JPH05167154A - 発光素子駆動回路 - Google Patents

発光素子駆動回路

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JPH05167154A
JPH05167154A JP1002292A JP1002292A JPH05167154A JP H05167154 A JPH05167154 A JP H05167154A JP 1002292 A JP1002292 A JP 1002292A JP 1002292 A JP1002292 A JP 1002292A JP H05167154 A JPH05167154 A JP H05167154A
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JP
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current
transistor
light emitting
emitting element
transistors
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JP1002292A
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Yoshihide Okumura
佳秀 奥村
Junji Mano
純司 真野
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 発光素子が劣化あるいは破壊されない発光素
子駆動回路を得ることを目的とする。 【構成】 トランジスタ4,5のエミッタ間にキャパシ
タ100を接続する。トランジスタ4がオンからオフ
へ、トランジスタ5がオフからオンへ移行する過渡状態
において、キャパシタ100を介してトランジスタ5の
エミッタに電流が供給される。キャパシタ100からの
電流供給分だけLD7aに流れる電流が減少する。 【効果】 ターンオンの過渡状態においてLD7aに過
度の電流が流れなくなるので、LD7aが劣化あるいは
破壊されなくなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は発光素子駆動回路に関
し、特に発光素子の劣化,破壊防止および発光素子の駆
動電流の制御に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図7は従来の半導体発光素子の駆動回路
の回路図である。図において、1は低電位電源端子、2
は高電位電源端子である。3は電流源、4および5は差
動スイッチ回路を構成する差動対NPNトランジスタで
ある。トランジスタ4は、ベースが第1の制御信号入力
端子8に、コレクタが抵抗6を介して高電位電源端子2
に接続されている。トランジスタ5は、ベースが第2の
制御信号入力端子9に、コレクタがレーザーダイオード
(以下LDと略す)7aのカソードに、エミッタがトラ
ンジスタ4のエミッタに各々接続されている。LD7a
のアノードは高電位電源端子2に接続されている。トラ
ンジスタ4,5のエミッタ共通接続点は定電流源3を介
して低電位電源端子1に接続されている。第1,第2の
制御信号入力端子8,9への信号によりトランジスタ
4,5が選択的にオン,オフしてLD7に流れる電流を
制御する。
【0003】次に動作について説明する。第1,第2の
制御信号入力端子8,9に各々電圧VH ,VL (VL
H )が入力されると、トランジスタ4,5が各々オ
ン,オフする。トランジスタ5がオフするのでLD7a
には電流は流れない。
【0004】次に、第1,第2の制御信号入力端子8,
9に各々電圧VL ,VH が入力されると、トランジスタ
4,5が各々オフ,オンする。トランジスタ5がオンし
ているのでLD7aに電流が流れ、LD7aは発光す
る。LD7aに流れる電流はトランジスタ5のベース電
流を無視すれば電流源3の出力電流Is にほぼ等しくな
る。第1,第2の制御信号入力端子8,9への信号に応
じてフォトダイオード7が選択的にオン/オフする。
【0005】図9は他の従来の半導体発光素子の駆動回
路の回路図である。図において、図7に示した回路との
相違点は、抵抗6,LD7aをなくし、新たにLD7b
をトランジスタ4のコレクタと高電位電源端子2との間
に接続したこと、および第2の制御信号入力端子9と低
電位電源端子1との間に電圧源10を設けたことであ
る。
【0006】次に、動作について説明する。電圧源10
の電圧値をVr 、制御信号入力端子8への制御信号の電
圧値をVi とする。
【0007】Vi <Vr の時、トランジスタ4がオフ、
トランジスタ5がオンするので、電流源3の電流Is は
LD7bには流れず、LD7bはオフとなる。
【0008】Vi >Vr の時、トランジスタ4がオン、
トランジスタ5がオフするので、電流Is がLD7bに
流れ、LD7bはオンする。そして、LD7bは電流I
s の電流量に比例して発光する。
【0009】例えば、上記に示した半導体発光素子の駆
動回路をレーザービームプリンタに使用した場合、印字
濃度を制御するにはLD7bの発光出力値を制御すれば
よい。LD7bの発光出力値を制御するにはLD7bの
駆動電流値を制御すればよい。すなわち、印字濃度を濃
くするにはLD7bの駆動電流を大きくして発光出力を
大きくし、印字濃度を薄くするにはLD7bの駆動電流
を小さくして発光出力を小さくすればよい。また、印字
濃度を一定に保つにはLD7bの駆動電流を一定に保ち
発光出力を一定に保たなければならない。
【0010】図11は、LD7bのドループ特性を示す
図であり、LD7bがオフ状態からオン状態に変化した
場合のLD7bの光出力と時間の関係を示している。こ
の図において、LD7bがオフからオンに変化した直後
では光出力は一瞬大きくなり、時間の経過とともに一定
値に安定しているのがわかる。これは、LD7bに流れ
る駆動電流が同一であってもチップ温度が低い場合には
発光出力が大きくなり、チップ温度が高くなると光出力
が小さくなるという特性に基づくものである。
【0011】ドループ特性における光出力の立ち上がり
時のオーバーシュートを防止するためにはLD7bの立
ち上がり時における駆動電流を小さくすればよい。
【0012】LD7bの駆動電流を変化させるための電
流源3の構成例を図10に示す。電流源3は、NPNト
ランジスタ21,抵抗22,マイクロコンピューター2
3,D/Aコンバーター24,演算増幅器25よりな
る。マイクロコンピューター23の出力ポートがD/A
コンバータ24のnビットの入力端子に接続される。演
算増幅器25は、非反転入力端子がD/Aコンバータ2
4に出力に、出力がトランジスタ21のベースに各々接
続されている。トランジスタ21は、コレクタがトラン
ジスタ4,5のエミッタ共通接続点に、エミッタが抵抗
22を介して低電位電源端子1に各々接続されている。
トランジスタ21のエミッタは演算増幅器25の反転入
力端子に接続されている。トランジスタ21と抵抗22
により電圧−電流変換回路を構成している。
【0013】次に動作について説明する。マイクロコン
ピュータ23の出力ポートのデータはD/Aコンバータ
24に入力される。D/Aコンバータ24はポートデー
タのディジタル値をアナログ量に変換して演算増幅器2
5に与える。演算増幅器25の出力は、トランジスタ2
1と抵抗22により構成される電圧−電流変換回路に与
えられる。演算増幅器25の非反転入力電圧をVINとす
れば、反転入力電圧もVINとなるように演算増幅器25
は動作する。そのため、低電位電源端子1の電位を0V
とすると抵抗22の両端にはVINなる電位がかかること
になり、抵抗22の抵抗値で電圧VINを割って得られる
電流がトランジスタ21のエミッタ電流となる。この電
流がLD7bに供給される電流となる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】図7に示した従来の半
導体発光素子の駆動回路は前述のように構成されてお
り、レーザー電流(LD7aに流れる電流)−レーザー
光出力(LD7aの発光出力)特性は図8に示すように
レーザー電流値が小さい時にはLD7aはほとんど発光
せず、レーザー電流値がある値に達するとLD7aは急
激に発光状態になる。この発光が開始されるレーザー電
流値がスレッショルド電流(Ith)と呼ばれており、ス
レッショルド電流Ithを境にしてLD7aの特性は急激
に変化する。このため、LD7aがオフ状態からオン状
態に移行する過渡状態(LD7aが消灯状態から発光状
態に移行する過渡状態)においてはLD7aには必要以
上の電流が流れ、この必要以上の電流によりLD7aの
発光出力にオーバーシュート(規定出力以上の発光が生
じること)が生じ、LD7aが劣化したり破壊されたり
するという問題点があった。
【0015】一方、図10に示した従来の半導体発光素
子の駆動回路は、LD7bの駆動電流を変化させる場
合、まずマイクロコンピュータ23のポートデータを変
え、D/Aコンバータ24でポートデータのディジタル
値をアナログ量に変換して演算増幅器25に与え、演算
増幅器25に印加されたアナログ電圧値をトランジスタ
21と抵抗22とで構成された電圧−電流変換回路で電
流に変換することによってLD7bの駆動電流を変化さ
せる手順となる。この一連の手順にかかる時間は一般的
に数μsオーダーであるため、それ以下の短い時間で駆
動電流を変化させたい場合にはD/Aコンバータ24お
よび演算増幅器25を高速なものにしなければならな
い。こうすると、D/Aコンバータ24,演算増幅器2
5が高価になり、システムコストの上昇を招くという問
題点があった。
【0016】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、発光素子が劣化あるいは破壊さ
れない発光素子駆動回路を得ることを第1の目的とす
る。
【0017】また、発光素子の駆動電流を高速に制御で
きる回路を低価格で実現できる発光素子駆動回路を得る
ことを第2の目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】この発明に係る発光素子
駆動回路の第1の態様は、一方電極が共通接続された第
1,第2のトランジスタから成り、該第1,第2のトラ
ンジスタの制御電極に与えられる制御信号に応じて差動
的にオン/オフする差動対トランジスタと、前記第1の
トランジスタの他方電極に接続された発光素子と、前記
第2のトランジスタの他方電極に接続された抵抗と、前
記第1,第2のトランジスタの他方電極間に接続された
キャパシタとを備えている。
【0019】この発明に係る発光素子駆動回路の第2の
態様は、発光素子と、複数の電流源と、前記複数の電流
源からの電流を受け、与えられる第1の制御信号に応じ
た電流を出力する電流選択手段と、前記発光素子と前記
電流選択手段との間に接続され、与えられる第2の制御
信号に応じて前記電流選択手段からの電流を前記発光素
子に選択的に与えるスイッチ手段とを備えている。
【0020】この発明に係る発光素子駆動回路の第3の
態様は、一方電極が共通接続された第1,第2のトラン
ジスタから成り、該第1,第2のトランジスタの制御電
極に与えられる第1,第2の制御信号に応じて差動的に
オン/オフする差動対トランジスタと、前記第1のトラ
ンジスタの他方電極に接続された発光素子と、前記第2
のトランジスタの他方電極に接続された抵抗と、前記第
1,第2のトランジスタの他方電極間に接続されたキャ
パシタと、複数の電流源と、前記複数の電流源を受け、
与えられる第3の制御信号に応じた電流を前記第1,第
2のトランジスタの一方電極共通接続点に供給する電流
選択手段とを備えている。
【0021】
【作用】この発明の第1の態様においては、差動対トラ
ンジスタを構成する第1,第2のトランジスタの他方電
極間にキャパシタを設けたので、発光素子がオフからオ
ンへ移行する過渡状態においては、キャパシタを介して
他方トランジスタの一方電極から一方トランジスタの一
方電極に電流が供給されたり、一方トランジスタの一方
電極から他方トランジスタの一方電極に電流が引き抜か
れたりする。
【0022】この発明の第2の態様においては、複数の
電流源と、複数の電流源からの電流を受け、与えられる
第1の制御信号に応じた電流を出力する電流選択手段を
設けたので、複数の電流源の電流を組み合わせることに
より発光素子の駆動電流を生成できる。
【0023】この発明の第3の態様においては、第1,
第2のトランジスタの他方電極間に接続されたキャパシ
タと、複数の電流源からの電流を受け、与えられる第3
の制御信号に応じた電流を第1,第2のトランジスタの
一方電極共通接続点に供給する電流選択手段とを設けた
ので、発光素子がオフからオンへ移行する過渡状態にお
いては、キャパシタを介して他方トランジスタの一方電
極から一方トランジスタの一方電極に電流が供給された
り、一方トランジスタの一方電極から他方トランジスタ
の一方電極に電流が引き抜かれたりするとともに、複数
の電流源の電流を組み合わせることにより発光素子の駆
動電流を生成することができる。
【0024】
【実施例】図1はこの発明の第1実施例を示す回路図で
ある。図において、図7に示した従来回路との相違点
は、新たにキャパシタ100を設けたことである。キャ
パシタ100はトランジスタ4のコレクタとトランジス
タ5のコレクタとの間に接続されている。その他の構成
は図7に示した従来回路と同様である。
【0025】次に動作について説明する。従来と同様第
1,第2の制御信号入力端子8,9に入力される信号に
応じてトランジスタ4,5が選択的にオン/オフしLD
7aに選択的に電流が供給される。
【0026】上記動作においてトランジスタ5がオフの
ときトランジスタ4がオンしておりトランジスタ4のコ
レクタ電位は低電位電源端子1の低電位近くまで低下し
ている。一方、トランジスタ5がオンのときトランジス
タ4がオフしており、トランジスタ4のコレクタ電位は
高電位電源端子2に与えられる高電位まで上昇してい
る。
【0027】トランジスタ5がオフからオンに移行する
時、すなわち、トランジスタ4がオンからオフに移行す
る過渡状態においてはトランジスタ4のコレクタ電位は
前記低電位近くから前記高電位まで上昇する一方、トラ
ンジスタ5のコレクタ電位は前記高電位から前記低電位
近くまで下がる。この電位の変化に応じた電流がキャパ
シタ100を介してパルス電流IP としてトランジスタ
5のコレクタへ流入する。トランジスタ5の吸い込みう
る電流量はキャパシタ100の有無に関係なく一定であ
るので、LD7aに流れる電流値はIP 分だけ減少す
る。図8に示すようにLD7aの発光出力は流れる電流
に比例するので、LD7aに流れる電流のうち減少した
電流IP に相当する分だけ発光出力が低電位下する。そ
の結果、LD7aの発光出力のオーバーシュートが低減
する。
【0028】図2はこの発明の第2実施例を示す回路図
である。この実施例では図1に示した回路にさらに抵抗
110,120を設けている。その他の構成は図1に示
した回路と同様である。
【0029】半導体発光素子の駆動回路を半導体集積回
路で実現する場合には、LD7aは外付けになるのはも
ちろんであるが、抵抗6についても半導体集積回路にお
ける消費電力低電位減等のため外付けにするのが一般的
である。したがって、図1に示した回路の場合、トラン
ジスタ4,5のコレクタおよびキャパシタ100は直接
外部端子に接続される。しかるに、半導体集積回路にお
いて実現されるキャパシタは高電圧パルス(サージ電
圧)に弱い。そのためキャパシタ100を直接外部端子
に接続するのは外来のサージ電圧による破壊につながる
ので好ましくない。そこで、図2に示すようにキャパシ
タ100の両端を抵抗110,120を介してトランジ
スタ4,5のコレクタに接続することにより、外来サー
ジ電圧に対する耐量を損なうことなく図1に示した回路
での効果を得ることができるようにした。
【0030】なお、上記実施例で示したトランジスタの
極性、電流源3およびLD7aの極性を逆にし、高電位
電源端子2と低電位電源端子1を入れ替えた場合にも上
記実施例と同様の効果がある。つまり、このような構成
にすると、LD7aがオフからオンに移行する過渡状態
においてトランジスタ5のコレクタ電位は低電位から高
電位近くに上昇し、トランジスタ4のコレクタ電位は高
電位近くから低電位に下降する。このとき、キャパシタ
100を介してトランジスタ5のコレクタからトランジ
スタ4のコレクタに電流が引き抜かれる。そのため、L
D7に流れる電流が少なくなり、上記実施例と同様の効
果が得られる。
【0031】図3はこの発明の第3実施例を示す回路図
である。図において、図9に示した従来回路との相違点
は、複数の電流源11a,11b,11c…および電流
選択手段500を新たに設けたことである。電流選択手
段500は、スイッチ20a,20b,20c…よりな
る。電流源11a,11b,11c…は低電位電源端子
1とトランジスタ4,5のエミッタ共通接続点との間に
スイッチ20a,20b…を介して各々電流源3と並列
に接続されている。スイッチ20a,20b,20c…
は各々制御信号入力端子13,14,15…に接続され
ており、制御信号入力端子13,14,15…からの制
御信号に応じて選択的にオン/オフする。その他の構成
は図10に示した従来回路と同様である。
【0032】次に動作について説明する。スイッチ20
a,20b,20c…は各々制御信号入力端子13,1
4,15…への制御信号に応じてオン/オフする。例え
ばスイッチ20aがオンした場合には、LD駆動電流は
電流源3の出力電流と電流源11aの出力電流との和に
なる。従来のように高速なD/Aコンバータや演算増幅
器を用いず、予め複数の電流源11a,11b,11c
…を設け、スイッチ20a,20b,20c…の切り替
えによりLD駆動電流を変化させるので、高速にかつ低
価格でLD駆動電流を制御できる。
【0033】なお、図3に示した実施例におけるトラン
ジスタの極性、電流源3,11a,11b,11c…、
電圧源10の極性を逆にし、高電位電源端子2と低電位
電源端子1を入れ替えた場合にも図3に示した実施例と
同様の効果が得られる。
【0034】また、図3に示した実施例では制御信号で
スイッチ20a,20b,20c…のオン/オフを制御
することでLD駆動電流を制御したが、スイッチ20
a,20b,20c…をなくし、電流源11a,11
b,11c…の能動化/非能動化を制御信号で制御する
構成にしてもよい。さらに常時電流を供給する電流源3
は必ずしも設ける必要はない。
【0035】さらに、図3に示した実施例においてスイ
ッチ手段として差動対トランジスタ4,5を設けた場合
について説明したが、LD7bに電流選択手段500か
らの電流を選択的に与えることができるような構成であ
れば図3の実施例と同様の効果が得られる。
【0036】図4は電流源11a,11b,11c…と
電流選択手段500をなすスイッチ20a,20b,2
0c…との一構成例を示す回路図である。
【0037】電流源11aは、共通電流源15、PNP
トランジスタ16,17aの対、NPNトランジスタ1
8a,ショットキバリアNPNトランジスタ19aの対
よりなる。トランジスタ16,17aはトランジスタ1
6を基準とするカレントミラー回路を構成する。トラン
ジスタ16は、エミッタが高電位電源端子2に、コレク
タが電流源15を介して低電位電源端子1に、ベースが
自身のコレクタに各々接続されている。トランジスタ1
7aは、ベースがトランジスタ16のベースに、エミッ
タが高電位電源端子2に各々接続されている。
【0038】トランジスタ18aとトランジスタ19a
はトランジスタ18aを基準とするカレントミラー回路
を構成する。トランジスタ18aは、コレクタがトラン
ジスタ17aのコレクタに、エミッタが低電位電源端子
1に、ベースが自身のコレクタに各々接続されている。
トランジスタ19aは、コレクタがトランジスタ4,5
のエミッタ共通接続点に、エミッタが低電位電源端子1
に、ベースがトランジスタ18aのベースに各々接続さ
れている。
【0039】電流源11bは、共通電流源15、トラン
ジスタ16,17bの対、トランジスタ18b,19b
の対よりなり、電流源11cは、共通電流源15、トラ
ンジスタ16,17cの対、トランジスタ18c,19
cの対よりなる。これらの素子の接続は、電流源11a
で説明したのと同様である。
【0040】30aはショットキバリアダイオード(以
下SBDという)であり、スイッチ11bの役割をす
る。SBD30aのアノードはトランジスタ18,19
のベース共通接続点に、カソードが制御信号入力端子1
3に接続されている。同様にSBD30bはスイッチ2
0bの役割を、SBD30cはスイッチ20cの役割を
する。
【0041】次に動作について説明する。低電位電源端
子1の電位を“L”レベル(0V)とする。
【0042】いま、制御信号入力端子13にのみ着目す
る。制御信号入力端子13の制御信号の電位が“L”レ
ベル(0V)の時、SBD30aがオンする。このとき
のトランジスタ18a,19bのベース電位VB は、 VB =0+VSBD となる。ここで、VSBD はSBD30aの順方向電位降
下であり、トランジスタ18a,19aがオンするため
のベース電位よりも低い。つまり、制御信号入力端子1
3への制御信号の電位が“L”レベルの場合、トランジ
スタ18a,19aはオフとなり、LD7bの駆動電流
は電流源3の出力電流のみとなる。
【0043】次に、制御信号入力端子13への入力信号
の電位が“H”レベルになるとSBD30aが逆バイア
ス状態となりトランジスタ18a,19aがオンする。
このとき、トランジスタ19aのコレクタ電流は共通電
流源15の出力電流とほぼ等しくなるため、LD7bの
駆動電流は電流源3の出力電流と共通電流源15の出力
電流との和になる。
【0044】制御信号入力端子14,15…についても
同様の動作が行われる。従って制御信号入力端子13,
14,15…への制御信号の電位によりSBD30a,
30b,30cがオン/オフして各カレントミラー回路
のオン/オフが制御され、これによりLD駆動電流の制
御が行われる。
【0045】次にドループ特性に基づくオーバーシュー
トを低減させる場合について説明する。図11における
光出力立ち上がり時のオーバーシュートを低減させるに
は光出力立ち上がり時のLD7bの駆動電流を小さくし
てやればよい。図4において、LD7bのオフからオン
への立ち上がり時において制御信号入力端子13,1
4,15…への制御信号を“L”レベル(0V)にすれ
ばLD駆動電流は電流源3の出力電流のみとなる。その
後、制御信号入力端子13,14,15…への任意の制
御信号を“H”レベルにするとLD駆動電流は電流源3
の出力電流と共通電流源15の出力電流(あるいはその
倍数)との和になる。つまり、LD7bのオフからオン
への立ち上がり時においてはLD駆動電流を小さくし、
光出力をおさることにより、LD7bの立ち上がり時の
オーバーシュートを低減できる。トランジスタ18a,
19a…のオン/オフは数nsのオーダーで制御可能な
ため、LD6の駆動電流の高速制御が実現できる。ま
た、従来のように高速D/Aコンバータや高速演算増幅
器を用いる必要がないので、低価格でLD7bの駆動電
流を高速に制御できる発光素子駆動回路を得ることがで
きる。
【0046】図5は、制御信号入力端子13,14,1
5…への制御信号の一例を説明するための回路図であ
る。この実施例では制御信号入力端子13,14,15
…への制御信号を画像濃度情報を記憶しているメモリ装
置200から入力するようにしている。その他の構成は
図4に示した実施例と同様である。
【0047】次に動作について説明する。第1の制御信
号入力端子8に印加されるLD7bのオン/オフデータ
信号に同期してメモリ装置200のアドレス入力A0,
A1,A2…を変化させ、予め記憶させておいた濃度情
報をメモリ装置200から出力させ、制御信号入力端子
13,14,15…に入力する。メモリ装置200から
の信号に応じてSBD30a,30b,30c…がオン
/オフし、このオン/オフに伴いトランジスタ18a,
19a、18b,19b、18c,19cよりなるカレ
ントミラー回路がオン/オフして、印字濃度の高速制御
が可能となる。
【0048】図6はこの発明の第4実施例である。この
実施例は、図1に示した実施例と図3に示した実施例と
を合成したものである。図6に示した実施例によると、
図1に示した実施例の効果と図3に示した実施例の効果
の両方を得ることができる。
【0049】なお、上記実施例ではレーザーダイオード
を半導体発光素子として用いた場合について説明した
が、その他の半導体素子、例えば発光ダイオードを用い
ても上記実施例と同様の効果が得られる。さらに半導体
発光素子に限らず、電流量に比例した強度の光を出力す
る発光素子であれば、上記実施例と同様の効果が得られ
る。
【0050】
【発明の効果】以上のように請求項1に記載の発明によ
れば、差動対トランジスタを構成する第1,第2のトラ
ンジスタの他方電極間にキャパシタを設けたので、発光
素子がオフからオンへ移行する過渡状態においては、キ
ャパシタを介して他方トランジスタの一方電極から一方
トランジスタの一方電極に電流が供給されたり、一方ト
ランジスタの一方電極から他方トランジスタの一方電極
に電流が引き抜かれたりする。その結果、発光素子に必
要以上の電流が流れなくなり発光素子が劣化あるいは破
壊されなくなるという効果がある。
【0051】請求項2に記載の発明によれば、複数の電
流源と、複数の電流源からの電流を受け、与えられる第
1の制御信号に応じた電流を出力する電流選択手段を設
けたので、複数の電流源の電流を組み合わせることによ
り発光素子の駆動電流を生成することができる。その結
果、低価格でかつ高速に発光素子の駆動電流の制御を行
うことができるという効果がある。
【0052】請求項3に記載の発明によれば、第1,第
2のトランジスタの他方電極間に接続されたキャパシタ
と、複数の電流源からの電流を受け、与えられる制御信
号に応じた電流を前記第1,第2のトランジスタの一方
電極共通接続点に供給する電流選択手段とを設けたの
で、発光素子がオフからオンへ移行する過渡状態におい
ては、キャパシタを介して他方トランジスタの一方電極
から一方トランジスタの一方電極に電流が供給された
り、一方トランジスタの一方電極から他方トランジスタ
の一方電極に電流が引き抜かれたりするとともに、複数
の電流源の電流を組み合わせることにより発光素子の駆
動電流を生成することができる。その結果、発光素子に
必要以上の電流が流れなくなり発光素子が劣化あるいは
破壊されなくなるとともに、低価格でかつ高速に発光素
子の駆動電流の制御を行うことができるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る発光素子駆動回路の第1実施例
を示す回路図である。
【図2】この発明に係る発光素子駆動回路の第2実施例
を示す回路図である。
【図3】この発明に係る発光素子駆動回路の第3実施例
を示す回路図である。
【図4】図3に示した回路の一構成例を示す回路図であ
る。
【図5】図4に示した制御信号入力端子への制御信号の
一例を示す回路図である。
【図6】この発明に係る発光素子駆動回路の第4実施例
を示す回路図である。
【図7】従来の発光素子駆動回路を示す回路図である。
【図8】レーザーダイオードの特性を示す図である。
【図9】従来の他の発光素子駆動回路を示す回路図であ
る。
【図10】図9に示した回路の電流源の一例を示す回路
図である。
【図11】レーザーダイオードのドループ特性を示す図
である。
【符号の説明】 1 低電位電源端子 2 高電位電源端子 3,11a,11b,11c 電流源 4,5 NPNトランジスタ 6 抵抗 7a,7b レーザーダイオード 100 キャパシタ 500 電流選択手段

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一方電極が共通接続された第1,第2の
    トランジスタから成り、該第1,第2のトランジスタの
    制御電極に与えられる制御信号に応じて差動的にオン/
    オフする差動対トランジスタと、 前記第1のトランジスタの他方電極に接続された発光素
    子と、 前記第2のトランジスタの他方電極に接続された抵抗
    と、 前記第1,第2のトランジスタの他方電極間に接続され
    たキャパシタとを備えた発光素子駆動回路。
  2. 【請求項2】 発光素子と、 複数の電流源と、 前記複数の電流源からの電流を受け、与えられる第1の
    制御信号に応じた電流を出力する電流選択手段と、 前記発光素子と前記電流選択手段との間に接続され、与
    えられる第2の制御信号に応じて前記電流選択手段から
    の電流を前記発光素子に選択的に与えるスイッチ手段と
    を備えた発光素子駆動回路。
  3. 【請求項3】 一方電極が共通接続された第1,第2の
    トランジスタから成り、該第1,第2のトランジスタの
    制御電極に与えられる第1,第2の制御信号に応じて差
    動的にオン/オフする差動対トランジスタと、 前記第1のトランジスタの他方電極に接続された発光素
    子と、 前記第2のトランジスタの他方電極に接続された抵抗
    と、 前記第1,第2のトランジスタの他方電極間に接続され
    たキャパシタと、 複数の電流源と、 前記複数の電流源からの電流を受け、与えられる第3の
    制御信号に応じた電流を前記第1,第2のトランジスタ
    の一方電極共通接続点に供給する電流選択手段とを備え
    た発光素子駆動回路。
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