JP2002111118A - 光送信回路 - Google Patents
光送信回路Info
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Abstract
でき、光出力波形ジッタ、リンギングを低減して、低
歪、低チャープな光信号を送出して長距離伝送を可能と
する光送信回路を提供すること。 【解決手段】トランジスタ5のコレクタの負荷としてコ
イル2を接続し、これに並列に抵抗6と、さらに抵抗8
及びコンデンサ7の直列回路から成るローパスフィルタ
を並列に接続し、また交流結合負荷として、レーザダイ
オード12を抵抗10を介して接続し、このレーザダイ
オード12に接続する抵抗10に並列にコンデンサ11
を接続する。そして、差動トランジスタ対4、5のコレ
クタ間にコンデンサ3を配置する。
Description
た通信装置に用いられる光送信回路において、低電圧、
低消費電力にて高速駆動時に、歪やジッタが小さい光出
力波形が得られ、長距離伝送が可能な高性能の光送信回
路に関するものである。
構成を示す。光送信回路は半導体レーザダイオード(L
D:Laser Diode )29と、トランジスタ27、28か
ら成る電流スイッチ部と、変調電流制御用定電流源30
と、バイアス電流制御用定電流源31とから構成され
る。
の電流をON、OFFし、光信号を発生させ、その強度
は定電流源30にて調整される。また、レーザダイオー
ド29を高速にON、OFFするためには、レーザダイ
オード29の閾値電流程度のバイアス電流を必要とする
ので、これを定電流源31にて発生させる。このような
構成とすることにより、信号入力応じて光信号を発生、
送信できる。
圧2〜3Vで図3の回路を動作させる場合、一般にレー
ザダイオード29の動作電圧Vfは1〜2Vあるため、
トランジスタ28が飽和し、高速動作が困難になる。こ
のような場合、図4に示すようなコイル34を負荷と
し、コンデンサ35を用いた交流結合によりレーザダイ
オード29の変調電流を供給する方法がある。
せる場合、レーザダイオード29のリードのインダクタ
ンス、トランジスタ27、28のリードのインダクタン
ス、コイル34の寄生容量、これらを接続するための配
線のインダクタンス、寄生容量、インピーダンス不整合
による反射等により、レーザダイオード29の変調電流
波形及び光出力波形に、歪、ジッタ、リンギングを生
じ、信号伝送が困難になる。この場合には、ダンピング
またはインピーダンス整合のための抵抗36を追加して
波形整形を行う。
い、または波形が鈍りすぎて伝送が困難な場合がある。
さらに残留するリンギングは波長チャープを増大させる
ので、光ファイバを伝送した場合にファイバ分散の影響
を受け、長距離伝送が困難になる。
を解消し、低電圧で、且つ高速にレーザダイオードを駆
動でき、光出力波形ジッタ、リンギングを低減して、低
歪、低チャープな光信号を送出して長距離伝送を可能と
する光送信回路を提供することにある。
め、請求項1の発明に係る光送信回路は、トランジスタ
のコレクタまたはドレインの負荷としてコイルが接続さ
れ、これに並列に抵抗と、さらに抵抗及びコンデンサの
直列回路から成るフィルタとが接続されており、また交
流結合負荷として、レーザダイオードが抵抗を介して接
続されており、このレーザダイオードに接続する抵抗に
並列にコンデンサが接続されていることを特徴とする。
トランジスタのコレクタまたはドレインの負荷として抵
抗が接続され、これに並列に、抵抗及びコンデンサの直
列回路から成るフィルタが接続されると共に、レーザダ
イオードが抵抗を介して接続されており、このレーザダ
イオードに接続する抵抗に並列にコンデンサが接続され
ていることを特徴とする。
ンジスタが差動トランジスタ対の一方であって、その差
動トランジスタ対のコレクタまたはドレイン間にコンデ
ンサを配置した構成とするのが好ましい(請求項2、
4)。
送信回路のコイルに並列に抵抗と、抵抗及びコンデンサ
からなるフィルタとを付加し、さらに上述のダンピング
またはインピーダンス整合のための抵抗に並列にコンデ
ンサを付加することにより、前記目的を達成する点にあ
る。
がもつ寄生容量による共振を防ぐと共に、コイルやLD
(レーザダイオード)のリードのインダクタンス、回路
配線のインダクタンスにより、トランジスタのコレクタ
の負荷となるインピーダンスが特定の周波数で上昇する
のを抑えて平坦化し、伝送信号パターンジッタ及び信号
パターンに依存して発生するリンギングを低減させる。
抵抗及びコンデンサからなるローパスフィルタは、LD
駆動電流波形の立ち上がり、立ち下がりを鈍らせてLD
のリンギングを低減する。ダンピングまたはインピーダ
ンス整合のための抵抗に並列に配置されるコンデンサ
は、配線パターンやLDのリード等による寄生素子(コ
ンデンサ、インダクタンス)による高周波におけるイン
ピーダンスのずれを補正し、インピーダンス不整合によ
る波形の乱れを抑制する。
基づいて説明する。
路を示す。この光送信回路は、抵抗1、6、8、10、
コンデンサ3、7、9、11、レーザダイオード12、
定電流源13、14にて構成される。
ジスタ対4、5の一方のトランジスタ4のコレクタ回路
中に抵抗1を挿入し、また他方のトランジスタ5のコレ
クタの負荷としてコイル2を接続し、これに並列に抵抗
6を接続すると共に、さらに抵抗8及びコンデンサ7の
直列回路から成るローパスフィルタを並列に接続した構
成となっている。またコンデンサ9による交流結合負荷
として、レーザダイオード12が抵抗10を介して接続
されており、このレーザダイオード12に接続する抵抗
10に並列にコンデンサ11が接続されている。そし
て、差動トランジスタ対4、5のコレクタ間にコンデン
サ3を配置した構成となっている。
タは定電流源13に接続され、そのベースは入力端子に
接続されている。また、レーザダイオード12のカソー
ドには定電流源14が接続されている。
る入力信号に応じてトランジスタ5を流れる電流が変化
し、その直流成分は主に負荷のコイル2を流れ、また交
流成分は抵抗10、コンデンサ11を介してレーザダイ
オード12を流れ、これがレーザダイオード12の変調
電流となる。レーザダイオード12の発光に必要なバイ
アス電流は、定電流源14から供給される。
イル2がもつ寄生容量による共振を防ぐと共に、コイル
2やレーザダイオード12のリードのインダクタンス、
回路配線のインダクタンスにより、トランジスタ5のコ
レクタの負荷となるインピーダンスが特定の周波数で上
昇するのを抑えて平坦化し、伝送信号パターンジッタ及
び信号パターンに依存して発生するリンギングを低減さ
せる。抵抗8及びコンデンサ7の並列回路からなるフィ
ルタと、コレクタ間のコンデンサ3は、レーザダイオー
ド12の駆動電流波形の立ち上がり、立ち下がりを鈍ら
せて、レーザダイオード12のリンギングを低減する。
ダンピングまたはインピーダンス整合のための抵抗10
に並列に配置されるコンデンサ11は、配線パターンや
レーザダイオード12のリード等による寄生素子(コン
デンサ、インダクタンス)による高周波におけるインピ
ーダンスのずれを補正し、インピーダンス不整合による
信号波形の乱れを抑制する。
3、11を付加することにより、レーザダイオード12
の駆動電流波形のリンギング、ジッタを低減できるた
め、これにより低歪、低チャープな光信号を送出するこ
とができる。従って、光信号の消光比を下げることなく
長距離伝送を行うことがが可能になる。
す。レーザダイオードLDの動作電圧が小さく、電源電
圧に余裕がある場合には、レーザダイオードLDの変調
電流をトランジスタで直接高速駆動することができる。
その場合は、図2のように、光送信回路を抵抗15、1
7、19、22、コンデンサ16、18、23、レーザ
ダイオード24、定電流源25、26にて構成される。
20、21の一方のトランジスタ4のコレクタ回路中に
抵抗15を挿入し、また他方のトランジスタ21のコレ
クタの負荷として抵抗17を接続し、これに並列に、抵
抗19及びコンデンサ18の直列回路から成るローパス
フィルタを接続した構成となっている。またトランジス
タ21のコレクタの負荷として、レーザダイオード24
が抵抗22を介して接続されており、このレーザダイオ
ード24に接続する抵抗22に並列にコンデンサ23が
接続されている。そして、差動トランジスタ対20、2
1のコレクタ間にコンデンサ16を配置した構成となっ
ている。
ミッタは定電流源25に接続され、そのベースは入力端
子に接続されている。また、レーザダイオード24のカ
ソードには定電流源26が接続されている。
ドのインダクタンス、回路配線のインダクタンスによ
り、トランジスタ21のコレクタの負荷となるインピー
ダンスが特定の周波数で上昇するのを抑えて平坦化し、
伝送信号パターンジッタ及び信号パターンに依存して発
生するリンギングを低減させる。抵抗19及びコンデン
サ18からなるフィルタと、コレクタ間のコンデンサ1
6は、レーザダイオード24の駆動電流波形の立ち上が
り、立ち下がりを鈍らせてレーザダイオード24のリン
ギングを低減する。ダンピングまたはインピーダンス整
合のための抵抗22に並列に配置されるコンデンサ23
は、配線パターンやレーザダイオード24のリード等に
よる寄生素子(コンデンサ、インダクタンス)による高
周波におけるインピーダンスのずれを補正し、インピー
ダンス不整合による信号波形の乱れを抑制する。
18、16、23を付加することにより、レーザダイオ
ード24の駆動電流波形のリンギング、ジッタを低減で
きるため、これにより低歪、低チャープな光信号を送出
することができる。従って、光信号の消光比を下げるこ
となく長距離伝送を行うことが可能になる。
6やコンデンサ11、23は配線やリードに寄生する容
量でも代用できる場合があり、その場合には搭載しなく
ともよい。
タ対を通常のベース・エミッタ・コレクタを有するトラ
ンジスタで構成した場合を例にしたが、ゲート・ドレイ
ン・ソースを有する電解効果型トランジスタで構成する
こともできる。
通信用ばかりでなく、高周波アナログ光通信用送信器と
しても適用することができる。
ランジスタの負荷のコイルに並列に抵抗を配置し又はそ
のコイルを省略した形で抵抗を設けたので、この抵抗に
より、コイルがもつ寄生容量による共振を防ぐと共に、
コイルやレーザダイオードのリードのインダクタンス、
回路配線のインダクタンスにより、トランジスタのコレ
クタの負荷となるインピーダンスが特定の周波数で上昇
するのを抑えて平坦化し、伝送信号パターンジッタ及び
信号パターンに依存して発生するリンギングを低減させ
ることができる。
スフィルタを設けたので、LD駆動電流波形の立ち上が
り、立ち下がりを鈍らせてレーザダイオードのリンギン
グを低減することができる。
合のための抵抗に並列にコンデンサを接続したので、配
線パターンやレーザダイオードのリード等による寄生素
子(コンデンサ、インダクタンス)による高周波におけ
るインピーダンスのずれを補正し、インピーダンス不整
合による波形の乱れを抑制することができる。
により、より低電圧にて高速動作、長距離伝送が可能に
なる。従って速度を犠牲にすることなく消費電力を大幅
に削減できる。リンギングが抑制されることで、光送信
回路から放射される電磁波が減少し、電磁波放射への対
策が容易になる。また他の回路への信号干渉を低減でき
るため、高密度実装が可能になり、光送信器、または装
置の小形化が可能になる。微小信号を増幅する光受信器
と近接配置することも可能になるため、光トランシーバ
を容易に構成できるようになる。シールド等の干渉対策
も軽減でき、低コスト化、高感度化が可能になる。消光
比を高く設定できるため、光受信器の感度をより向上さ
せることができる。消光比を高く設定できるということ
は、温度電源電圧変動、レーザダイオードLDのサンプ
ルばらつきにより消光比が変化しても、伝送に支障が出
ないことを意味するので、消光比調整を簡略化すること
ができ、低コスト化につながる。
る。
ある。
る。
形を示した図である。
Claims (4)
- 【請求項1】トランジスタのコレクタまたはドレインの
負荷としてコイルが接続され、これに並列に抵抗と、さ
らに抵抗及びコンデンサの直列回路から成るフィルタと
が接続されており、また交流結合負荷として、レーザダ
イオードが抵抗を介して接続されており、このレーザダ
イオードに接続する抵抗に並列にコンデンサが接続され
ていることを特徴とする光送信回路。 - 【請求項2】請求項1記載の光送信回路において、前記
トランジスタが差動トランジスタ対の一方であって、そ
の差動トランジスタ対のコレクタまたはドレイン間にコ
ンデンサを配置したことを特徴とする光送信回路。 - 【請求項3】トランジスタのコレクタまたはドレインの
負荷として抵抗が接続され、これに並列に、抵抗及びコ
ンデンサの直列回路から成るフィルタが接続されると共
に、レーザダイオードが抵抗を介して接続されており、
このレーザダイオードに接続する抵抗に並列にコンデン
サが接続されていることを特徴とする光送信回路。 - 【請求項4】請求項3記載の光送信回路において、前記
トランジスタが差動トランジスタ対の一方であって、そ
の差動トランジスタ対のコレクタまたはドレイン間にコ
ンデンサを配置したことを特徴とする光送信回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000300568A JP2002111118A (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 光送信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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JP2000300568A Pending JP2002111118A (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 光送信回路 |
Country Status (1)
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060616 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060616 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20060616 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090924 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090929 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100713 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100908 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110308 |