CN110212875A - 一种线性跨阻放大器及其设计方法和应用 - Google Patents

一种线性跨阻放大器及其设计方法和应用 Download PDF

Info

Publication number
CN110212875A
CN110212875A CN201910420341.7A CN201910420341A CN110212875A CN 110212875 A CN110212875 A CN 110212875A CN 201910420341 A CN201910420341 A CN 201910420341A CN 110212875 A CN110212875 A CN 110212875A
Authority
CN
China
Prior art keywords
trans
impedance amplifier
amplifier
gain
input terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910420341.7A
Other languages
English (en)
Inventor
李丹
史勇俊
谢洋
耿莉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xian Jiaotong University
Original Assignee
Xian Jiaotong University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xian Jiaotong University filed Critical Xian Jiaotong University
Priority to CN201910420341.7A priority Critical patent/CN110212875A/zh
Publication of CN110212875A publication Critical patent/CN110212875A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/26—Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3211—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in differential amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45031—Indexing scheme relating to differential amplifiers the differential amplifier amplifying transistors are compositions of multiple transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45256—One or more reactive elements are added in the source circuit of the amplifying FETs of the dif amp

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种线性跨阻放大器及其设计方法和应用，设计跨阻放大器，跨阻放大器满足增益带宽要求；针对传输PAM‑4信号，跨阻放大器的增益可变；在小增益模式下，改变跨阻放大器输入端电容使总输入电容变化倍数与反馈电阻变化倍数相同，通过调节输入端电容的大小保证调节跨阻放大器跨阻增益的稳定性，应用与50G/200G/400G以太网中PAM‑4模式传输和相干光检测的高速光接收芯片。本发明有效提高TIA的线性度，并保证足够的相位裕度。

Description

一种线性跨阻放大器及其设计方法和应用
技术领域
本发明属于光通信芯片设计技术领域，具体涉及一种线性跨阻放大器及其设计方法和应用。
背景技术
随着5G通信、大数据、云计算等应用的深入与普及，对数据传输带宽的需求也呈指数速率增加。光纤网络因此得到迅速发展，被广泛部署在各类数据/云计算中心、5G通信、光纤接入等应用场景。PAM-4(4-level Pulse Amplitude Modulation)调制码型格式是当前进一步提升带宽的有效方式之一。相比于NRZ(Non Return to Zero)码型，PAM-4信号可以在相同波特率下传输多2倍的比特率。虽然PAM-4信号在数据信息传输量方面有较大优势，但其设计对线性度也提出了更高的要求。对PAM-4信号来说，在同样的接收幅度下，为了保证4个电平都能够被很好地区分，最优的选择就是4个电平等间隔分布。而当输入信号幅度较大时，接收机芯片中的晶体管可能进入非线性区，造成PAM-4信号受到压缩，输出信号的4个电平的不等间隔分布。所以，PAM-4传输对光接收机芯片的线性度要求较高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种线性跨阻放大器及其设计方法和应用，解决了传输大信号时对线性度的较高要求，从而实现了优异的系统性能。
本发明采用以下技术方案：
与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：
本发明公开了一种线性跨阻放大器设计方法，设计的基于CMOS工艺的线性跨阻放大器设计方案极好的保证了PAM-4信号传输过程中对线性度的严格要求；设计的基于CMOS工艺的线性跨阻放大器设计方案极好的保证了系统的稳定性，减少了可变增益情况下电路的复杂度。
进一步的，由于对于光接收机而言，在PAM-4信号传输的系统中线性度是至关重要的，此次尤其针对跨阻放大器小增益模式下输入端改变电容的方式保证线性度的优越性。
进一步的，跨阻放大器输入端改变电容的方式，可以保证其系统的稳定性。
进一步的，通过改变跨阻放大器输入端电容，可以在改变跨阻放大器反馈电阻的同时，不改变前向放大器的增益。因此，输入阻抗会随着反馈电阻的减小而减小，进而降低产生的输入电压摆幅，提高线性度。
进一步的，通过跨阻放大器输入端改变电容，可以使得总输入电容增大倍数和反馈电阻减小倍数相同。因此，反馈环路的主极点保持不变，稳定性得到了保证。
本发明还公开了一种线性跨阻放大器，A1级为反相器结构，一方面实现电流复用，增大第一级的跨导，有效减小输入级的沟道电流噪声；另一方面提供较高的本征增益，增大反馈电阻的阻值，减小电阻热噪声。高增益的A1级也可以有效屏蔽来自A2，A3级放大器的噪声，但缺点在于反相器级带宽较低，容易引起相位裕度的问题。为了解决第一级带宽较低引起的相位裕度问题，加入A2，A3两级并联峰化放大器，通过电感峰化技术在频率响应上加入高频峰化，弥补第一级高频增益的损失，扩展带宽，并提供额外的前向增益。由于反馈环内采用三级电路，引入更多的极点，使得闭环TIA频率响应在高频处的滚降更为陡峭。因为噪声带宽与TIA闭环传输函数相关，故相当于减小了噪声的积分频率范围，即减小了噪声带宽，进而减小输入参考噪声。
综上所述，本发明有效提高TIA的线性度，并保证足够的相位裕度。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为传统线性跨阻放大器前端示意图；
图2为本发明线性跨阻放大器设计方案示意图；
图3为本发明应用于40nm CMOS工艺的线性跨阻放大器示意图。
具体实施方式
请参阅图1，为传统跨阻放大器增益变化方式，跨阻放大器通过改变反馈电阻的阻值大小实现增益的变化。只减小反馈电阻来降低跨阻增益会引起相位裕度的问题：这是因为反馈电阻减小，环路主极点升高，次主极点位置不变，两个极点越来越近，导致相位裕度不够，闭环极点Q值升高，在跨阻放大器闭环频率响应上引起peaking，甚至引起时域震荡。解决该问题的传统方法是：同等倍数减小内置前向放大器的增益A，使得环路增益减小倍数和主极点的提升倍数相同，保证环路GBW(增益带宽积)不变：
其中，RF为反馈电阻，Ctot,in为，A为放大器的增益。
该方法的主要缺点在于其线性度较差，这是因为跨阻放大器在低增益模式下看到的输入电压摆幅更大。因为跨阻放大器输入阻抗Rin为：
因此，当反馈电阻和前向增益同等幅度变化时，输入阻抗基本不变。同时，随着输入电流从几十μA到几mA变化，产生的输入电压摆幅可达到100mV之多。对于低电源电压下的CMOS电路，会引入相当的非线性失真。
本发明提供了一种线性跨阻放大器设计方法，包括跨阻放大器的具体设计形式以及提高线性度的新方法方案。本发明实现跨阻放大器在传输PAM-4信号时实现更高的线性度。本发明解决了传输大信号时对线性度的较高要求，从而实现了优异的系统性能。同时，实现方案较传统方法更简单，容易实现。
请参阅图2，本发明一种线性跨阻放大器，包括三级结构的放大器A和反馈电阻RF，反馈电阻RF为可调模式，并联在放大器A的输入端和输出端，放大器的输入端分别经Csh、CPD以及Iin接地，输入端与Csh之间设置有开关。
请参阅图3，跨阻放大器内部的放大器为三级结构，第一级为反相器结构，后面两级为并联峰化级用于扩展带宽，TIA内部放大器对整个TIA的性能起到至关重要的作用：其前向带宽影响TIA的闭环带宽，前向增益影响TIA的跨阻增益。跨阻增益越大，不但降低了本级的白噪声底，对后级电路噪声抑制能力也越强。所以希望在保证带宽的情况下，前向增益越大越好。
A1级为反相器结构，一方面实现电流复用，增大第一级的跨导，有效减小输入级的沟道电流噪声，高增益的A1级也可以有效屏蔽来自A2，A3级放大器的噪声。
为了解决第一级带宽较低引起的相位裕度问题，加入A2，A3两级并联峰化放大器，通过电感的峰化技术在频率响应上加入高频峰化，弥补第一级高频增益的降低，扩展带宽，并提供额外的前向增益。
由于TIA为自偏置结构且第一级为反相器，考虑到合适的直流工作点以满足电压摆幅和线性度的要求，将TIA的输入输出电压偏置为1/2*VDD，即0.5V。反馈电阻通过并联一个工作在线性区的NMOS实现可变电阻：当控制电压为低电平(0V)时，MOS管关断，反馈电阻等于RF(1000Ω)；当控制电压为高电平(1V)时，MOS管导通，总反馈电阻降为200Ω。
输入端并联的可变电容是为了大信号输入时，由于线性度的考虑需改变反馈电阻，改变反馈电阻会影响系统稳定性，故通过可变电容的方式使反馈电阻和电容同步变化，使稳定性得到保证。
一种线性跨阻放大器设计方法，包括以下步骤：
S1、设计跨阻放大器，跨阻放大器需满足增益带宽要求；
由于传输25GBaud PAM-4信号，需要带宽高于传输速率的0.7倍，为18G以上。考虑到噪声性能，跨阻放大器的增益为60dBΩ。跨阻放大器内部放大器采用三级结构，第一级为反相器结构，后面两级为并联峰化级用于扩展带宽。反馈电阻RF为可调模式，通过AGC环路进行自动增益控制。
S2、由于传输PAM-4信号，必须保证线性度，故跨阻放大器需增益可变；
由于采用PAM-4信号传输，电路的线性度是设计重点。线性度和增益直接相关，提高线性度最直接的方式为减小跨阻增益。一般情况下，首先降低后级可变增益放大器的增益保证光接收机后级的线性度；但如果输入电流过大，增益固定的跨阻放大器其线性度会成为限制因素。为了实现更高的线性度，要使跨阻放大器增益可变，即实现线性跨阻放大器。
将反馈电阻RF从1000Ω减小到200Ω，减小5倍，前向增益A降低5倍，使得GBW不变，而且前向增益减小，前向带宽相应增大，即环路响应中的次主极点位置升高，相位裕度增加。
S3、光通信系统需要有较大的信号输入范围，大信号输入时，为了保证线性度，需要系统工作在小增益模式下，即改变反馈电阻的大小。为了保证稳定性，传统的做法如图1所示，是改变反馈电阻的同时也改变电压放大器的增益，这样会导致输入阻抗基本不变即TIA在低增益模式所看到的输入电压摆幅不变，这不利于线性度。反馈电阻和前向增益同等幅度变化，输入阻抗基本不变，输入电流从几μA到几mA变化，因此输入电压摆幅可达100mV。对于低电源电压下的CMOS反相器，会引入很多的非线性以及失真。
为了进一步提高其线性度，从降低输入阻抗的角度，提出了一种高线性度稳定补偿方法，如图2所示。在降低反馈电阻的(以5倍为例)同时，在跨阻放大器的输入端并联一个电容，使得总输入电容增大倍数和反馈电阻减小倍数相同。因此，主极点1/(2πRFCtot,in)和GBW＝A/(2πRFCtot,in)均保持不变，稳定性得到保证。所以在不改变电压放大器的前提下，改变跨阻放大器输入端电容，使得总输入电容变化倍数与反馈电阻变化倍数相同，依然满足稳定性需求。同时，输入电阻下降，有利于线性度。
其产生的优势为：
输入阻抗Rin减小5倍，跨阻放大器输入端电压摆幅减小5倍，有利于提高跨阻放大器在大输入电流时的线性度。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中的描述和所示的本发明实施例的组件可以通过各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图3是本发明在CMOS工艺下的一种电路实现方案。跨阻放大器内部的前向放大器对整个跨阻放大器的性能起到至关重要的作用：其前向带宽影响跨阻放大器的闭环带宽和稳定性，前向增益影响跨阻放大器的跨阻增益。跨阻增益越大，不但降低了本级的白噪声底，对后级电路噪声抑制能力也越强。所以希望在保证带宽的情况下，前向增益越大越好，因为反馈电阻可以和前向增益等比例增加。在先进工艺节点下，单级放大器的增益难以提高，考虑采用多级电路级联的方式提高增益。由于负反馈的要求，级联的级数只能是1、3、5等奇数级。此外，级联的级数越多，对放大器的单级前向带宽要求越高，需要采用更多的带宽补偿机制提升带宽，综合考虑增益、带宽和功耗等因素后，选用三级放大器级联的形式。同时，考虑到键合线电感，在低增益模式下会对AC响应产生影响引起过量的电感峰化，加入可变电阻Rs可以有效抑制这种变化带来的影响。
表1对比了两种增益变化方式对稳定性和输入阻抗等方面的影响。
表1两种增益变化方式对比
可以看出，本发明设计的基于CMOS工艺的线性跨阻放大器设计方案极好的保证了PAM-4信号传输过程中对线性度的严格要求。设计的基于CMOS工艺的线性跨阻放大器设计方案极好的保证了系统的稳定性，减少了可变增益情况下电路的复杂度。
以上内容仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明权利要求书的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种线性跨阻放大器设计方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、设计跨阻放大器，放大器的输入端和输出端并联反馈电阻RF；
S2、针对传输PAM-4信号，为保证线性度，控制跨阻放大器的增益可变；
S3、在小增益模式下，改变跨阻放大器输入端的可调电容Csh，使总输入电容变化倍数与反馈电阻RF变化倍数相同，调节输入端可调电容Csh满足改变跨阻后TIA环路的相位裕度大于60度。
2.根据权利要求1所述的线性跨阻放大器设计方法，其特征在于，步骤S1中，反馈电阻RF为可调模式，通过AGC环路进行自动增益控制，放大器的输入端分别经Csh、CPD以及Iin接地，输入端与可调电容Csh之间设置有开关。
3.根据权利要求1所述的线性跨阻放大器设计方法，其特征在于，步骤S2中，在降低反馈电阻RF时，闭合输入端与可调电容Csh之间的开关以增大输入电容，使得总输入电容增大倍数和反馈电阻RF的减小倍数相同，使主极点1/(2πRFCtot,in)和GBW＝A/(2πRFCtot,in)均保持不变。
4.根据权利要求1所述的线性跨阻放大器设计方法，其特征在于，采用PAM-4信号传输时，首先降低跨阻放大器后级的可变增益放大器的增益保证光接收机后级的线性度；实现跨阻放大器增益随输入信号增大而减小，即实现线性跨阻放大器。
5.一种根据权利要求1至4中任一项所述方法设计的线性跨阻放大器，其特征在于，包括可调电容Csh，可调电容Csh设置在放大器的输入端，放大器的输入端分别经可调电容Csh、电容CPD以及Iin接地，可调电容Csh与输入端之间设置有开关，在放大器A的输入端和输出端并联反馈电阻RF，反馈电阻RF为可调模式。
6.一种根据权利要求5所述线性跨阻放大器在50G/200G/400G以太网中PAM-4模式传输和相干光检测的高速光接收芯片中的应用。
CN201910420341.7A 2019-05-20 2019-05-20 一种线性跨阻放大器及其设计方法和应用 Pending CN110212875A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910420341.7A CN110212875A (zh) 2019-05-20 2019-05-20 一种线性跨阻放大器及其设计方法和应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910420341.7A CN110212875A (zh) 2019-05-20 2019-05-20 一种线性跨阻放大器及其设计方法和应用

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110212875A true CN110212875A (zh) 2019-09-06

Family

ID=67787871

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910420341.7A Pending CN110212875A (zh) 2019-05-20 2019-05-20 一种线性跨阻放大器及其设计方法和应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110212875A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111600659A (zh) * 2020-04-30 2020-08-28 珠海格力电器股份有限公司 一种光接收电路
CN113794450A (zh) * 2021-08-10 2021-12-14 复旦大学 一种采用线性度优化技术的宽带高线性度低噪声放大器
CN113872533A (zh) * 2021-12-02 2021-12-31 华南理工大学 功率放大器和发射机
CN113965262A (zh) * 2021-09-10 2022-01-21 飞昂创新科技南通有限公司 一种网线
CN114551426A (zh) * 2022-02-10 2022-05-27 成都明夷电子科技有限公司 一种带WiFi干扰信号能力的跨阻放大器芯片及其封装方法
CN115473501A (zh) * 2022-11-15 2022-12-13 上海阿米芯光半导体有限责任公司 跨阻放大器的调控电路及降低杂散电感对电路影响的方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103973246A (zh) * 2014-04-04 2014-08-06 嘉兴禾润电子科技有限公司 一种用于光接收机的低噪声跨阻放大器
CN105048973A (zh) * 2015-09-10 2015-11-11 福建一丁芯半导体股份有限公司 带有offset和动态直流恢复的跨阻放大器
CN107171646A (zh) * 2017-04-20 2017-09-15 西安交通大学 一种应用于高速光接收机的跨阻放大器及设计方法
US20170366259A1 (en) * 2015-10-13 2017-12-21 Inphi Corporation Enhanced digital diagnostics for optical pam apparatus
CN107666289A (zh) * 2017-09-14 2018-02-06 西安电子科技大学昆山创新研究院 高增益大线性动态范围跨阻放大器
US20180145644A1 (en) * 2016-08-02 2018-05-24 Inphi Corporation Transimpedance amplifier with variable inductance input reducing peak variation over gain
US10171057B1 (en) * 2018-03-21 2019-01-01 Elenion Technologies, Llc Automatic gain control loop
CN109347454A (zh) * 2016-03-28 2019-02-15 华为技术有限公司 一种连续可变增益放大器
CN109412696A (zh) * 2018-08-28 2019-03-01 武汉光迅科技股份有限公司 基于pam4调制技术的双向光收发模块

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103973246A (zh) * 2014-04-04 2014-08-06 嘉兴禾润电子科技有限公司 一种用于光接收机的低噪声跨阻放大器
CN105048973A (zh) * 2015-09-10 2015-11-11 福建一丁芯半导体股份有限公司 带有offset和动态直流恢复的跨阻放大器
US20170366259A1 (en) * 2015-10-13 2017-12-21 Inphi Corporation Enhanced digital diagnostics for optical pam apparatus
CN109347454A (zh) * 2016-03-28 2019-02-15 华为技术有限公司 一种连续可变增益放大器
US20180145644A1 (en) * 2016-08-02 2018-05-24 Inphi Corporation Transimpedance amplifier with variable inductance input reducing peak variation over gain
CN107171646A (zh) * 2017-04-20 2017-09-15 西安交通大学 一种应用于高速光接收机的跨阻放大器及设计方法
CN107666289A (zh) * 2017-09-14 2018-02-06 西安电子科技大学昆山创新研究院 高增益大线性动态范围跨阻放大器
US10171057B1 (en) * 2018-03-21 2019-01-01 Elenion Technologies, Llc Automatic gain control loop
CN109412696A (zh) * 2018-08-28 2019-03-01 武汉光迅科技股份有限公司 基于pam4调制技术的双向光收发模块

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DAN LI等: "A Low-Noise Design Technique for High-Speed CMOS Optical Receivers", 《IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS》 *
YANG XIE等: "Low-Noise High-Linearity 56Gb/s PAM-4 Optical Receiver in 45nm SOI CMOS", 《2018 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS (ISCAS)》 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111600659A (zh) * 2020-04-30 2020-08-28 珠海格力电器股份有限公司 一种光接收电路
CN113794450A (zh) * 2021-08-10 2021-12-14 复旦大学 一种采用线性度优化技术的宽带高线性度低噪声放大器
CN113794450B (zh) * 2021-08-10 2024-03-29 复旦大学 一种采用线性度优化技术的宽带高线性度低噪声放大器
CN113965262A (zh) * 2021-09-10 2022-01-21 飞昂创新科技南通有限公司 一种网线
CN113872533A (zh) * 2021-12-02 2021-12-31 华南理工大学 功率放大器和发射机
CN114551426A (zh) * 2022-02-10 2022-05-27 成都明夷电子科技有限公司 一种带WiFi干扰信号能力的跨阻放大器芯片及其封装方法
CN114551426B (zh) * 2022-02-10 2022-11-04 成都明夷电子科技有限公司 一种带WiFi干扰信号能力的跨阻放大器芯片及其封装方法
CN115473501A (zh) * 2022-11-15 2022-12-13 上海阿米芯光半导体有限责任公司 跨阻放大器的调控电路及降低杂散电感对电路影响的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110212875A (zh) 一种线性跨阻放大器及其设计方法和应用
US7525391B2 (en) Linear transimpedance amplifier with multiplexed gain stage
JP2006157921A (ja) 光リンクの帯域幅を改善する方法およびシステム
JP2013115562A (ja) トランスインピーダンスアンプ
CN105227245A (zh) 一种基于白光led的可见光通信系统的接收装置
CN114039562B (zh) 一种低成本的超频高速跨阻放大器
JP5635474B2 (ja) トランスインピーダンスアンプ
Aznar et al. A 0.18 μm CMOS transimpedance amplifier with 26 dB dynamic range at 2.5 Gb/s
Xie et al. Low-noise high-linearity 56Gb/s PAM-4 optical receiver in 45nm SOI CMOS
KR20140071905A (ko) 저속의 수광소자를 이용하여 구현된 고속 광수신기 및 고속 광수신기 구현방법
CN114050793B (zh) 一种采用低成本超频高速跨阻放大器的放大方法
CN111525896A (zh) 一种高增益高带宽的可变增益放大器及放大器芯片
Valenzuela et al. A 108-Gbps, 162-mW Cherry-Hooper Transimpedance Amplifier
US6876260B2 (en) Elevated front-end transimpedance amplifier
Quadir et al. An inductorless linear optical receiver for 20Gbaud/s (40Gb/s) PAM-4 modulation using 28nm CMOS
CN110098814A (zh) 一种跨阻放大器的自动增益方法与电路
CN108599866A (zh) 一种传输速率25Gbps高速光接收机
US9667351B2 (en) Simultaneous bandwidth extension at high gain and peaking reduction at minimum gain for wideband, variable gain, linear optical receivers
JP4072232B2 (ja) 光受信回路
US8170425B2 (en) Optical signal receiving circuit
CN116633284A (zh) 一种高增益跨阻放大器及高增益光电转换器
US7366427B2 (en) Line driver with variable bandwidth control
Li et al. A 112-Gb/s PAM-4 linear optical receiver in 130-nm SiGe BiCMOS
CN113572434A (zh) 跨阻放大器及光接收模组
US20200412316A1 (en) Low-voltage high-speed programmable equalization circuit

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190906

RJ01 Rejection of invention patent application after publication