JP2010171271A5 - 半導体装置 - Google Patents

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  1. 外部取り出し用金属リードとボンディング部を有する金属リードフレームと、
    前記ボンディング部上にダイボンディングされた半導体チップと、
    前記半導体チップの主面に形成された電極と、前記外部取り出し用金属リード間を電気的に接続する接続部材と、
    前記半導体チップの裏面に形成された裏面電極と、
    前記半導体チップとその周辺を覆うように形成された絶縁性の封止樹脂と
    を備えた半導体装置であって、
    前記半導体チップと前記金属リードフレーム間は、結合材としてAgを含んでいる導電性粒子が連結されたポーラスな接着層を介して接合され、前記接着層の金属部の体積比率が30〜80%で構成され、前記接着層内部の金属表面に厚さ1〜600nmの酸化金属皮膜が形成され、前記導電性粒子間の空隙部の少なくとも一部に熱硬化性の樹脂が充填された構造となっていることを特徴とする半導体装置。
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