JPH0983442A - 発光素子駆動回路 - Google Patents
発光素子駆動回路Info
- Publication number
- JPH0983442A JPH0983442A JP7233610A JP23361095A JPH0983442A JP H0983442 A JPH0983442 A JP H0983442A JP 7233610 A JP7233610 A JP 7233610A JP 23361095 A JP23361095 A JP 23361095A JP H0983442 A JPH0983442 A JP H0983442A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- npn
- turned
- type transistor
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 応答速度の遅いｐｎｐ形トランジスタを用い
てもレーザダイオードの発光・消光を瞬時に行う半導体
レーザ駆動回路。 【解決手段】 ハイレベルの電気信号の入力によりカレ
ントミラー回路２が電流ｉo を出力したときは、スピー
ドアップ抵抗Ｒp 及びレーザダイオードＬＤの内部抵抗
Ｒs の和とスピードアップコンデンサＣp との時定数に
基づいて形成される正の微分電流ｉd(tr) でその電流ｉ
o を補償し、ローレベルの電気信号の入力によりカレン
トミラー回路２が電流ｉo の出力を遮断したときは、前
記時定数に基づいて形成される負の微分電流ｉd(tf) で
電流ｉo を補償して、レーザダイオードＬＤの発光・消
光を瞬時に行う。
てもレーザダイオードの発光・消光を瞬時に行う半導体
レーザ駆動回路。 【解決手段】 ハイレベルの電気信号の入力によりカレ
ントミラー回路２が電流ｉo を出力したときは、スピー
ドアップ抵抗Ｒp 及びレーザダイオードＬＤの内部抵抗
Ｒs の和とスピードアップコンデンサＣp との時定数に
基づいて形成される正の微分電流ｉd(tr) でその電流ｉ
o を補償し、ローレベルの電気信号の入力によりカレン
トミラー回路２が電流ｉo の出力を遮断したときは、前
記時定数に基づいて形成される負の微分電流ｉd(tf) で
電流ｉo を補償して、レーザダイオードＬＤの発光・消
光を瞬時に行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光通信装置
の光送信回路に用いられる半導体レーザ駆動回路に関す
るものである。
の光送信回路に用いられる半導体レーザ駆動回路に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光送信回路に用いられる半導体
レーザ駆動回路として、例えば以下に示すような回路が
ある。入力の電気信号をそのまま出力すると同時に、そ
の電気信号のレベルを反転して出力するバッファ回路
と、バッファ回路の出力電気信号のレベルがハイレベル
のときにオンする第１及び第２のｎｐｎ形トランジスタ
と、第１及び第２のｎｐｎ形トランジスタのエミッタ側
に設けられた定電流源と、第１のｎｐｎ形トランジスタ
と接地との間に設けられたレーザダイオードと、レーザ
ダイオードのアノード及び接地の接続点と定電流源に接
続されたＡＰＣ回路との間に設けられたホトダイオード
とからなる半導体レーザ駆動回路で、第１のｎｐｎ形ト
ランジスタがオンしたときに、レーザダイオードが負の
定電流によって発光する。
レーザ駆動回路として、例えば以下に示すような回路が
ある。入力の電気信号をそのまま出力すると同時に、そ
の電気信号のレベルを反転して出力するバッファ回路
と、バッファ回路の出力電気信号のレベルがハイレベル
のときにオンする第１及び第２のｎｐｎ形トランジスタ
と、第１及び第２のｎｐｎ形トランジスタのエミッタ側
に設けられた定電流源と、第１のｎｐｎ形トランジスタ
と接地との間に設けられたレーザダイオードと、レーザ
ダイオードのアノード及び接地の接続点と定電流源に接
続されたＡＰＣ回路との間に設けられたホトダイオード
とからなる半導体レーザ駆動回路で、第１のｎｐｎ形ト
ランジスタがオンしたときに、レーザダイオードが負の
定電流によって発光する。
【０００３】また、この他の回路として一対のｐｎｐ形
トランジスタからなるカレントミラー回路を用いた半導
体レーザ駆動回路がある。これは、前記と同様のバッフ
ァ回路、第１及び第２のｎｐｎ形トランジスタと、第１
及び第２のｎｐｎ形トランジスタのエミッタ側と接地と
の間に設けられた定電流源と、第１のｎｐｎ形トランジ
スタがオンしたときに導通して正の電流をレーザダイオ
ードに出力する一対のｐｎｐトランジスタからなるカレ
ントミラー回路と、レーザダイオードのカソード及び接
地の接続点と定電流源に接続されたＡＰＣ回路との間に
設けられたホトダイオードとからなり、第１のｎｐｎ形
トランジスタがオンしたときに一対のｐｎｐ形トランジ
スタがオンしてレーザダイオードを発光させる。
トランジスタからなるカレントミラー回路を用いた半導
体レーザ駆動回路がある。これは、前記と同様のバッフ
ァ回路、第１及び第２のｎｐｎ形トランジスタと、第１
及び第２のｎｐｎ形トランジスタのエミッタ側と接地と
の間に設けられた定電流源と、第１のｎｐｎ形トランジ
スタがオンしたときに導通して正の電流をレーザダイオ
ードに出力する一対のｐｎｐトランジスタからなるカレ
ントミラー回路と、レーザダイオードのカソード及び接
地の接続点と定電流源に接続されたＡＰＣ回路との間に
設けられたホトダイオードとからなり、第１のｎｐｎ形
トランジスタがオンしたときに一対のｐｎｐ形トランジ
スタがオンしてレーザダイオードを発光させる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、文献の「超
ＬＳＩのためのアナログ集積回路設計技術 上巻」（グ
レイ／メイヤー共著、永田穣 監訳、培風館、１９９１
年９月１０日、初版第４刷 第２項第７０頁〜第１５４
頁）にも明記されているように、一般的なトランジスタ
の高速性能に注目した場合、集積回路／デバイス単体を
問わず、ｐｎｐ形トランジスタはｎｐｎ形トランジスタ
と比較して高速動作には不向きな構造になっている。そ
のため、高速な光通信を達成する回路としては、後者の
回路では高速化を達成することができず、前者のような
負の電源でレーザダイオードを直接駆動するｎｐｎ形ト
ランジスタを用いた半導体レーザ駆動回路が採用されて
いた。
ＬＳＩのためのアナログ集積回路設計技術 上巻」（グ
レイ／メイヤー共著、永田穣 監訳、培風館、１９９１
年９月１０日、初版第４刷 第２項第７０頁〜第１５４
頁）にも明記されているように、一般的なトランジスタ
の高速性能に注目した場合、集積回路／デバイス単体を
問わず、ｐｎｐ形トランジスタはｎｐｎ形トランジスタ
と比較して高速動作には不向きな構造になっている。そ
のため、高速な光通信を達成する回路としては、後者の
回路では高速化を達成することができず、前者のような
負の電源でレーザダイオードを直接駆動するｎｐｎ形ト
ランジスタを用いた半導体レーザ駆動回路が採用されて
いた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る発光素子駆
動回路は、電気信号が入力されたときにオンする第１の
ｎｐｎ形トランジスタと、前記電気信号が入力されたと
きにオフする第２のｎｐｎ形トランジスタと、前記第１
のｎｐｎ形トランジスタがオンすると同時に前記第２の
ｎｐｎ形トランジスタがオフしたときは電流を出力し、
前記第１のｎｐｎ形トランジスタがオフすると同時に前
記第２のｎｐｎ形トランジスタがオンしたときは前記電
流の出力を遮断する一対のｐｎｐ形トランジスタと、前
記第２のｎｐｎ形トランジスタがオフのときは前記出力
電流の立ち上がりを補償し、前記第２のｎｐｎ形トラン
ジスタがオンのときは前記出力電流の立ち下がりを補償
する電流補償回路と、電流補償回路により補償された前
記出力電流の入力に基づいて発光する発光素子とを備え
たものである。
動回路は、電気信号が入力されたときにオンする第１の
ｎｐｎ形トランジスタと、前記電気信号が入力されたと
きにオフする第２のｎｐｎ形トランジスタと、前記第１
のｎｐｎ形トランジスタがオンすると同時に前記第２の
ｎｐｎ形トランジスタがオフしたときは電流を出力し、
前記第１のｎｐｎ形トランジスタがオフすると同時に前
記第２のｎｐｎ形トランジスタがオンしたときは前記電
流の出力を遮断する一対のｐｎｐ形トランジスタと、前
記第２のｎｐｎ形トランジスタがオフのときは前記出力
電流の立ち上がりを補償し、前記第２のｎｐｎ形トラン
ジスタがオンのときは前記出力電流の立ち下がりを補償
する電流補償回路と、電流補償回路により補償された前
記出力電流の入力に基づいて発光する発光素子とを備え
たものである。
【０００６】本発明においては、発光素子駆動回路に電
気信号が入力されると、第１のｎｐｎ形トランジスタが
オンすると同時に、第２のｎｐｎ形トランジスタがオフ
し、一対のｐｎｐ形トランジスタが第１のｎｐｎ形トラ
ンジスタのオンにより導通して電流を出力する。このと
き、電流補償回路がその出力電流の立ち上がりを補償
し、そのため、発光素子は補償された電流の立ち上がり
により瞬時に発光する。また、電気信号の入力が断たれ
たときは、第１のｎｐｎ形トランジスタがオフすると同
時に、第２のｎｐｎ形トランジスタがオンするので、前
述した一対のｐｎｐ形トランジスタがオフ状態となって
電流の出力を遮断する。このときは、電流補償回路がそ
の出力電流の立ち下がりを補償し、発光素子は補償され
た電流の立ち下がりに基づいて瞬時に消光する。
気信号が入力されると、第１のｎｐｎ形トランジスタが
オンすると同時に、第２のｎｐｎ形トランジスタがオフ
し、一対のｐｎｐ形トランジスタが第１のｎｐｎ形トラ
ンジスタのオンにより導通して電流を出力する。このと
き、電流補償回路がその出力電流の立ち上がりを補償
し、そのため、発光素子は補償された電流の立ち上がり
により瞬時に発光する。また、電気信号の入力が断たれ
たときは、第１のｎｐｎ形トランジスタがオフすると同
時に、第２のｎｐｎ形トランジスタがオンするので、前
述した一対のｐｎｐ形トランジスタがオフ状態となって
電流の出力を遮断する。このときは、電流補償回路がそ
の出力電流の立ち下がりを補償し、発光素子は補償され
た電流の立ち下がりに基づいて瞬時に消光する。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態を示す回
路図、図２はその回路図の動作を説明するための波形図
である。図において、１は入力の電気信号をそのまま出
力すると同時に、その電気信号のレベルを反転して出力
するバッファ回路、Ｑ１，Ｑ２はバッファ回路１の出力
電気信号のレベルがハイレベルのときにオンする第１及
び第２のｎｐｎ形トランジスタ、Ｉは第１及び第２のｎ
ｐｎ形トランジスタのエミッタ側と接地との間に設けら
れた定電流源、２は一対のｐｎｐ形トランジスタＱ３，
Ｑ４からなるカレントミラー回路で、各エミッタが電源
Ｖccに接続され、第１のｎｐｎ形トランジスタＱ１がオ
ンすると同時に第２のｎｐｎ形トランジスタＱ２がオフ
すると導通状態になってｐｎｐ形トランジスタＱ４のコ
レクタから電流ｉo を出力する。
路図、図２はその回路図の動作を説明するための波形図
である。図において、１は入力の電気信号をそのまま出
力すると同時に、その電気信号のレベルを反転して出力
するバッファ回路、Ｑ１，Ｑ２はバッファ回路１の出力
電気信号のレベルがハイレベルのときにオンする第１及
び第２のｎｐｎ形トランジスタ、Ｉは第１及び第２のｎ
ｐｎ形トランジスタのエミッタ側と接地との間に設けら
れた定電流源、２は一対のｐｎｐ形トランジスタＱ３，
Ｑ４からなるカレントミラー回路で、各エミッタが電源
Ｖccに接続され、第１のｎｐｎ形トランジスタＱ１がオ
ンすると同時に第２のｎｐｎ形トランジスタＱ２がオフ
すると導通状態になってｐｎｐ形トランジスタＱ４のコ
レクタから電流ｉo を出力する。
【０００８】ＬＤは内部抵抗Ｒs を有するレーザダイオ
ードで、アノードがｐｎｐ形トランジスタＱ４のコレク
タに接続され、カソードが接地側に接続されている。Ｐ
Ｄはホトダイオードで、アノードが接地側に接続され、
カソードがレーザダイオードＬＤとレーザダイオードＬ
Ｄの大きな温度特性（駆動電流値対光出力電力）を補償
するＡＰＣ( Ａutomatic Ｐower Ｃontrol) 回路３を
介して定電流源Ｉ側に接続されている。
ードで、アノードがｐｎｐ形トランジスタＱ４のコレク
タに接続され、カソードが接地側に接続されている。Ｐ
Ｄはホトダイオードで、アノードが接地側に接続され、
カソードがレーザダイオードＬＤとレーザダイオードＬ
Ｄの大きな温度特性（駆動電流値対光出力電力）を補償
するＡＰＣ( Ａutomatic Ｐower Ｃontrol) 回路３を
介して定電流源Ｉ側に接続されている。
【０００９】Ｒp はスピードアップ抵抗で、一端が第２
のｎｐｎ形トランジスタＱ２のコレクタに接続され、他
端が電源Ｖcc側に接続されている。Ｃp はスピードアッ
プコンデンサで、一端が第２のｎｐｎ形トランジスタＱ
２のコレクタに接続され、他端がレーザダイオードＬＤ
のアノードに接続されている。なお、前述したスピード
アップ抵抗Ｒp 、スピードアップコンデンサＣp 及びレ
ーザダイオードＬＤの内部抵抗Ｒs で本発明の電流補償
回路が構成され、スピードアップ抵抗Ｒp の値はレーザ
ダイオードＬＤの内部抵抗Ｒs より十分に大きく設定さ
れている。
のｎｐｎ形トランジスタＱ２のコレクタに接続され、他
端が電源Ｖcc側に接続されている。Ｃp はスピードアッ
プコンデンサで、一端が第２のｎｐｎ形トランジスタＱ
２のコレクタに接続され、他端がレーザダイオードＬＤ
のアノードに接続されている。なお、前述したスピード
アップ抵抗Ｒp 、スピードアップコンデンサＣp 及びレ
ーザダイオードＬＤの内部抵抗Ｒs で本発明の電流補償
回路が構成され、スピードアップ抵抗Ｒp の値はレーザ
ダイオードＬＤの内部抵抗Ｒs より十分に大きく設定さ
れている。
【００１０】次に、図２の波形図を参照しながら動作を
説明する。電気信号がローレベルからハイレベルに切り
替わると、バッファ回路１がハイレベルの電気信号を第
１のｎｐｎ形トランジスタＱ１に出力してオンすると同
時に、その信号のレベルを反転した電気信号を第２のｎ
ｐｎ形トランジスタＱ２に出力してオフする。このと
き、第１のｎｐｎ形トランジスタＱ１のオンによりカレ
ントミラー回路２のｐｎｐ形トランジスタＱ３，Ｑ４が
導通状態になり、ｐｎｐ形トランジスタＱ４のコレクタ
より電流ｉo が出力される。この電流ｉo は図２（ｂ）
に示すようにｐｎｐ形トランジスタＱ３，Ｑ４の応答が
遅いためにゆっくり立ち上がり、その後の波形は、電気
信号ハイレベル時においてはレーザダイオードＬＤ及び
ｐｎｐ形トランジスタＱ４のコレクタの接続点における
浮遊容量ＣとレーザダイオードＬＤの内部抵抗Ｒs との
時定数により形成される。
説明する。電気信号がローレベルからハイレベルに切り
替わると、バッファ回路１がハイレベルの電気信号を第
１のｎｐｎ形トランジスタＱ１に出力してオンすると同
時に、その信号のレベルを反転した電気信号を第２のｎ
ｐｎ形トランジスタＱ２に出力してオフする。このと
き、第１のｎｐｎ形トランジスタＱ１のオンによりカレ
ントミラー回路２のｐｎｐ形トランジスタＱ３，Ｑ４が
導通状態になり、ｐｎｐ形トランジスタＱ４のコレクタ
より電流ｉo が出力される。この電流ｉo は図２（ｂ）
に示すようにｐｎｐ形トランジスタＱ３，Ｑ４の応答が
遅いためにゆっくり立ち上がり、その後の波形は、電気
信号ハイレベル時においてはレーザダイオードＬＤ及び
ｐｎｐ形トランジスタＱ４のコレクタの接続点における
浮遊容量ＣとレーザダイオードＬＤの内部抵抗Ｒs との
時定数により形成される。
【００１１】一方、第２のｎｐｎ形トランジスタＱ２が
オフしたとき、電源Ｖccからの電流ｉd(tr) がスピード
アップ抵抗Ｒp を介してスピードアップコンデンサＣp
を通過し、前記出力電流ｉo と共にレーザダイオードＬ
Ｄに流れる。この電流ｉd(tr) のスピードアップコンデ
ンサＣp の通過は一瞬で、時間の経過と共にスピードア
ップコンデンサＣp を充電するため、電気信号ハイレベ
ル時においては、スピードアップ抵抗Ｒp 及び内部抵抗
Ｒs の和とスピードアップコンデンサＣp との時定数に
基づいて次第に下降し、微分電流ｉd(tr) を形成する。
このとき、レーザダイオードＬＤは、微分電流ｉd(tr)
により補償された出力電流ｉd(tr) によって瞬時に発光
し、電気信号ハイレベル時においてはその光の出力は図
２（ｄ）に示すような波形になる。
オフしたとき、電源Ｖccからの電流ｉd(tr) がスピード
アップ抵抗Ｒp を介してスピードアップコンデンサＣp
を通過し、前記出力電流ｉo と共にレーザダイオードＬ
Ｄに流れる。この電流ｉd(tr) のスピードアップコンデ
ンサＣp の通過は一瞬で、時間の経過と共にスピードア
ップコンデンサＣp を充電するため、電気信号ハイレベ
ル時においては、スピードアップ抵抗Ｒp 及び内部抵抗
Ｒs の和とスピードアップコンデンサＣp との時定数に
基づいて次第に下降し、微分電流ｉd(tr) を形成する。
このとき、レーザダイオードＬＤは、微分電流ｉd(tr)
により補償された出力電流ｉd(tr) によって瞬時に発光
し、電気信号ハイレベル時においてはその光の出力は図
２（ｄ）に示すような波形になる。
【００１２】電気信号がハイレベルからローレベルに切
り替わると、バッファ回路１がローレベルの電気信号を
第１のｎｐｎ形トランジスタＱ１に出力してオフすると
同時に、その信号のレベルを反転した電気信号を第２の
ｎｐｎ形トランジスタＱ２に出力してオンする。このと
き、第１のｎｐｎ形トランジスタＱ１のオフにより前記
一対のｐｎｐ形トランジスタＱ３，Ｑ４がオフになるの
で、ｐｎｐ形トランジスタＱ４からの電流ｉo が遮断さ
れる。このときの電流ｉo は、前述したように浮遊容量
ＣとレーザダイオードＬＤの内部抵抗Ｒs との時定数に
基づいてゆっくり下がり始める（図２（ｂ）参照）。
り替わると、バッファ回路１がローレベルの電気信号を
第１のｎｐｎ形トランジスタＱ１に出力してオフすると
同時に、その信号のレベルを反転した電気信号を第２の
ｎｐｎ形トランジスタＱ２に出力してオンする。このと
き、第１のｎｐｎ形トランジスタＱ１のオフにより前記
一対のｐｎｐ形トランジスタＱ３，Ｑ４がオフになるの
で、ｐｎｐ形トランジスタＱ４からの電流ｉo が遮断さ
れる。このときの電流ｉo は、前述したように浮遊容量
ＣとレーザダイオードＬＤの内部抵抗Ｒs との時定数に
基づいてゆっくり下がり始める（図２（ｂ）参照）。
【００１３】一方、第２のｎｐｎ形トランジスタＱ２が
オンしたとき、スピードアップコンデンサＣp は、充電
された電荷を浮遊容量Ｃと共に第２のｎｐｎ形トランジ
スタＱ２側に放電する。このときの放電は、第２のｎｐ
ｎ形トランジスタＱ２のオンにより形成される並列のス
ピードアップ抵抗Ｒp 及び内部抵抗Ｒs の和とスピード
アップコンデンサＣp との時定数に基づいた放電で、負
の微分電流ｉd(t ｆ)となる。そのため、レーザダイオ
ードＬＤは、電気信号のレベルがローになると同時に消
光する。
オンしたとき、スピードアップコンデンサＣp は、充電
された電荷を浮遊容量Ｃと共に第２のｎｐｎ形トランジ
スタＱ２側に放電する。このときの放電は、第２のｎｐ
ｎ形トランジスタＱ２のオンにより形成される並列のス
ピードアップ抵抗Ｒp 及び内部抵抗Ｒs の和とスピード
アップコンデンサＣp との時定数に基づいた放電で、負
の微分電流ｉd(t ｆ)となる。そのため、レーザダイオ
ードＬＤは、電気信号のレベルがローになると同時に消
光する。
【００１４】本実施形態においては、レーザダイオード
ＬＤを発光させる際、カレントミラー回路２の出力電流
ｉo を正の微分電流ｉd(tr) で補償し、消光させる際に
は前記出力電流ｉo を負の微分電流ｉd(tf) で補償する
ようにしたので、応答速度の遅いｐｎｐ形トランジスタ
Ｑ３，Ｑ４からなるカレントミラー回路２を用いても、
レーザダイオードＬＤを従来と比べ瞬時に発光・消光さ
せることができるという効果がある（図２（ｄ）参
照）。
ＬＤを発光させる際、カレントミラー回路２の出力電流
ｉo を正の微分電流ｉd(tr) で補償し、消光させる際に
は前記出力電流ｉo を負の微分電流ｉd(tf) で補償する
ようにしたので、応答速度の遅いｐｎｐ形トランジスタ
Ｑ３，Ｑ４からなるカレントミラー回路２を用いても、
レーザダイオードＬＤを従来と比べ瞬時に発光・消光さ
せることができるという効果がある（図２（ｄ）参
照）。
【００１５】なお、本実施形態では、発光素子としてレ
ーザダイオードＬＤを用いて例示したが、それに代えて
ＬＥＤを使用してもよい。また、光通信に限らず、負荷
に対して定電流を供給して駆動し、信号を伝送する送信
回路全般に利用できることはいうまでもない。
ーザダイオードＬＤを用いて例示したが、それに代えて
ＬＥＤを使用してもよい。また、光通信に限らず、負荷
に対して定電流を供給して駆動し、信号を伝送する送信
回路全般に利用できることはいうまでもない。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、電流補償
回路が、一対のｐｎｐ形トランジスタの出力電流の立ち
上がり及び立ち下がりをそれぞれ補償するので、発光素
子駆動回路に応答速度の遅いｐｎｐ形トランジスタを用
いても発光素子を瞬時に発光・消光させることができる
という効果が得られている。
回路が、一対のｐｎｐ形トランジスタの出力電流の立ち
上がり及び立ち下がりをそれぞれ補償するので、発光素
子駆動回路に応答速度の遅いｐｎｐ形トランジスタを用
いても発光素子を瞬時に発光・消光させることができる
という効果が得られている。
【図１】本発明の実施形態を示す回路図である。
【図２】回路図の動作を説明するための波形図である。
１ バッファ回路 ２ カレントミラー回路 Ｑ１ ｎｐｎ形トランジスタ Ｑ２ ｎｐｎ形トランジスタ Ｑ３ ｐｎｐ形トランジスタ Ｑ４ ｐｎｐ形トランジスタ Ｒp スピードアップ抵抗 Ｃp スピードアップコンデンサ ＬＤ レーザダイオード Ｃ 浮遊容量
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/26
Claims (2)
- 【請求項１】 電気信号が入力されたときにオンする第
１のｎｐｎ形トランジスタと、 前記電気信号が入力されたときにオフする第２のｎｐｎ
形トランジスタと、 前記第１のｎｐｎ形トランジスタがオンすると同時に前
記第２のｎｐｎ形トランジスタがオフしたときは電流を
出力し、前記第１のｎｐｎ形トランジスタがオフすると
同時に前記第２のｎｐｎ形トランジスタがオンしたとき
は前記電流の出力を遮断する一対のｐｎｐ形トランジス
タと、 前記第２のｎｐｎ形トランジスタがオフのときは前記出
力電流の立ち上がりを補償し、前記第２のｎｐｎ形トラ
ンジスタがオンのときは前記出力電流の立ち下がりを補
償する電流補償回路と、 該電流補償回路により補償された前記出力電流の入力に
基づいて発光する発光素子とを備えたことを特徴とする
発光素子駆動回路。 - 【請求項２】 前記電流補償回路は、前記第２のｎｐｎ
形トランジスタのコレクタ側に設けられた抵抗と、前記
コレクタと前記発光素子の入力側との間に設けられたコ
ンデンサと、前記発光素子の内部抵抗とからなり、前記
抵抗、コンデンサ及び内部抵抗による時定数により形成
される微分電流で前記出力電流を補償することを特徴と
する請求項１記載の発光素子駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7233610A JPH0983442A (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 発光素子駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7233610A JPH0983442A (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 発光素子駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0983442A true JPH0983442A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=16957751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7233610A Pending JPH0983442A (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 発光素子駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0983442A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6480314B1 (en) | 1998-04-27 | 2002-11-12 | Nec Corporation | Optical transmitter |
| JP2003101132A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Sunx Ltd | 半導体レーザ駆動装置 |
| WO2003034558A1 (fr) * | 2001-10-11 | 2003-04-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Circuit d'attaque d'un element electroluminescent |
| US6728494B2 (en) | 2000-06-08 | 2004-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting device drive circuit, and optical transmission system using the circuit |
| US7224380B2 (en) | 2003-08-08 | 2007-05-29 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Light-emitting device driver and image forming apparatus |
| CN100411263C (zh) * | 2003-12-03 | 2008-08-13 | 松下电器产业株式会社 | 激光二极管驱动电路和光通信装置 |
| JP2009040053A (ja) * | 2008-09-12 | 2009-02-26 | Brother Ind Ltd | 画像形成装置 |
-
1995
- 1995-09-12 JP JP7233610A patent/JPH0983442A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6480314B1 (en) | 1998-04-27 | 2002-11-12 | Nec Corporation | Optical transmitter |
| US6728494B2 (en) | 2000-06-08 | 2004-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting device drive circuit, and optical transmission system using the circuit |
| JP2003101132A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Sunx Ltd | 半導体レーザ駆動装置 |
| JP4657536B2 (ja) * | 2001-09-21 | 2011-03-23 | パナソニック電工Ｓｕｎｘ株式会社 | 半導体レーザ駆動装置 |
| WO2003034558A1 (fr) * | 2001-10-11 | 2003-04-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Circuit d'attaque d'un element electroluminescent |
| US7075338B2 (en) | 2001-10-11 | 2006-07-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light emitting element driving circuit with current mirror circuit |
| US7224380B2 (en) | 2003-08-08 | 2007-05-29 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Light-emitting device driver and image forming apparatus |
| CN100411263C (zh) * | 2003-12-03 | 2008-08-13 | 松下电器产业株式会社 | 激光二极管驱动电路和光通信装置 |
| JP2009040053A (ja) * | 2008-09-12 | 2009-02-26 | Brother Ind Ltd | 画像形成装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4067803B2 (ja) | 発光ダイオード駆動回路、および、それを用いた光伝送装置 | |
| US5140175A (en) | Light-emitting diode drive circuit with fast rise time and fall time | |
| US5315606A (en) | Laser diode driving circuit | |
| US5349595A (en) | Drive circuit for semiconductor light-emitting device | |
| US6031855A (en) | Light emitting element driving circuit and light emitting device having the same | |
| EP0779688B1 (en) | Laser diode driving circuit | |
| JPH0795610B2 (ja) | レーザ駆動装置及び光ディスク駆動装置 | |
| JPH0983442A (ja) | 発光素子駆動回路 | |
| JPH11233897A (ja) | 固体発光装置の駆動回路、光ファイバ伝送装置及び固体発光装置の駆動方法 | |
| JPH0137053B2 (ja) | ||
| JP3468566B2 (ja) | 光半導体素子の駆動回路 | |
| JPS60189980A (ja) | 発光素子駆動回路 | |
| US20040156412A1 (en) | Driving device and light-emitting system for a laser diode | |
| JPH0327579A (ja) | 発光ダイオード駆動回路 | |
| JP4657536B2 (ja) | 半導体レーザ駆動装置 | |
| JP2614294B2 (ja) | 受光半導体集積回路 | |
| JP2738598B2 (ja) | 光半導体素子の駆動回路 | |
| JP3788029B2 (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
| JP2003243711A (ja) | リモコン送信機用赤外線発光ダイオード駆動回路 | |
| JP2609924B2 (ja) | 光センサ回路 | |
| JPH06140700A (ja) | 半導体発光素子駆動回路 | |
| JP2000164972A (ja) | レーザーダイオードドライブ回路 | |
| JP2531109B2 (ja) | レ―ザダイオ―ド駆動回路 | |
| JPS63234568A (ja) | 発光ダイオ−ド駆動装置 | |
| JP2543533B2 (ja) | レ―ザ―パワ―コントロ―ル回路 |