JPH11135842A - 熱電素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 外部の熱源や冷却対象物への熱的な接触が良
好に行え、かつ電気的な引き出しも確実に行える熱電素
子を提供する。 【解決手段】 多数のｐ型熱電半導体５１とｎ型熱電半
導体５２の間隙を絶縁体５０で満たし、端面を電極膜５
８で配線し、引き出しパッド５９を設けている微小な熱
電素子に対して、電極膜５８と引き出しパッド５９に接
するように異方性導電シート６０を備え、異方性導電シ
ート６０の上には引き出しパッド５９と相対する位置に
接合電極６１を有したヒートシンク６２を配置してい
る。異方性導電シート６０を用いることで、引き出しパ
ッド５９と対向している接合電極６１のみが電気的に接
続され、他の部分は絶縁され良好な電気接触が得られ
る。同様に、温接点および冷接点とヒートシンク６２と
の熱接触も良好に保たれる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱電対を多数内部
に備えた熱電素子に関し、とくに微小な熱電素子におい
て外部に対して安定に接触がとれる構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】熱電対はその両端に温度差を与えること
により電圧を発生し、反対に電極に電圧を与えると温度
差を生じる性質をもち、この熱・電気変換特性を利用し
ようして作られているのが熱電素子である。

【０００３】たとえば熱電素子は熱を電気エネルギーに
変換できる方法として発電素子に、あるいは電気エネル
ギーで対象物を冷やしたりする冷却素子に応用される。

【０００４】ところで熱電素子は構造やその動作が簡単
なため、他の熱／電気変換システムに比べて微小化に有
利なところから発電素子としては腕時計などの携帯用電
子機器内部での発電、また冷却素子としてはＩＣなどの
局所的な冷却などへの応用が広がっている。

【０００５】熱電素子として発電あるいは冷却に使われ
ている半導体材料の中でもっとも一般的なのはビスマス
（Ｂｉ）とテルル（Ｔｅ）を主成分にしたいわゆるＢｉ
Ｔｅ合金である。この材料は室温近辺で現在もっとも性
能がよいため各所で多用されているが、大きな欠点とし
て機械的強度が弱く非常にもろい材料であることがあげ
られる。

【０００６】そのため微小な熱電素子を作製するために
いくつかの検討がなされているが、たとえば特開昭６３
−２０８８０号公報に一つの作製方法が記載されてい
る。図２１にはこの公報に開示されている熱電素子の配
線前の構造を示す。熱電素子は柱状のｎ型熱電半導体と
ｐ型熱電半導体と有機樹脂等の絶縁材から構成されてい
る。絶縁材が用いられるのは、半導体材料を機械的に固
定するためである。

【０００７】そして、図２２に示すように、電極膜を配
置してｐ型とｎ型の半導体を接続する。電極膜を形成す
る方法としては、真空蒸着法などの真空技術を用いて金
属膜を形成し、その金属膜をフォトリソグラフィーの手
法を用いてパターン化することで実現する。

【０００８】この配線方法を利用する理由は、たとえば
半導体材料の断面が１００μｍ角より小さく、その数が
１０００以上にもなる微小な熱電素子内部の配線を確実
に行うためである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで熱電素子は発
電に用いる場合でも冷却素子として用いる場合において
も外部の回路と接続しなくては当然ながらその機能を発
することはできない。そして同時に熱電対の温接点と冷
接点の外部熱源や冷却対象物への熱的に良好な接触も備
えなければならない。

【００１０】確かに引用の公報の構造をとれば、脆い熱
電半導体を用いても小さな熱電素子構造を実現すること
は出来る。しかし開示されているのは熱電半導体を配線
するところまでであり、外部への接続および熱接触に関
する確実な方法は示されていない。たとえばこの熱電素
子の温接点あるいは冷接点をなしている電極部分を冷却
対象物に接触させると、電極自体は隠れてしまい外部へ
の電気的な接触ができなくなるという問題が生じてしま
う。

【００１１】このように従来例においては微小な熱電素
子の外部接続においては有効な手法は開示されていな
い。

【００１２】そこで、簡単に考えられる外部への接触の
方法としては、リード線を用いそれを半田などで電極へ
接続することが考えられる。しかし、半田付けをすると
半田によって電極表面より盛り上がった部分ができてし
まい、今度は外部への良好な熱的な接触が難しくなる。

【００１３】さらには、リードをつけたままその後の実
装作業をしなければならないため、リードが切れたり、
半田がはずれたりという問題も懸念される。

【００１４】〔発明の目的〕そこで本発明の目的は上記
の問題を解決し、外部への良好な熱接触をとりつつ安定
した電気的接続を有する微小な熱電素子を提供すること
にある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明の熱電素子では、複数の柱状のｐ型熱電半導体
とｎ型熱電半導体と、隣り合った熱電半導体の間隙には
絶縁体と、上面および下面に位置し隣り合ったｐ型とｎ
型の熱電半導体に接し、複数の熱電半導体を連続させる
電極膜と、連続した熱電半導体の最端部には引き出しパ
ッドと、電極膜と引き出しパッドに接する異方性導電シ
ートと、異方性導電シートに接し、引き出しパッドと相
対する位置に接合電極を備えたヒートシンクとを有する
ことを特徴とする。

【００１６】あるいは本発明の熱電素子においては、複
数の柱状のｐ型熱電半導体とｎ型熱電半導体と、隣り合
った熱電半導体の間隙には絶縁体と、上面および下面に
位置し隣り合ったｐ型とｎ型の熱電半導体に接し、複数
の熱電半導体を連続させる電極膜と、連続した熱電半導
体の最端部には引き出しパッドと、引き出しパッド以外
の電極膜上には絶縁膜と、引き出しパッド上には導電性
接着剤と、絶縁膜と導電性接着剤に接する導電性のヒー
トシンクとを有することを特徴とする。

【００１７】（作用）本発明の第１手段によれば、厚さ
方向のみに導通がある異方性導電シートを用いること
で、引き出しパッドと対向している接合電極のみが電気
的に接続され、他の部分は絶縁され良好な電気接触が得
られる。そして同様に異方性導電シートは厚さ方向は熱
伝導も良好なため、温接点および冷接点とヒートシンク
との熱接触は良好に保たれる。

【００１８】さらに本発明の第２の手段によれば、ヒー
トシンクが同時に外部接触部をかねており、引き出しパ
ッドとの電気接触は導電性接着剤で良好に保たれる。そ
して、熱接触も薄い接着層を介しているのみであるか
ら、良好に保つことができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明の熱電素
子の構造における最適な実施形態について説明する。

【００２０】（第１の実施の形態）はじめに図１〜図８
を用いて第１の実施の形態における熱電素子の構造につ
いて説明する。まず図１は本発明の熱電素子の全体的な
構成を示す断面図である。熱電素子は大きく分けて熱電
素子ブロック５３と異方性導電シート６０とヒートシン
ク６２とからなっている。

【００２１】熱電素子ブロック５３は柱状のＢｉＴｅＳ
ｂの焼結体からなるｐ型熱電半導体５１とＢｉＴｅから
なるｎ型熱電半導体５２の複数を一定の間隔を持って規
則的に配置し、その間隙を埋める形で絶縁体５０を充填
する。絶縁体５０はエポキシ系の樹脂から構成してお
り、熱電半導体間の絶縁を確保するとともに脆い熱電半
導体を強固に固定し、機械的な強度を保つ役割もしてい
る。

【００２２】この熱電素子ブロック５３の上面５５の構
成は図２に示す。柱状の熱電半導体の形状は５０μｍ×
８０μｍ×２０００μｍであり、約４ｍｍ角の中に１０
００対の熱電対となる半導体が含まれる。

【００２３】熱電素子ブロック５３の上面５５および下
面５６には、電極膜５８を配する。電極膜５８は約１０
０ｎｍのＣｒ（クロム）膜と約９００ｎｍのＡｕ（金）
膜の２層膜からなる。

【００２４】電極膜５８の上面５５における平面的な配
置および下面５６における平面的な配置を図３および図
４に示す。電極膜５８は上面と下面において隣り合った
ｐ型熱電半導体５１とｎ型熱電半導体５２の端部を交互
に接続し、複数の熱電半導体を直列化する構成となって
いる。つまり電極膜５８によってｐ型熱電半導体５１と
ｎ型熱電半導体は複数の連続した熱電対となり、電極膜
５８は熱電対の温接点あるいは冷接点をなすことにな
る。

【００２５】また電極膜５８と同じ面上には引き出しパ
ッド５９を配置する。引き出しパッド５９は図３に見ら
れるように連続した熱電半導体の最端部に位置してい
る。

【００２６】さらに上面５５と下面５６には異方性導電
シート６０を配置し、その上には絶縁膜（図示せず）で
覆われた銅板からなるヒートシンク６２を配置する。た
だし、上面５５に位置しているヒートシンク６２には接
合電極６１が備えられている。

【００２７】接合電極６１が備えられたヒートシンク６
２の平面図を図５に示すが、接合電極６１は前述の引き
出しパッド５９と相対する位置になるよう構成してお
り、異方性導電シート６０を介して両者は電気的に接続
する形となっている。

【００２８】異方性導電シート６０はその厚さ方向には
電気伝導性および熱伝導性が確保されているが、面方向
には絶縁性である。ゆえに、本発明の熱電素子は熱電素
子ブロック５３の外部への電気的取り出しとヒートシン
ク６２への熱的な接触が同時に可能な構造になってい
る。

【００２９】ところで上記の配線の構成では引き出しパ
ッド５９は上面のみに位置することになる。これは、ｐ
型およびｎ型の熱電半導体の１対ごとが基本構成とな
り、全体で熱電半導体は偶数存在するからである。

【００３０】これに対して必要に応じては直列化するｐ
型とｎ型の熱電半導体の数を奇数個にすることにより最
終端に位置する引き出しパッド５９を上面５５と下面５
６の両方の面に一つずつ位置する様にも構成できる。こ
のときの電極膜５８のパターンは図６および図７に示
す。

【００３１】このように上面５５と下面５６に一つずつ
の引き出しパッド５９が配置されている熱電素子ブロッ
ク５３に対しては、ヒートシンク６２も一つの接合電極
６１を有したものを上下一個ずつ配置することとなる。
そのときの熱電素子の構成は図８に示すようになる。

【００３２】第１の実施の形態における熱電素子の構造
は上述の如くであるが、参考までにその製造方法につい
て記しておく。

【００３３】図９に示すようにｐ型熱電半導体ブロック
１とｎ型熱電半導体ブロック２とを用意する。ｐ型熱電
半導体ブロック１およびｎ型熱電半導体ブロック２は、
加工後にそれぞれ柱状のｐ型熱電半導体およびｎ型熱電
半導体となる半導体ブロックである。本例ではｐ型熱電
半導体ブロック１としてｐ型のＢｉＴｅＳｂの焼結体、
ｎ型熱電半導体ブロック２としてｎ型のＢｉＴｅの焼結
体を用いる。

【００３４】つづいて図１０に示す工程では、ｐ型熱電
半導体ブロック１に縦溝２６を形成し、縦隔壁２７を残
してｐ型溝入ブロック２１とする。同様に、ｎ型熱電半
導体ブロック２からｎ型溝入ブロック２２を形成する
が、この時、ｐ型溝入ブロック２１とｎ型溝入ブロック
２２とで、縦溝のピッチを同一にし、かつ、一方のブロ
ックの縦溝幅が他方のブロックの縦隔壁幅よりも大きく
なるようにする。

【００３５】縦溝２６の加工は、ワイヤーソーによる研
磨加工により行い、それぞれのブロックには深さ３ｍｍ
（外形の４ｍｍを厚さ方向とする）、ピッチ１２０μ
ｍ、幅７０μｍの縦溝２６を形成する。

【００３６】図１１の工程では、図１０に示したｐ型溝
入ブロック２１とｎ型溝入ブロック２２で、互いに縦溝
２６に相手の縦隔壁２７を挿入し合って組み合わせて一
体化する。組み合わせた２つのブロックは嵌合部に接着
層４０を設けて固着することで一体化ブロック３とす
る。

【００３７】接着層４０に用いる接着剤としては低粘度
の常温硬化型のエポキシ系の接着剤を用い、毛管現象に
より接着剤を縦溝２６と縦隔壁２７との隙間に充填する
ことで、両ブロック固着とともに絶縁性も確保できる。

【００３８】さて、このように図１１において完成した
一体化ブロック３は、次に図１２で示した再度の溝加工
工程により横溝４６を形成し、溝入一体化ブロック４３
にする。横溝４６の加工は図１０での縦溝２６の工程と
同様に実施し、残った部分が横隔壁４７となる。

【００３９】すなわちワイヤーソーによる研磨加工によ
り横溝４６を形成し、本例ではピッチ１２０μｍ、幅４
０μｍ、深さ３ｍｍの横溝４６を形成する。なお、溝幅
４０μｍはワイヤーソー加工での細幅としてのほぼ限界
値である。

【００４０】図１２の工程に続いて、図１３に示すよう
に横溝４６にエポキシ系の絶縁性樹脂を充填し硬化して
絶縁樹脂層５４を形成する。絶縁樹脂層５４で固めた溝
入一体化ブロック４３は、その上下面を研削で除去し、
独立した柱状のｐ型熱電半導体とｎ型熱電半体となるよ
うに仕上げ、図１４に示す熱電素子ブロック５３を形成
する。前記図１１に示した接着層４０と図１３に示した
絶縁樹脂層５４は、電気的な絶縁を得るという同じ機能
を持つ層なので、図１４以降では両者あわせて絶縁体５
０とする。

【００４１】図１４に示す熱電素子ブロック５３の上面
５５、下面５６においてｐ型熱電半導体５１とｎ型熱電
半導体５２の配線を行う。ニッケルからなる金属板に開
口部を設け、開口部と、上面５５におけるｐ型熱電半導
体５１とｎ型熱電半導体５２とが重なるように位置合わ
せを行い、熱電素子ブロック５３の上面５５に金属板を
密着させる。

【００４２】この配線は蒸着法により膜を形成して行
う。蒸着膜にはＣｒとＡｕの２層膜を用いる。これによ
り、熱電素子ブロック５３の上面５５には、電極膜５８
により図３の配線パターンが形成される。また、蒸着の
際２つの引き出しパッド５９も形成する。

【００４３】熱電素子ブロック５３の下面５６において
は、前述とは異なる開口部を有した金属板を用てい、下
面５６に金属板を密着させて固定し、金属板をマスクと
してＣｒとＡｕの膜を蒸着により形成する。これによ
り、熱電素子ブロック５３の下面５６には、電極膜５８
により図４の配線パターンが形成される。

【００４４】つづいて図１５に示すように、上面５５お
よび下面５６には異方性導電シート６０を貼り付ける。
貼り付ける際には約１００℃に加熱することで密着がと
れる。異方性導電シート６０は接着力のある樹脂の中に
金属微粒子を分散してシート状に成型したものである
が、そのままの状態では含まれる金属微粒子はそれぞれ
がほとんど接していないように作られているため、シー
トとしては絶縁性を維持している。

【００４５】ここに、図１に示すようにヒートシンク６
２を約１０ｋｇ／ｃｍ２の力で異方性導電シート６０が
多少つぶれるように上下から圧着する。ただし、上面５
５に位置したヒートシンクにはあらかじめ接合電極６１
を設けてある。このときさらに１５０℃の温度をかける
ことで、異方性導電シート６０は変形したまま固着し、
さらにはヒートシンク６２も接着される。

【００４６】ここでヒートシンク６２への接合電極６１
形成方法を述べる。表面がＳｉＯ2などの絶縁膜により
覆われた銅板を所定の形状に加工し、さらにＡｕを密着
層にＣｒを介して蒸着し、さらにはフォトリソグラフィ
ーの手法を用いてＡｕおよびＣｒをエッチング加工す
る。

【００４７】あるいは、銅板を覆っている絶縁膜をフォ
トリソグラフィーの手法を用いて接合電極６１となる形
状にエッチング除去することで、接合電極６１の形状を
した穴をあけヒートシンク６２全体を電極とすることも
できる。ただし、この場合は一つのヒートシンク６２に
２カ所電極をもうけると両者がショートしてしまうた
め、１個の接合電極６１のみを形成する時に用いる。

【００４８】前述したように異方性導電シート６０には
金属微粒子が含まれているが、このように上下から押さ
えつけられつぶれることで金属微粒子は厚さ方向に接触
することができる。そこで、このとき異方性導電シート
６０は厚さ方向には導電性および熱伝導性を有すること
になる。

【００４９】しかしながら、面方向はあまり変形しない
ため金属微粒子は初期の分散状態とあまり変わらず、絶
縁性を維持したままである。つまり異方性導電シート６
０が接している電極膜５８は互いにショートすることは
なく、熱電対を連続するのみに働く。

【００５０】接合電極６１はヒートシンク６２を異方性
導電シート６０に圧着する際には、配線面の引き出しパ
ッド５９に対向するような位置にあらかじめ合わせてお
く。つまり、接合電極６１は引き出しパッド５９の上の
みに存在し、他の電極膜５８上には絶縁膜（図示せず）
が位置しているため、異方性導電シート６０は引き出し
パッド５９と接合電極６１のみを電気的に接続し、熱電
素子の出力が外部に取り出せるよう構成されている。

【００５１】しかし、ほかの電極膜５８は、電気的には
ヒートシンク６２側と直接は繋がっていないが、異方性
導電シート６０により熱は良好に伝達される構成にもな
っている。

【００５２】（第２の実施の形態）図１６は本発明の第
２の熱電素子の全体的な構成を示すものである。この熱
電素子は熱電素子ブロック５３と接着層とヒートシンク
６２から構成してなる。熱電素子ブロック５３はｐ型熱
電半導体５１とｎ型熱電半導体５２と絶縁体５０と電極
膜５８と引き出しパッド５９で構成し、基本的に第１の
実施の形態で述べた熱電素子ブロック５３と同じであ
る。ただしここで、引き出しパッド５９は上面５５と下
面５６に一つずつ分けた構成をとっている。

【００５３】熱電素子ブロック５３の上面５５と下面５
６には、接着層として導電性接着剤６５および絶縁膜６
６を配する。導電性接着剤６５は金属微粒子を多く含ん
だエポキシ樹脂系の接着剤であり、絶縁膜６６はアルミ
ナや窒化硼素のような絶縁性微粒子を多く含んだエポキ
シ系の接着剤である。

【００５４】そして導電性接着剤６５は引き出しパッド
５９の上にのみ配置し、絶縁膜６６は引き出しパッド５
９以外の電極膜５８上の全面に配置する。この２種の接
着剤を挟んで熱電素子ブロック５３の上面５５と下面５
６には銅板からなるヒートシンク６２を配する。

【００５５】導体であるヒートシンク６２は導電性接着
剤６５により電気的に接続され、熱電素子の出力は外部
に容易に出せる構成となる。他の電極膜５８とヒートシ
ンク６２との間には絶縁膜６６が介在するため、電極膜
５８同士がショートすることはない。さらに、両接着剤
ともに良熱伝導粒子を含んでいるため熱電素子ブロック
５３の上面５５，下面５６との熱接触も良好に保てる。

【００５６】さらに引き出しパッド５９を上面５５のみ
に２つ配する熱電素子ブロック５３で構成する場合に
は、図１７に示すように、引き出しパッド５９側のヒー
トシンク６２は２分割して構成することもできる。

【００５７】また、上記においては絶縁膜６６として熱
伝導性接着剤を用いているが、あらかじめ引き出しパッ
ド５９をのぞく電極膜５８全面にＳｉＯ2 等の絶縁膜６
６をコーティングしておけば、導電性接着剤６５は引き
出しパッド５９と電気的接触がとれればとくに範囲を選
ぶこと無く配置してもよい。

【００５８】また、導電性接着剤６５には熱電素子ブロ
ック５３の耐熱性に問題がない範囲であれば、半田材料
なども用いて構成してもよい。

【００５９】以上が第２の実施の形態における熱電素子
の構成であるが、参考までに製造方法も述べておく。

【００６０】第２の実施の形態においても、図９から図
１４に至る熱電半導体ブロックのワイヤーソー縦溝加
工、組み合わせ、接着剤の固着による一体化ブロック４
３の形成、ワイヤー横溝加工、絶縁性樹脂の充填、上面
と下面の研削による熱電素子ブロック５３の形成、図３
から図７に示す蒸着による配線等は第１の実施の形態と
同様である。

【００６１】これに続いて図１８に示すように、引き出
しパッド５９の上にのみ導電性接着剤６５をスクリーン
印刷法によりコーティングする。さらには引き出しパッ
ド以外の電極膜５８上全面には熱伝導性絶縁接着剤を同
様にスクリーン印刷法によりコーティングし、絶縁膜６
６を形成する。

【００６２】さらに図１６に示すように２種の接着剤を
コーティングした上には銅板からなるヒートシンク６２
を圧着する。このとき同時に約１００℃の温度をかけ接
着材を硬化させ、ヒートシンク６２を完全に接着する。

【００６３】このように構成された熱電素子を発電ある
いは冷却を目的として利用する場合の構成を図１９およ
び図２０に示す。本発明の熱電素子は、図のように外部
の低温物体７１および高温物体７２にヒートシンクを介
して直接接することができることがよくわかる。

【００６４】またヒートシンク６２に設けた接続電極６
１あるいはヒートシンク６２本体から外部回路へ引き出
し線７３を用いて接続することができる。

【００６５】上記２つの実施の形態において熱電半導体
にはＢｉＴｅ系の材料を用いているが、ＰｂＴｅ系、Ｆ
ｅＳｉ系、Ｉｒ2 Ｓｂ3 系などに代表されるたの熱電材
料も用いることができる。

【００６６】絶縁体にはエポキシ樹脂を用いているが、
ポリイミド樹脂、アクリル樹脂など液状から個体に変化
させられるものなら、他の樹脂も用いることができる。

【００６７】電極膜、引き出しパッド、接合電極はＣｒ
とＡｕの２層膜を用いているが、他の金属膜、たとえば
Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｐｔ、などを１
層あるいは２層で用いてもよい。

【００６８】ヒートシンクには銅板を用いているが、他
の材料の鉄あるいはその合金板、アルミ板、真鍮板、Ｔ
ｉ板、Ｓｉ板、セラミック板なども用いることができ
る。

【００６９】

【発明の効果】上記の内容から明らかなように、第１の
実施の形態によれば、多数のｐ型とｎ型熱電半導体の間
隙を絶縁体で満たし、端面を電極膜で配線している微小
な熱電素子に対して、厚さ方向のみに導通がある異方性
導電シートを用いることで、引き出しパッドと対向して
いる接合電極のみが電気的に接続され、他の部分は絶縁
され良好な電気接触が得られる。そして同様に異方性導
電シートは厚さ方向は熱伝導も良好なため、温接点およ
び冷接点とヒートシンクとの熱接触は良好に保たれる。

【００７０】さらに第２の実施の形態によれば、ヒート
シンクが同時に外部接触部をかねており、引き出しパッ
ドとの電気接触は導電性接着剤で良好に保たれる。そし
て、熱接触も熱伝導性接着剤あるいは薄い絶縁層を介し
ているのみであるから、良好に保つことができる。さら
に第２の実施の形態ではヒートシンクを接着する場合の
位置あわせがほとんど必要ない。

【００７１】以上のように本発明では、多数のｐ型とｎ
型熱電半導体の間隙を絶縁体で満たし、端面を電極膜で
配線している微小な熱電素子へのヒートシンクの接着と
電気的な外部接続が簡単な構成で、確実に行うことがで
きる。

【００７２】このように構成された熱電素子は発電ある
いは冷却を目的として、熱源にヒートシンクを介して直
接接することができ、またヒートシンクの一部あるいは
全体から容易に外部回路へ引き出し線で接続することが
でき、つまりは一般的な電子部品と同様な扱いが可能な
素子となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態における熱電素子の全体構
成を示す断面図である。

【図２】本発明の実施の形態における熱電素子の一部の
構成を示す平面図である。

【図３】本発明の実施の形態における熱電素子の一部の
構成を示す平面図である。

【図４】本発明の実施の形態における熱電素子の一部の
構成を示す平面図である。

【図５】本発明の実施の形態における熱電素子の一部の
構成を示す平面図である。

【図６】本発明の実施の形態における熱電素子の一部の
構成を示す平面図である。

【図７】本発明の実施の形態における熱電素子の一部の
構成を示す平面図である。

【図８】本発明の実施の形態における熱電素子の全体構
成を示す断面図である。

【図９】本発明の実施の形態における熱電素子の製造方
法を示す斜視図である。

【図１０】本発明の実施の形態における熱電素子の製造
方法を示す斜視図である。

【図１１】本発明の実施の形態における熱電素子の製造
方法を示す斜視図である。

【図１２】本発明の実施の形態における熱電素子の製造
方法を示す斜視図である。

【図１３】本発明の実施の形態における熱電素子の製造
方法を示す斜視図である。

【図１４】本発明の実施の形態における熱電素子の製造
方法を示す斜視図である。

【図１５】本発明の実施の形態における熱電素子の製造
方法を示す断面図である。

【図１６】本発明の実施の形態における熱電素子の全体
構成を示す断面図である。

【図１７】本発明の実施の形態における熱電素子の全体
構成を示す断面図である。

【図１８】本発明の実施の形態における熱電素子の製造
方法を示す断面図である。

【図１９】本発明の実施の形態における熱電素子の使用
方法を示す断面図である。

【図２０】本発明の実施の形態における熱電素子の使用
方法を示す断面図である。

【図２１】従来の熱電素子の構成を示す斜視図である。

【図２２】従来の熱電素子の構成を示す平面図である。

【符号の説明】

５０ 絶縁体 ５１ ｐ型熱電半導体 ５２ ｎ型熱電半導体 ５８ 電極膜 ５９ 引き出しパッド ６０ 異方性導電シート ６１ 接続電極 ６２ ヒートシンク ６５ 導電性接着剤 ６６ 絶縁膜

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の柱状のｐ型熱電半導体とｎ型熱電
   半導体と、 隣り合った熱電半導体の間隙には絶縁体と、 上面および下面に位置し隣り合ったｐ型とｎ型の熱電半
   導体に接し、複数の熱電半導体を連続させる電極膜と、 連続した熱電半導体の最端部には引き出しパッドと、 電極膜と引き出しパッドに接する異方性導電シートと、 異方性導電シートに接し、引き出しパッドと相対する位
   置に接合電極を備えたヒートシンクとを有することを特
   徴とする熱電素子。
2. 【請求項２】 複数の柱状のｐ型熱電半導体とｎ型熱電
   半導体と、 隣り合った熱電半導体の間隙には絶縁体と、 上面および下面に位置し隣り合ったｐ型とｎ型の熱電半
   導体に接し、複数の熱電半導体を連続させる電極膜と、 連続した熱電半導体の最端部には引き出しパッドと、 引き出しパッド以外の電極膜上には絶縁膜と、 引き出しパッド上には導電性接着剤と、 絶縁膜と導電性接着剤に接する導電性のヒートシンクと
   を有することを特徴とする熱電素子。