JP2010182812A - 化合物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 22
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 abstract description 80
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 304
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 5
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 4
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7782—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
- H01L29/7783—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET using III-V semiconductor material
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
- H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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Abstract
【解決手段】基板1と、基板1上に形成されたAlN層2と、AlN層2上に形成され、AlN層2よりも電子親和力が大きいAlGaN層3と、AlGaN層3上に形成され、AlGaN層3よりも電子親和力が小さいAlGaN層4と、が設けられている。更に、AlGaN層4上に形成されたi−GaN層5と、i−GaN層5上方に形成されたi−AlGaN層6及びn−AlGaN層7と、が設けられている。
【選択図】図7
Description
先ず、第1の実施形態について説明する。図7は、第1の実施形態に係るGaN系HEMT(化合物半導体装置)の構造を示す断面図である。
次に、第2の実施形態について説明する。図13は、第2の実施形態に係るGaN系HEMT(化合物半導体装置)の構造を示す断面図である。
基板と、
前記基板上に形成された第1のバッファ層と、
前記第1のバッファ層上に形成され、前記第1のバッファ層よりも電子親和力が大きい第2のバッファ層と、
前記第2のバッファ層上に形成され、前記第2のバッファ層よりも電子親和力が小さい第3のバッファ層と、
前記第3のバッファ層上方に形成された電子走行層と、
前記電子走行層上方に形成された電子供給層と、
を有することを特徴とする化合物半導体装置。
前記第1のバッファ層の電子親和力は、前記第3のバッファ層の電子親和力も小さいことを特徴とする付記1に記載の化合物半導体装置。
前記第1のバッファ層、前記第2のバッファ層及び前記第3のバッファ層は、窒化物半導体から構成されていることを特徴とする付記1又は2に記載の化合物半導体装置。
前記第1のバッファ層、前記第2のバッファ層及び前記第3のバッファ層は、少なくともAlを含有することを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
前記第2のバッファ層の組成は、Alx1Ga1-x1N(0.1≦x1≦0.5)で表わされ、
前記第3のバッファ層の組成は、Alx2Ga1-x2N(0.3≦x2≦1)で表わされ、
x1の値はx2の値よりも小さいことを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
前記第2のバッファ層の組成は、Iny1Al1-y1N(0.1≦y1≦0.25)で表わされ、
前記第3のバッファ層の組成は、Iny2Al1-y2N(0.1≦y2≦0.25)で表わされ、
y1の値はy2の値よりも大きいことを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
前記第2のバッファ層の格子定数はGaNの格子定数よりも大きく、
前記第3のバッファ層の格子定数はGaNの格子定数よりも小さいことを特徴とする付記6に記載の化合物半導体装置。
前記第2のバッファ層の組成は、Iny1Al1-y1N(0.1≦y1≦0.25)で表わされ、
前記第3のバッファ層の組成は、Alx2Ga1-x2N(0.3≦x2≦1)で表わされることを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
前記第1のバッファ層の組成は、AlNで表わされることを特徴とする付記1乃至8のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
前記第3のバッファ層と前記電子走行層との間に配置され、前記第3のバッファ層の電子親和力も小さい第4のバッファ層を更に有することを特徴とする付記1乃至9のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
基板と、
前記基板上に形成され、Alを含有する第1のバッファ層と、
前記第1のバッファ層上に形成され、Alを前記第1のバッファ層よりも低濃度で含有する第2のバッファ層と、
前記第2のバッファ層上に形成され、Alを前記第2のバッファ層よりも高濃度で含有する第3のバッファ層と、
前記第3のバッファ層上方に形成された電子走行層と、
前記電子走行層上方に形成された電子供給層と、
を有することを特徴とする化合物半導体装置。
前記第3のバッファ層を形成する工程と前記電子走行層を形成する工程との間に、前記第3のバッファ層の電子親和力も小さい第4のバッファ層を形成する工程を更に有することを特徴とする付記11に記載の化合物半導体装置。
基板上に第1のバッファ層を形成する工程と、
前記第1のバッファ層上に、前記第1のバッファ層よりも電子親和力が大きい第2のバッファ層を形成する工程と、
前記第2のバッファ層上に、前記第2のバッファ層よりも電子親和力が小さい第3のバッファ層を形成する工程と、
前記第3のバッファ層上方に電子走行層を形成する工程と、
前記電子走行層上方に電子供給層を形成する工程と、
を有することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
前記第3のバッファ層を形成する工程と前記電子走行層を形成する工程との間に、前記第3のバッファ層の電子親和力も小さい第4のバッファ層を形成する工程を更に有することを特徴とする付記13に記載の化合物半導体装置。
前記第1のバッファ層、前記第2のバッファ層及び前記第3のバッファ層として、窒化物半導体から構成されるものを形成することを特徴とする付記13又は14に記載の化合物半導体装置の製造方法。
前記第1のバッファ層、前記第2のバッファ層及び前記第3のバッファ層として、少なくともAlを含有するものを形成することを特徴とする付記13乃至15のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。
前記第2のバッファ層として、組成がAlx1Ga1-x1N(0.1≦x1≦0.5)で表わされるものを形成し、
前記第3のバッファ層として、組成がAlx2Ga1-x2N(0.3≦x2≦1)で表わされるものを形成し、
x1の値はx2の値よりも小さいことを特徴とする付記13乃至16のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。
前記第2のバッファ層として、組成がIny1Al1-y1N(0.1≦y1≦0.25)で表わされるものを形成し、
前記第3のバッファ層として、組成がIny2Al1-y2N(0.1≦y2≦0.25)で表わされるものを形成し、
y1の値はy2の値よりも大きいことを特徴とする付記13乃至16のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。
前記第2のバッファ層として、格子定数がGaNの格子定数よりも大きいものを形成し、
前記第3のバッファ層として、格子定数がGaNの格子定数よりも小さいものを形成することを特徴とする付記18に記載の化合物半導体装置の製造方法。
基板上に、Alを含有する第1のバッファ層を形成する工程と、
前記第1のバッファ層上に、Alを前記第1のバッファ層よりも低濃度で含有する第2のバッファ層を形成する工程と、
前記第2のバッファ層上に、Alを前記第2のバッファ層よりも高濃度で含有する第3のバッファ層を形成する工程と、
前記第3のバッファ層上方に電子走行層を形成する工程と、
前記電子走行層上方に電子供給層を形成する工程と、
を有することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
2:AlN層
3、4:AlGaN層
5:i−GaN層
6:i−AlGaN層
7:n−AlGaN層
8:n−GaN層
9:SiN層
10:活性領域
10g、10s、10d:開口部
11d:ドレイン電極
11g:ゲート電極
11s:ソース電極
13、14:InAlN層
Claims (10)
- 基板と、
前記基板上に形成された第1のバッファ層と、
前記第1のバッファ層上に形成され、前記第1のバッファ層よりも電子親和力が大きい第2のバッファ層と、
前記第2のバッファ層上に形成され、前記第2のバッファ層よりも電子親和力が小さい第3のバッファ層と、
前記第3のバッファ層上方に形成された電子走行層と、
前記電子走行層上方に形成された電子供給層と、
を有することを特徴とする化合物半導体装置。 - 前記第1のバッファ層の電子親和力は、前記第3のバッファ層の電子親和力も小さいことを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体装置。
- 前記第1のバッファ層、前記第2のバッファ層及び前記第3のバッファ層は、窒化物半導体から構成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の化合物半導体装置。
- 前記第1のバッファ層、前記第2のバッファ層及び前記第3のバッファ層は、少なくともAlを含有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
- 前記第2のバッファ層の組成は、Alx1Ga1-x1N(0.1≦x1≦0.5)で表わされ、
前記第3のバッファ層の組成は、Alx2Ga1-x2N(0.3≦x2≦1)で表わされ、
x1の値はx2の値よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。 - 前記第2のバッファ層の組成は、Iny1Al1-y1N(0.1≦y1≦0.25)で表わされ、
前記第3のバッファ層の組成は、Iny2Al1-y2N(0.1≦y2≦0.25)で表わされ、
y1の値はy2の値よりも大きいことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。 - 前記第2のバッファ層の格子定数はGaNの格子定数よりも大きく、
前記第3のバッファ層の格子定数はGaNの格子定数よりも小さいことを特徴とする請求項6に記載の化合物半導体装置。 - 前記第3のバッファ層と前記電子走行層との間に配置され、前記第3のバッファ層の電子親和力も小さい第4のバッファ層を更に有することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
- 基板と、
前記基板上に形成され、Alを含有する第1のバッファ層と、
前記第1のバッファ層上に形成され、Alを前記第1のバッファ層よりも低濃度で含有する第2のバッファ層と、
前記第2のバッファ層上に形成され、Alを前記第2のバッファ層よりも高濃度で含有する第3のバッファ層と、
前記第3のバッファ層上方に形成された電子走行層と、
前記電子走行層上方に形成された電子供給層と、
を有することを特徴とする化合物半導体装置。 - 基板上に第1のバッファ層を形成する工程と、
前記第1のバッファ層上に、前記第1のバッファ層よりも電子親和力が大きい第2のバッファ層を形成する工程と、
前記第2のバッファ層上に、前記第2のバッファ層よりも電子親和力が小さい第3のバッファ層を形成する工程と、
前記第3のバッファ層上方に電子走行層を形成する工程と、
前記電子走行層上方に電子供給層を形成する工程と、
を有することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009023953A JP5487631B2 (ja) | 2009-02-04 | 2009-02-04 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
US12/697,391 US8294181B2 (en) | 2009-02-04 | 2010-02-01 | Compound semiconductor device and method of manufacturing the same |
CN2010101110119A CN101794815B (zh) | 2009-02-04 | 2010-02-02 | 化合物半导体器件及其制造方法 |
EP10152567.3A EP2216806B1 (en) | 2009-02-04 | 2010-02-03 | Compound semiconductor device and method of manufacturing the same |
US13/591,401 US8507329B2 (en) | 2009-02-04 | 2012-08-22 | Compound semiconductor device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009023953A JP5487631B2 (ja) | 2009-02-04 | 2009-02-04 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010182812A true JP2010182812A (ja) | 2010-08-19 |
JP5487631B2 JP5487631B2 (ja) | 2014-05-07 |
Family
ID=42136333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009023953A Active JP5487631B2 (ja) | 2009-02-04 | 2009-02-04 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8294181B2 (ja) |
EP (1) | EP2216806B1 (ja) |
JP (1) | JP5487631B2 (ja) |
CN (1) | CN101794815B (ja) |
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---|---|
EP2216806A3 (en) | 2011-06-15 |
CN101794815B (zh) | 2013-06-05 |
JP5487631B2 (ja) | 2014-05-07 |
US20120315743A1 (en) | 2012-12-13 |
EP2216806B1 (en) | 2018-07-04 |
CN101794815A (zh) | 2010-08-04 |
US8294181B2 (en) | 2012-10-23 |
US8507329B2 (en) | 2013-08-13 |
US20110031532A1 (en) | 2011-02-10 |
EP2216806A2 (en) | 2010-08-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110513 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130430 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130430 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130624 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130628 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130910 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131210 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20131217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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