JPS60189980A - 発光素子駆動回路 - Google Patents
発光素子駆動回路Info
- Publication number
- JPS60189980A JPS60189980A JP59045632A JP4563284A JPS60189980A JP S60189980 A JPS60189980 A JP S60189980A JP 59045632 A JP59045632 A JP 59045632A JP 4563284 A JP4563284 A JP 4563284A JP S60189980 A JPS60189980 A JP S60189980A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting element
- transistor
- light
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、光通信システム等において電気信号を光信号
に変換するための発光素子の駆動回路に関するものであ
る。
に変換するための発光素子の駆動回路に関するものであ
る。
従来技術
半導体レーザあるいは発光ダイオードのような発光素子
をパルス駆動する方法として、第１図に示すようにトラ
ンジスタＴＲＩのコレクタ負荷として発光素子２を接続
してそのトランジスタＴＲＩのベースに人力パルス信号
３を供給する方法や、第２図に示すようにトランジスタ
ＴＲＩのエミッタ負荷として発光素子２を接続して同様
にそのトランジスタＴＲＩのベースに人力パルス信号３
を供給する方法が広く知られている。
をパルス駆動する方法として、第１図に示すようにトラ
ンジスタＴＲＩのコレクタ負荷として発光素子２を接続
してそのトランジスタＴＲＩのベースに人力パルス信号
３を供給する方法や、第２図に示すようにトランジスタ
ＴＲＩのエミッタ負荷として発光素子２を接続して同様
にそのトランジスタＴＲＩのベースに人力パルス信号３
を供給する方法が広く知られている。
更に、高速パルス駆動の場合には、第３図に示すように
、互いにエミッタを共通結合された２つのトランジスタ
ＴＲＩ及びＴＲ２からなる電流切換え型スイッチ回路が
一般的に用いられている。
、互いにエミッタを共通結合された２つのトランジスタ
ＴＲＩ及びＴＲ２からなる電流切換え型スイッチ回路が
一般的に用いられている。
第３図の電流切換え型スイッチ回路において、一方のト
ランジスタＴＲＩのコレクタは発光ダイオードのような
発光素子２を介して電圧源に接続し、地方のトランジス
タＴＲ，２のコレクタは抵抗Ｒ１を介して同一の電圧源
に接続し、共通接続されたエミッタは、等価的な電流＃
！４と抵抗Ｒ２を介して接地されている。そして、２つ
のトランジスタのベースには、互いに反転した関係にあ
る人力パルス信号３及び５が供給されて、発光素子２が
駆動される。
ランジスタＴＲＩのコレクタは発光ダイオードのような
発光素子２を介して電圧源に接続し、地方のトランジス
タＴＲ，２のコレクタは抵抗Ｒ１を介して同一の電圧源
に接続し、共通接続されたエミッタは、等価的な電流＃
！４と抵抗Ｒ２を介して接地されている。そして、２つ
のトランジスタのベースには、互いに反転した関係にあ
る人力パルス信号３及び５が供給されて、発光素子２が
駆動される。
以上の３つの発光素子駆動回路において、発光時には、
入力パルス信号３のハイレベル部分がトランジスタＴＲ
Ｉのベース電位を上げることによって、発光素子２に流
れる電流を増加させ、発光状態に致らせる。一方、消光
時には、人力パルス信号３のローレベル部分がトランジ
スタＴＲＩベース電圧を下げることによって、発光素子
２を消光状態にする。しかし、このとき、トランジスタ
ＴＲＩのコレクターエミッタ電流は完全にはゼロになら
ず、わずかに発光状態にある。このため、従来の発光素
子駆動回路においては、発光素子の消光比（発光時と消
光時の発光出力の比）が比較的低く、発光素子が劣化し
やすく寿命が短い。
入力パルス信号３のハイレベル部分がトランジスタＴＲ
Ｉのベース電位を上げることによって、発光素子２に流
れる電流を増加させ、発光状態に致らせる。一方、消光
時には、人力パルス信号３のローレベル部分がトランジ
スタＴＲＩベース電圧を下げることによって、発光素子
２を消光状態にする。しかし、このとき、トランジスタ
ＴＲＩのコレクターエミッタ電流は完全にはゼロになら
ず、わずかに発光状態にある。このため、従来の発光素
子駆動回路においては、発光素子の消光比（発光時と消
光時の発光出力の比）が比較的低く、発光素子が劣化し
やすく寿命が短い。
発明の目的
そこで、本発明は、消光時に発光素子に流れる漏れ電流
を低減して高い消光比を実現する発光素子駆動回路を提
供せんとするものである。
を低減して高い消光比を実現する発光素子駆動回路を提
供せんとするものである。
発明の構成
すなわち、本発明によるならば、半導体スイ・ソチング
素子と、該半導体スイ・ノチング素子に接続された発光
素子とを有する発光素子駆動回路において、前記発光素
子と並列に、該発光素子の消光時の抵抗値より抵抗が小
さい抵抗が接続されてＩｌ）ること特徴とする発光素子
駆動回路が提供される。
素子と、該半導体スイ・ノチング素子に接続された発光
素子とを有する発光素子駆動回路において、前記発光素
子と並列に、該発光素子の消光時の抵抗値より抵抗が小
さい抵抗が接続されてＩｌ）ること特徴とする発光素子
駆動回路が提供される。
以上の如く、発光素子と並列に、該発光素子の消光時の
抵抗値より抵抗が小さい抵抗を接続することにより、発
光素子の消光時、発光素子を流れる電流の半分以上が並
列抵抗を流れ、その結果、消光時に発光素子を流れる電
流が減少し、消光比が従来に仕べて向上する。
抵抗値より抵抗が小さい抵抗を接続することにより、発
光素子の消光時、発光素子を流れる電流の半分以上が並
列抵抗を流れ、その結果、消光時に発光素子を流れる電
流が減少し、消光比が従来に仕べて向上する。
実施例
以下添付図面を参照して本発明による発光素子駆動回路
の実施例を説明する。
の実施例を説明する。
第４図は、本発明による発光素子駆動回路の一実施例を
示す回路図である。
示す回路図である。
人力パルス信号３は、半導体スイ・ンチング素子、例え
ばＮＰＮ型のトランジスタＴＲＩのベースに供給され、
そのトランジスタＴＲＩのコレクタと電圧源との間に接
続された発光ダイオードあるいは半導体レーザのような
半導体発光素子２には、抵抗６が並列に接続されている
。
ばＮＰＮ型のトランジスタＴＲＩのベースに供給され、
そのトランジスタＴＲＩのコレクタと電圧源との間に接
続された発光ダイオードあるいは半導体レーザのような
半導体発光素子２には、抵抗６が並列に接続されている
。
以上の如き発光素子駆動回路において、トランジスタＴ
ＲＩのベースへの入力パルス信号３がノーイレベルに変
化すると、トランジスタＴＲＩが導通し、発光素子２の
順方向に電流が流れ、発光素子２が発光する。そして、
人力パルス信号３がローレベルとなると、トランジスタ
ＴＲＩがオフ状態になり発光素子２は遮断され、消光す
る。
ＲＩのベースへの入力パルス信号３がノーイレベルに変
化すると、トランジスタＴＲＩが導通し、発光素子２の
順方向に電流が流れ、発光素子２が発光する。そして、
人力パルス信号３がローレベルとなると、トランジスタ
ＴＲＩがオフ状態になり発光素子２は遮断され、消光す
る。
その消光時に、トランジスタ”ＦＲ１のコレクタを流れ
る漏洩電流をＩＬ とし、消光時の発光素子２の抵抗値
をＲｏｐｐそして抵抗６の抵抗値をＲとすると、消光時
に発光素子に流れる電流Ｉ ｏｐｐは、となり、並列抵
抗６がないときに比べて消光時に発光素子を流れる電流
はＲ／ （Ｒ十Ｒ８ＦＦ）に減少する。従って、並列抵
抗６を接続することにより、消光比を低減することがで
き、Ｒ＜＜Ｒｏｐｐとすることにより、半分以下にする
ことができる。
る漏洩電流をＩＬ とし、消光時の発光素子２の抵抗値
をＲｏｐｐそして抵抗６の抵抗値をＲとすると、消光時
に発光素子に流れる電流Ｉ ｏｐｐは、となり、並列抵
抗６がないときに比べて消光時に発光素子を流れる電流
はＲ／ （Ｒ十Ｒ８ＦＦ）に減少する。従って、並列抵
抗６を接続することにより、消光比を低減することがで
き、Ｒ＜＜Ｒｏｐｐとすることにより、半分以下にする
ことができる。
更に、Ｒ（＜Ｒｏｐｐ とすることにより、Ｒ／ （Ｒ
＋ Ｒ１１１’ｔ’ ）がほぼセロとなり、消光時に発
光素子２に流れる電流Ｉ。ＦＦをほぼ零とすることがで
きる。
＋ Ｒ１１１’ｔ’ ）がほぼセロとなり、消光時に発
光素子２に流れる電流Ｉ。ＦＦをほぼ零とすることがで
きる。
また、発光時にトランジスタＴＲＩのコレクタを流れる
電流を■、として、発光時の発光素子２の抵抗をＲ８Ｎ
とすると、発光時に発光素子２に流れる電流Ｉ。Ｎは、 となり、並列抵抗がないときに比べて発光時に発光素子
を流れる電流はＲ／（Ｒ＋’Ｒ６Ｎ）に減少する。ここ
で、ＲζＲｏｐｐの条件を満たすならば、通常の半導体
発光素子の場合Ｒ）ＲｏＮとなっており、Ｒ＞ＲＯＭと
なっている場合には、発光時に発光素子を流れる電流を
、並列抵抗がないときとほとんど変わらないようにする
ことができる。
電流を■、として、発光時の発光素子２の抵抗をＲ８Ｎ
とすると、発光時に発光素子２に流れる電流Ｉ。Ｎは、 となり、並列抵抗がないときに比べて発光時に発光素子
を流れる電流はＲ／（Ｒ＋’Ｒ６Ｎ）に減少する。ここ
で、ＲζＲｏｐｐの条件を満たすならば、通常の半導体
発光素子の場合Ｒ）ＲｏＮとなっており、Ｒ＞ＲＯＭと
なっている場合には、発光時に発光素子を流れる電流を
、並列抵抗がないときとほとんど変わらないようにする
ことができる。
従って、Ｒｏｗ＜；、 Ｒ＜＜ Ｒｏｐｐの条件を満た
ずような抵抗６を発光素子２と並列に接続することによ
り、発光時に発光素子２を流れる電流量即ち発光出力を
従来と変わらないようにしつつ、消光時に発光素子２を
流れる電流量を従来と比べて著しく減少して殆ど零とす
ることができ、光出力波形に影響を与えることなく高い
消光比を実現できる。
ずような抵抗６を発光素子２と並列に接続することによ
り、発光時に発光素子２を流れる電流量即ち発光出力を
従来と変わらないようにしつつ、消光時に発光素子２を
流れる電流量を従来と比べて著しく減少して殆ど零とす
ることができ、光出力波形に影響を与えることなく高い
消光比を実現できる。
第１図の回路において、消光時の発光出力が一５０ｄＢ
ｍ程度であったが、第４図に示すように発光素子にＩＯ
ＫΩの抵抗を並列接続した時の消光時の発光出力は一９
０ｄＢｍ以下であった。このことから、本発明による発
光素子駆動回路によれば、消光比が従来に比べて高くで
きることがわかろう。
ｍ程度であったが、第４図に示すように発光素子にＩＯ
ＫΩの抵抗を並列接続した時の消光時の発光出力は一９
０ｄＢｍ以下であった。このことから、本発明による発
光素子駆動回路によれば、消光比が従来に比べて高くで
きることがわかろう。
従って、発光素子の劣化を抑えて、従来に比べて寿命を
長くすることができる。
長くすることができる。
なお、第４図の実施例は、第１図に示した従来例に対し
て本発明を適用した例である。第２図及び第３図に示し
た従来例に対して本発明を適用する場合は、発光素子２
に並列抵抗を接続する。その場合も、並列抵抗の抵抗値
Ｒは、ＲｏＮ（Ｒ＜ＣＲｏＦＦの条件を満足するものが
好ましい。更に、第２図及び第３図の従来例に限らず、
発光素子に、抵抗を、好ましくはＲｏＮ＜ Ｒ＜ ＲＱ
ＦＦの条件を満足する抵抗値の抵抗を並列接続すること
により、本発明の発光素子駆動回路を実現できる。
て本発明を適用した例である。第２図及び第３図に示し
た従来例に対して本発明を適用する場合は、発光素子２
に並列抵抗を接続する。その場合も、並列抵抗の抵抗値
Ｒは、ＲｏＮ（Ｒ＜ＣＲｏＦＦの条件を満足するものが
好ましい。更に、第２図及び第３図の従来例に限らず、
発光素子に、抵抗を、好ましくはＲｏＮ＜ Ｒ＜ ＲＱ
ＦＦの条件を満足する抵抗値の抵抗を並列接続すること
により、本発明の発光素子駆動回路を実現できる。
また、上記した例は、発光素子に接続した半導体スイッ
チング素子としてＮ ’Ｐ Ｎ型トランジスタを使用し
ているが、半導体スイッチング素子は、ＮＰＮ型トラン
ジスタだけでなく、ＰＮＰ型トランジスタや他の半導体
スイッチング素子も使用でもよい。
チング素子としてＮ ’Ｐ Ｎ型トランジスタを使用し
ているが、半導体スイッチング素子は、ＮＰＮ型トラン
ジスタだけでなく、ＰＮＰ型トランジスタや他の半導体
スイッチング素子も使用でもよい。
滲明の効果
以上から明らかなように、本発明による発光素子駆動回
路によるならば、発光素子の消光比を高くすることがで
き、発光素子の劣化を抑え、寿命５を長くすることがで
きる。
路によるならば、発光素子の消光比を高くすることがで
き、発光素子の劣化を抑え、寿命５を長くすることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図および第３図は、従来の発光素子駆動回
路の回路図、そして、第４図は、本発明による発光素子
駆動回路の一実施例の回路図である。 （主な参照番号） ＴＲ，ｌ、ＴＲ２・・・トランジスタ、２・・・発光素
子、 ３．５・・・人力パルス信号、 ４・・・電流源、 ６・・・抵抗 特許出願人 住友電気工業株式会社 代 理 人 弁理士 新居 正彦 第１図 電界−を斤
路の回路図、そして、第４図は、本発明による発光素子
駆動回路の一実施例の回路図である。 （主な参照番号） ＴＲ，ｌ、ＴＲ２・・・トランジスタ、２・・・発光素
子、 ３．５・・・人力パルス信号、 ４・・・電流源、 ６・・・抵抗 特許出願人 住友電気工業株式会社 代 理 人 弁理士 新居 正彦 第１図 電界−を斤
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 半導体スイッチング素子と、咳半導体スイッチ
ング素子に接続された発光素子とを有する発光素子駆動
回路において、前記発光素子と並列に、該発光素子の消
光時の抵抗値より抵抗値の小さい抵抗が接続されている
こと特徴とする発光素子駆動回路３゜ （２）前記抵抗の抵抗値は、前記発光素子の発光時の抵
抗値より十分大きくｄつ該発光素子の消光時の抵抗値よ
り十分率さいことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の発光素子駆動回路。 （３）前記抵抗の抵抗値はＩＯＫΩであることを特徴と
する特許請求の範囲第２項記載の発光素子駆動回路。 〔４）前記発光素子は、半導体レーザ又は発光グイ 、
オードであることを特徴とする特許請求の範囲第１項か
ら第３項までのいずれかに記載の発光素子駆動回路。 （５）前記半導体スイッチング素子は、トランジスタで
あり、前記発光素子は、該トランジスタのコレクタに接
続されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項か
ら第４項までのいずれかに記載の発光素子駆動回路
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59045632A JPS60189980A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 発光素子駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59045632A JPS60189980A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 発光素子駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60189980A true JPS60189980A (ja) | 1985-09-27 |
Family
ID=12724736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59045632A Pending JPS60189980A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 発光素子駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60189980A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05167154A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 発光素子駆動回路 |
| JP2002111118A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Hitachi Cable Ltd | 光送信回路 |
| EP1396912A2 (en) * | 2002-08-23 | 2004-03-10 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Light emitting device drive circuit |
| CN104852277A (zh) * | 2015-04-22 | 2015-08-19 | 常州华达科捷光电仪器有限公司 | 一种用于激光模组的驱动电路及具有该驱动电路的激光投线仪 |
-
1984
- 1984-03-12 JP JP59045632A patent/JPS60189980A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05167154A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 発光素子駆動回路 |
| JP2002111118A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Hitachi Cable Ltd | 光送信回路 |
| EP1396912A2 (en) * | 2002-08-23 | 2004-03-10 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Light emitting device drive circuit |
| EP1396912A3 (en) * | 2002-08-23 | 2005-04-20 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Light emitting device drive circuit |
| US7180919B2 (en) | 2002-08-23 | 2007-02-20 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Light emitting device drive circuit |
| CN104852277A (zh) * | 2015-04-22 | 2015-08-19 | 常州华达科捷光电仪器有限公司 | 一种用于激光模组的驱动电路及具有该驱动电路的激光投线仪 |
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