JPH0218978A - 半導体レーザの駆動回路 - Google Patents
半導体レーザの駆動回路Info
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- JPH0218978A JPH0218978A JP16935788A JP16935788A JPH0218978A JP H0218978 A JPH0218978 A JP H0218978A JP 16935788 A JP16935788 A JP 16935788A JP 16935788 A JP16935788 A JP 16935788A JP H0218978 A JPH0218978 A JP H0218978A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- resistor
- capacitor
- circuit
- oscillation
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 9
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザの駆動回路に関するものである。
従来の半導体レーザの駆動回路は特開昭６０−２５４７
８３号公報などに示され、例えば第３図のように構成さ
れている。すなわち、スイッチング用の２つのバイポー
ラトランジスタＱ１、Ｑ２の差動回路に半導体レーザＬ
Ｄが接続され、この回路には変調電流■ がバイアス電
流Ｉ２に重畳■ して与えられる ようになっている。この駆動回路にお−いて、互いに反
転した入力信号ＩＮ、ＩＮがトランジスタＱｌ、Ｑ２の
ベースに与えられると、これに応じて駆動電流■が流れ
て半導体レーザＬＤが発光駆動される。
８３号公報などに示され、例えば第３図のように構成さ
れている。すなわち、スイッチング用の２つのバイポー
ラトランジスタＱ１、Ｑ２の差動回路に半導体レーザＬ
Ｄが接続され、この回路には変調電流■ がバイアス電
流Ｉ２に重畳■ して与えられる ようになっている。この駆動回路にお−いて、互いに反
転した入力信号ＩＮ、ＩＮがトランジスタＱｌ、Ｑ２の
ベースに与えられると、これに応じて駆動電流■が流れ
て半導体レーザＬＤが発光駆動される。
ところが、半導体レーザＬＤには緩和振動と呼ばれる現
象があるため、これに矩形波形の駆動電流Ｉを与えると
発光出力波形に緩和振動による振動成分が現れる。この
振動成分は半導体レーザＬＤを光通信システムなどに適
用したときには、例えば伝送の誤りなどを招いてしまう
。この緩和振動の影響を除去するためには、例えば駆動
電流Ｉの立ち上り波形を緩やかにしたり、あるいは高周
波成分をカットすることなどが考えられる。しかし、こ
のようにすると従来では回路が複雑化し、また高速動作
に適しなくなるなど、好ましくなかった。
象があるため、これに矩形波形の駆動電流Ｉを与えると
発光出力波形に緩和振動による振動成分が現れる。この
振動成分は半導体レーザＬＤを光通信システムなどに適
用したときには、例えば伝送の誤りなどを招いてしまう
。この緩和振動の影響を除去するためには、例えば駆動
電流Ｉの立ち上り波形を緩やかにしたり、あるいは高周
波成分をカットすることなどが考えられる。しかし、こ
のようにすると従来では回路が複雑化し、また高速動作
に適しなくなるなど、好ましくなかった。
そこで本発明は、簡単な回路によって緩和振動をなくす
ことのできる半導体レーザの駆動回路を提供することを
目的とする。
ことのできる半導体レーザの駆動回路を提供することを
目的とする。
本発明に係る半導体レーザの駆動回路は、所定のバイア
スが印加された半導体レーザに矩形の駆動電流を通電す
ることにより、これを発光駆動する回路において、半導
体レーザのカソード側に抵抗を接続し、かつこの抵抗お
よび半導体レーザの直列回路と並列にキャパシタを接続
したことを特徴とする。
スが印加された半導体レーザに矩形の駆動電流を通電す
ることにより、これを発光駆動する回路において、半導
体レーザのカソード側に抵抗を接続し、かつこの抵抗お
よび半導体レーザの直列回路と並列にキャパシタを接続
したことを特徴とする。
本発明によれば、半導体レーザに流れる電流の高周波成
分がカットされ、従って矩形波によって駆動したときに
も、発光出力の振動が防止させられる。
分がカットされ、従って矩形波によって駆動したときに
も、発光出力の振動が防止させられる。
以下、添付図面により本発明を説明する。
第１図は一実施例の回路図で、これが第３図の従来回路
と異なる点は、半導体レーザＬＤのカソード側（非接地
側）に抵抗Ｒが直列に接続され、この半導体レーザＬＤ
および抵抗Ｒの直列回路と並列にキャパシタＣが接続さ
れていることである。
と異なる点は、半導体レーザＬＤのカソード側（非接地
側）に抵抗Ｒが直列に接続され、この半導体レーザＬＤ
および抵抗Ｒの直列回路と並列にキャパシタＣが接続さ
れていることである。
ここで、抵抗Ｒとしては１〜数Ω以上であって１００Ω
以下のものが選択される。これは、抵抗Ｒがあまりに小
さいとキャパシタＣによる駆動波形を調整する効果が薄
くなってしまうからであり、抵抗Ｒが１００Ω程度を越
えると高速動作が損われ、かつ電圧降下によって駆動用
のトランジスタＱ１．Ｑ２がスイッチできなくなるから
である。
以下のものが選択される。これは、抵抗Ｒがあまりに小
さいとキャパシタＣによる駆動波形を調整する効果が薄
くなってしまうからであり、抵抗Ｒが１００Ω程度を越
えると高速動作が損われ、かつ電圧降下によって駆動用
のトランジスタＱ１．Ｑ２がスイッチできなくなるから
である。
また、キャパシタＣとしては０．１ｐＦ以上で１０ｐＦ
以下のものが選択される。これは、キャパシタＣがあま
りに小さいと緩和振動を抑えられる程度に高周波成分を
カットできなくなるからであり、１０ｐＦを越えるよう
になると高速動作が損なわれるからである。
以下のものが選択される。これは、キャパシタＣがあま
りに小さいと緩和振動を抑えられる程度に高周波成分を
カットできなくなるからであり、１０ｐＦを越えるよう
になると高速動作が損なわれるからである。
本発明者は上記の実施例の有用性の確認のため下記の実
験を行なった。まず、半導体レーザＬＤとしてファブリ
ベロー型の１．３μｍ半導体レーザを用い、抵抗Ｒを５
１Ω、キャパシタＣを２ｐＦとして光出力を観測した。
験を行なった。まず、半導体レーザＬＤとしてファブリ
ベロー型の１．３μｍ半導体レーザを用い、抵抗Ｒを５
１Ω、キャパシタＣを２ｐＦとして光出力を観測した。
駆動電力波形を２．５ｎＳのパルス幅で１〜数ｍＷとし
たところ（第２図（ａ）図示）、得られた発光出力は第
２図（ｂ）の実線のように振動成分を含まないものとな
った。これに対し、抵抗ＲおよびキャパシタＣを接続し
ないときには、発光出力は同図の点線にようになり、高
周波成分を含んでいた。
たところ（第２図（ａ）図示）、得られた発光出力は第
２図（ｂ）の実線のように振動成分を含まないものとな
った。これに対し、抵抗ＲおよびキャパシタＣを接続し
ないときには、発光出力は同図の点線にようになり、高
周波成分を含んでいた。
以上、詳細に説明した通り本発明では、半導体レーザに
流れる電流の高周波成分がカットされ、発光出力の振動
が防止させられるので、簡単な回路によって半導体レー
ザ特有の緩和振動をなくすことが可能になる。
流れる電流の高周波成分がカットされ、発光出力の振動
が防止させられるので、簡単な回路によって半導体レー
ザ特有の緩和振動をなくすことが可能になる。
の駆動回路の回路図、第２図は、駆動電力波形と光出力
波形を示す図、第３図は、従来の半導体レーザの駆動回
路の回路図である。
波形を示す図、第３図は、従来の半導体レーザの駆動回
路の回路図である。
ＬＤ・・・半導体レーザ、Ｒ・・・抵抗、Ｃ・・・キャ
パシタら 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 長谷用 芳 樹
パシタら 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 長谷用 芳 樹
第１図は、本発明の実施例に係る半導体レーザ実施例の
回路 ２．５ｎｓ ５駆動波形と出力 第２図
回路 ２．５ｎｓ ５駆動波形と出力 第２図
Claims (1)
- 所定のバイアスが印加された半導体レーザに矩形の駆動
電流を通電することにより、これを発光駆動する半導体
レーザの駆動回路において、前記半導体レーザのカソー
ド側に抵抗を接続し、かつこの抵抗および前記半導体レ
ーザの直列回路と並列にキャパシタを接続したことを特
徴とする半導体レーザの駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16935788A JPH0218978A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 半導体レーザの駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16935788A JPH0218978A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 半導体レーザの駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0218978A true JPH0218978A (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=15885079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16935788A Pending JPH0218978A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 半導体レーザの駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0218978A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04102381A (ja) * | 1990-08-21 | 1992-04-03 | Sharp Corp | 半導体レーザの駆動回路 |
| JPH05167154A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 発光素子駆動回路 |
| EP0632550A2 (en) * | 1993-06-30 | 1995-01-04 | Fujitsu Limited | Modulation of laser diodes |
-
1988
- 1988-07-07 JP JP16935788A patent/JPH0218978A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04102381A (ja) * | 1990-08-21 | 1992-04-03 | Sharp Corp | 半導体レーザの駆動回路 |
| JPH05167154A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 発光素子駆動回路 |
| EP0632550A2 (en) * | 1993-06-30 | 1995-01-04 | Fujitsu Limited | Modulation of laser diodes |
| EP0632550A3 (en) * | 1993-06-30 | 1995-04-26 | Fujitsu Ltd | Modulation of laser diodes. |
| US6044097A (en) * | 1993-06-30 | 2000-03-28 | Fujitsu Limited | Modulator integrated distributed feed-back laser diode module and device using the same |
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