JP2010177712A - 発光素子及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置 - Google Patents

発光素子及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2010177712A
JP2010177712A JP2010114024A JP2010114024A JP2010177712A JP 2010177712 A JP2010177712 A JP 2010177712A JP 2010114024 A JP2010114024 A JP 2010114024A JP 2010114024 A JP2010114024 A JP 2010114024A JP 2010177712 A JP2010177712 A JP 2010177712A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting cell
cells
semiconductor layer
emitting cells
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2010114024A
Other languages
English (en)
Inventor
Chung-Hoon Lee
ジョン−フン イ，
Keon Young Lee
イ，ゴン−ヨン
Yves Lacroix
イブ，ラクロイク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seoul Viosys Co Ltd
Original Assignee
Seoul Optodevice Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=35783103&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2010177712(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority claimed from KR1020040087379A external-priority patent/KR100961483B1/ko
Priority claimed from KR20040104569A external-priority patent/KR20060065954A/ko
Application filed by Seoul Optodevice Co Ltd filed Critical Seoul Optodevice Co Ltd
Publication of JP2010177712A publication Critical patent/JP2010177712A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H05B45/42—Antiparallel configurations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/36—Circuits for reducing or suppressing harmonics, ripples or electromagnetic interferences [EMI]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】発光素子、この製造方法及びこれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された、下部電極、下部電極上に形成された第１半導体層、第１半導体層上に形成された活性層、活性層上に形成された第２半導体層、及び第２半導体層上に形成された上部電極を各々有する複数の発光セルと、複数の発光セル中の一つの発光セルの下部電極とその発光セルに隣接する別の発光セルとの間に形成された絶縁膜と、を備え、複数の発光セルは、複数の発光セルを二つ以上有する第１の発光セルブロック及び複数の発光セルを四つ以上有する第２の発光セルブロックを構成し、第１の発光セルブロックの一端の発光セルの下部電極は、第２の発光セルブロックの二つの発光セルの上部電極と絶縁膜上に形成された配線で接続され、第１の発光セルブロックの他端の発光セルの上部電極は、第２の発光セルブロックの二つの発光セルとは異なる二つの発光セルの下部電極と絶縁膜上に形成された配線で接続される発光素子。
【選択図】図１０

Description

本発明は複数のセルが結合された発光素子及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置に関し、さらに詳しくは、単一枚の基板の上に複数の発光用のセルが配設されている単一の発光素子とこの製造方法及びこれを用いた発光装置に関する。
発光ダイオードとは、半導体のｐ−ｎ接合構造を用いて注入された少数キャリア（電子または正孔）を作り出し、これらを再結合することにより所定の光を発する素子を言う。この種の発光ダイオードは、表示装置及びバックライトとして用いられており、近年、一般の照明用途にこれを適用するための研究が盛んに行われつつある。
これは、発光ダイオードが既存の電球または蛍光灯などに比べて消費電力が少なく、且つ、寿命が長いためである。すなわち、発光ダイオードの消費電力が既存の照明装置に比べて数ないし数十分の１に過ぎず、且つ、寿命が数ないし数十倍に至ることから、消費電力の削減の側面と耐久性の側面からみて遥かに優れているためである。
一般に、発光ダイオードを照明として用いるためには、別途のパッケージング工程により発光素子を形成し、複数の個別の発光素子をワイヤーボンディングにより直列に接続し、外部において保護回路及び交流／直流（ＡＣ／ＤＣ）変換器などを設けてランプ形状に製作していた。
図１は、従来の発光装置を説明するための概念図である。図１を参照すると、発光チップが実装された複数の発光素子１０ａ〜１０ｃを直列に接続して一般の照明用の発光装置を製作している。このために、複数の発光素子１０ａ〜１０ｃを直列に配設した後、金属配線を施してそれぞれ異なる発光素子１０ａ〜１０ｃの内部の発光チップを電気的に直列に接続していた。かかる製造工程については、例えば、特許文献１に開示されている。
しかしながら、従来の技術により上述の構造を有する照明用の発光装置を製作した場合、多数の素子に一々金属配線工程を行うことが余儀なくされるが故に、工数が増え、且つ、工程が複雑化するという問題が生じる。また、工数が増えるほど、これによる不良の発生率も高くなり、これは、量産に対して障害となっていた。さらに、ある一定の衝撃により金属配線が短絡してしまい、発光素子の動作が止まってしまうこともしばしば起こる。さらにまた、個々の発光素子を直列に配設する必要があるため、発光素子が占める空間が広くなり、その結果、ランプがかなり肥大化してしまうという不具合があった。
なお、上述の素子レベルの発光チップアレイではなく、ウェーハレベルでのマイクロチップをアレイすることに関しては、例えば、特許文献２に開示されている。これは、表示装置に関するものであり、それぞれの画素に発光を誘発する発光ダイオードが配されるように発光セルをマトリックス状に配設する。しかしながら、上述のマトリックス状に配設された構造の素子を発光させるためには、縦方向と横方向にそれぞれ異なる電気的な信号を加える必要があるだけではなく、電気的な信号をアドレス方式により加える必要があるため、これを制御することが極めて困難である。また、マトリックス状の配設により配線間の断線が懸念され、且つ、配線間の重なり合い領域に多くの干渉が生じてしまう。さらに、上述のマトリックス状の構造では、高電圧が加えられる照明用の発光装置に適用しづらいという問題があった。
米国特許第５４６３２８０号明細書 韓国特許出願公開第２００４−９８１８号明細書
そこで、本発明は、上記の問題を解消するためになされたものであり、本発明の目的は、複数の発光セルが直列に接続されている単一チップの発光素子を用いて発光ダイオードランプを製作することができ、ウェーハレベルにおいて複数の発光セルを電気的に接続することからランプの製作工程を単純化させることができ、不良率を低減させることができて量産に好適な複数のセルがアレイされた発光素子及びこの製造方法、並びにこれを用いた発光装置を提供することにある。
本発明の一実施形態に係る発光素子は、基板と、基板上に形成された、下部電極、下部電極上に形成された第１半導体層、第１半導体層上に形成された活性層、活性層上に形成された第２半導体層、及び第２半導体層上に形成された上部電極をそれぞれ有する複数の発光セルと、複数の発光セルのうちの一つの発光セルの下部電極と一つの発光セルに隣接する別の発光セルとの間に形成された絶縁膜と、を具備し、複数の発光セルは、複数の発光セルを二つ以上有する第１の発光セルブロックと、複数の発光セルを四つ以上有する第２の発光セルブロックとを構成し、第１の発光セルブロックの一端の発光セルの下部電極は、第２の発光セルブロックの二つの発光セルの上部電極と絶縁膜上に形成された配線により電気的に接続され、第１の発光セルブロックの他端の発光セルの上部電極は、第２の発光セルブロックの二つの発光セルとは異なる別の二つの発光セルの下部電極と絶縁膜上に形成された配線により電気的に接続されることを特徴とする。
基板は、導電性基板であってもよく、絶縁層が基板と下部電極との間に形成されてもよい。
下部電極の一部は、発光セルの外側に露出されてもよい。
第１の発光セルブロックは交流電源の順方向及び逆方向の電圧印加時の両方で光を出射し、第２の発光セルブロックは交流電源の順方向又は逆方向の電圧印加時で光を出射する発光セルを少なくとも二つずつ有してもよい。
本発明の一実施形態に係る発光素子は、基板と、基板上に形成された、下部電極、下部電極上に形成された第１半導体層、第１半導体層上に形成された活性層、活性層上に形成された第２半導体層、及び第２半導体層上に形成された上部電極をそれぞれ有する複数の発光セルと、複数の発光セルのうちの一つの発光セルの下部電極と一つの発光セルに隣接する別の発光セルとの間に形成された絶縁膜と、を具備し、複数の発光セルは、交流電源の順方向および逆方向の電圧印加時の両方で光を出射する複数の発光セルを二つ以上有する発光セルブロックと、交流電源の順方向でのみ光を出射する複数の発光セルと交流電源の逆方向でのみ光を出射する複数の発光セルとをそれぞれ二つ以上有する整流ブリッジ部とを構成し、発光セルブロックの一端の発光セルの下部電極は、整流ブリッジ部の二つの発光セルの上部電極と絶縁膜上に形成された配線により電気的に接続され、発光セルブロックの他端の発光セルの上部電極は、整流ブリッジ部の二つの発光セルとは異なる別の二つの発光セルの下部電極と絶縁膜上に形成された配線により電気的に接続されることを特徴とする。
基板は、導電性基板であってもよく、絶縁層が基板と下部電極との間に形成されてもよい。
下部電極の一部は、発光セルの外側に露出されてもよい。
本発明によれば、複数の発光セルが直列に接続されている単一の発光素子を用いることにより、照明に使用可能な発光装置を製作することができるという効果がある。また、ウェーハレベルにおいて複数の発光セルを電気的に接続することから、高電圧及び家庭用の交流電源において発光可能な発光素子を製作することができるという効果がある。
さらに、複数の発光セルが基板の上において電気的に接続された発光素子を用いることから、照明用の発光装置の製作工程を単純化させることができ、照明用の発光装置の製作時に生じうる不良率を低減することができ、しかも、照明用の発光装置を量産することができるという効果がある。さらにまた、発光素子チップの電極と所定の整流回路を接続して交流動作時におけるリップル要素を極力抑えて発光効率を極大化させ、且つ、抵抗体を取り付けることによりＬＥＤアレイにかかる負荷を調節して発光素子チップを保護することができるという効果がある。
従来の発光装置を説明するための概念図である。 本発明の一実施形態よる単位発光セルの断面図である。 本発明の一実施形態による発光セルが配設されている発光素子の断面図である。 本発明の他の実施形態による単位発光セルの断面図である。 本発明の他の実施形態の発光セルが配設されている第１の変形例による発光素子の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の他の実施形態の発光セルが配設されている第２の変形例による発光素子の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の他の実施形態の発光セルが配設されている第３の変形例による発光素子の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態による発光素子を説明するための概念図である。 本発明の第２の実施形態による発光素子を説明するための概念図である。 本発明の第３の実施形態による発光素子を説明するための概念図である。 本発明の第４の実施形態による発光素子を説明するための概念図である。 本発明の第５の実施形態による発光素子を説明するための概念図である。 本発明の第６の実施形態による発光素子を説明するための概念図である。 本発明による発光装置を説明するための概念図である。
次に、本発明に係る発光素子及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
但し、本発明は後述する実施の形態に限定されるものではなく、相異なる形で実現可能であり、これらの実施の形態は、単に本発明の開示を完全たるものにし、且つ、この技術分野における通常の知識を持った者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。
図２は、本発明の一実施形態よる単位発光セルの断面図である。図２を参照すると、発光セル１００は、基板２０と、基板２０の上に順次に積層されたバッファ層３０、Ｎ型半導体層４０、活性層５０及びＰ型半導体層６０と、Ｎ型半導体層４０の上に形成されたＮ型ボンディングパッド（図３（ａ）における９５）と、Ｐ型半導体層６０の上に形成されたＰ型ボンディングパッド（図３（ａ）における９０）とを備える。
このとき、Ｎ型ボンディングパッドの下部とＰ型ボンディングパッドの下部のそれぞれにＮ型抵抗接続膜（図示せず）及びＰ型抵抗接続膜（図示せず）をさらに備えることができる。また、Ｐ型半導体層６０とＰ型ボンディングパッドとの間に透明電極層７０をさらに備えることができる。さらに、それぞれの半導体層（４０、６０）の上に隣り合うセル間を接続するための金属性の電極がさらに形成することもできる。以上において、基板２０としては、発光ダイオードを製作するための通常のウェーハが用いられ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＬｉＡｌ２Ｏ３、ＢＮ、ＡｌＮ、及びＧａＮの内の少なくともいずれか１種の基板を用いることが好ましい。この実施形態においては、サファイア製の結晶成長の基板２０を用いる。
次に、バッファ層３０は、結晶の成長時に基板２０と後続層との格子不整合を低減するための層であって、半導体材料としてＧａＮを含んでなる。Ｎ型半導体層４０は、電子が生じる層であって、Ｎ型化合物半導体層とＮ型クラッド層とにより形成される。このとき、Ｎ型化合物半導体層としては、Ｎ型不純物がドープされているＧａＮを用いる。Ｐ型半導体層６０は、正孔が生じる層であって、Ｐ型クラッド層とＰ型化合物半導体層とにより形成される。このとき、Ｐ型化合物半導体層としては、Ｐ型不純物がドープされているＡｌＧａＮを用いる。
活性層５０は、所定のバンドギャップと量子井戸が作られて電子及び正孔が再結合される領域であって、ＩｎＧａＮを含んでなる。また、活性層５０を構成する物質の種類に応じて、電子及び正孔が結合して得られる発光波長が変わる。このため、目標とする波長に応じて活性層５０に含まれる半導体材料を調節することが好ましい。
Ｎ型ボンディングパッドとＰ型ボンディングパッドは、発光セル１００を外部の金属配線と電気的に接続するためのパッドであって、Ｔｉ／Ａｕの積層構造に形成することができる。また、上述の透明電極層７０は、Ｐ型ボンディングパッドを介して加えられる電圧をＰ型半導体層６０に均一に伝える役割を果たす。
上述のように、本発明による発光セル１００は、サファイアの基板２０の上に形成された水平タイプの発光チップを言うものであり、本発明においては、単一の発光チップを用いて単一の発光素子を製作するのではなく、複数の発光チップを用いて単一の発光素子を形成していることから、従来の発光チップを発光セルとして標記している。
以下、上述の発光セルの製造方法を簡略に説明する。サファイアの基板２０の上にバッファ層３０、Ｎ型半導体層４０、活性層５０及びＰ型半導体層６０を順次に結晶成長させる。Ｐ型半導体層６０の上に透明電極層７０をさらに形成することもできる。それぞれの層は、上述のごとき物質を蒸着するための有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ；Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、分子線成長法（ＭＢＥ；Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）、水素化物気相成長法（ＨＶＰＥ；Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）などをはじめとする種々の蒸着・成長方法により形成される。
この後、マスクを用いたフォトエッチング工程を行うことで、Ｎ型半導体層４０の一部を開放する。すなわち、マスクをエッチングマスクとするエッチング工程を行うことによりＰ型半導体層６０、活性層５０及びＮ型半導体層４０の一部を除去して、Ｎ型半導体層４０を露出させる。このとき、マスクは感光膜を用いて形成するが、Ｎ型パッドが形成されるべき領域を開放し、且つ、個々のセルを電気的に孤立（絶縁）可能な形状に形成する。エッチング工程としては、湿式エッチング及び乾式エッチング工程の両方とも採用でき、この例においては、プラズマを用いた乾式エッチングを行うことが好適である。
エッチング工程を行い続けることで個々の発光セル１００を電気的に分離する。すなわち、サファイアの基板２０が露呈するまでＮ型半導体層４０とバッファ層３０をエッチングしてそれぞれのセルを絶縁（孤立）させる。
上述のように単一枚のマスクを用いてエッチングを行うこともできるが、それぞれ異なるマスクを用いてエッチングを行うこともできる。すなわち、Ｎ型パッドが形成されるべき領域を開放する第１のマスクを用いて第１のエッチングを行った後、発光セル１００を電気的に分離するために所定の領域を開放する第２のマスクを用いて第２のエッチングを行うことができる。
マスクを除去した後、開放されたＮ型半導体層４０の上にＮ型パッドを形成し、Ｐ型半導体層６０の上にＰ型パッドを形成する。
上述のように、本発明は、単位発光セルを直列または並列に配設させて発光素子を製作している。以下、これについて図面を参照して説明する。
図３は、本発明の一実施形態による発光セルが配設されている発光素子の断面図である。図３を参照すると、本発明の発光素子は、複数の発光セル１００−１〜１００−ｎが直列に接続されている。すなわち、発光素子は、隣り合う発光セル１００−１〜１００−ｎのＮ型半導体層４０とＰ型半導体層６０が電気的に接続され、一方の端部の発光セル１００−ｎのＮ型半導体層４０の上にＮ型パッド９５が形成され、他方の端部の発光セル１００−１のＰ型半導体層６０の上にＰ型パッド９０が形成された複数の発光セル１００を備える。
隣り合う発光セル１００−１〜１００−ｎのＮ型半導体層４０とＰ型半導体層６０は、所定の金属配線８０−１〜８０−ｎ−１を用いて電気的に接続させる。また、本発明においては、発光セル１００−１〜１００−ｎを直列に接続して交流電圧電源によって駆動可能な数だけ形成するのが効果的である。本発明においては、単一の発光セル１００を駆動するための電圧／電流と、照明用の発光素子に加えられる交流駆動電圧に応じて、直列または並列に接続される発光セル１００の数が異なってくる。
好ましくは、１０〜１０００個の発光セルを直列に接続し、より好ましくは、３０〜７０個の発光セルを直列に接続する。例えば、２２０Ｖの交流電圧下においては、一定の駆動電流において３．３Ｖで駆動する単位発光ダイオードセルの６６〜６７個を直列に接続して発光素子を製作する。また、１１０Ｖの交流電圧下においては、一定の駆動電流において３．３Ｖで駆動する単位発光ダイオードセルの３３〜３４個を直列に接続して発光素子を製作する。
図３（ａ）に示すように、第１〜第ｎ個の発光セル１００−１〜１００−ｎが直列に接続されている発光素子において、第１の発光セル１００−１のＰ型半導体層６０の上にＰ型パッド９０が形成され、第１の発光セル１００−１のＮ型半導体層４０と第２の発光セル１００−２のＰ型半導体層６０が第１の金属配線８０−１により接続される。また、第２の発光セル１００−２のＮ型半導体層４０と第３の発光セル（図示せず）のＰ型半導体層（図示せず）が第２の金属配線８０−２により接続される。そして、第ｎ−２の発光セル（図示せず）のＮ型半導体層（図示せず）と第ｎ−１の発光セル１００−ｎ−１のＰ型半導体層６０が第ｎ−１の金属配線８０−ｎ−２により接続され、第ｎ−１の発光セル１００−ｎ−１のＮ型半導体層４０と第ｎの発光セル１００−ｎのＰ型半導体層６０が第ｎの配線８０−ｎ−１により接続される。また、第ｎの発光セル１００−ｎのＮ型半導体層４０にＮ型パッド９５が形成される。このとき、それぞれの半導体層の上には金属電極となるパッドが形成されて、これらのパッド間を配線により接続する。
本発明の基板２０は、多数の発光素子が製作可能な基板であってもよい。そこで、図３（ａ）及び図３（ｂ）における「Ａ」領域をこれらの多数の素子を個別的に切断するための切断領域と称する。また、上述の発光素子においては、外部交流電圧を整流するための整流用の第１〜第４のダイオード（図示せず）が同基板内に形成してもよい。第１〜第４のダイオードは整流ブリッジ状に配設される。第１〜第４のダイオード間の整流ノードがそれぞれ発光セルのＮ型パッドとＰ型パッドに接続されてもよい。第１〜第４のダイオードとして発光セルを用いることができる。
以下、上述の複数の発光セルが直列に接続されている発光素子の製造方法を簡略に説明する。サファイアの基板２０の上にバッファ層３０、Ｎ型半導体層４０、活性層５０及びＰ型半導体層６０を順次に結晶成長させる。Ｐ型半導体層６０の上に透明電極層７０をさらに形成することもできる。
所定のパターニング工程を通じてＮ型半導体層４０の一部を開放し、それぞれの発光セル１００を電気的に絶縁する。パターニング工程は、全体の構造の上に感光膜を塗布した後、所定のリソグラフィ工程を行うことにより、所定の領域が開放された感光膜マスク（図示せず）を形成する。所定の領域とは、発光セル１００の間の領域及び開放されるべきＮ型半導体層４０の領域を言う。感光膜マスクをエッチングマスクとしてＰ型半導体層６０と活性層５０をエッチングすることによりＮ型半導体層４０を開放し、その後、エッチング工程を行い続けることでＮ型半導体層４０の一部をエッチングして個別の発光セル１００形成し、これらを電気的に絶縁する。
続けて、多数回に亘ってのパターニング工程を行うことでＮ型半導体層４０の一部を開放し、それぞれの発光素子を電気的に絶縁することもできる。すなわち、図３（ａ）に示すように、Ｐ型半導体層６０、活性層５０及びＮ型半導体層４０の一部をエッチングしてＮ型半導体層４０の一部を露出させ、別途の工程を通じてＰ型半導体層６０、活性層５０、Ｎ型半導体層４０及びバッファ層３０をエッチングして発光セル１００を電気的に絶縁する。
また、図３（ｂ）に示すように、Ｎ型半導体層４０までのみエッチングして発光セル１００を電気的に絶縁することもできる。パターニング工程に用いられるエッチング工程は、湿式エッチング工程であっても、乾式エッチング工程であってもよいが、ここでは、プラズマを用いた乾式エッチングを行うことが好適である。
上述の製造工程と同様にして整流ブリッジ用のダイオードを一体に形成することもできる。もちろん、通常の半導体の製造工程を適用して整流ブリッジ用のダイオードを別途に形成することもできる。
この後、所定のブリッジ工程またはステップカバーリッジなどの工程を行うことにより、それぞれ隣り合う発光セル１００−１〜１００−ｎのＮ型半導体層４０とＰ型半導体層６０を電気的に接続する導電性（金属）配線８０−１〜８０−ｎ−１を形成する。導電性（金属）配線８０−１〜８０−ｎ−１は、導電性の物質を用いて形成するが、金属または不純物がドープされたシリコン化合物を用いて形成する。
上述のブリッジ工程はエアブリッジ工程とも呼ばれ、互いに接続するチップ間の隙間にフォト工程を用いて感光液を塗布し、現像して感光膜パターンを形成し、まず、その上に金属などの物質を真空蒸着などの方法で薄膜として形成し、その上に、金（Ａｕ）含有導電性物質をメッキまたは金属蒸着などの方法により一定の厚さにさらに形成する。この後、ソルベントなどの溶液により感光膜パターンを除去すると、導電性物質の下部は全て除去され、ブリッジ状の導電性物質のみが空間に形成される。
また、ステップカバーリッジ工程は、互いに接続するべきチップ間の繋ぎ部にフォト工程を用いて感光液を塗布し且つ現像して互いに接続する個所のみを残し、残りの部分は感光膜パターンにより覆う。さらに、その上に金含有導電性物質をメッキまたは金属蒸着などの方法により一定の厚さに形成する。次いで、ソルベントなどの溶液により感光膜パターンを除去すると、導電性物質が覆われている部分を除く他の部分は全て除去される。また、この覆われている部分だけが残されて、接続するべきチップ間を電気的に接続する役割を果たす。
一方、両端部に位置する発光セル１００−１及び１００−ｎに、それぞれ外部との電気的な接続のためのＰ型パッド９０とＮ型パッド９５を形成する。整流ブリッジ用のダイオードをＰ型パッド９０とＮ型パッド９５にそれぞれ接続することもでき、別途の導電性配線をＰ型パッド９０とＮ型パッド９５に接続させることもできる。
上述のごとき本発明の発光素子の製造は一実施の形態に過ぎず、本発明はこれに限定されるものではなく、種々の工程と製造方法が素子の特性及び工程の便宜性に応じて変更または追加可能であるだけではなく、上述の水平型の発光セルのみならず、垂直型の発光セルを直列に接続しても、発光素子を製作することができる。
本発明は、基板の上にそれぞれ個別化された複数の垂直型の発光セルを付着させ、複数の垂直型の発光セルと隣り合うセルの相異なる電極パッドとを電気的に接続する。すなわち、発光セル間を直列又は並列に接続して発光素子を製作することができる。
以下、図面を参照して、垂直型の発光セルとこの垂直型の発光セルが直列又は並列に接続されている発光素子について説明する。以下の説明において、上述の水平型の発光セルとこの水平型の発光セルが直列又は並列に接続されている発光素子との重複説明は省く。
図４は、本発明の他の実施形態による単位発光セルの断面図である。図４を参照すると、この実施形態による単位発光セルは、垂直型の発光セル２００であって、その構造をみると、Ｎ型パッド２１０、Ｎ型半導体層２２０、活性層２３０、Ｐ型半導体層２４０及びＰ型パッド２５０が順次に積層されている。もちろん、発光セル２００の特性に応じて種々の物質層がさらに付加可能である。
上述の構造を有する垂直型の発光セルの製造方法を簡略に説明すると、母基板（ｐａｒｅｎｔ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）（図示せず）の上にバッファ層（図示せず）、Ｎ型半導体層２２０、活性層２３０、Ｐ型半導体層２４０及びＰ型パッド２５０を順次に形成する。このとき、Ｐ型半導体層２４０及びＰ型パッド２５０の間にＩＴＯ膜（図示せず）が形成されてもよい。
Ｐ型パッド２５０、Ｐ型半導体層２４０、活性層２３０、Ｎ型半導体層２２０及びバッファ層の一部をエッチングして個々の発光セルとして電気的に分離する。この後、Ｐ型パッド２５０の上に導電性のホスト基板（ｈｏｓｔ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）（図示せず）を貼り付けた後、Ｎ型半導体層２２０の下部のバッファ層と母基板をレーザーリフトオフ（ｌｉｆｔ ｏｆｆ）工程により除去する。Ｎ型半導体層２２０の下部にＮ型パッド２１０を形成した後、ホスト基板を個々の発光セル別に切断して垂直型の発光セル２００を製造する。
この実施形態においては、上述の構造を有する発光セルを基板の上に貼り付けてこれらをそれぞれ直列に接続してなる発光素子の種々の製造方法が提供可能である。図５は、本発明の他の実施形態による発光セルが配設されている第１の変形例による発光素子の製造方法を説明するための断面図である。
図５（ａ）及び図５（ｂ）を参照すると、基板２０１の上に、Ｎ型半導体層２２０とＰ型半導体層２４０との間に活性層２３０が形成され、且つ、Ｎ型半導体層２２０とＰ型半導体層２４０上にそれぞれ電極パッド（２１０、２５０）が形成されている複数の垂直型の発光セル２００を貼り付ける。
基板２０１としては、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＬｉＡｌ２Ｏ３、ＢＮ、ＡｌＮ及びＧａＮの内の少なくともいずれか１種の基板を用いることができ、樹脂、プラスチックなどの絶縁性の基板を用いることができ、また、熱伝導性に優れた基板を用いることもできる。もし、導電性の基板を用いる場合には、絶縁のために、その上部の表面に絶縁層が形成された基板を用いる。
この後、発光セル２００を基板２０１の上に所定のペースト（図示せず）を用いて貼り付ける。このとき、発光セル２００のＰ型パッド２５０が基板２０１の上に貼り付けられる。もちろん、これ以外のさまざまな方法を用いてこれらの両者を貼り合わせることができる。すなわち、この変形例においては、Ｐ型パッド２５０が基板２０１に貼り付けられているが、Ｎ型パッド２１０が基板２０１に貼り付けられていてもよい。
次に、Ｎ型パッド２１０、Ｎ型半導体層２２０、活性層２３０及びＰ型半導体層２４０の一部に対して所定のエッチング工程を行うことで、下部のＰ型パッド２５０の一部を露出させる。これにより、図５に示すように、発光セル２００の下部の一部にＰ型パッド２５０が露出される。所定の配線形成工程により、隣り合う発光セル２００間の電極を接続する。すなわち、一方の発光セル２００の露出されたＰ型パッド２５０と、これと隣り合う他方の発光セル２００のＮ型パッド２１０とを配線２６０により接続する。このとき、ブリッジ工程またはステップカバーリッジなどの工程を通じてそれぞれ隣り合う発光セル２００のＮ型パッド２１０とＰ型パッド２５０とを電気的に接続する導電性の配線２６０を形成する。
配線２６０としては、金属に加えて、伝導性を有する物質であればいずれも用いることができる。上述の配線形成工程はこれに限定されるものではなく、種々の実施の形態が採用可能である。これについては後述する。
本発明の発光素子において、一方の端部に位置する発光セル２００のＰ型パッド２５０と他方の端部に位置する発光セル２００のＮ型パッド２１０のそれぞれに外部端子電極（図示せず）を別途に形成して、外部から所定の電源が供給されるようにする。
図６は、本発明の他の実施形態の発光セルが配設されている第２の変形例による発光素子の製造方法を説明するための断面図である。図６を参照すると、上述の変形例において述べたように、垂直型の発光セル２００を基板２０１の上に貼り付けた後、所定のエッチング工程を通じてＰ型パッド２５０の一部を露出させる。
次に、露出されたＰ型パッド２５０と隣り合う発光セル２００との間の基板２０１の上に、後続する配線とのショートを防ぐための所定の絶縁膜２５５を形成する。この後、所定の金属配線工程を用いて隣り合う発光セル２００間の電極を配線２６０により接続する。これらの絶縁膜２５５及び配線２６０は印刷工程を通じて形成することができるが、所定の蒸着、パターニング及びエッチング工程を通じて形成することもできる。
発光素子の製造は上述の工程により形成されるものに限定されず、発光セルのエッチングを行うことなく、発光セルよりも広幅の電極パターンを基板の上に形成した後、その上部に発光セルを貼り付けることができる。上述の変形例においては、Ｐ型パッドが基板に貼り付けられているが、Ｎ型パッドが基板に貼り付けられていてもよい。
図７は、本発明の他の実施形態の発光セルが配設されている第３の変形例による発光素子の製造方法を説明するための断面図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）を参照すると、所定の電極パターン２０２が形成された基板２０１の電極パターン２０２の上に垂直型の発光セル２００のＰ型パッド２５０を貼り付ける。
基板２０１の上に形成された電極パターン２０２は、発光セル２００を直列に接続するために種々のアレイが採用可能である。もちろん、電極パターン２０２は、要求される発光セル２００の数に見合う分だけ形成し、発光セル２００のサイズよりも一側方向に長く形成する。また、それぞれの電極パターン２０２間は電気的・物理的に分離されている。
このとき、この変形例においては、基板２０１の上に電極パターン２０２が形成されているため、発光セル２００のＰ型パッド２５０を形成せずとも、基板２０１の上の電極パターン２０２をＰ型パッド２５０として用いることができる。また、この変形例においては、Ｐ型パッド２５０が基板２０１に貼り付けられているが、Ｎ型パッド２１０が基板２０１に貼り付けられていてもよい。このとき、Ｎ型パッド２１０を形成しないこともできる。
ここで、発光セル２００のＰ型パッド２５０と基板２０１の電極パターン２０２を貼り合わせるために導電性ペーストを用いる。もちろん、これ以外の種々の方法を用いてこれらの両者を貼り合わせることができる。このとき、図７（ｂ）に示すように、下部電極パターン２０２の一方の側に発光セル２００を並べ、他方の側に下部電極パターン２０２を露出させる。
この後、一方の発光セル２００と接続された電極パターン２０２と隣り合う一方の発光セル２００のＮ型パッド２１０を導電性の配線２６０を用いて電気的に接続する。これにより、一方の発光セル２００のＮ型パッド２１０は電極パターン２０２と配線２６０を介して隣り合う他方の発光セル２００のＰ型パッド２５０と接続されて複数の発光セル２００が直列に接続される。
上述の変形例はそれぞれの変形例に限定されるものではなく、それぞれの変形例間の変換が可能である。すなわち、半導体層の形成に際しても、多数の半導体膜がさらに追加されることができ、隣り合う発光セルを接続するために別途の絶縁膜を形成して隣り合うセル間を電気的に孤立させた後、それぞれの電極を露出させて、これらを所定の配線により接続することもできる。
図８は、本発明の第１の実施形態による発光素子を説明するための概念図である。図８を参照すると、この実施形態の発光素子３００は、直列に接続されている複数の発光セル１００、２００が外部と電気的に接続される。
この実施形態による発光素子３００において、ワイヤー工程を通じてＮ型パッド９５、２１０及びＰ型パッド９０、２５０にそれぞれ第１及び第２の電極３１０、３２０を形成する。ここで、第１及び第２の電極３１０、３２０のそれぞれは、アノード電極及びカソード電極を言う。これにより、複数の発光セル１００、２００が直列に接続されている単一の発光素子３００を製造する。
加えて、交流駆動時にも動作可能に別途の制御部が追加されている発光素子を提供することができる。複数の発光セルが直列に接続されている上記の場合に限定されることなく、複数の発光セルが直列に接続されている複数の発光セルブロックを並列に接続させて発光素子を製作することができる。これについては後述する。
図９は、本発明の第２の実施形態による発光素子を説明するための概念図である。図９を参照すると、直列に接続されている複数の発光セル１００、２００を備える少なくとも２以上の発光セルブロック１０００ａ、１０００ｂが電極の間において逆並列に接続される。
図９中、第１の発光セルブロック１０００ａと第２の発光セルブロック１０００ｂが第１及び第２の電極３１０、３２０の間に並列に接続されている。このとき、第１の発光セルブロック１０００ａのカソードは第１の電極３１０に接続され、アノードは第２の電極３２０に接続され、第２の発光セルブロック１０００ｂのカソードは第２の電極３２０に接続され、アノードは第１の電極３１０に接続される。これは一実施形態に過ぎず、２以上の発光セルブロック１０００が並列に接続されることもできる。また、並列に接続されている２個の発光セルブロック１０００ａ、１０００ｂのそれぞれは、上述の発光セル１００、２００の略半数の発光セル１００、２００を備えることもできる。
例えば、発光素子３００に設けられた発光セルブロック１０００ａ、１０００ｂ内の発光セル１００、２００が４０個であるとしたとき、第１の発光セルブロック１０００ａ内に２０個、第２の発光セルブロック１０００ｂ内に２０個が配置可能である。もちろん、第１及び第２の発光セルブロック１０００ａ、１０００ｂ内の発光セル１００、２００の数はこれに限定されない。しかしながら、発光素子の明るさの変化を極力抑えるために、第１及び第２の発光セルブロック１０００ａ、１０００ｂ内の発光セル１００、２００の数が同数であることが好ましい。
上述の構成を有する本発明の第２の実施形態による発光素子の動作を説明すると、もし、第１の電極３１０に「＋」電圧が加えられ、第２の電極３２０に「−」電圧が加えられる場合、第２の発光セルブロック１０００ｂが発光する。一方、第１の電極３１０に「−」電圧が、第２の電極３２０に「＋」電圧が加えられる場合、第１の発光セルブロック１０００ａが発光する。すなわち、外部の交流電源が発光素子に加えられるとしても、第１及び第２の発光セルブロック１０００ａ、１０００ｂが交互に発光するため、交流電源においても十分に使用可能である。また、家庭で用いられる電源は６０Ｈｚであるため、２個の発光セルブロック１０００ａ、１０００ｂが交互に発光しても何ら問題ない。加えて、所定の整流動作を行う別途のブリッジ部を備える発光素子を製作することができる。
図１０は、本発明の第３の実施形態による発光素子を説明するための概念図である。図１０を参照すると、この実施形態による発光素子３００は、直列に接続されている複数の発光セル１００、２００と、発光セル１００、２００に所定の電流を加えるための整流ブリッジ部３０１と、整流ブリッジ部３０１と接続されている第１及び第２の電極３１０、３２０と、を備える。
この実施形態においては、直列に接続されている複数の発光セル１００、２００が外部の電源とは直接的に接続されることなく、第１及び第２の電極３１０及び３２０に接続されている整流ブリッジ部３０１を介して外部の電源に電気的に接続される。整流ブリッジ部３０１は、第１の電極３１０と発光セル１００、２００のアノード端子に接続された第１のダイオードＤ１と、発光セル１００、２００のアノード端子と第２の電極３２０に接続された第２のダイオードＤ２と、第２の電極３２０と発光セル１００、２００のカソード端子に接続された第３のダイオードＤ３と、発光セル１００、２００のカソード端子と第１の電極３１０に接続された第４のダイオードＤ４とを備えてなる。
このため、整流ブリッジ部３０１は順方向の電圧印加時に順方向に並べられたブリッジダイオードＤ１及びＤ３により電流が直列に接続された発光セル１００、２００に加えられ、逆方向の電圧印加時に逆方向に並べられた整流ブリッジダイオードＤ２及びＤ４により電流が直列に接続された発光セル１００、２００に加えられる。これにより、交流電源とは無関係に、発光素子３００が発光し続ける。また、外部の電源が整流ブリッジと直列に接続されている発光セルに同時に加えることもできる。
図１１は、本発明の第４の実施形態による発光素子を説明するための概念図である。図１１を参照すると、この実施形態による発光素子３００は、直列に接続されている複数の発光セル１００、２００と、発光セル１００、２００に所定の電流を加えるための整流ブリッジ部３０１と、発光セル１００、２００と整流ブリッジ部３０１にそれぞれ接続されている第１及び第４の電極３１０、３４０とを備える。
この実施形態においては、直列に接続されている複数の発光セル１００、２００が第２及び第４の電極３２０、３４０により外部の電源と電気的に接続され、第１及び第３の電極３１０、３３０に接続されている整流ブリッジ部３０１により外部電源と電気的に接続されている。発光セル１００、２００と接続される電源と整流ブリッジ部３０１と接続される電源は同じ電源であってもよく、それぞれ異なる電源であってもよい。
整流ブリッジ部３０１は、第１の電極３１０と第２の電極３２０との間に接続された第１のダイオードＤ１と、第２の電極３２０と第３の電極３３０との間に接続された第２のダイオードＤ２と、第３の電極３３０と第４の電極３４０との間に接続された第３のダイオードＤ３と、第４の電極３４０と第１の電極３１０との間に接続された第４のダイオードＤ４とを備えてなるが、第２の電極３２０及び第４の電極３４０はそれぞれ発光チップ１００、２００のアノード及びカソードに接続される。
この実施形態においては、交流電源は整流ブリッジ部３０１を介して加えられ、第２の電極３２０及び第４の電極３４０は外部からＲＣフィルタを接続して用いるために別設されたものである。直流電源は発光セル１００、２００に直接的に加えられる。これにより、本発明の発光素子３００の全体の入出力電極端子の数は４個となる。このとき、２個は交流駆動用であり、残りの２個はＲＣフィルタを並列に接続するために設けられている。ＲＣフィルタの役割は、電流成分のうちリップル要素を極力抑えることである。
図１２は、本発明の第５の実施形態による発光素子を説明するための概念図である。
図１２を参照すると、この実施形態による発光素子３００は、直列に接続されている複数の発光セル１００、２００と、発光セル１００、２００に所定の電流を加えるための整流ブリッジ部３０１と、整流ブリッジ部３０１に接続されている第１及び第２の電極３１０及び３２０と、整流ブリッジ部３０１に接続されてＬＥＤアレイの抵抗を調節するための外部接続用の負電極３５０と、発光セル１００、２００に接続されている直流用の正電極３６０とを備える。
この実施形態においては、直列に接続されている複数の発光セル１００、２００の正電極３６０と外部接続用の負電極３５０との間に抵抗体を任意に直列に接続して過負荷を防ぐことができる。整流ブリッジ部３０１は、第１の電極３１０と外部接続用の負電極３５０との間に接続された第１のダイオードＤ１と、外部接続用の負電極３５０と第２の電極３２０との間に接続された第２のダイオードＤ２と、第２の電極３２０と発光セル１００、２００のカソードとの間に接続された第３のダイオードＤ３と、発光セル１００、２００のカソードと第１の電極３１０との間に接続された第４のダイオードＤ４とを備えてなる。
図１３は、本発明の第６の実施形態による発光素子を説明するための概念図である。図１３を参照すると、この実施形態による発光素子３００は、直列に接続されている複数の発光セル１００、２００と、発光セル１００、２００に所定の電流を加えるための整流ブリッジ部３０１と、整流ブリッジ部３０１と発光セル１００、２００にそれぞれ接続されている第１〜第４の電極３１０〜３４０と、整流ブリッジ部３０１に接続されている外部接続用の負電極３５０とを備える。
この実施形態においては、整流ブリッジ部３０１の両端子（３１０、３３０）が交流電源に接続され、直列に接続されている複数の発光セル１００、２００が接続された第２及び第４の電極３２０及び３４０にはＲＣ回路が接続されて交流成分のリップル要素を極力抑え、また、過負荷を防ぐ。
整流ブリッジ部３０１は、第１の電極３１０と外部接続用の負電極３５０との間に接続された第１のダイオードＤ１と、外部接続用の負電極３５０と第３の電極３３０との間に接続された第２のダイオードＤ２と、第３の電極３３０と第４の電極３４０との間に接続された第３のダイオードＤ３と、第４の電極３４０と第１の電極３１０との間に接続された第４のダイオードＤ４とを備えてなるが、第４の電極３４０は発光チップ１００、２００のカソードに接続される。
この実施形態においては、全体の入出力電極端子の数は５個となり、交流電源は整流ブリッジ部３０１を介して加えられ、残りの電極はそれぞれ外部接続用の負電極５５０、ＲＣ回路が並列に接続される二つの電極（３２０、３４０）により構成される。
図１４は、本発明による発光装置を説明するための概念図である。図１４を参照すると、電源部４１０と、複数の発光セル１００、２００が直列に接続されている発光素子３００と、発光素子３００に加えられる電圧及び電流の波形を制御するための制御部４２０とを備える。
図１４に示すものは、電源部４１０に交流電源が加えられ、制御部４２０に組み付けられた並列ＲＣ回路と直列抵抗体を発光素子３００部に接続するようになっている。制御部４２０は、発光素子３００の内部の発光セル１００、２００とそれぞれ並列に接続されているキャパシタＣ１及び第１の抵抗Ｒ１を備える。なお、発光セル１００、２００と直列に接続されている第２の抵抗Ｒ２をさらに備えることもできる。
以下、図１４を参照して照明用の発光装置の構造及び動作について具体的に説明する。発光素子３００の整流ブリッジ部３０１は、第１及び第２の端子を介して交流電源と接続される。第１及び第２の端子が接続されていない整流ブリッジ部３０１の両ノードの間に第２の抵抗Ｒ２と発光セル１００、２００部が直列に接続される。また、直列に接続されている第２の抵抗Ｒ２と発光セル１００、２００部が第１のキャパシタＣ１と第１の抵抗Ｒ１にそれぞれ並列に接続される。
これにより、この発光装置に交流電源を加えると、発光素子３００内の整流ブリッジ部３０１を介して正と負に区分された電流が発光セル１００、２００部の両方向に加えられ、これにより、順次に発光をすることになる。また、それぞれ並列に接続されているキャパシタＣ１と、抵抗Ｒ１及びＲ２により電流の波形が制御される。
１０、３００ 発光素子
２０、２０１ 基板
３０ バッファ層
４０、２２０ Ｎ型半導体層
５０、２３０ 活性層
６０、２４０ Ｐ型半導体層
７０ 透明電極
８０、２６０ （金属）配線
９０、９５、２１０、２５０ （Ｐ型、Ｎ型）パッド
１００、２００ 発光セル
３０１ 整流ブリッジ部
３１０、３２０、３３０、３４０ （第１〜第４の）電極
３５０ 外部接続用の負電極
３６０ 直流用の正電極
４１０ 電源部
４２０ 制御部

Claims (7)

  1. 基板と、
    前記基板上に形成された、下部電極、前記下部電極上に形成された第１半導体層、前記第１半導体層上に形成された活性層、前記活性層上に形成された第２半導体層、及び前記第２半導体層上に形成された上部電極をそれぞれ有する複数の発光セルと、
    前記複数の発光セルのうちの一つの発光セルの前記下部電極と前記一つの発光セルに隣接する別の発光セルとの間に形成された絶縁膜と、
    を具備し、
    前記複数の発光セルは、前記複数の発光セルを二つ以上有する第１の発光セルブロックと、前記複数の発光セルを四つ以上有する第２の発光セルブロックとを構成し、
    前記第１の発光セルブロックの一端の前記発光セルの前記下部電極は、前記第２の発光セルブロックの二つの前記発光セルの前記上部電極と前記絶縁膜上に形成された配線により電気的に接続され、
    前記第１の発光セルブロックの他端の前記発光セルの前記上部電極は、前記第２の発光セルブロックの前記二つの発光セルとは異なる別の二つの発光セルの前記下部電極と前記絶縁膜上に形成された前記配線により電気的に接続されることを特徴とする発光素子。
  2. 前記基板は、導電性基板であり、
    絶縁層が前記基板と前記下部電極との間に形成されることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  3. 前記下部電極の一部は、前記発光セルの外側に露出されることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  4. 前記第１の発光セルブロックは交流電源の順方向及び逆方向の電圧印加時の両方で光を出射し、前記第２の発光セルブロックは前記交流電源の順方向又は逆方向の電圧印加時で光を出射する発光セルを少なくとも二つずつ有することを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  5. 基板と、
    前記基板上に形成された、下部電極、前記下部電極上に形成された第１半導体層、前記第１半導体層上に形成された活性層、前記活性層上に形成された第２半導体層、及び前記第２半導体層上に形成された上部電極をそれぞれ有する複数の発光セルと、
    前記複数の発光セルのうちの一つの発光セルの前記下部電極と前記一つの発光セルに隣接する別の発光セルとの間に形成された絶縁膜と、
    を具備し、
    前記複数の発光セルは、交流電源の順方向および逆方向の電圧印加時の両方で光を出射する前記複数の発光セルを二つ以上有する発光セルブロックと、前記交流電源の順方向でのみ光を出射する前記複数の発光セルと前記交流電源の逆方向でのみ光を出射する前記複数の発光セルとをそれぞれ二つ以上有する整流ブリッジ部とを構成し、
    前記発光セルブロックの一端の前記発光セルの下部電極は、前記整流ブリッジ部の二つの前記発光セルの前記上部電極と前記絶縁膜上に形成された配線により電気的に接続され、
    前記発光セルブロックの他端の前記発光セルの前記上部電極は、前記整流ブリッジ部の前記二つの発光セルとは異なる別の二つの発光セルの前記下部電極と前記絶縁膜上に形成された前記配線により電気的に接続されることを特徴とする発光素子。
  6. 前記基板は、導電性基板であり、
    絶縁層が前記基板と前記下部電極との間に形成されることを特徴とする請求項５に記載の発光素子。
  7. 前記下部電極の一部は、前記発光セルの外側に露出されることを特徴とする請求項５に記載の発光素子。
JP2010114024A 2004-06-30 2010-05-18 発光素子及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置 Withdrawn JP2010177712A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20040049906 2004-06-30
KR1020040087379A KR100961483B1 (ko) 2004-06-30 2004-10-29 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법 및 이를이용한 발광 장치
KR20040104569A KR20060065954A (ko) 2004-12-11 2004-12-11 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007519123A Division JP4841550B2 (ja) 2004-06-30 2005-06-29 発光素子及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014007258A Division JP2014116620A (ja) 2004-06-30 2014-01-17 発光ダイオード

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010177712A true JP2010177712A (ja) 2010-08-12

Family

ID=35783103

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007519123A Expired - Fee Related JP4841550B2 (ja) 2004-06-30 2005-06-29 発光素子及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置
JP2009263499A Withdrawn JP2010034610A (ja) 2004-06-30 2009-11-19 発光素子及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置
JP2010114024A Withdrawn JP2010177712A (ja) 2004-06-30 2010-05-18 発光素子及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置
JP2011138196A Active JP5777948B2 (ja) 2004-06-30 2011-06-22 発光ダイオード

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007519123A Expired - Fee Related JP4841550B2 (ja) 2004-06-30 2005-06-29 発光素子及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置
JP2009263499A Withdrawn JP2010034610A (ja) 2004-06-30 2009-11-19 発光素子及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011138196A Active JP5777948B2 (ja) 2004-06-30 2011-06-22 発光ダイオード

Country Status (4)

Country Link
US (7) US7804098B2 (ja)
EP (3) EP2733744A1 (ja)
JP (4) JP4841550B2 (ja)
WO (1) WO2006004337A1 (ja)

Families Citing this family (148)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7804098B2 (en) * 2004-06-30 2010-09-28 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting element with a plurality of cells bonded, method of manufacturing the same, and light emitting device using the same
JP2007012808A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Univ Of Tokushima 交流電源用発光装置
US8901575B2 (en) 2005-08-09 2014-12-02 Seoul Viosys Co., Ltd. AC light emitting diode and method for fabricating the same
KR20070095041A (ko) * 2006-03-20 2007-09-28 삼성전기주식회사 교류 전압용 발광 소자 유닛
KR100765075B1 (ko) * 2006-03-26 2007-10-09 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
US9443903B2 (en) 2006-06-30 2016-09-13 Cree, Inc. Low temperature high strength metal stack for die attachment
US8698184B2 (en) * 2011-01-21 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting diodes with low junction temperature and solid state backlight components including light emitting diodes with low junction temperature
DE102007021009A1 (de) 2006-09-27 2008-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
TWI371870B (en) * 2006-11-08 2012-09-01 Epistar Corp Alternate current light-emitting device and fabrication method thereof
KR100803162B1 (ko) 2006-11-20 2008-02-14 서울옵토디바이스주식회사 교류용 발광소자
KR101158079B1 (ko) * 2006-12-22 2012-07-20 서울옵토디바이스주식회사 다수의 셀이 결합된 발광소자
DE112007002696T5 (de) * 2006-12-26 2009-11-05 Seoul Opto Device Co. Ltd., Ansan Licht emittierende Vorrichtung
CN101652861B (zh) * 2007-01-22 2013-01-23 科锐公司 容错发光体、包含容错发光体的系统以及制造容错发光体的方法
EP3223313B1 (en) * 2007-01-22 2021-04-14 Cree, Inc. Monolithic light emitter having multiple light emitting sub-devices
US10986714B2 (en) * 2007-10-06 2021-04-20 Lynk Labs, Inc. Lighting system having two or more LED packages having a specified separation distance
KR101349409B1 (ko) 2007-11-05 2014-02-13 엘지이노텍 주식회사 발광장치 및 그 제조방법
DE102008005935A1 (de) * 2007-11-29 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiteranordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
JP5229034B2 (ja) * 2008-03-28 2013-07-03 サンケン電気株式会社 発光装置
JP5236070B2 (ja) * 2008-05-13 2013-07-17 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト Ｌｅｄアレイ
TWI488329B (zh) 2008-05-15 2015-06-11 Everlight Electronics Co Ltd 線路基板與發光二極體封裝
US8461613B2 (en) * 2008-05-27 2013-06-11 Interlight Optotech Corporation Light emitting device
KR101507131B1 (ko) * 2008-06-02 2015-03-30 서울바이오시스 주식회사 복수의 발광 셀을 구비하는 발광 소자
US9157167B1 (en) 2008-06-05 2015-10-13 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US20090301388A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-10 Soraa Inc. Capsule for high pressure processing and method of use for supercritical fluids
US8097081B2 (en) 2008-06-05 2012-01-17 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US8871024B2 (en) * 2008-06-05 2014-10-28 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US8021481B2 (en) 2008-08-07 2011-09-20 Soraa, Inc. Process and apparatus for large-scale manufacturing of bulk monocrystalline gallium-containing nitride
US8430958B2 (en) * 2008-08-07 2013-04-30 Soraa, Inc. Apparatus and method for seed crystal utilization in large-scale manufacturing of gallium nitride
US10036099B2 (en) 2008-08-07 2018-07-31 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8979999B2 (en) 2008-08-07 2015-03-17 Soraa, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US7976630B2 (en) 2008-09-11 2011-07-12 Soraa, Inc. Large-area seed for ammonothermal growth of bulk gallium nitride and method of manufacture
DE102008049535A1 (de) * 2008-09-29 2010-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul und Herstellungsverfahren
US8354679B1 (en) 2008-10-02 2013-01-15 Soraa, Inc. Microcavity light emitting diode method of manufacture
US20100295088A1 (en) * 2008-10-02 2010-11-25 Soraa, Inc. Textured-surface light emitting diode and method of manufacture
KR100999689B1 (ko) * 2008-10-17 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법, 이를 구비한 발광장치
US8455894B1 (en) 2008-10-17 2013-06-04 Soraa, Inc. Photonic-crystal light emitting diode and method of manufacture
WO2010050694A2 (ko) * 2008-10-29 2010-05-06 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드
CN201327829Y (zh) * 2008-12-03 2009-10-14 木林森电子有限公司 整流发光二极管装置
US8878230B2 (en) * 2010-03-11 2014-11-04 Soraa, Inc. Semi-insulating group III metal nitride and method of manufacture
USRE47114E1 (en) 2008-12-12 2018-11-06 Slt Technologies, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US8987156B2 (en) 2008-12-12 2015-03-24 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US9543392B1 (en) 2008-12-12 2017-01-10 Soraa, Inc. Transparent group III metal nitride and method of manufacture
US8461071B2 (en) * 2008-12-12 2013-06-11 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
KR20100076083A (ko) * 2008-12-17 2010-07-06 서울반도체 주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
TWI473246B (zh) * 2008-12-30 2015-02-11 Epistar Corp 發光二極體晶粒等級封裝
US20110100291A1 (en) * 2009-01-29 2011-05-05 Soraa, Inc. Plant and method for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
KR101562774B1 (ko) 2009-02-24 2015-10-22 서울반도체 주식회사 발광모듈
US8247886B1 (en) 2009-03-09 2012-08-21 Soraa, Inc. Polarization direction of optical devices using selected spatial configurations
US8299473B1 (en) 2009-04-07 2012-10-30 Soraa, Inc. Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors
US8791499B1 (en) 2009-05-27 2014-07-29 Soraa, Inc. GaN containing optical devices and method with ESD stability
US9000466B1 (en) 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
US8354680B2 (en) * 2009-09-15 2013-01-15 Seoul Opto Device Co., Ltd. AC light emitting diode having full-wave light emitting cell and half-wave light emitting cell
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
KR101368906B1 (ko) 2009-09-18 2014-02-28 소라, 인코포레이티드 전력 발광 다이오드 및 전류 밀도 작동 방법
US9583678B2 (en) 2009-09-18 2017-02-28 Soraa, Inc. High-performance LED fabrication
US8435347B2 (en) 2009-09-29 2013-05-07 Soraa, Inc. High pressure apparatus with stackable rings
TWM374652U (en) * 2009-10-08 2010-02-21 Forward Electronics Co Ltd High reliability and long lifetime ac LED device
US9175418B2 (en) 2009-10-09 2015-11-03 Soraa, Inc. Method for synthesis of high quality large area bulk gallium based crystals
EP2320711B1 (en) 2009-11-09 2020-09-16 Toshiba Lighting & Technology Corporation LED lighting device and illuminating device
US8740413B1 (en) 2010-02-03 2014-06-03 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US8905588B2 (en) 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US20110182056A1 (en) * 2010-06-23 2011-07-28 Soraa, Inc. Quantum Dot Wavelength Conversion for Optical Devices Using Nonpolar or Semipolar Gallium Containing Materials
US20110186874A1 (en) * 2010-02-03 2011-08-04 Soraa, Inc. White Light Apparatus and Method
WO2011115361A2 (ko) 2010-03-15 2011-09-22 서울옵토디바이스주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 장치
US8084775B2 (en) * 2010-03-16 2011-12-27 Bridgelux, Inc. Light sources with serially connected LED segments including current blocking diodes
US9450143B2 (en) 2010-06-18 2016-09-20 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices
US9564320B2 (en) 2010-06-18 2017-02-07 Soraa, Inc. Large area nitride crystal and method for making it
CA2802539A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Glo Ab Nanowire led structure and method for manufacturing the same
JP2012009400A (ja) * 2010-06-28 2012-01-12 Toshiba Lighting & Technology Corp Ｌｅｄランプシステム
US20120007102A1 (en) * 2010-07-08 2012-01-12 Soraa, Inc. High Voltage Device and Method for Optical Devices
EP2405717A1 (en) * 2010-07-09 2012-01-11 Chiu-Min Lin LED lamp brightness adjusting circuit connectable to AC power and LED lighting device using the same
US8465167B2 (en) 2011-09-16 2013-06-18 Lighting Science Group Corporation Color conversion occlusion and associated methods
US9024536B2 (en) 2011-12-05 2015-05-05 Biological Illumination, Llc Tunable LED lamp for producing biologically-adjusted light and associated methods
US9532423B2 (en) 2010-07-23 2016-12-27 Lighting Science Group Corporation System and methods for operating a lighting device
US8743023B2 (en) 2010-07-23 2014-06-03 Biological Illumination, Llc System for generating non-homogenous biologically-adjusted light and associated methods
US8686641B2 (en) 2011-12-05 2014-04-01 Biological Illumination, Llc Tunable LED lamp for producing biologically-adjusted light
US8760370B2 (en) 2011-05-15 2014-06-24 Lighting Science Group Corporation System for generating non-homogenous light and associated methods
US8841864B2 (en) 2011-12-05 2014-09-23 Biological Illumination, Llc Tunable LED lamp for producing biologically-adjusted light
US9827439B2 (en) 2010-07-23 2017-11-28 Biological Illumination, Llc System for dynamically adjusting circadian rhythm responsive to scheduled events and associated methods
US9681522B2 (en) 2012-05-06 2017-06-13 Lighting Science Group Corporation Adaptive light system and associated methods
US8729559B2 (en) 2010-10-13 2014-05-20 Soraa, Inc. Method of making bulk InGaN substrates and devices thereon
US8401231B2 (en) 2010-11-09 2013-03-19 Biological Illumination, Llc Sustainable outdoor lighting system for use in environmentally photo-sensitive area
KR20120075946A (ko) * 2010-12-29 2012-07-09 서울반도체 주식회사 전원공급소자 통합형 웨이퍼를 갖는 발광모듈
US8786053B2 (en) 2011-01-24 2014-07-22 Soraa, Inc. Gallium-nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture
US20120187850A1 (en) * 2011-01-24 2012-07-26 Li-Chun Lai Nightlight Driving Device
US8384984B2 (en) 2011-03-28 2013-02-26 Lighting Science Group Corporation MEMS wavelength converting lighting device and associated methods
US9173269B2 (en) 2011-05-15 2015-10-27 Lighting Science Group Corporation Lighting system for accentuating regions of a layer and associated methods
US8754832B2 (en) 2011-05-15 2014-06-17 Lighting Science Group Corporation Lighting system for accenting regions of a layer and associated methods
US9681108B2 (en) 2011-05-15 2017-06-13 Lighting Science Group Corporation Occupancy sensor and associated methods
US9185783B2 (en) 2011-05-15 2015-11-10 Lighting Science Group Corporation Wireless pairing system and associated methods
US9648284B2 (en) 2011-05-15 2017-05-09 Lighting Science Group Corporation Occupancy sensor and associated methods
US8729832B2 (en) 2011-05-15 2014-05-20 Lighting Science Group Corporation Programmable luminaire system
US8674608B2 (en) 2011-05-15 2014-03-18 Lighting Science Group Corporation Configurable environmental condition sensing luminaire, system and associated methods
US8901850B2 (en) 2012-05-06 2014-12-02 Lighting Science Group Corporation Adaptive anti-glare light system and associated methods
US8492185B1 (en) 2011-07-14 2013-07-23 Soraa, Inc. Large area nonpolar or semipolar gallium and nitrogen containing substrate and resulting devices
KR101303168B1 (ko) 2011-07-26 2013-09-09 안상정 반도체 발광부 연결체
US8686431B2 (en) 2011-08-22 2014-04-01 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing trilateral configuration for optical devices
KR101220426B1 (ko) * 2011-09-19 2013-02-05 서울옵토디바이스주식회사 복수의 발광 셀을 구비하는 발광 소자
US8350251B1 (en) 2011-09-26 2013-01-08 Glo Ab Nanowire sized opto-electronic structure and method for manufacturing the same
US8492995B2 (en) 2011-10-07 2013-07-23 Environmental Light Technologies Corp. Wavelength sensing lighting system and associated methods
US8515289B2 (en) 2011-11-21 2013-08-20 Environmental Light Technologies Corp. Wavelength sensing lighting system and associated methods for national security application
US9694158B2 (en) 2011-10-21 2017-07-04 Ahmad Mohamad Slim Torque for incrementally advancing a catheter during right heart catheterization
US10029955B1 (en) 2011-10-24 2018-07-24 Slt Technologies, Inc. Capsule for high pressure, high temperature processing of materials and methods of use
US8912025B2 (en) 2011-11-23 2014-12-16 Soraa, Inc. Method for manufacture of bright GaN LEDs using a selective removal process
US9220202B2 (en) 2011-12-05 2015-12-29 Biological Illumination, Llc Lighting system to control the circadian rhythm of agricultural products and associated methods
US8866414B2 (en) 2011-12-05 2014-10-21 Biological Illumination, Llc Tunable LED lamp for producing biologically-adjusted light
US9913341B2 (en) 2011-12-05 2018-03-06 Biological Illumination, Llc LED lamp for producing biologically-adjusted light including a cyan LED
US8963450B2 (en) 2011-12-05 2015-02-24 Biological Illumination, Llc Adaptable biologically-adjusted indirect lighting device and associated methods
US9289574B2 (en) 2011-12-05 2016-03-22 Biological Illumination, Llc Three-channel tuned LED lamp for producing biologically-adjusted light
US8482104B2 (en) 2012-01-09 2013-07-09 Soraa, Inc. Method for growth of indium-containing nitride films
US8545034B2 (en) 2012-01-24 2013-10-01 Lighting Science Group Corporation Dual characteristic color conversion enclosure and associated methods
US8928012B2 (en) * 2012-02-22 2015-01-06 Jianhua Hu AC LED device and its manufacturing process for general lighting applications
CN103311420B (zh) 2012-03-06 2017-04-12 三星电子株式会社 具有多单元阵列的半导体发光器件
EP2823515A4 (en) 2012-03-06 2015-08-19 Soraa Inc LIGHT-EMITTING DIODES WITH MATERIAL LAYERS WITH LOW BREAKING INDEX TO REDUCE LIGHT PIPE EFFECTS
US8708523B2 (en) * 2012-03-30 2014-04-29 Uniled Lighting Taiwan Inc. Panorama lamp with 360 degree peripheral illumination
US9402294B2 (en) 2012-05-08 2016-07-26 Lighting Science Group Corporation Self-calibrating multi-directional security luminaire and associated methods
US8680457B2 (en) 2012-05-07 2014-03-25 Lighting Science Group Corporation Motion detection system and associated methods having at least one LED of second set of LEDs to vary its voltage
US9006987B2 (en) 2012-05-07 2015-04-14 Lighting Science Group, Inc. Wall-mountable luminaire and associated systems and methods
US8971368B1 (en) 2012-08-16 2015-03-03 Soraa Laser Diode, Inc. Laser devices having a gallium and nitrogen containing semipolar surface orientation
US9127818B2 (en) 2012-10-03 2015-09-08 Lighting Science Group Corporation Elongated LED luminaire and associated methods
US9174067B2 (en) 2012-10-15 2015-11-03 Biological Illumination, Llc System for treating light treatable conditions and associated methods
US9978904B2 (en) 2012-10-16 2018-05-22 Soraa, Inc. Indium gallium nitride light emitting devices
US9322516B2 (en) 2012-11-07 2016-04-26 Lighting Science Group Corporation Luminaire having vented optical chamber and associated methods
US8802471B1 (en) 2012-12-21 2014-08-12 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
TW201431138A (zh) * 2013-01-25 2014-08-01 zhong-lin Wang 免封裝製程且免電路板式發光二極體裝置及其製造方法
US9303825B2 (en) 2013-03-05 2016-04-05 Lighting Science Group, Corporation High bay luminaire
US9347655B2 (en) 2013-03-11 2016-05-24 Lighting Science Group Corporation Rotatable lighting device
US20140268731A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Lighting Science Group Corpporation Low bay lighting system and associated methods
US8994033B2 (en) 2013-07-09 2015-03-31 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
FR3011381B1 (fr) * 2013-09-30 2017-12-08 Aledia Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes
US9419189B1 (en) 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
JP2015126077A (ja) * 2013-12-26 2015-07-06 豊田合成株式会社 発光部品および発光装置とこれらの製造方法
US11690148B2 (en) 2014-09-28 2023-06-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament and LED light bulb
US11421827B2 (en) 2015-06-19 2022-08-23 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11525547B2 (en) 2014-09-28 2022-12-13 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US11085591B2 (en) 2014-09-28 2021-08-10 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US11686436B2 (en) 2014-09-28 2023-06-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and light bulb using LED filament
US11543083B2 (en) 2014-09-28 2023-01-03 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11073248B2 (en) 2014-09-28 2021-07-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED bulb lamp
KR102231646B1 (ko) * 2014-10-17 2021-03-24 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR102239626B1 (ko) 2015-03-06 2021-04-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US10510800B2 (en) * 2016-02-09 2019-12-17 The Penn State Research Foundation Device comprising a light-emitting diode and a Schottky barrier diode rectifier, and method of fabrication
CN105702821B (zh) * 2016-03-29 2018-01-30 苏州晶湛半导体有限公司 半导体发光器件及其制造方法
US11162556B2 (en) 2016-10-27 2021-11-02 Colorado School Of Mines Non-uniform truss hybrid material system
US10174438B2 (en) 2017-03-30 2019-01-08 Slt Technologies, Inc. Apparatus for high pressure reaction
CN107731967B (zh) * 2017-09-27 2019-07-16 扬州乾照光电有限公司 一种led芯片及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05198843A (ja) * 1992-01-23 1993-08-06 Toshiba Lighting & Technol Corp 発光ダイオードランプおよび発光ダイオード表示装置
JPH0722936A (ja) * 1993-06-17 1995-01-24 Hokuyo Automatic Co 光電スイッチ用ｌｅｄ装置
JP2002359402A (ja) * 2001-03-29 2002-12-13 Lumileds Lighting Us Llc 高抵抗性基層の上に形成されたモノリシック直列／並列ｌｅｄアレイ
JP2003151306A (ja) * 2001-11-09 2003-05-23 Sotoyoshi Kanayama 電球用口金に発光ダイオードを組み込んだ電球
JP2004512687A (ja) * 2000-10-16 2004-04-22 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング Ｌｅｄモジュール

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3613558A (en) * 1969-08-18 1971-10-19 Int Patents & Dev Corp Refuse compactor control arrangement
FR2248663B1 (ja) * 1972-12-13 1978-08-11 Radiotechnique Compelec
JPS5517180A (en) * 1978-07-24 1980-02-06 Handotai Kenkyu Shinkokai Light emitting diode display
US4586002A (en) * 1982-09-01 1986-04-29 Carver R W Audio amplifying apparatus and method
JPS6121126A (ja) 1984-07-11 1986-01-29 Suriibondo:Kk 紫外線硬化性樹脂組成物
JPS6121126U (ja) 1984-07-13 1986-02-07 カルソニックカンセイ株式会社 端子のノイズフイルタ
US4881237A (en) * 1988-08-26 1989-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Hybrid two-dimensional surface-emitting laser arrays
JP3191053B2 (ja) 1990-11-27 2001-07-23 株式会社日立製作所 回生インバータの制御方法
JP3140573B2 (ja) 1992-08-28 2001-03-05 富士通株式会社 Ｓｉ発光素子とその製造方法
US5278432A (en) * 1992-08-27 1994-01-11 Quantam Devices, Inc. Apparatus for providing radiant energy
US5463280A (en) 1994-03-03 1995-10-31 National Service Industries, Inc. Light emitting diode retrofit lamp
JPH113787A (ja) 1997-06-10 1999-01-06 Olympus Optical Co Ltd 照明用調光装置
JPH1167471A (ja) * 1997-08-26 1999-03-09 Tec Corp 照明装置
JP3505374B2 (ja) 1997-11-14 2004-03-08 三洋電機株式会社 発光部品
US6456266B1 (en) * 1998-06-30 2002-09-24 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus
JP3497741B2 (ja) * 1998-09-25 2004-02-16 株式会社東芝 半導体発光装置及び半導体発光装置の駆動方法
US6141234A (en) * 1999-02-11 2000-10-31 Knoble; David W. Power supply with battery charger for emergency sign
JP2000306685A (ja) * 1999-04-26 2000-11-02 Asahi National Lighting Co Ltd Ｌｅｄ点灯回路
KR100312523B1 (ko) * 1999-06-17 2001-11-03 황한규 에어콘의 증발기 코어와 그 제조방법
KR100335106B1 (ko) 1999-09-15 2002-05-04 구자홍 Ⅲ-Ｖ족 ＧａＮ 반도체 광소자
JP2001307506A (ja) * 2000-04-17 2001-11-02 Hitachi Ltd 白色発光装置および照明器具
US20020006174A1 (en) 2000-07-11 2002-01-17 Mohammed Nafie Interference cancellation of a narrow band interferer in a wide band communication device
JP2002111118A (ja) 2000-09-28 2002-04-12 Hitachi Cable Ltd 光送信回路
US6830940B1 (en) * 2000-11-16 2004-12-14 Optical Communication Products, Inc. Method and apparatus for performing whole wafer burn-in
DE10103422A1 (de) * 2001-01-26 2002-08-01 Erich Kaifler Lichtquellen auf Halbleiterbasis für höhere Spannungen und höhere Leistungen, für Gleichstrom und für Wechselstrom
JP4305802B2 (ja) 2001-02-14 2009-07-29 日立金属株式会社 発光ダイオード点灯回路
JP2003198046A (ja) 2001-12-26 2003-07-11 Fujitsu Access Ltd 半導体レーザ駆動回路
US20030189215A1 (en) 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
JP3822545B2 (ja) 2002-04-12 2006-09-20 士郎 酒井 発光装置
WO2003098707A1 (en) * 2002-05-22 2003-11-27 Applied Optotech Limited Led array
KR100459782B1 (ko) 2002-07-26 2004-12-03 주식회사 이츠웰 발광 다이오드를 포함하는 마이크로 칩 어레이 및 이를 포함하는 풀 칼라 표시 모듈
KR100697803B1 (ko) 2002-08-29 2007-03-20 시로 사카이 복수의 발광 소자를 갖는 발광 장치
US6957899B2 (en) * 2002-10-24 2005-10-25 Hongxing Jiang Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
JP4328084B2 (ja) 2002-11-26 2009-09-09 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 昇圧制御回路
JP3716252B2 (ja) * 2002-12-26 2005-11-16 ローム株式会社 発光装置及び照明装置
US20040206970A1 (en) * 2003-04-16 2004-10-21 Martin Paul S. Alternating current light emitting device
KR100483049B1 (ko) * 2003-06-03 2005-04-15 삼성전기주식회사 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드의 제조방법
DE20314804U1 (de) * 2003-09-24 2003-11-20 Para Light Electronics Co Leuchtdiode mit integrierter Gleichrichterschaltung in einem Gehäuse
US7285801B2 (en) * 2004-04-02 2007-10-23 Lumination, Llc LED with series-connected monolithically integrated mesas
US7804098B2 (en) * 2004-06-30 2010-09-28 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting element with a plurality of cells bonded, method of manufacturing the same, and light emitting device using the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05198843A (ja) * 1992-01-23 1993-08-06 Toshiba Lighting & Technol Corp 発光ダイオードランプおよび発光ダイオード表示装置
JPH0722936A (ja) * 1993-06-17 1995-01-24 Hokuyo Automatic Co 光電スイッチ用ｌｅｄ装置
JP2004512687A (ja) * 2000-10-16 2004-04-22 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング Ｌｅｄモジュール
JP2002359402A (ja) * 2001-03-29 2002-12-13 Lumileds Lighting Us Llc 高抵抗性基層の上に形成されたモノリシック直列／並列ｌｅｄアレイ
JP2003151306A (ja) * 2001-11-09 2003-05-23 Sotoyoshi Kanayama 電球用口金に発光ダイオードを組み込んだ電球

Also Published As

Publication number Publication date
JP4841550B2 (ja) 2011-12-21
JP5777948B2 (ja) 2015-09-09
US20100109031A1 (en) 2010-05-06
US20120235583A1 (en) 2012-09-20
US7804098B2 (en) 2010-09-28
US20080017871A1 (en) 2008-01-24
US20110210350A1 (en) 2011-09-01
JP2008505478A (ja) 2008-02-21
WO2006004337A1 (en) 2006-01-12
US20110062465A1 (en) 2011-03-17
US8492775B2 (en) 2013-07-23
US8168988B2 (en) 2012-05-01
US20130277682A1 (en) 2013-10-24
US7964880B2 (en) 2011-06-21
EP1787336B1 (en) 2016-01-20
EP2144286A3 (en) 2011-03-30
EP2144286A2 (en) 2010-01-13
US7871839B2 (en) 2011-01-18
EP1787336A1 (en) 2007-05-23
JP2011181973A (ja) 2011-09-15
EP2733744A1 (en) 2014-05-21
US20110037397A1 (en) 2011-02-17
EP1787336A4 (en) 2011-03-30
US8198643B2 (en) 2012-06-12
JP2010034610A (ja) 2010-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5777948B2 (ja) 発光ダイオード
KR100961483B1 (ko) 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법 및 이를이용한 발광 장치
JP4694631B2 (ja) 複数の発光セルが配列された発光素子
KR100765385B1 (ko) 다수의 발광 셀이 어레이된 발광 소자
KR101021238B1 (ko) 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이를 이용한 발광 장치
KR101171326B1 (ko) 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20060020089A (ko) 다수의 셀이 결합된 발광 소자
KR20060037589A (ko) 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법 및 이를이용한 발광 장치
KR101203139B1 (ko) 다수의 셀이 결합된 발광 소자
KR101158073B1 (ko) 다수개의 발광 셀이 어레이된 발광 소자
KR101229835B1 (ko) 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 디바이스
JP2014116620A (ja) 発光ダイオード
KR101381987B1 (ko) 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR101216937B1 (ko) 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치
KR20120106681A (ko) 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100518

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120605

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120905

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120910

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20121004

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20121010

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121031

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130312

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130611

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130917

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140117

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20140304

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20140314