＡＧＥＮＢ）コポリマーの合成およびポリマーＰ３溶液の調製＞＞
ＤｅＮＢ（１６．４ｇ，０．０７ｍｏｌ）、ＡＧＥＮＢ（５．４１ｇ，０．０３ｍｏｌ）、および、トルエン（５８．０ｇ）を、ドライボックス内のシーラムボトルに加え、この溶液を８０℃のオイルバス中で攪拌した。
次いで、この溶液に、（η６−トルエン）Ｎｉ（Ｃ６Ｆ５）２（０．６９ｇ，０．００１４ｍｏｌ）のトルエン溶液（５ｇ）を加えた。
添加後、得られた混合物を室温で４時間維持した。次いで、トルエン溶液（８７．０ｇ）を反応溶液に加え、勢いよく攪拌した反応混合物に、メタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。
沈殿した共重合体をろ過して集め、６０℃のオーブン中、真空雰囲気で乾燥させた。乾燥後の重量は１７．００ｇであった（収率：８７％）。
上記で得た共重合体の分子量を、ＴＨＦ溶媒でＧＰＣ法で測定すると（ポリスチレン換算）、Ｍｗ＝４５，０００およびＭｎ＝２６，０００であった。
共重合体の組成を、１Ｈ−ＮＭＲにより測定すると、７７／２３＝ＤｅＮＢ／ＡＧＥＮＢコポリマーであった。
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長６３３ｎｍで、ＴＥモードで１．５１５３であり、ＴＭモードで１．５１５１であった。
そして、乾燥させた共重合体をトルエンに溶解して３０ｗｔ％のポリマーＰ３溶液とした。
＜＜ポリマーＰ４：ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）／ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン（ｄｉＰｈＮＢ）コポリマーの合成およびポリマーＰ４溶液の調製＞＞
ＨｘＮＢ（８．９４ｇ，０．０５０ｍｏｌ）、ｄｉＰｈＮＢ（１６．１ｇ，０．０５０ｍｏｌ）、１−ヘキセン（２．９５ｇ，０．０３５ｍｏｌ）、および、トルエン（１４２ｇ）を秤量し、２５０ｍＬのシーラムボトルに入れて、オイルバスで８０℃に加熱し混合溶液を得た。
次いで、この溶液に、［Ｐｄ（ＰＣｙ３）２（Ｏ２ＣＣＨ３）（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（以下、「Ｐｄ１４４６」と略す。）（５．８×１０−３ｇ，４．０×１０−６ｍｏｌ）、および、Ｎ，Ｎ−ジメルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（以下、「ＤＡＮＦＡＢＡ」と略す。）（３．２×１０−３ｇ，４．０×１０−６ｍｏｌ）を添加した。
なお、このとき、上記ノルボルネンモノマー／Ｐｄ１４４６／ＤＡＮＦＡＢＡの比率は、モル比で２５０００／１／１であった。
混合物を８０℃で７時間維持し、その後、２０ｍＬのアセトニトリルを加えてＰｄ触媒の活性を消失させた。その後、反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。
沈殿した共重合体をろ過して集め、６０℃のオーブン中、真空雰囲気で乾燥させた。乾燥後の重量は１９．８ｇであった（収率：７９％）。
上記で得た共重合体の分子量を、ＴＨＦ溶媒でＧＰＣ法で測定すると（ポリスチレン換算）、Ｍｗ＝８６，０００およびＭｎ＝２１，０００であった。
共重合体の組成を、１Ｈ−ＮＭＲにより測定すると、４６／５４＝ＨｘＮＢ／ｄｉＰｈＮＢコポリマーであった。
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定すると、波長６３３ｎｍで、ＴＥモードで１．５５６９であり、ＴＭモードで１．５５５６であった。
そして、乾燥させた共重合体をトルエンに溶解して３０ｗｔ％のポリマーＰ４溶液とした。
＜＜ポリマーＰ５：ブチルノルボルネン（ＢｕＮＢ）／フェニルエチルノルボルネン（ＰＥＮＢ）コポリマーの合成およびポリマーＰ５溶液の調製＞＞
ＢｕＮＢ（４．７８ｇ，０．０３２ｍｏｌ）、ＰＥＮＢ（２５．２２ｇ，０．１２７ｍｏｌ）、１−ヘキセン（１３．３６ｇ，０．１６ｍｏｌ）、および、トルエン（１７０．０ｇ）を、５００ｍＬのシーラムボトルで混合し、オイルバスで８０℃に加熱し混合溶液を得た。
次いで、この溶液に、Ｐｄ１４４６（０．００９２ｇ，６．３６×１０−６ｍｏｌ）、および、ＤＡＮＦＡＢＡ（０．０２０ｇ，２．５４×１０−５ｍｏｌ）を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で、加えた。
添加後、得られた溶液を８０℃で５０分維持した。次いで、勢いよく攪拌された混合物に、メタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。
沈殿した共重合体をろ過して集め、６０℃のオーブン中、真空雰囲気で乾燥させた。乾燥後の重量は２３．６０ｇであった（収率：７９％）。
上記で得た共重合体の分子量を、ＴＨＦ溶媒でＧＰＣ法で測定すると（ポリスチレン換算）、Ｍｗ＝７３，０００およびＭｎ＝２８，０００であった。
共重合体の組成を、１Ｈ−ＮＭＲにより測定すると、１５／８５＝ＢｕＮＢ／ＰＥＮＢコポリマーであった。
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定すると、波長６３３ｎｍで、ＴＥモードで１．５６８４であり、ＴＭモードで１．５６５７であった。
そして、乾燥させた共重合体をトルエンに溶解して３０ｗｔ％のポリマーＰ５溶液とした。
以上合成した各ポリマーを、下記表１に要約する。
２．ノルボルネンモノマーの合成
＜＜ビス（ノルボルネンメチル）アセタール（ＮＭ２Ｘ）＞＞
ディーンスタークトラップに直接連結されたフラスコ中に、ノルボルネンメタノール（１００ｇ、０．８１ｍｏｌ）、ホルムアルデヒド（〜３７％）（３２．６ｇ、０．４０ｍｏｌ）、および、触媒適量のｐ−トルエンスルホン酸（０．２ｇ）を供給して混合物を得た。
そして、この混合物を、１００℃で加熱した。反応が進行するにつれて、トラップ中の水の量が増加した。約３時間以内に、反応は完了し、真空蒸留によって純生成物を得た（７２．８％〜７０％収率）。
３．ワニスの調製
以下に示すようにして、各ワニスＶ１〜４およびＶ５１〜６５を、それぞれ調製した。
＜＜ワニスＶ１の調製＞＞
ＨｘＮＢ（４２．０３ｇ，０．２４ｍｏｌ）、および、ＳｉＸ（７．９７ｇ，０．０２６ｍｏｌ）を秤量しガラス瓶にいれた。
このモノマー溶液に、フェノール系酸化防止剤として、Ｃｉｂａ社製、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６」（０．５ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、Ｃｉｂａ社製、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．１２５ｇ）を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。
上記のポリマーＰ４溶液（３０．０ｇ）に、モノマー酸化防止剤溶液（３．０ｇ）、触媒前駆体として、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（ＰＣｙ３）２（４．９３×１０−４ｇ，６．２８×１０−７ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）、および、光酸発生剤（助触媒）として、Ｒｈｏｄｉａ社製、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ ２０７４（２．５５×１０−３ｇ，２．５１×１０−６ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）を加えて、ワニスＶ１を得た。
このワニスＶ１を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
なお、以下では、「Ｃｉｂａ社製、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６」を「ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６」と、「Ｃｉｂａ社製、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８」を「ＩＲＧＡＦＯＳ １６８」と、「Ｒｈｏｄｉａ社製、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ ２０７４」を「ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ２０７４」と略す。
＜＜ワニスＶ２の調製＞＞
ＨｘＮＢ（１６．６４ｇ，０．０９３ｍｏｌ）、および、ＳｉＸ（３３．３６ｇ，０．１１０ｍｏｌ）を秤量しガラス瓶にいれた。
このモノマー溶液に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．５ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．１２５ｇ）を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。
上記のポリマーＰ５溶液（３０．０ｇ）に、モノマー酸化防止剤溶液（２．１６ｇ）、触媒前駆体として、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（ＰＣｙ３）２（１．４７×１０−３ｇ，１．８８×１０−６ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）、および、光酸発生剤（助触媒）として、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ２０７４（７．６７×１０−３ｇ，７．５４×１０−６ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）を加えて、ワニスＶ２を得た。
このワニスＶ２を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
＜＜ワニスＶ３の調製＞＞
上記のポリマーＰ４（５ｇ）に、メシチレン（２０ｇ）、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．０５ｇ）、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．０１２５ｇ）、および、光酸発生剤（離脱剤）として、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ２０７４（４．０×１０−３ｇ、０．１ｍＬのメチレンクロライド中）を加えて、ワニスＶ３を調製した。
このワニスＶ３を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
＜＜ワニスＶ４の調製＞＞
２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニル（６．４ｇ，０．０２ｍｏｌ）、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（４．４４ｇ，０．０１ｍｏｌ）、および、ピロメリット酸二無水物（２．１８ｇ，０．０１ｍｏｌ）を、ジメチルアセトアミド（８６．６ｇ）に溶解させ、窒素雰囲気下、室温で２日間攪拌し反応させ、ポリイミド樹脂前駆体のワニスＶ４を得た。
このワニスＶ４を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
＜＜ワニスＶ５１の調製＞＞
上記のポリマーＰ２溶液（３０．０ｇ）に、ＴＭＳＥＮＢ（０．４５ｇ）、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＯＸ １０７６（０．０９ｇ）、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．０２３ｇ）、および、光酸発生剤として、東洋インキ製造株式会社製、ＴＡＧ−３７２Ｒ（０．０５ｇ）を加え、マグネティックスターラーを用いた２時間の攪拌により溶解混合し、ワニスＶ５１を得た。
このワニスＶ５１を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
なお、以下では、「東洋インキ製造株式会社製、ＴＡＧ−３７２Ｒ」を「ＴＡＧ−３７２Ｒ」と略す。
＜＜ワニスＶ５２の調製＞＞
上記のポリマーＰ２溶液（３０．０ｇ）に、ＴＥＳＮＢ（０．９ｇ）、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＯＸ １０７６（０．０９ｇ）、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．０２３ｇ）、および、光酸発生剤として、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ２０７４（０．０９ｇ）を加え、マグネティックスターラーを用いた２時間の攪拌により溶解混合し、ワニスＶ５２を得た。
このワニスＶ５２を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
＜＜ワニスＶ５３の調製＞＞
上記のポリマーＰ２溶液（３０．０ｇ）に、ＴＭＳＮＢ（０．３ｇ）、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＯＸ １０７６（０．０９ｇ）、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．０２３ｇ）、および、光酸発生剤として、ＴＡＧ−３７２Ｒ（０．３６ｇ）を加えて、マグネティックスターラーを用いた２時間の攪拌により溶解混合し、ワニスＶ５３を得た。
このワニスＶ５３を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
＜＜ワニスＶ５４の調製＞＞
上記のポリマーＰ２溶液（３０．０ｇ）に、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＧＰＴＭＳ）（０．２ｇ）、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．０９ｇ）、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．０２３ｇ）、および、光酸発生剤として、ＴＡＧ−３７２Ｒ（０．０２ｇ）を加えて、マグネティックスターラーを用いた２時間の攪拌により溶解混合し、ワニスＶ５４を得た。
このワニスＶ５４を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
＜＜ワニスＶ５５の調製＞＞
上記のポリマーＰ２溶液（３０．０ｇ）に、エポキシシリコーン（信越化学工業社製、「Ｘ−２２−１６９ＡＳ：数平均分子量１０００」）（０．４５ｇ）、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．０９ｇ）、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．０２３ｇ）、および、光酸発生剤として、ＴＡＧ−３７２Ｒ（０．１８ｇ）を加えて、マグネティックスターラーを用いた２時間の攪拌により溶解混合し、ワニスＶ５５を得た。
このワニスＶ５５を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
＜＜ワニスＶ５６の調製＞＞
上記のポリマーＰ３溶液（１６．７ｇ）に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．０５ｇ）、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（１．２５×１０−２ｇ）、および、光酸発生剤として、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ２０７４（０．１ｇ）を加えて、マグネティックスターラーを用いた２時間の攪拌により溶解混
合し、ワニスＶ５６を得た。
このワニスＶ５６を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
＜＜ワニスＶ５７の調製＞＞
上記のポリマーＰ３溶液（１６．７ｇ）に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．０５ｇ）、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（１．２５×１０−２ｇ）、および、光酸発生剤として、ＴＡＧ−３７２Ｒ（０．１ｇ）を加えて、マグネティックスターラーを用いた２時間の攪拌により溶解混合し、ワニスＶ５７を得た。
このワニスＶ５７を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
＜＜ワニスＶ５８の調製＞＞
上記のポリマーＰ３溶液（１６．７ｇ）に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．０５ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（１．２５×１０−２ｇ）を加えて、マグネティックスターラーを用いた２時間の攪拌により溶解混合し、ワニスＶ５８を得た。
このワニスＶ５８を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
＜＜ワニスＶ５９の調製＞＞
２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニル５ｇと、２，２’−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン１０ｇとを、ジメチルアセトアミド８５ｇに溶解して、ワニスＶ５９を得た。
このワニスＶ５９を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
＜＜ワニスＶ６０の調製＞＞
ＴＭＳＥＮＢ（０．３２ｇ，１．５０ｍｍｏｌ）、および、ＳｉＸ（０．１６ｇ，０．５２５ｍｍｏｌ）を秤量しガラス瓶にいれた。
このモノマー溶液に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．５ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．１２５ｇ）を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。
上記のポリマーＰ３溶液（６．７ｇ）に、モノマー酸化防止剤溶液（全量）、および、触媒前駆体として、［２−ｍｅｔｈａｌｌｙｌ Ｐｄ（ＰＣｙ３）２］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（Ｐｄ１４０１）（９．３７×１０−４ｇ，６．６９×１０−７ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）を加えてワニスＶ６０を得た。
このワニスＶ６０を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
そして、ガラス基板上にこのワニスＶ６０を、ドクターブレードで塗布厚み７０μｍに塗布し、これをホットプレートに置いて５０℃で１５分間加熱し、フィルムを形成した。
このフィルムを用いて、ガラス転移温度と貯蔵弾性率の測定を行った。ガラス転移温度の測定結果を表３に示す。また、ＤＭＡ測定結果による２００℃での貯蔵弾性率は、７３ＭＰａであった。
なお、フィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）の測定は、ＴＭＡ（セイコーインスツルメント社製 ＴＭＡ／ＳＳ１２０Ｃ）を用いて引張りモード（昇温速度５℃／分）で行った（以下、同様である。）。
また、フィルムの貯蔵弾性率の測定は、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツルメント社製 ＥＸＳＴＡＲ６０００）を用いて行った（以下、同様である。）。
＜＜ワニスＶ６１の調製＞＞
ＨｘＮＢ（０．１６ｇ，０．８９７ｍｍｏｌ）、および、ＳｉＸ（０．３２ｇ，１．０５ｍｍｏｌ）を秤量しガラス瓶にいれた。
このモノマー溶液に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．５ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．１２５ｇ）を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。
上記のポリマーＰ２溶液（６．７ｇ）に、モノマー酸化防止剤溶液（全量）、および、触媒前駆体として、Ｐｄ１４４６（６．０×１０−４ｇ，４．１５×１０−７ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）を加えてワニスＶ６１を得た。
このワニスＶ６１を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
そして、ガラス基板上にこのワニスＶ６１を、ドクターブレードで塗布厚み７０μｍに塗布し、これをホットプレートに置いて８０℃で２０分間、１５０℃で１時間加熱し、フィルムを形成した。
このフィルムを用いて、ガラス転移温度と貯蔵弾性率の測定を行った。ガラス転移温度の測定結果を表３に示す。また、ＤＭＡ測定結果による２５０℃での貯蔵弾性率は、８０ＭＰａであった。
＜＜ワニスＶ６２の調製＞＞
ＳｉＸ（４．８ｇ，０．０１５８ｍｏｌ）を秤量しガラス瓶にいれた。
このモノマー溶液に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（５ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（１．２５ｇ）を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。
上記のポリマーＰ１溶液（３０．０ｇ）に、モノマー酸化防止剤溶液（全量）、および、触媒前駆体として、［Ｐｄ（ＰＣｙ３）２Ｈ（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（Ｐｄ１１４７）（３．６２×１０−３ｇ，３．１５×１０−６ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）を加えてワニスＶ６２を得た。
このワニスＶ６２を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
そして、ガラス基板上にこのワニスＶ６２を、ドクターブレードで塗布厚み７０μｍに塗布し、これをホットプレートに置いて８０℃で２０分間、１５０℃で１時間加熱し、フィルムを形成した。
このフィルムを用いて、ガラス転移温度と貯蔵弾性率の測定を行った。ガラス転移温度の測定結果を表３に示す。また、ＤＭＡ測定結果による２５０℃での貯蔵弾性率は、６７ＭＰａであった。
＜＜ワニスＶ６３の調製＞＞
ＴＥＳＮＢ（１．０ｇ，０．０３９ｍｏｌ）を秤量しガラス瓶にいれた。
このモノマー溶液に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（５ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（１．２５ｇ）を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。
上記のポリマーＰ２溶液（３０．０ｇ）に、モノマー酸化防止剤溶液（全量）、および、触媒前駆体として、［Ｐｄ（Ｐ（ｉＰｒ）３）２（ＯＣＯＣＨ３）（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（Ｐｄ１２０６）（４．０７×１０−４ｇ，３．９０×１０−７ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）を加えてワニスＶ６３を得た。
このワニスＶ６３を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
そして、ガラス基板上にこのワニスＶ６３を、ドクターブレードで塗布厚み７０μｍに塗布し、これをホットプレートに置いて８０℃で２０分間、１５０℃で１時間加熱し、フィルムを形成した。
このフィルムを用いて、ガラス転移温度と貯蔵弾性率の測定を行った。ガラス転移温度の測定結果を表３に示す。また、ＤＭＡ測定結果による２５０℃での貯蔵弾性率は、７０ＭＰａであった。
＜＜ワニスＶ６４の調製＞＞
Ｓｉ２Ｘ（２．１６ｇ，４．６７ｍｍｏｌ）を秤量しガラス瓶にいれた。
このモノマー溶液に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．５ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．１２５ｇ）を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。
上記のポリマーＰ３溶液（３０．０ｇ）に、モノマー酸化防止剤溶液（全量）、および、触媒前駆体として、Ｐｄ１４４６（３．２２×１０−３ｇ，２．２３×１０−６ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）を加えてワニスＶ６４を得た。
このワニスＶ６４を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
そして、ガラス基板上にこのワニスＶ６４を、ドクターブレードで塗布厚み７０μｍに塗布し、これをホットプレートに置いて８０℃で２０分間、１５０℃で１時間加熱し、フィルムを形成した。
このフィルムを用いて、ガラス転移温度と貯蔵弾性率の測定を行った。ガラス転移温度の測定結果を表３に示す。また、ＤＭＡ測定結果による２００℃での貯蔵弾性率は、８２ＭＰａであった。
＜＜ワニスＶ６５の調製＞＞
ビス（ノルボルネンメチル）アセタール（ＮＭ２Ｘ）（３．００ｇ，０．１０４ｍｏｌ）を秤量しガラス瓶にいれた。
このモノマー溶液に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．５ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．１２５ｇ）を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。
上記のポリマーＰ３溶液（３０．０ｇ）に、モノマー酸化防止剤溶液（全量）、および、触媒前駆体として、Ｐｄ１４４６（３．３３×１０−３ｇ，２．３０×１０−６ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）を加えてワニスＶ６５を得た。
このワニスＶ６５を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
そして、ガラス基板上にこのワニスＶ６５を、ドクターブレードで塗布厚み７０μｍに塗布し、これをホットプレートに置いて８０℃で２０分間、１５０℃で１時間加熱し、フィルムを形成した。
このフィルムを用いて、ガラス転移温度と貯蔵弾性率の測定を行った。ガラス転移温度の測定結果を表３に示す。また、ＤＭＡ測定結果による２５０℃での貯蔵弾性率は、１２０ＭＰａであった。
以上調製した各ワニスの組成を、下記表２、表３に要約する。
４．光導波路構造体の作製および評価
４−１．光導波路構造体の作製
以下に示すようにして、実施例１〜１４および比較例の光導波路構造体を、それぞれ１０個ずつ作製した。
（実施例１）
まず、クラッド層形成用材料としてワニスＶ５１を、４インチ厚みのガラス基板上に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定厚さに広げた。
次に、これをホットプレートに置いて５０℃で１５分間加熱し、これにフォトマスクなしで超高圧水銀ランプを用いてＵＶ光を照射した（照射量：３０００ｍＪ／ｃｍ２、波長：３６５ｎｍ）。
続いて、クリーンオーブンを用い１００℃で１５分間、さらに１６０℃で１時間硬化させて下部クラッド層を形成した。
次に、コア層形成用材料としてワニスＶ１を、硬化させた下部クラッド層の表面に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定厚さに広げた。
次に、これをホットプレートに置いて４５℃で１０分間加熱し、溶剤を蒸発させ、実質的に乾燥した固体フィルムを形成した。
このフィルムにフォトマスクを通してＵＶ光を照射（照射量：３０００ｍＪ／ｃｍ２、波長：３６５ｎｍ）した後、４５℃のホットプレートで３０分間加熱したところ、直線状のコア部のパターンが出現した。
得られたサンプルをクリーンオーブン中で、８５℃で３０分間、さらに１５０℃で６０分間加熱してパターニングされたワニスＶ１の硬化層（コア層）を得た。
次に、クラッド層形成用材料としてワニスＶ５１を用い下部クラッド層と同様の方法にて、コア層上に上部クラッド層を形成し、ガラス基板上に、幅０．５ｃｍ、長さ１０ｃｍの直線状の光導波路を得た。
なお、得られた光導波路において、コア層の平均厚さは、５０μｍ（コア部の幅：５０μｍ）、クラッド層（上部および下部）の平均厚さは、５０μｍであった。
次に、この光導波路を基板から剥離し、その両面に、それぞれ、ロールラミネート法により、平均厚さ４５μｍの銅層（導体層）を接合して、光導波路構造体を作製した。
（実施例２）
まず、クラッド層形成用材料としてワニスＶ５２をシリコンウエハ基板上に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定厚さに広げた。
次に、これをホットプレートに置いて５０℃で１５分間加熱し、これにフォトマスクなしで超高圧水銀ランプを用いてＵＶ光を照射した（照射量：１５００ｍＪ／ｃｍ２、波長：３６５ｎｍ）。
その後、さらにクリーンオーブンを用い、１５０℃で１時間加熱し、下部クラッド層を作成した。
次に、下部クラッド層の上に、コア層形成用材料としてポリイミド前駆体のワニスＶ４をバーコーターで塗布し、オーブンを用い、窒素雰囲気下にて、３２０℃で１時間加熱し、コア層とした。
次に、前記コア層上に、膜厚０．３μｍのアルミニウム層を蒸着し、マスク層を形成した。さらに、前記アルミニウム層上に、ポジ型フォトレジスト（ジアゾナフトキノン−ノボラック樹脂系、東京応化製、商品名ＯＦＰＲ−８００）を、スピンコート法により塗布した後、約９５℃でプリベークを行った。
次に、直線光導波路パターン形成用のフォトマスク（Ｔｉ）を配置し、超高圧水銀ランプを用いて、紫外線を照射した後、ポジ型レジスト用現像液（ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、東京応化製、商品名ＮＭＤ−３）を用いて現像した。
その後、１３５℃でポストベークを行った。次に、アルミニウム層のウエットエッチングを行い、レジストパターンをアルミニウム層に転写した。
更に、パターニングされたアルミニウム層をマスクとして、コア層をドライエッチングにより加工した。
次に、アルミニウム層をエッチング液で除去することで、直線状のコア部を形成した。
なお、コア部は、幅：５０μｍ、高さ（平均厚さ）：５０μｍとした。
次に、得られたコア部の上から、クラッド層形成用材料としてワニスＶ５２を注ぎ、下部クラッド層と同様の方法で、上部クラッド層を作成し、シリコンウェハ基板上に幅０．５ｃｍ、長さ１０ｃｍの直線状の光導波路を得た。
なお、得られた光導波路において、クラッド層（上部および下部）の平均厚さは、５０μｍであった。
次に、この光導波路を基板から剥離し、その両面に、それぞれ、ロールラミネート法により、平均厚さ４５μｍの銅層（導体層）を接合して、光導波路構造体を作製した。
（実施例３）
まず、離型処理したガラス基板上に、クラッド層形成用材料としてワニスＶ５３を注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定厚さに広げた。
次に、これをホットプレートに置いて５０℃で１５分間加熱し、これにフォトマスクなしで超高圧水銀ランプを用いてＵＶ光を照射した（照射量：２５００ｍＪ／ｃｍ２、波長：３６５ｎｍ）。
その後、さらにクリーンオーブンを用い、１５０℃で１時間加熱し、下部クラッド層を作成した。
その上に、コア層形成用材料として、前記クラッド層形成用材料よりも屈折率の高いＵＶ硬化型エポキシ樹脂（ＮＴＴ−ＡＴ製Ｅ３１３５）をスピンコートした後、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィーにより、直接、直線状のコア部をパターニングした。
なお、コア部は、幅：３５μｍ、高さ（平均厚さ）：３５μｍとした。
その後、クラッド層形成用材料として下部クラッド層を形成したものと同じワニスＶ５３を用いて、下部クラッド層と同様の方法にて上部クラッド層を形成し、ガラス基板上に幅０．５ｃｍ、長さ１０ｃｍの直線状の光導波路を得た。
なお、得られた光導波路において、クラッド層（上部および下部）の平均厚さは、３５μｍであった。
次に、この光導波路を基板から剥離し、その両面に、それぞれ、ロールラミネート法により、平均厚さ４５μｍの銅層（導体層）を接合して、光導波路構造体を作製した。
（実施例４）
まず、平均厚さ１８μｍの銅箔の疎化面に、クラッド層形成用材料としてワニスＶ５４を注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定厚さに広げた。
次に、これをホットプレートに置いて５０℃で１５分間加熱乾燥した後、これにフォトマスクなしで超高圧水銀ランプを用いてＵＶ光を照射（照射量：３０００ｍＪ／ｃｍ２、波長：３６５ｎｍ）して銅箔付き下部クラッド層を形成した。また、同様の材料、方法により銅箔付き上部クラッド層も準備した。
一方、コア層形成用材料として、ろ過したワニスＶ２を、石英ガラス基板の上に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定の厚さに広げた。
次に、これをホットプレートに置いて４５℃で１０分間加熱し、溶剤を蒸発させ、実質的に乾燥した固体フィルムを形成した。
このフィルムにフォトマスクを通してＵＶ光を照射（照射量：３０００ｍＪ／ｃｍ２、波長：３６５ｎｍ）した後、４５℃のホットプレートで３０分間加熱したところ、直線状のコア部のパターンが出現した。
得られたサンプルをクリーンオーブン中で８５℃で３０分間、さらに１５０℃で６０分間加熱してパターニングされたワニスＶ２の硬化層（フィルム）を得た。
このフィルムを水中で石英ガラス基板から剥離し、十分な水で洗浄し、４５℃で１時間、オーブンで乾燥させて、単体のコア層を得た。
このコア層を前記の上下のクラッド層の間に挟み、電熱プレスを用い、１０ＭＰａの圧力を掛けながらで１５０℃で１時間加熱して、両面に銅層（導体層）を有する幅０．５ｃｍ、長さ１０ｃｍの直線状の光導波路構造体を得た。
なお、得られた光導波路において、コア層の平均厚さは、３５μｍ（コア部の幅：３５μｍ）であり、クラッド層（上部および下部）の平均厚さは、３５μｍであった。
（実施例５）
まず、離型処理したＰＥＴフィルム基板上に、クラッド層形成用材料としてワニスＶ５５を注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定厚さに広げた。
次に、これをホットプレートに置いて５０℃で１５分間加熱乾燥した後、これにフォトマスクなしで超高圧水銀ランプを用いてＵＶ光を照射（照射量：２０００ｍＪ／ｃｍ２、波長：３６５ｎｍ）した後、ＰＥＴフィルムから剥離して単体の下部クラッド層を形成した。また、同様の材料、方法により単体の上部クラッド層も準備した。
一方、コア層形成用材料として、ろ過したワニスＶ３を、石英ガラス基板の上に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定の厚さに広げた。
次に、これをホットプレートに置いて４５℃で１０分間加熱し、溶剤を蒸発させ、実質的に乾燥した固体フィルムを形成した。
このフィルムにフォトマスクを通してＵＶ光を照射（照射量：３０００ｍＪ／ｃｍ２、波長：３６５ｎｍ）した後、８５℃のクリーンオーブンで３０分間加熱したところ、直線状のコア部のパターンが出現した。
さらに１６０℃で２時間加熱してパターニングされたワニスＶ３の硬化層（フィルム）を得た。
このフィルムを水中で石英ガラス基板から剥離し、十分な水で洗浄し、４５℃で１時間、オーブンで乾燥させて、単体のコア層を得た。
このコア層を、前記の上下のクラッド層の間に挟み、電熱プレスを用い、６ＭＰａの圧力を掛けながらで１５０℃で１時間加熱して、幅０．５ｃｍ、長さ１０ｃｍの直線状の光導波路を得た。
なお、得られた光導波路において、コア層の平均厚さは、５０μｍ（コア部の幅：５０μｍ）、クラッド層（上部および下部）の平均厚さは、５０μｍであった。
次に、この光導波路の両面に、それぞれ、ロールラミネート法により、平均厚さ４５μｍの銅層（導体層）を接合して、光導波路構造体を作製した。
（実施例６）
クラッド層形成用材料として、ワニスＶ５６を使用した以外は、前記実施例５と同様にして、光導波路構造体を得た。
（実施例７）
クラッド層形成用材料として、ワニスＶ５７を、コア層形成用材料として、ワニスＶ２を使用した以外は、前記実施例１と同様にして、光導波路構造体を得た。
（実施例８）
まず、離型処理したＰＥＴフィルム基板上に、クラッド層形成用材料としてワニスＶ５８を注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定厚さに広げた。
次に、これをホットプレートに置いて５０℃で１５分間加熱乾燥した後、ＰＥＴフィルムから剥離して単体の下部クラッド層を形成した。また、同様の材料、方法により単体の上部クラッド層も準備した。
一方、コア層形成用材料として、ろ過したワニスＶ３を、石英ガラス基板の上に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定の厚さに広げた。
次に、これをホットプレートに置いて４５℃で１０分間加熱し、溶剤を蒸発させ、実質的に乾燥した固体フィルムを形成した。
このフィルムにフォトマスクを通してＵＶ光を照射（照射量：３０００ｍＪ／ｃｍ２、波長：３６５ｎｍ）した後、８５℃のクリーンオーブンで３０分間加熱したところ、直線状のコア部のパターンが出現した。
さらに１６０℃で２時間加熱してパターニングされたワニスＶ３の硬化層（フィルム）を得た。
このフィルムを水中で石英ガラス基板から剥離し、十分な水で洗浄し、４５℃で１時間、オーブンで乾燥させて、単体のコア層を得た。
このコア層を、前記の上下のクラッド層の間に挟み、電熱プレスを用い、３ＭＰａの圧力を掛けながらで１５０℃で１時間加熱して、幅０．５ｃｍ、長さ１０ｃｍの直線状の光導波路を得た。
なお、得られた光導波路において、コア層の平均厚さは、５０μｍ（コア部の幅：５０μｍ）、クラッド層（上部および下部）の平均厚さは、５０μｍであった。
次に、この光導波路の両面に、それぞれ、ロールラミネート法により、平均厚さ４５μｍの銅層（導体層）を接合して、光導波路構造体を作製した。
（実施例９）
クラッド層形成用材料として、ワニスＶ６０を使用した以外は、前記実施例４と同様にして、光導波路構造体を得た。
（実施例１０）
クラッド層形成用材料として、ワニスＶ６１を使用した以外は、前記実施例４と同様にして、光導波路構造体を得た。
（実施例１１）
まず、クラッド層形成用材料としてワニスＶ６２を、４インチ厚みのガラス基板上に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定厚さに広げた。
次に、これをホットプレートに置いて５０℃で１５分間加熱し、８０℃で２０分間、その後１５０℃で１時間硬化させ、下部クラッド層を形成した。
次に、コア層形成用材料としてワニスＶ３を、硬化させた下部クラッド層の表面に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定厚さに広げた。
その後、このコーティングされたガラス基板をホットプレートを用いて、４５℃で１０分間加熱し、実質的に乾燥した固体フィルムを形成した。
次に、ワニスＶ３から形成した固体フィルムに、フォトマスクを通してＵＶ光（波長：３６５ｎｍ）を照射し（照射量：３０００ｍＪ／ｃｍ２）、室温で３０分間熟成させ、次に８５℃で３０分間加熱し、さらに１５０℃で６０分間加熱し、コア層を得た。
なお、コア部のパターンは、８５℃で３０分間加熱した時点で目視で確認することができた。
次に、クラッド層形成用材料として、ワニスＶ６１をワニスＶ３から形成された硬化層の表面に注ぎ、スピンコーターで実質的に一定厚さに広げた。
このコーティングされたガラス基板をホットプレートに置いて５０℃で１５分間加熱し、続いて、８０℃で２０分間、その後１５０℃で１時間硬化させ、上部クラッド層を形成し、ガラス基板上に、幅０．５ｃｍ、長さ１０ｃｍの直線状の光導波路を得た。
なお、得られた光導波路において、コア層の平均厚さは、３５μｍ（コア部の幅：３５μｍ）、クラッド層（上部および下部）の平均厚さは、３５μｍであった。
次に、この光導波路を基板から剥離し、その両面に、それぞれ、ロールラミネート法により、平均厚さ４５μｍの銅層（導体層）を接合して、光導波路構造体を作製した。
（実施例１２）
クラッド層形成用材料として、ワニスＶ６３を使用した以外は、前記実施例１１と同様にして、光導波路構造体を得た。
（実施例１３）
クラッド層形成用材料として、ワニスＶ６４を、コア層形成用材料として、ワニスＶ１使用し、コア層を形成する際に、ＵＶ光照射後、８５℃×３０分の加熱に先立って、４５℃×３０分の加熱を行った以外は、前記実施例１１と同様にして、光導波路構造体を得た。
（実施例１４）
クラッド層形成用材料として、ワニスＶ６５を使用した以外は、前記実施例４と同様にして、光導波路構造体を得た。
（比較例）
まず、クラッド層形成用材料としてワニスＶ５９を、シリコンウエハ上にスピンコーターにより実質的に均一な厚みに塗布した後、窒素オーブン中にて、３５０℃で１時間加熱を行うことにより、下部クラッド層を形成した。
次に、コア層形成用材料としてワニスＶ１を、下部クラッド層の表面に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定厚さに広げた。
次に、これをホットプレートに置いて４５℃で１０分間加熱し、溶剤を蒸発させ、実質的に乾燥した固体フィルムを形成した。
このフィルムにフォトマスクを通してＵＶ光を照射（照射量：３０００ｍＪ／ｃｍ２、波長：３６５ｎｍ）した後、４５℃のホットプレートで３０分間加熱したところ、直線状のコア部のパターンが出現した。
得られたサンプルをクリーンオーブン中で、８５℃で３０分間、さらに１５０℃で６０分間加熱してパターニングされたワニスＶ１の硬化層（コア層）を得た。
次に、クラッド層形成用材料として、下部クラッド層の用いたものと同じワニスを用い、下部クラッド層と同様の方法にて、コア層上に上部クラッド層を形成し、ガラス基板上に、幅０．５ｃｍ、長さ１０ｃｍの直線状の光導波路を得た。
なお、得られた光導波路において、コア層の平均厚さは、５０μｍ（コア部の幅：５０μｍ）、クラッド層（上部および下部）の平均厚さは、５０μｍであった。
次に、この光導波路を基板から剥離し、その両面に、それぞれ、ロールラミネート法により、平均厚さ４５μｍの銅層（導体層）を接合して、光導波路構造体を作製した。
評価
１．光伝播損失の測定
各実施例および比較例の光導波路構造体に対して、それぞれ、光伝播損失を「カットバック法」を使用して測定した。
これは、レーザダイオードから発生させた光を、光ファイバーを通して、コア部の一端から入力し、他端からの出力を測定し、コア部の長さを数段階の長さにカットして、各長さについて光出力を測定することにより行った。
各長さのコア部での総光損失は、下記式で表される。
総光損失（ｄＢ） ＝ −１０ｌｏｇ（Ｐｎ／Ｐｏ）
式中、Ｐｎは、Ｐ１、Ｐ２、…Ｐｎの各長さのコア部の他端での測定された出力であり、Ｐｏは、光ファイバーをコア部の一端に結合する前の光ファイバーの端部における光源の測定出力である。
次に、総光損失は、図２４（チャート１）のようにプロットされる。このデータの回帰直線は、下記式によって表わされる。
ｙ＝ｍｘ＋ｂ
式中、ｍは、光伝播損失を示し、ｂは、結合損失（ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｌｏｓｓ）を示す。
なお、実施例２では、波長１３００ｎｍの光を用い、その他では、波長８５０ｎｍの光を用いた。
２．密着性試験
各実施例および比較例の光導波路構造体に対して、それぞれ、コア層とクラッド層との密着性試験を行った。
これは、コア層からクラッド層を９０°上方に引き剥がすピール試験により行った。
光伝播損失の測定および密着性試験の結果を、それぞれ、下記表４に示す。
なお、表中の各数値は、それぞれ、５個の平均値を示す。
表４からも明らかなように、各実施例の光導波路構造体は、いずれも、光伝播損失が小さく、光伝送性能が高いものであり、また、コア層とクラッド層との密着力が高いものであった。
これに対して、比較例の光導波路構造体は、光伝播損失が大きく、かつ、コア層とクラッド層との密着力が低く、特性に劣るものであった。これは、コア層とクラッド層との界面における密着が悪く、一部において剥離が生じていることが原因となり、光伝搬損失も大きくなったものと考えられる。
また、各実施例および比較例の光導波路構造体を、高湿度環境（６０℃、９０％ＲＨ、２０００時間）に曝した後、前記と同様にして光伝播損失の測定を行った。その結果、各実施例の光導波路構造体は、いずれも、高湿度環境に曝す前とほぼ変化が認められなかった。これに対して、比較例の光導波路構造体では、顕著な光伝播損失の増大が認められた
。
さらに、各実施例および比較例で作製した光導波路構造体（高湿度環境に曝す前のもの）の導体層を、それぞれ、パターニングして配線を形成し、所定の箇所に、発光素子および受光素子を実装して、複合装置を作製した。
そして、これらの複合装置を動作させたところ、各実施例の光導波路構造体を用いた複合装置は、いずれも、比較例の光導波路構造体を用いた複合装置に対して、より高速での動作が可能なことが確認された。
（実施例１５）
実施例１で得た光導波路構造体の端部に反射面（光路変換部）を形成した光回路基板１０２を用意し、次いで、これをコネクタ１１３に内包させ、このコネクタを介して駆動素子１１５と光素子１１１を搭載した高周波回路基板（配線部品１１６）との接続を行う構造物を得た。（図１５）
（実施例１６）
実施例１で得た光導波路構造体の端部に千鳥構造の反射面を形成し、２４芯ＭＴコネクター１０１のファイバ穴１０４の真上に全ての反射面（光路変換部１０９）を配列させた。次に、これを、実施例１５と同様に、高周波回路基板上に駆動素子を搭載し、該コネクターの真下に光素子を配置することによりコネクタによる上下接続を行う構造物を得た。（図２０）
（実施例１７〜２９及び比較例２）
実施例１５において、実施例１で得た光導波路構造体に換えて、実施例２〜１４で得た光導波路構造体をそれぞれ用いた以外は、実施例１５と同様にして行い、実施例１７〜２９の光素子実装部品を得た。
また同様にして、実施例１５において、実施例１で得た光導波路構造体に換えて、比較例１で得た光導波路構造体を用いた以外は、実施例１５と同様にして行い、比較例２の光素子実装部品を得た。
上記で得た光素子実装部品について評価を行った。
評価方法としては、上記で得た光素子実装部品において、ＶＣＳＥＬ側より、パルスパターン・ジェネレータ（１０Ｇｈｚ）を用い１０Ｇｂｐｓの信号を送信し、ＰＤ側よりオシロスコープにより受信した信号波形を確認した。また、比較用として、同様にＶＣＳＥＬとＰＤとを光ファイバにより光接続した装置を用意し、上記同様の条件で、信号を送信し、オシロスコープにより信号波形を確認したところ、実施例における信号波形は比較用波形と同様の信号波形であった。しかし、比較例の信号は、波形を示さなかった。
これにより、実施例において、十分な導通が得られていることがわかった。
本発明における光回路基板の光導波路層の実施形態を示す斜視図（一部切り欠いて示す）である。 本発明における光回路基板を製造する際に用いる光導波路構造体の実施形態を示す斜視図（一部切り欠いて示す）である。 本発明における光導波路層および光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明における光導波路層および光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明における光導波路層および光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明における光導波路層および光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明における光導波路層および光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明における光導波路層および光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明における光導波路層および光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明における光導波路層および光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明における光導波路層および光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明における光導波路層および光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明における光導波路層および光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明における光導波路層および光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 本発明の光素子実装部品の第１の態様を説明するための斜視図である。 本発明の光素子実装部品の第１の態様における光配線部品を説明するための斜視図である。 本発明において、光回路基板と多心光コネクタとの接続部を拡大した平面図である。 本発明の光配線部品の一例を説明するための斜視図である。 本発明の光配線部品の一例を説明するための斜視図である。 本発明の光配線部品の一例を説明するための斜視図である。 本発明の光配線部品の一例を説明するための模式図である。 本発明の光配線部品の一例を説明するための模式図である。 本発明における配線部品の一例を説明するための模式図である。 本発明における光素子の例を説明するための図である。 コア部の長さの変化に伴う総光損失の変化を示すチャートである。 本発明の光配線部品の一例を説明するための斜視図である。 本発明の光配線部品の一例を説明するための斜視図である。 本発明において、光回路基板と多心光コネクタとの接続部を拡大した平面図である。
符号の説明
９ 光導波路構造体
９０ 光導波路層９０
９１、９２ クラッド層
９３ コア層
９４ コア部
９５ クラッド部
１０１ 多心光コネクタ
１０２ 光回路基板
１０３ 千鳥構造端部
１０４ 光ファイバ孔
１０５ コア部
１０６ 固定用ガイド
１０８ 分岐部
１０９ 光路変換部
１１０ 光ファイバ
１１１ 光素子
１１２ 受／発光部
１１３ コネクタ
１１４ コネクタ搭載部
１１５ 駆動素子
１１６ 配線部品
１１７ 光配線部品
１１８ 中空構造
１１９ アライメント用穴
１２０ 基板
１２１ 固定用カバー
６０１ 配線部品
６０２ コア基板
６０３ 開口部
６０４ 導体回路
７０１ 光素子
７０２、７０２ａ、７０２ｂ、７０２ｃ 金属突起部
７０３ 受／発光部
９００ コア層形成用材料
９０１、９０２ 導体層
９１０ 層
９１５ ポリマー
９２０ 添加剤
９２５ 照射領域
９３０ 活性放射線
９３５ マスク
９３５１ 開口
９４０ 未照射領域
９５１、９５２ 支持基板
１０００ 支持基板
１１１０ 第１の層
１１２０ 第２の層
１１３０ 第３の層
２０００ 積層体

Claims (61)

  1. コア部と、該コア部より屈折率が低いクラッド部とを備えるコア層と、該コア層の少なくとも一方の面に接触して設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド層とを有する光導波路層より構成された光回路基板と、
    前記光回路基板を接続するコネクタと、
    を含んで構成され、
    前記クラッド層は、ノルボルネン系ポリマーを主材料として構成されている、光配線部品。
  2. コア部と、該コア部より屈折率が低いクラッド部とを備えるコア層と、該コア層の少なくとも一方の面に接触して設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド層とを有する光導波路層より構成された光回路基板と、
    前記光回路基板を接続し、受／発光部を有する光素子が搭載され、前記光素子は、前記光回路基板のコア部の光路と、前記受／発光部とが光接続される位置に搭載されたコネクタと、
    を含んで構成され、
    前記クラッド層は、ノルボルネン系ポリマーを主材料として構成されている、光配線部品。
  3. 前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である請求項１または２に記載の光配線部品。
  4. 前記ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光配線部品。
  5. 前記ノルボルネン系ポリマーは、重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項１ないし４のいずれか１項に記載の光配線部品。
  6. 前記ノルボルネン系ポリマーは、下記化１で表されるものを主とするものである請求項１ないし５のいずれか１項に記載の光配線部品。


    ［式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、ａは、０〜３の整数を表し、ｂは、１〜３の整数を表し、ｐ／ｑが２０以下である。］
  7. 前記ノルボルネン系ポリマーは、その少なくとも一部のものが重合性基において架橋している請求項５または６に記載の光配線部品。
  8. 前記クラッド層の平均厚さは、前記コア層の平均厚さの０．１〜１．５倍である請求項１ないし７のいずれか１項に記載の光配線部品。
  9. 前記コア層は、ポリマーと、該ポリマーと相溶し、かつ、該ポリマーと異なる屈折率を有するモノマーと、活性放射線の照射により活性化する第１の物質と、前記モノマーの反応を開始させ得る第２の物質であって、活性化した前記第１の物質の作用により、活性化温度が変化する第２の物質とを含む層を形成し、
    その後、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記第１の物質を活性化させるとともに、前記第２の物質の活性化温度を変化させ、
    次いで、前記層に対して加熱処理を施すことにより、前記第２の物質または活性化温度が変化した前記第２の物質のいずれか活性化温度の低い方を活性化させ、前記照射領域または前記活性放射線の未照射領域のいずれかにおいて前記モノマーを反応させて、前記照射領域と前記未照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記未照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものである請求項１ないし８のいずれか１項に記載の光配線部品。
  10. 前記コア層は、前記層の前記照射領域または前記未照射領域のいずれか一方の領域において前記モノマーの反応が進むにつれて、他方の領域から未反応の前記モノマーが集まることにより得られたものである請求項９に記載の光配線部品。
  11. 前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記第２の物質は、前記弱配位アニオンの作用により活性化温度が変化するものである請求項９または１０に記載の光配線部品。
  12. 前記第２の物質は、活性化した前記第１の物質の作用により活性化温度が低下し、前記加熱処理の温度よりも高い温度での加熱により、前記活性放射線の照射を伴うことなく活性化するものである請求項９ないし１１のいずれか１項に記載の光配線部品。
  13. 前記第２の物質は、下記式Ｉａで表される化合物を含む請求項１２に記載の光配線部品。
    （Ｅ（Ｒ）３）２Ｐｄ（Ｑ）２ ・・・ （Ｉａ）
    ［式中、Ｅ（Ｒ）３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表す。］
  14. 前記第２の物質は、下記式Ｉｂで表される化合物を含む請求項１２または１３に記載の光配線部品。
    ［（Ｅ（Ｒ）３）ａＰｄ（Ｑ）（ＬＢ）ｂ］ｐ［ＷＣＡ］ｒ ・・・ （Ｉｂ）
    ［式中、Ｅ（Ｒ）３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表し、ＬＢは、ルイス塩基を表し、ＷＣＡは、弱配位アニオンを表し、ａは、１〜３の整数を表し、ｂは、０〜２の整数を表し、ａとｂとの合計は、１〜３であり、ｐおよびｒは、パラジウムカチオンと弱配位アニオンとの電荷のバランスをとる数を表す。］
  15. ｐおよびｒは、それぞれ、１または２の整数から選択される請求項１４に記載の光配線部品。
  16. 前記コア層は、前記加熱処理の後、前記層を前記加熱処理の温度よりも高い第２の温度で加熱処理することにより得られたものである請求項９ないし１５のいずれか１項に記載の光配線部品。
  17. 前記コア層は、前記第２の温度での加熱処理の後、前記層を前記第２の温度よりも高い第３の温度で加熱処理することにより得られたものである請求項１６に記載の光配線部品。
  18. 前記第３の温度は、前記第２の温度より２０℃以上高い請求項１７に記載の光配線部品。
  19. 前記モノマーは、架橋性モノマーを含む請求項９ないし１８のいずれか１項に記載の光配線部品。
  20. 前記モノマーは、ノルボルネン系モノマーを主とするものである請求項９ないし１９のいずれか１項に記載の光配線部品。
  21. 前記モノマーは、ノルボルネン系モノマーを主とするものであり、前記架橋性モノマーとして、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シランを含むものである請求項１９に記載の光配線部品。
  22. 前記ポリマーは、活性化した前記第１の物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射した際に、前記照射領域において、前記ポリマーの前記離脱性基が離脱する請求項９ないし２１のいずれか１項に記載の光配線部品。
  23. 前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である請求項２２に記載の光配線部品。
  24. 前記コア層は、活性放射線の照射により活性化する物質と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した前記物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するポリマーとを含む層を形成し、
    その後、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記物質を活性化させ、前記ポリマーの前記離脱性基を離脱させて、当該照射領域と前記活性放射線の非照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記非照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものである請求項１ないし８のいずれか１項に記載の光配線部品。
  25. 前記コア層は、前記活性放射線の照射の後、前記層に対して加熱処理を施すことにより得られたものである請求項２４に記載の光配線部品。
  26. 前記物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である請求項２４または２５に記載の光配線部品。
  27. 前記酸離脱性基は、−Ｏ−構造、−Ｓｉ−アリール構造および−Ｏ−Ｓｉ−構造のうちの少なくとも１つを有するものである請求項２３または２６に記載の光配線部品。
  28. 前記離脱性基は、その離脱により前記ポリマーの屈折率に低下を生じさせるものである請求項２２ないし２７のいずれか１項に記載の光配線部品。
  29. 前記離脱性基は、−Ｓｉ−ジフェニル構造および−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造の少なくとも一方である請求項２８に記載の光配線部品。
  30. 前記活性放射線は、２００〜４５０ｎｍの範囲にピーク波長を有するものである請求項９ないし２９のいずれか１項に記載の光配線部品。
  31. 前記活性放射線の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ２である請求項９ないし３０のいずれか１項に記載の光配線部品。
  32. 前記活性放射線は、マスクを介して前記層に照射される請求項９ないし３１のいずれか１項に記載の光配線部品。
  33. 前記層は、さらに、酸化防止剤を含む請求項９ないし３２のいずれか１項に記載の光配線部品。
  34. 前記層は、さらに、増感剤を含む請求項９ないし３３のいずれか１項に記載の光配線部品。
  35. 前記ポリマーは、ノルボルネン系ポリマーを主とするものである請求項９ないし３４のいずれか１項に記載の光配線部品。
  36. 前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である請求項３５に記載の光配線部品。
  37. 前記コア部は、第１のノルボルネン系材料を主材料として構成され、前記クラッド部は、前記第１のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第２のノルボルネン系材料を主材料として構成されている請求項１ないし８のいずれか１項に記載の光配線部品。
  38. 前記第１のノルボルネン系材料と前記第２のノルボルネン系材料とは、いずれも、同一のノルボルネン系ポリマーを含有し、かつ、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている請求項３７に記載の光配線部品。
  39. 前記反応物は、前記ノルボルネン系モノマーの重合体、前記ノルボルネン系ポリマー同士を架橋する架橋構造、および、前記ノルボルネン系ポリマーから分岐する分岐構造のうちの少なくとも１つである請求項３８に記載の光配線部品。
  40. 前記ノルボルネン系ポリマーは、アラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項３８または３９に記載の光配線部品。
  41. 前記ノルボルネン系ポリマーは、ベンジルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項３８または３９に記載の光配線部品。
  42. 前記ノルボルネン系ポリマーは、フェニルエチルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項３８または３９に記載の光配線部品。
  43. 前記ノルボルネン系ポリマーは、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、
    前記コア部と前記クラッド部とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なること、および、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている請求項３８ないし４２のいずれか１項に記載の光配線部品。
  44. 前記コア層は、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを主材料として構成され、
    前記第１のノルボルネン系材料と第２のノルボルネン系材料とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なることにより、それらの屈折率が異なっている請求項３７に記載の光配線部品。
  45. 前記ノルボルネン系ポリマーは、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランの繰り返し単位を含むものである請求項４３または４４に記載の光配線部品。
  46. 前記ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項３８ないし４５のいずれか１項に記載の光配線部品。
  47. 前記ノルボルネン系ポリマーは、ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項３８ないし４５のいずれか１項に記載の光配線部品。
  48. 前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である請求項３８ないし４７のいずれか１項に記載の光配線部品。
  49. 前記光回路基板は、前記光導波路層上に導体回路を有するものである、請求項１ないし４８のいずれか１項に記載の光配線部品。
  50. 前記コネクタは、光ファイバガイド孔を有する多心光コネクタである、請求項１、および、３〜４９、のいずれか１項に記載の光配線部品。
  51. 前記コネクタは、複数段の光ファイバガイド孔を有する多心光コネクタである、請求項５０に記載の光配線部品。
  52. 前記光回路基板は、複数のコア部と、クラッド部と、前記コア部に、前記コア部の光路を、前記光ファイバガイド孔に向けて、屈曲させる光路変換部を有するものである、請求項５０または５１に記載の光配線部品。
  53. 前記光素子は、複数段の受／発光部を有するものである、請求項２ないし４９のいずれか１項に記載の光配線部品。
  54. 前記光回路基板は、複数のコア部と、クラッド部と、前記コア部に、前記コア部の光路を、前記光素子が有する複数段の受／発光部に向けて、屈曲させる光路変換部を有するものである、請求項５３に記載の光配線部品。
  55. 前記光回路基板は、前記光路変換部が、前記複数段の光ファイバガイド孔または前記複数段の受／発光部に相対するように配置されるように、光導波路の短手方向の一端より他端に向かい、隣接する段の、前記光ファイバガイド孔または前記受／発光部に対し順番に、これを繰り返して、パターニングがなされた千鳥構造端部を有する、請求項５２または５４に記載の光配線部品。
  56. 前記光回路基板は、アライメント用穴を有するものである、請求項５０ないし５５のいずれか１項に記載の光配線部品。
  57. 前記コネクタは、前記光回路基板端部を固定する挿入部を有するものである、請求項１ないし５５のいずれか１項に記載の光配線部品。
  58. 前記光配線部品は、２つの前記コネクタが、前記光回路基板により橋架け状に接合された構造を有するものである、請求項１ないし５７のいずれか１項に記載の光配線部品。
  59. 受／発光部を有する光素子と、配線部品と、請求項１、３〜５２、および、５５〜５８のいずれか１項に記載の光配線部品とを含んで構成され、
    前記光素子は、前記配線部品において、前記光配線部品のコア部の光路と、前記受／発光部とが光接続される位置に搭載された、光素子実装部品。
  60. 配線部品と、請求項２〜４９、および５３〜５８のいずれか１項に記載の光配線部品とを含んで構成され、
    前記光配線部品に搭載された光素子は、前記配線部品と電気的に接続された、光素子実装部品。
  61. 前記配線部品は、駆動素子が搭載されたものである、請求項５９または６０に記載の光素子実装部品。
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