JP2010165843A - 熱電変換モジュールの製造方法及び熱電変換モジュール - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 278
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 82
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 β-FeSi 2 Chemical compound 0.000 description 4
- 229910018989 CoSb Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910006585 β-FeSi Inorganic materials 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N Acrylic acid Chemical compound OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018871 CoO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 241000877463 Lanio Species 0.000 description 1
- 229910019018 Mg 2 Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017028 MnSi Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
【課題】 熱電変換素子の位置決めを必要とすることなく、絶縁性が高くかつ高密度な熱電変換モジュールが得られる熱電変換モジュールの製造方法、及びこれにより製造される熱電変換モジュールを提供すること。
【解決手段】 p型熱電変換素子3の表面のうち少なくとも電極と対向されるべき面3a,3b以外の面、及び/又は、n型熱電変換素子4の表面のうち少なくとも電極と対向されるべき面4a,4b以外の面を絶縁膜15で被覆する被覆工程と、p型熱電変換素子3の表面のうち電極と対向されるべき面3a,3b以外の面、及び、n型熱電変換素子の表面のうち電極と対向されるべき面4a,4b以外の面を、絶縁膜15を介して重ね合わせる工程と、を備える熱電変換モジュール1の製造方法。
【選択図】 図1
【解決手段】 p型熱電変換素子3の表面のうち少なくとも電極と対向されるべき面3a,3b以外の面、及び/又は、n型熱電変換素子4の表面のうち少なくとも電極と対向されるべき面4a,4b以外の面を絶縁膜15で被覆する被覆工程と、p型熱電変換素子3の表面のうち電極と対向されるべき面3a,3b以外の面、及び、n型熱電変換素子の表面のうち電極と対向されるべき面4a,4b以外の面を、絶縁膜15を介して重ね合わせる工程と、を備える熱電変換モジュール1の製造方法。
【選択図】 図1
Description
本発明は、熱電変換モジュールの製造方法及び熱電変換モジュールに関する。
熱電変換モジュールを高密度化するためのモジュールの製造方法の一つとして、p型熱電変換素子とn型熱電変換素子との間の幅を狭くすることが挙げられるが、この場合、p型熱電変換素子とn型熱電変換素子との間を絶縁する必要がある。特許文献1には、絶縁信頼性を高めるために、予め位置決めがなされたp型熱電変換素子とn型熱電変換素子との間の間隙に、絶縁性樹脂を流し込むモジュールの製造方法が開示されている。
しかしながら、p型熱電変換素子とn型熱電変換素子との位置決めは、熱電変換素子が小さいことなどから、熱電変換モジュールの製造を煩雑にする作業の一つであった。
そこで本発明は、熱電変換素子の位置決めを必要とすることなく、絶縁性が高くかつ高密度な熱電変換モジュールが得られる熱電変換モジュールの製造方法、及びこれにより製造される熱電変換モジュールを提供することを目的とする。
本発明に係る熱電変換モジュールの製造方法は、p型熱電変換素子の表面のうち少なくとも電極と対向されるべき面以外の面、及び/又は、n型熱電変換素子の表面のうち少なくとも電極と対向されるべき面以外の面を絶縁膜で被覆する被覆工程と、p型熱電変換素子の表面のうち電極と対向されるべき面以外の面、及び、n型熱電変換素子の表面のうち電極と対向されるべき面以外の面を、絶縁膜を介して重ね合わせる工程と、を備える。
本発明によれば、p型熱電変換素子の表面のうち少なくとも電極と対向することになる面以外の面、及び/又は、n型熱電変換素子の表面のうち少なくとも電極と対向することになる面以外の面を絶縁膜で被覆し、p型熱電変換素子の表面のうち電極と対向されるべき面以外の面、及び、n型熱電変換素子の表面のうち電極と対向されるべき面以外の面を、絶縁膜を介して重ね合わせるので、絶縁膜によってp型熱電変換素子とn型熱電変換素子とが絶縁され、位置決めを行わずに、絶縁性が高くかつ高密度な熱電変換モジュールを製造できる。
ここで、被覆工程において、p型熱電変換素子の全ての表面、及び/又は、n型熱電変換素子の全ての表面を絶縁膜で被覆し、さらに、重ね合わせ工程において重ね合わされたp型熱電変換素子及びn型熱電変換素子について、p型熱電変換素子の表面のうち電極と対向されるべき面、及び/又は、n型熱電変換素子の表面のうち電極と対向されるべき面の研磨を行い、絶縁膜を除去する絶縁膜除去工程を備えることが好ましい。
本発明によれば、p型熱電変換素子の全ての表面、及び/又は、n型熱電変換素子の全ての表面を絶縁膜で被覆するので、熱電変換素子の表面に絶縁膜を被覆する工程が、例えば、p型熱電変換素子及び/又はn型熱電変換素子を、絶縁膜を形成するための組成物に浸漬するだけで済むなど、簡便になる。また、絶縁膜を介して重ね合わされたp型熱電変換素子及びn型熱電変換素子について、p型熱電変換素子の表面のうち電極と対向されるべき面、及び/又は、n型熱電変換素子の表面のうち電極と対向されるべき面の絶縁膜を除去する工程も、各熱電変換素子の電極と対向することになる面を一度に研磨して絶縁膜を除去するので、比較的簡便である。したがって、電極と対向する面が絶縁膜に被覆されないように各熱電変換素子の表面の一部のみに選択的に絶縁膜を形成する場合よりも、全体として工程が簡略化される。
また、絶縁膜除去工程前に、さらに、重ね合わせ工程において重ね合わされたp型熱電変換素子及びn型熱電変換素子を、一体に固定することにより熱電変換ブロックを得る工程を備えることが好ましい。
絶縁膜を介して重ね合わされたp型熱電変換素子とn型熱電変換素子とを一体に固定して熱電変換ブロックを形成することにより、重ね合わされたp型熱電変換素子及びn型熱電変換素子は十分固定されることとなる。これにより、本工程後、p型熱電変換素子の表面のうち電極と対向されることになる面、及び/又は、n型熱電変換素子電極の表面のうち電極と対向されることになる面の、絶縁膜を除去するための研磨を容易に行うことができる。さらにこの熱電変換ブロックに対して電極の接合等を容易に行うことができる。
また、本発明の熱電変換モジュールは、p型熱電変換素子と、n型熱電変換素子と、p型熱電変換素子とn型熱電変換素子とを電気的に接続する電極と、p型熱電変換素子の表面のうち電極と対向する面以外の面を被覆する絶縁膜と、n型熱電変換素子の表面のうち電極と対向する面以外の面を被覆する絶縁膜と、を有し、p型熱電変換素子及びn型熱電変換素子が、二つの絶縁膜を介して重ね合わされている。
本発明によれば、p型熱電変換素子の表面のうち電極と対向する面以外の面、及び、n型熱電変換素子の表面のうち電極と対向する面以外の面が、絶縁膜で被覆され、かつ、p型熱電変換素子及びn型熱電変換素子が、二つの絶縁膜を介して重ね合わされることにより、p型熱電変換素子とn型熱電変換素子との絶縁信頼性に特に優れ、かつ、高密度な熱電変換モジュールを提供することができる。
本発明によれば、熱電変換素子の位置決めを必要とすることなく、簡便に絶縁性が高くかつ高密度な熱電変換モジュールが得られる熱電変換モジュールの製造方法、及びこれにより製造される熱電変換モジュールを提供することができる。
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また、各図面の寸法比率は、必ずしも実際の寸法比率とは一致していない。
まず、本実施形態に係る熱電変換モジュールの製造方法について説明する。
(第一実施形態に係る熱電変換モジュールの製造方法)
まず、第一実施形態に係る熱電変換モジュールの製造方法について説明する。図1は、第一実施形態に係る熱電変換モジュールの製造方法を模式的に示すものである。第一実施形態に係る熱電変換モジュールの製造方法は、(a)熱電変換素子準備工程、(b)熱電変換素子への絶縁膜被覆工程、(c)熱電変換素子の重ね合わせ工程、(d)電極接合工程を備える。
まず、第一実施形態に係る熱電変換モジュールの製造方法について説明する。図1は、第一実施形態に係る熱電変換モジュールの製造方法を模式的に示すものである。第一実施形態に係る熱電変換モジュールの製造方法は、(a)熱電変換素子準備工程、(b)熱電変換素子への絶縁膜被覆工程、(c)熱電変換素子の重ね合わせ工程、(d)電極接合工程を備える。
(a)熱電変換素子準備工程
まず、例えば、図1(a)に示すような、直方体のp型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4を準備する。熱電変換素子の形状は特に限定されず、直方体等の六面体、六角柱、円柱、円盤状であってもよい。各熱電変換素子を構成する材料は、p型半導体又はn型半導体の性質を有するものであれば特に限定されず、金属、金属酸化物等の種々の材料を用いることができる。
まず、例えば、図1(a)に示すような、直方体のp型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4を準備する。熱電変換素子の形状は特に限定されず、直方体等の六面体、六角柱、円柱、円盤状であってもよい。各熱電変換素子を構成する材料は、p型半導体又はn型半導体の性質を有するものであれば特に限定されず、金属、金属酸化物等の種々の材料を用いることができる。
p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4の作製方法は、熱電変換素子を構成する材料によって異なるが、例えば、構成材料が金属であれば、金属のバルク体を所望の形状に切り出し、熱電変換素子とすることができる。また、例えば、構成材料が金属酸化物であれば、金属酸化物を構成する金属元素を含む化合物を混合し、酸素含有雰囲気下で焼結し、得られた焼結体を切り出した後所望の形状とすることにより、熱電変換素子を得ることができる。
p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4の材料として、下記の材料が挙げられる。
例えば、p型熱電変換素子3の材料としては、NaxCoO2(0<x<1)、Ca3Co4O9等の金属複合酸化物、MnSi1.73、Fe1−xMnxSi2、Si0.8Ge0.2:B(BドープSi0.8Ge0.2)、β−FeSi2等のシリサイド、CoSb3、FeSb3、RFe3CoSb12(RはLa、Ce又はYbを示す)等のスクッテルダイト、BiTeSb、PbTeSb、Bi2Te3、Sb2Te3、PbTe等のTeを含む合金、Zn4Sb3等が挙げられる。
また、n型熱電変換素子4の材料としては、例えば、SrTiO3、Zn1−xAlxO、CaMnO3、LaNiO3、BaTiO3、Ti1−xNbxO等の金属複合酸化物、Mg2Si、Fe1−xCoxSi2、Si0.8Ge0.2:P(PドープSi0.8Ge0.2)、β−FeSi2等のシリサイド、CoSb3等のスクッテルダイト、Ba8Al12Si30、Ba8AlxSi46―x、Ba8Al12Ge30、Ba8AlxGe46−x、Ba8GaxGe46−x等のクラスレート化合物、CaB6、SrB6、BaB6、CeB6等のホウ素化合物、BiTeSb、PbTeSb、Bi2Te3、Sb2Te3、PbTe等のTeを含む合金、Zn4Sb3等が挙げられる。
熱電変換モジュールを300℃以上で使用する場合を考慮すると、耐熱性及び耐酸化性の観点から、p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4は、上記材料の中でも金属酸化物、又はシリサイドを主成分として含むことが好ましい。また、金属酸化物の中でも、p型熱電変換素子3の材料としてはCa3Co4O9が好ましく、n型熱電変換素子4の材料としてはCaMnO3が好ましい。Ca3Co4O9及びCaMnO3は、高温下大気雰囲気中において特に優れた耐酸化性を有し、熱電変換性能も高い。
なお、p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4は、面3a,3b及び面4a,4bに、それぞれ金属層を有していてもよい。この金属層は、後述する電極と熱電変換素子とを接合させる接合材との接着性を高めるために設けられることがある。
(b)熱電変換素子への絶縁膜被覆工程
続いて、p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4の表面を絶縁膜15で被覆する。具体的には、図1(a)に示すようなp型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4に対して、各素子表面のうち少なくとも電極と対向されるべき面3a,3b及び4a,4b以外の面を、図1(b)に示すように絶縁膜15で被覆する。
続いて、p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4の表面を絶縁膜15で被覆する。具体的には、図1(a)に示すようなp型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4に対して、各素子表面のうち少なくとも電極と対向されるべき面3a,3b及び4a,4b以外の面を、図1(b)に示すように絶縁膜15で被覆する。
p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4を絶縁膜15で被覆する方法としては、面3a,3b及び面4a,4b以外の面に、絶縁膜15を形成するための組成物を塗布する方法、或いは、まず、p型熱電変換素子3の面3a,3b及びp型熱電変換素子4の面4a,4bを、容易に脱着可能なカバーで覆い、次に、その熱電変換素子3、4を、絶縁膜15を形成するための組成物の浴に浸漬させ、熱電変換素子3の面3a,3b及び熱電変換素子4の面4a,4b以外の表面に絶縁膜15を形成するための組成物を形成し、その後、面3a,3b及び面4a,4bを被覆したカバーを除去する方法等が挙げられる。
絶縁膜15を形成するための組成物としては、アルミナ系絶縁体、アルミナ・炭化珪素(SiC)系絶縁体、シリカ系絶縁体等の無機系絶縁体の膜を形成する組成物、エポキシ系絶縁体等の有機系絶縁体の膜を形成する組成物が挙げられる。熱電変換モジュールを300℃以上で使用する場合を考慮すると、耐熱性の観点から、無機系絶縁体の膜を形成する組成物であることが好ましい。例えば、アルミナ系絶縁体の膜を形成する組成物としては、ベタック(テルニック工業社製、商品名)、アルミナ・炭化珪素(SiC)系絶縁体の膜を形成する組成物としては、SPコート(セラミックコート(株)社製、商品名)、シリカ系絶縁体の膜を形成する組成物としては、シリカコート((有)エクスシア社製、商品名)が挙げられる。また、後述の固定手段16で例示する無機系接着剤を使用してもよい。
絶縁膜15の厚さは、好ましくは20μm〜1mm程度であり、より好ましくは100μm〜0.5mm程度である。1mmを超えた絶縁膜15を形成することは、素子密度の低下の観点から好ましくない。上記各無機系絶縁体の膜を形成する組成物により形成される絶縁膜15の好適な膜厚は、ベタックについては0.1〜1mm程度であり、SPコートについては0.05〜0.1mm程度であり、シリカコートについては0.01〜0.05mm程度である。
(c)熱電変換素子の重ね合わせ工程
続いて、図1(c)に示すように、面3a,3b以外の面に絶縁膜15が形成されたp型熱電変換素子13と、面4a,4b以外の面に絶縁膜15が形成されたn型熱電変換素子14とを、絶縁膜15同士がそれぞれ対向するように重ね合わせる。具体的には、隣り合う一組の素子13及び素子14それぞれについて、素子13における絶縁膜が形成された側面のうちの一面と、素子14における絶縁膜が形成された側面の内の一面とが、各素子それぞれの絶縁膜15同士を介して重ね合わされるように、素子13及び素子14を、全体として交互に行列状に配置して重ね合わせる。すなわち、p型熱電変換素子の表面のうち電極と対向されるべき面以外の面の少なくとも一部、及び、n型熱電変換素子の表面のうち電極と対向されるべき面以外の面の少なくとも一部を、絶縁膜を介して重ね合わせる。
続いて、図1(c)に示すように、面3a,3b以外の面に絶縁膜15が形成されたp型熱電変換素子13と、面4a,4b以外の面に絶縁膜15が形成されたn型熱電変換素子14とを、絶縁膜15同士がそれぞれ対向するように重ね合わせる。具体的には、隣り合う一組の素子13及び素子14それぞれについて、素子13における絶縁膜が形成された側面のうちの一面と、素子14における絶縁膜が形成された側面の内の一面とが、各素子それぞれの絶縁膜15同士を介して重ね合わされるように、素子13及び素子14を、全体として交互に行列状に配置して重ね合わせる。すなわち、p型熱電変換素子の表面のうち電極と対向されるべき面以外の面の少なくとも一部、及び、n型熱電変換素子の表面のうち電極と対向されるべき面以外の面の少なくとも一部を、絶縁膜を介して重ね合わせる。
複数のp型熱電変換素子13及びn型熱電変換素子14を上述したようにして交互に配置した後、図1(c)に示すように、得られた熱電変換ブロック11の外周を固定手段16で固定することが好ましい。固定手段16としては、支持枠、無機系接着剤等が挙げられる。支持枠の材料には、ジルコニア、コージェライト、アルミナ、ムライト、マグネシア、シリカ、カルシア等セラミックス材料の1又は2以上を用いればよい。無機系接着剤としては、シリカ−アルミナ、シリカ、ジルコニア又はアルミナを主成分とする無機系接着剤(スミセラムS(朝日化学工業(株)社製、商品名))、ジルコニア−シリカを主成分とする無機系接着剤(アロンセラミック(東亜合成(株)社製、商品名))等が挙げられる。
(d)電極接合工程
重ね合わされた複数のp型熱電変換素子13及びn型熱電変換素子14のうち、互いに隣接するp型熱電変換素子13とn型熱電変換素子14との一端面同士に、図1(d)に示すように電極17を接合する。これにより、複数のp型熱電変換素子13及びn型熱電変換素子14が電気的に接続される。図2に、本工程を経て得られる熱電変換モジュール1の断面図を示す。
重ね合わされた複数のp型熱電変換素子13及びn型熱電変換素子14のうち、互いに隣接するp型熱電変換素子13とn型熱電変換素子14との一端面同士に、図1(d)に示すように電極17を接合する。これにより、複数のp型熱電変換素子13及びn型熱電変換素子14が電気的に接続される。図2に、本工程を経て得られる熱電変換モジュール1の断面図を示す。
電極17としては、金属板等が挙げられる。使用される金属板等は、例えば、図2に示すように、好ましくは接合材9を用いてp型熱電変換素子13の面13a,13b、及び、n型熱電変換素子14の面14a,14bに接合すればよい。なお、接合材9は、電極17の表面、又は、熱電変換素子40の電極17との対向面に対して形成されるが、面13a,13b、及び、面14a,14bだけでなく、面13a,14aの間に挟まれる絶縁膜15の面15a、及び、面13b,14bの間に挟まれる絶縁膜15の面15bに形成されても構わない。これにより、複数のp型熱電変換素子13及びn型熱電変換素子14が電気的に直列に接続されたスケルトンタイプの熱電変換モジュール1を得ることができる。
電極17の材料としては、導電性を有するものであれば特に制限されないが、電極の耐熱性、耐食性、熱電変換素子40への接着性を向上させる観点から、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、モリブデン、銀、パラジウム、金、タングステン及びアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素を主成分として含む金属が好ましい。ここで、主成分とは、電極材料中に50体積%以上含有されている成分を言う。
接合材9としては、AuSn系のはんだ、銀ペースト、ロウ材等が挙げられる。接合材9は、スパッタ、蒸着、塗布、スクリーン印刷、めっき、溶射等の方法を用いて、薄膜状に形成することができる。
このような熱電変換モジュールの製造方法は、p型熱電変換素子及びn型熱電変換素子の位置決めが不要であり、従来の熱電変換モジュールの製造方法に比して簡便である。また、このような製造方法によって得られる熱電変換モジュールは、絶縁膜15によって十分に素子間の絶縁が確保されるので、熱電変換素子を高密度に配置でき、小型化が可能でかつ高出力を得ることができる。また、p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4の両方に絶縁膜15を有している熱電変換モジュール1は、素子同士の絶縁信頼性が非常に高いものとなる。
続いて、第二実施形態に係る熱電変換モジュールの製造方法について説明する。
(第二実施形態に係る熱電変換モジュールの製造方法)
第二実施形態に係る熱電変換モジュールの製造方法では、上記(b)熱電変換素子への絶縁膜被覆工程において、熱電変換素子3及び熱電変換素子4の全ての表面を絶縁膜15で被覆する。さらに、本実施形態に係る熱電変換モジュールの製造方法は、上記(c)熱電変換素子の重ね合わせ工程の後に、熱電変換素子の電極と対向されるべき面における絶縁膜の除去工程を備える。
第二実施形態に係る熱電変換モジュールの製造方法では、上記(b)熱電変換素子への絶縁膜被覆工程において、熱電変換素子3及び熱電変換素子4の全ての表面を絶縁膜15で被覆する。さらに、本実施形態に係る熱電変換モジュールの製造方法は、上記(c)熱電変換素子の重ね合わせ工程の後に、熱電変換素子の電極と対向されるべき面における絶縁膜の除去工程を備える。
まず、例えば、図3(a)に示すような、直方体のp型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4を準備する。本実施形態に係る熱電変換素子3、4は、熱電変換素子3、4の全ての表面に絶縁膜15を形成するため、絶縁膜15によって熱電変換素子3、4の全ての表面が被覆された後でも、熱電変換素子3、4の電極と対向されるべき面を把握できるような形状とすることが好ましい。例えば、熱電変換素子3、4を、図3(a)に示すような直方体の熱電変換素子とした場合、最も面積の小さい面3a,3b及び4a,4bが電極と対向させるべき面となるように、熱電変換素子3、4の形状を定めればよい。
次に、熱電変換素子3、4を、絶縁膜15を形成するための組成物の浴5に浸漬させ、図3(b)に示すように、熱電変換素子3、4の全ての表面に絶縁膜15を形成する。
続いて、図3(c)に示すように全ての表面に絶縁膜15が形成されたp型熱電変換素子13及びn型熱電変換14について、上述した第一実施形態の(c)工程と同様にして、p型熱電変換素子13の電極と対向されるべき面13a,13b以外の面と、n型熱電変換素子14の電極と対向されるべき面14a,14b以外の面と、を絶縁膜15を介して重ね合わせる。このようにして、p型熱電変換素子13及びn型熱電変換素子14を、交互に配置する。好ましくは、面13a,13b及び面14a,14bに形成されている絶縁膜15を除去する前に、重ね合わされた複数のp型熱電変換素子13及びn型熱電変換素子14を、例えば、図3(c)に示すように、上述した固定手段16を用いて一体に固定し、熱電変換ブロック20を作製する。
重ね合わされた複数のp型熱電変換素子13及びn型熱電変換素子14について、p型熱電変換素子13の電極と対向されるべき面13a,13bに形成されている絶縁膜15、及び、n型熱電変換素子14の電極と対向されるべき面14a,14bに形成されている絶縁膜15を研磨して除去する。例えば、図3(c)に示すように、熱電変換ブロック20の電極と対向されるべき面20a,20b(図示せず)を被覆している絶縁膜15を、研磨手段18を用いて除去する。研磨手段は特に制限されず、例えば、研磨紙を用いた手動研磨や、平面研削装置を用いた自動研磨等によればよい。このようにして、図1(c)に示されるような熱電変換ブロック11が得られる。
本工程によれば、重ね合わされた複数のp型熱電変換素子13及びn型熱電変換素子14について、面13a,13b及び面14a,14bに形成されている絶縁膜15を一度に効率よく除去することができる。特に、重ね合わされた複数のp型熱電変換素子13及びn型熱電変換素子14を固定手段16を用いて一体に固定し、熱電変換ブロック20を作製することにより、重ね合わされた複数のp型熱電変換素子13及びn型熱電変換素子14が十分固定されることとなり、研磨を容易に行うことができる。
続いて、上述した第一実施形態の(d)電極接合工程と同様にして、熱電変換ブロック11に対して、図1(d)に示すような電極17を接合する。このように、本実施形態に係る熱電変換モジュールの製造方法によっても、図2に示すような熱電変換モジュール1を得ることができる。
本実施形態においては、熱電変換素子の表面に絶縁膜を形成させるには、熱電変換素子を絶縁膜を形成するための組成物に浸漬するだけであり、簡便である。また、p型熱電変換素子13とn型熱電変換素子14とを重ね合わせ、電極と対向することになる絶縁膜を除去する工程も、各熱電変換素子の電極と対向することになる面を一度に研磨して絶縁膜15を除去するので、比較的簡便である。したがって、電極と対向されるべき面が絶縁膜に被覆されないように、各熱電変換素子の表面に絶縁膜を形成する第一実施形態に係る製造方法よりも、全体として工程が簡略化されるため好ましい。
上述したような本実施形態に係る熱電変換モジュールの製造方法により得られる熱電変換モジュールとしては、図2に示すスケルトンタイプの他に、図4に示す基板つきのものが挙げられる。
図4は、第一及び第二実施形態に係る熱電変換モジュールの製造方法によって製造された熱電変換モジュール1の他の一例の断面図である。この熱電変換モジュール1は、上述したスケルトンタイプの熱電変換モジュールの電極17の表面に基板が形成されたものである。この熱電変換モジュール1は、第1の基板2、第1の電極8、熱電変換素子40、第2の電極6、及び第2の基板7を備える。p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4は、第1の基板2及び第2の基板7間に、それぞれの絶縁膜15を介して交互に並んで配置される。なお、熱電変換モジュール1は、必ずしも第1の基板2及び第2の基板7の二枚を有する必要はなく、どちらか一枚を有すればよい。
第1の基板2及び第2の基板7は、例えば矩形状をなし、電気的絶縁性で、かつ熱伝導性を有し、複数の熱電変換素子40の一端を覆うものである。基板の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、マグネシア、炭化珪素、ジルコニア、ムライト等が挙げられる。
第1の電極8及び第2の電極6は、第1の基板2及び第2の基板7上に予めそれぞれ設けられたものでもよい。これらの電極は、基板上の所定位置に、例えば、スパッタ、蒸着、塗布、スクリーン印刷、めっき、溶射等の方法を用いて形成することができる。また、金属板等を例えば、はんだ、ロウ付け等で各基板上に接合させてもよい。なお、電極の材料としては、上述の実施形態で例示したものが挙げられる。
このような基板付の熱電変換モジュール1もまた、上述の熱電変換モジュールと同様の効果を奏する。
なお、本発明に係る熱電変換モジュールの製造方法及び、当該製造方法により得られる熱電変換モジュールは、上述した実施形態に限られるわけではなく様々な変形態様が可能である。例えば、上述した本実施形態においては、p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4の両方を絶縁膜15で被覆しているが、少なくともp型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4の一方の型の熱電変換素子を絶縁膜15で被覆すれば、本発明の実施は可能である。
また、上述した第二実施形態においては、絶縁膜を研磨して除去する工程において、p型熱電変換素子13及びn型熱電変換素子14が交互に配置されるように、複数のp型熱電変換素子13及びn型熱電変換素子14を重ね合せた後、面13a,13b及び面14a,14bに形成された絶縁膜15を研磨して除去しているが、まず、複数のp型熱電変換素子13を重ね合わせ、面13a,13bに形成された絶縁膜15を研磨して除去し、一方で、複数のn型熱電変換素子14を重ね合わせ、面14a,14bに形成された絶縁膜15を研磨して除去し、続いて、面13a,13bに形成された絶縁膜15が除去された状態の複数のp型熱電変換素子13、及び、面14a,14bに形成された絶縁膜15が除去された状態の複数のp型熱電変換素子14を交互に重ね合せ、さらに電極を接合することにより、熱電変換モジュールを製造することもできる。
1…熱電変換モジュール、2…第1の基板、3,13…p型熱電変換素子、4,14…n型熱電変換素子、6…第2の電極、7…第2の基板、8…第1の電極、9…接合材、11、20…熱電変換ブロック、15…絶縁膜、16…固定手段、17…電極、3a,3b…p型熱電変換素子表面の電極と対向されるべき面、4a,4b…n型熱電変換素子表面の電極と対向されるべき面、20a…熱電変換ブロックの電極と対向されるべき面。40…熱電変換素子。
Claims (4)
- p型熱電変換素子の表面のうち少なくとも電極と対向されるべき面以外の面、及び/又は、n型熱電変換素子の表面のうち少なくとも電極と対向されるべき面以外の面を絶縁膜で被覆する被覆工程と、
前記p型熱電変換素子の表面のうち電極と対向されるべき面以外の面、及び、前記n型熱電変換素子の表面のうち電極と対向されるべき面以外の面を、前記絶縁膜を介して重ね合わせる重ね合わせ工程と、を備える熱電変換モジュールの製造方法。 - 前記被覆工程において、前記p型熱電変換素子の全ての表面、及び/又は、前記n型熱電変換素子の全ての表面を前記絶縁膜で被覆し、
さらに、前記重ね合わせ工程において重ね合わされた前記p型熱電変換素子及び前記n型熱電変換素子について、前記p型熱電変換素子の表面のうち電極と対向されるべき面、及び/又は、前記n型熱電変換素子の表面のうち電極と対向されるべき面の研磨を行い、前記絶縁膜を除去する絶縁膜除去工程を備える、請求項1記載の熱電変換モジュールの製造方法。 - 前記絶縁膜除去工程前に、
さらに、前記重ね合わせ工程において重ね合わされた前記p型熱電変換素子及び前記n型熱電変換素子を、一体に固定することにより熱電変換ブロックを得る工程を備える、請求項2記載の熱電変換モジュールの製造方法。 - p型熱電変換素子と、
n型熱電変換素子と、
前記p型熱電変換素子と前記n型熱電変換素子とを電気的に接続する電極と、
前記p型熱電変換素子の表面のうち前記電極と対向する面以外の面を被覆する絶縁膜と、
前記n型熱電変換素子の表面のうち前記電極と対向する面以外の面を被覆する絶縁膜と、
を有し、
前記p型熱電変換素子及び前記n型熱電変換素子が、前記二つの絶縁膜を介して重ね合わされた熱電変換モジュール。
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CN2010800045962A CN102282692A (zh) | 2009-01-15 | 2010-01-08 | 热电转换模块的制造方法和热电转换模块 |
US13/144,643 US20110298080A1 (en) | 2009-01-15 | 2010-01-08 | Method for manufacturing thermoelectric conversion module, and thermoelectric conversion module |
PCT/JP2010/050161 WO2010082540A1 (ja) | 2009-01-15 | 2010-01-08 | 熱電変換モジュールの製造方法及び熱電変換モジュール |
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---|---|---|---|
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Family
ID=42339793
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JP2009006677A Pending JP2010165843A (ja) | 2009-01-15 | 2009-01-15 | 熱電変換モジュールの製造方法及び熱電変換モジュール |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110298080A1 (ja) |
JP (1) | JP2010165843A (ja) |
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WO (1) | WO2010082540A1 (ja) |
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WO2010082540A1 (ja) | 2010-07-22 |
US20110298080A1 (en) | 2011-12-08 |
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A02 | Decision of refusal |
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