JP6153005B2 - 熱電変換素子及び熱電変換モジュール - Google Patents
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熱を電気に変換する熱電変換部と、
前記熱電変換部を囲う絶縁体と、
を備え、
前記熱電変換部は、熱膨張緩和層を有し、
前記熱膨張緩和層は、空間を形成する内壁と、前記内壁の少なくとも一部に形成された内壁層と、を備え、
前記内壁層は、前記熱電変換部を構成する材料より延性が大きい材料で形成されている。
熱を電気に変換する熱電変換部と、
前記熱電変換部を囲う絶縁体と、
を備え、
前記熱電変換部は、熱膨張緩和層を有する。
前記内壁層は、前記熱電変換部を構成する材料より延性が大きい材料で形成されている。
前記内壁層は、Teを主成分とする相を母相として含んでいる。
熱を電気に変換する熱電変換部と、前記熱電変換部を囲う絶縁体を有し、前記熱電変換部が熱膨張緩和層を含む、複数の熱電変換素子と、
前記複数の熱電変換素子をそれぞれ電気的に接続する複数の電極と、
前記複数の熱電変換素子と前記複数の電極を挟むように対向して配置される第1の基板及び第2の基板と、
を備えている。
前述の「背景技術」の欄で説明したように、従来の熱電変換素子では、熱電変換部の割れ又は欠けを抑制するため、熱電変換部を絶縁体である石英又はガラスで囲う構成としていた。しかし、従来の熱電変換素子の構成では、熱電変換部と絶縁体の熱膨張率が異なる。そのため、従来の熱電変換素子において、出力を大きくするために熱電変換素子のΔTA(熱電変換素子の上下面の温度差)を大きくすると、絶縁体と熱電変換部の熱膨張の違いにより熱電変換部が割れ、熱電変換素子が故障するという課題を有していた。
[熱電変換素子の構成]
本開示の実施の形態1に係る熱電変換素子100の構成について、図1及び図2を用いて説明する。
<熱電変換部>
熱電変換部101は、棒状の形状を有する。また、熱電変換部101は、両端に温度差を生じさせると起電力が生じる材料で構成されている。熱電変換部101を構成する材料としては、例えば、Bi−Te(ビスマス−テルル)系材料、Pb−Te(鉛−テルル)系材料、Si−Ge(シリコン−ゲルマニウム)系材料が使用される。これらの材料は、熱電変換素子100の使用時における温度差に応じて選ぶことができる。例えば、温度差が常温から500KまではBi−Te系材料、常温から800KまではPb−Te系材料、常温から1000KまではSi−Ge系材料を選ぶことができる。実施の形態1では、熱電変換部101として、Bi−Te系材料を用いている。
筒102は、両端に開口を設けた、中空状の形状を有する。また、筒102は、耐熱性と絶縁性を有する材料で構成されている。筒102は、熱電変換素子100の使用時における高温側の一端の温度、又は熱電変換部101の融点においても溶融せずに、筒102の形状を維持する程度の耐熱性を有している。さらに、筒102は、その内部の熱電変換部101から筒102を介して外部に流れる電流を遮断する絶縁性を有している。このように、筒102は、耐熱性と絶縁性の両方の性質を有しているのがよい。
図3は、実施の形態1における熱膨張緩和層200の構成を示す拡大概略図である。
本開示の実施の形態1の熱電変換素子100の製造方法について、図4から図6を用いて説明する。図4から図6は、実施の形態1の熱電変換素子100の製造方法の各工程である。
本開示の実施の形態1の熱電変換素子100は、熱電変換部101と、絶縁体の筒102を備え、熱電変換部101の内部に熱膨張緩和層200を有する構成である。熱膨張緩和層200は、その内部に空間201を形成する内壁202と、内壁202に形成される内壁層203を有している。このような構成により、熱膨張緩和層200の空間201が熱電変換部101の熱膨張を緩和して熱電変換部101が割れることを抑制できるため、信頼性の高い熱電変換素子100を得ることが可能となる。したがって、熱電変換素子100のΔTA(熱電変換素子100の上下面の温度差)を大きくしても、熱電変換素子100が故障しにくいため、従来の熱電変換素子に比べて出力を大きくすることができる。
実施の形態1における熱膨張緩和層200の内壁層203は、内壁202の一部又は全体を覆うように形成されている。内壁層203は、熱電変換部101を構成する材料より延性の高い材料で形成されている。そのため、内壁層203は、内壁202の内部の空間201がき裂として熱電変換部101を進展するのを抑制する機能を有している。特に、空間201がき裂として進展しやすい内壁202の端部202aに内壁層203を形成することにより、熱膨張時における熱電変換部101の割れを抑制することができる。
本開示の実施の形態2に係る熱電変換モジュール400について、図7を用いて説明する。実施の形態2の熱電変換モジュール400は、実施の形態1の熱電変換素子100を複数用いて構成されている。
図7は、実施の形態2に係る熱電変換モジュール400の構成を示す概略図である。なお、図は熱電変換モジュール400を、熱電変換モジュール400の高さ方向(図7において紙面上下方向)に沿って切断した断面図である。
<電極>
電極401は、複数の熱電変換素子100におけるそれぞれの熱電変換部101の端面を電気的に接続している。熱電変換素子100は、熱電変換モジュール400内で配列され、電極401によって直列に接続されている。なお、熱電変換素子100は、図示していないが、例えば、P型熱電変換素子とN型熱電変換素子が交互に配置される。電極401を構成する材料としては、例えば、Bi、Cu、Sb、及びInを二以上含む合金が挙げられる。また、電極401は、熱電変換素子100の端面上に蒸着、スパッタ又は溶射等により形成してもよい。なお、実施の形態2の熱電変換モジュール400では、第1の基板403及び第2の基板404上に予め実装された電極401を用いている。
接合材402は、電極401と熱電変換部101を電気的に接合する。接合材402としては、はんだ又はろう材等を用いることができる。例えば、接合材402として、Sn、Pb、Ag、Bi、In、Sb、Auのいずれかを含む単金属又は合金を用いることができる。なお、電極401と熱電変換部101は、接合材402を介して接合してもよいし、接合材402なしで接合してもよい。
第1の基板403と第2の基板404は、複数の熱電変換素子100と電極401を挟むように対向して配置されている。第1の基板403と第2の基板404には、電極401を予め実装していてもよい。第1の基板403と第2の基板404は、同じ基板を用いてもよい。
レジスト405は、第1の基板403と第2の基板404上において、それぞれの熱電変換素子100間に設置される。レジスト405は、熱電変換素子100を実装する際に素子の位置ずれを抑制するために用いられる。なお、実施の形態2では、レジスト405を設けた構成としているが、レジスト405を設けない構成であってもよい。
下地金属406は、熱電変換部101の端面に設置される。下地金属406は、熱電変換部101と電極401との接合性を高めるため、又は接合材402と電極401からの拡散による熱電変換部101の発電能力の低下を抑制するための金属層である。下地金属406の厚さは、所望の接合性の実現と、モジュールの信頼性の向上の観点から、0.5〜10.0μmであることが好ましい。より好ましくは、下地金属406の厚さが、3.0〜6.0μmである。下地金属406として、例えば、Ni、Mo、Ti、Wのいずれかを含む単金属又は合金を用いることができる。実施の形態2では、下地金属406としてNiを用いている。
実施の形態2に係る熱電変換モジュール400は、対向して配置した第1の基板403と第2の基板404の間に実施の形態1の熱電変換素子100を複数配列し、複数の電極401により複数の熱電変換素子100を電気的に接続した構成である。また、実施の形態1の熱電変換素子100は、熱電変換部101に熱膨張緩和層200を有する構成である。このような構成により、熱電変換モジュール400の出力を大きくするためにモジュールのΔTB(モジュールの上下面の温度差)を大きくしたとしても、熱電変換部101が割れてモジュールの中の熱電変換素子100が故障することがない。そのため、従来の熱電変換モジュールと比べて出力を大きくすることができ、信頼性の高い熱電変換モジュール400を提供することができる。
101 熱電変換部
102 筒
200 熱膨張緩和層
201 空間
202 内壁
202a 端部
203 内壁層
301 管
302 チューブ
303 シリンダー
304 るつぼ
305 溶融熱電変換材料
306 冷却機構
307 移動方向
400 熱電変換モジュール
401 電極
402 接合材
403 第1の基板
404 第2の基板
405 レジスト
406 下地金属
Claims (11)
- 熱を電気に変換する熱電変換部と、
前記熱電変換部を囲う絶縁体と、
を備え、
前記熱電変換部の内部に、熱膨張緩和層を有し、
前記熱膨張緩和層は、空間を形成する内壁と、前記内壁の少なくとも一部に形成された内壁層と、を備え、
前記内壁層は、前記熱電変換部を構成する材料より延性が大きい材料で形成された、熱電変換素子。 - 前記内壁層は、前記内壁の端部に形成された、請求項1に記載の熱電変換素子。
- 前記内壁層は、前記熱電変換部を構成する材料の成分から形成された純金属相を母相として有する、請求項1又は2に記載の熱電変換素子。
- 前記内壁層は、前記熱電変換部を構成する材料の成分から形成された固溶体相を母相として有する、請求項1又は2に記載の熱電変換素子。
- 前記熱電変換部は、前記絶縁体より大きい熱膨張率を有する材料で形成された、請求項1〜4のいずれか一項に記載の熱電変換素子。
- 前記熱膨張緩和層は、前記熱電変換部を流れる電流の方向に向かって延在する、隙間状の細長い層である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の熱電変換素子。
- 前記熱膨張緩和層の延在方向と前記熱電変換部を流れる前記電流の方向とで成す角度が±30°以内の範囲である、請求項6に記載の熱電変換素子。
- 前記熱電変換部は、Bi−Te系材料を含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の熱電変換素子。
- 前記熱電変換部は、Bi−Te系材料を含み、
前記内壁層は、Teを主成分とする相を母相として含む、請求項1に記載の熱電変換素子。 - 前記内壁層に含まれるTe濃度は、90wt%以上である、請求項9に記載の熱電変換素子。
- 複数の熱電変換素子と、
前記複数の熱電変換素子をそれぞれ電気的に接続する複数の電極と、
前記複数の熱電変換素子と前記複数の電極を挟むように対向して配置される第1の基板及び第2の基板と、
を備え、
前記複数の熱電変換素子のそれぞれは、
熱を電気に変換する熱電変換部と、
前記熱電変換部を囲う絶縁体と、
を備え、
前記熱電変換部の内部に、熱膨張緩和層を有し、
前記熱膨張緩和層は、空間を形成する内壁と、前記内壁の少なくとも一部に形成された内壁層と、を備え、
前記内壁層は、前記熱電変換部を構成する材料より延性が大きい材料で形成された、熱電変換モジュール。
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