JP5853483B2 - ナノコンポジット熱電変換材料 - Google Patents
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Description
ZT=α2σT/κ (1)
(上式中、αはゼーベック係数を、σは電気伝導率を、κは熱伝導率を、そしてTは測定温度を示す)
図4に示すフローチャートの作製プロセスによって、ナノ粒子を合成した。各成分の量は、フローチャートの上の成分から順に、還元剤(NaBH4):2.4g、エタノール:100ml、エタノール:100ml、塩化ビスマス(BiCl3):0.4g、塩化テルル(TeCl4):3.2g(実施例1)、3.3g(実施例2)、塩化アンチモン(SbCl3):1.1gであった。各々の元素のうち、Teは固溶限よりも過剰に仕込んだ。
図7に示すフローチャートの作製プロセスによって、ナノ粒子を合成した。各成分の量は、フローチャートの上の成分から順に、還元剤(NaBH4):2.4g、エタノール:100ml、エタノール:100ml、塩化ビスマス(BiCl3):0.4g、塩化テルル(TeCl4):3.3g(実施例3)、2.8g(実施例4)、塩化アンチモン(SbCl3):1.1gであった。各々の元素のうち、Teは固溶限よりも過剰に仕込んだ。
Κel=LδT
(式中、Κel:キャリア熱伝導率、L:ローレンツ数、δ:電気伝導率(1/比抵抗、T:絶対温度)
Claims (5)
- 熱電変換材料の母相中に分散材として半導体ナノワイヤが分散されたナノコンポジット熱電変換材料であって、前記半導体ナノワイヤがその長軸方向に一方向に配列しており、前記母相を構成する材料と分散材を構成する材料が同じすべり面を有する材料の組合せであって、前記母相を構成する材料が(Bi,Sb) 2 (Te,Se) 3 であり、前記分散相を構成する材料がTeである、ナノコンポジット熱電変換材料。
- 前記ナノワイヤの長軸方向の長さが50nm以上であり、長軸方向に直交する断面における幅が20nm以下である、請求項1記載のナノコンポジット熱電変換材料。
- 前記ナノワイヤの体積分率が5〜50vol%である、請求項1又は2に記載のナノコンポジット熱電変換材料。
- 前記ナノワイヤが、長軸方向に直交する方向の間隔が20nm以下で配列されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載のナノコンポジット熱電変換材料。
- 熱電変換材料の母相中に分散材として半導体ナノワイヤが分散されたナノコンポジット熱電変換材料であって、前記半導体ナノワイヤがその長軸方向に一方向に配列しており、前記母相を構成する材料と分散材を構成する材料が同じすべり面を有する材料の組合せであることを特徴とするナノコンポジット熱電変換材料の製造方法であって、
複数種の熱電変換材料を構成する元素の塩であって、同じすべり面を有する母相と分散材を形成する塩を含む溶液もしくはスラリーを準備すること、
この溶液もしくはスラリーに、還元剤を含む溶液を滴下し、前記塩を構成するイオンを還元して熱電変換材料の複合粒子を形成すること、
得られた熱電変換材料の複合粒子を加圧し、分散材をワイヤ化しかつ一方向に配列させること
を含む方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011176748A JP5853483B2 (ja) | 2011-08-12 | 2011-08-12 | ナノコンポジット熱電変換材料 |
US14/237,443 US20140174493A1 (en) | 2011-08-12 | 2012-08-09 | Nanocomposite thermoelectric conversion material and method of manufacture thereof |
PCT/IB2012/001533 WO2013024328A1 (en) | 2011-08-12 | 2012-08-09 | Nanocomposite thermoelectric conversion material and method of manufacture thereof |
CN201280039006.9A CN103733365A (zh) | 2011-08-12 | 2012-08-09 | 纳米复合热电转换材料及其制造方法 |
EP12772398.9A EP2742543A1 (en) | 2011-08-12 | 2012-08-09 | Nanocomposite thermoelectric conversion material and method of manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011176748A JP5853483B2 (ja) | 2011-08-12 | 2011-08-12 | ナノコンポジット熱電変換材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013041916A JP2013041916A (ja) | 2013-02-28 |
JP5853483B2 true JP5853483B2 (ja) | 2016-02-09 |
Family
ID=47018256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011176748A Expired - Fee Related JP5853483B2 (ja) | 2011-08-12 | 2011-08-12 | ナノコンポジット熱電変換材料 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140174493A1 (ja) |
EP (1) | EP2742543A1 (ja) |
JP (1) | JP5853483B2 (ja) |
CN (1) | CN103733365A (ja) |
WO (1) | WO2013024328A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6153005B2 (ja) * | 2013-06-07 | 2017-06-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール |
JP6110421B2 (ja) | 2014-03-28 | 2017-04-05 | トヨタ自動車株式会社 | フォノン散乱材、ナノコンポジット熱電材料及びその製造方法 |
CN109309155B (zh) * | 2017-07-28 | 2022-04-19 | 丰田自动车株式会社 | 高锰硅基碲化物热电复合材料及其制备方法 |
US11302855B2 (en) * | 2018-03-13 | 2022-04-12 | Northwestern University | High-efficiency two-phase heusler thermoelectric materials |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4453311B2 (ja) * | 2003-09-11 | 2010-04-21 | ヤマハ株式会社 | 熱電材料及びその製造方法 |
US7465871B2 (en) * | 2004-10-29 | 2008-12-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Nanocomposites with high thermoelectric figures of merit |
US9865790B2 (en) * | 2004-12-07 | 2018-01-09 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Nanostructured bulk thermoelectric material |
JP4900061B2 (ja) * | 2007-06-06 | 2012-03-21 | トヨタ自動車株式会社 | 熱電変換素子及びその製造方法 |
JP5181707B2 (ja) * | 2008-02-13 | 2013-04-10 | トヨタ自動車株式会社 | 熱電変換素子及びその製造方法 |
JP4715953B2 (ja) * | 2008-10-10 | 2011-07-06 | トヨタ自動車株式会社 | ナノコンポジット熱電変換材料、それを用いた熱電変換素子およびナノコンポジット熱電変換材料の製造方法 |
EP2359417B1 (en) * | 2008-12-19 | 2017-08-23 | Carrier Corporation | Bulk-processed, enhanced figure-of-merit thermoelectric materials |
JP5533240B2 (ja) * | 2010-05-18 | 2014-06-25 | トヨタ自動車株式会社 | 異方性熱電変換ナノ粒子の製造方法およびそれを用いた異方性熱電変換焼結体の製造方法 |
-
2011
- 2011-08-12 JP JP2011176748A patent/JP5853483B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-08-09 CN CN201280039006.9A patent/CN103733365A/zh active Pending
- 2012-08-09 WO PCT/IB2012/001533 patent/WO2013024328A1/en active Application Filing
- 2012-08-09 EP EP12772398.9A patent/EP2742543A1/en not_active Withdrawn
- 2012-08-09 US US14/237,443 patent/US20140174493A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013024328A1 (en) | 2013-02-21 |
US20140174493A1 (en) | 2014-06-26 |
JP2013041916A (ja) | 2013-02-28 |
CN103733365A (zh) | 2014-04-16 |
EP2742543A1 (en) | 2014-06-18 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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