JPH11340527A - 熱電装置 - Google Patents

熱電装置

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JPH11340527A
JPH11340527A JP10144723A JP14472398A JPH11340527A JP H11340527 A JPH11340527 A JP H11340527A JP 10144723 A JP10144723 A JP 10144723A JP 14472398 A JP14472398 A JP 14472398A JP H11340527 A JPH11340527 A JP H11340527A
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JP
Japan
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substrate
thermoelectric
electrode
thermoelectric device
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP10144723A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoshi Tauchi
比登志 田内
Seishi Moriyama
誠士 森山
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Aisin Corp
Original Assignee
Aisin Seiki Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】熱電装置における電極と熱電半導体とを半田付
接続しないようにすること。 【解決手段】 P型熱電半導体18とN型半導体素子1
9とを相対する第1基板11と第2基板12との間で交
互に配列し、前記各熱電半導体18・19の一端部及び
他端部を夫々前記第1基板11及び第2電極12に固定
された電極15に接続することにより前記各熱電半導体
18・19を前記第1基板11と前記第2基板12との
間で挟持された状態で直列接続するようにしてなる熱電
装置10において、前記接続は、前記各電極15に形成
された凹部16内に充填された導電性接着剤20により
行うようにしてなる、熱電装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ペルチェ効果を利
用して熱制御を行う熱電装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば特開平3−225973号公報に
開示された熱電装置においては、 P型熱電半導体とN
型半導体素子とが相対する第1基板と第2基板との間で
交互に配列されている。しかして、各熱電半導体の一端
部及び他端部は、夫々、対応する第1基板及び第2基板
に固定された電極に接続することにより前記各熱電半導
体が、前記第1基板と前記第2基板との間に挟持された
状態で、直列接続されるようになっている。そして、熱
電半導体に通電がなされると、ペルチェ効果により、第
1基板(第2基板)側の電極が吸熱(発熱)作用を呈
し、第1基板が冷却されることにより、第1基板と熱接
触されている部材が冷却されるようになっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、電極と熱電
半導体との接続は半田付けで行われるため、精緻な温度
管理や接着時間管理を行わねばならず、まことに煩に耐
え得ないものであった。特に、熱電装置の利用分野が多
岐にわたることから、多品種少量生産の形態での供給要
請が強く、この場合、前記した煩瑣は倍加される。
【0004】それ故に、本発明は、かような不具合を招
来しないような熱電装置を提供することを、その技術的
課題とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記した課題解決するた
めに請求項1において講じた手段は、 P型熱電半導体
とN型半導体素子とを相対する第1基板と第2基板との
間で交互に配列し、前記各熱電半導体の一端部及び他端
部を夫々前記第1基板及び第2基板に固定された電極に
接続することにより前記各熱電半導体を前記第1基板と
前記第2基板との間で挟持された状態で直列接続するよ
うにしてなる熱電装置において、前記接続は、前記各電
極に形成された凹部内に充填された導電性接着剤により
行うようにしてなる熱電装置を構成したことである。
【0006】
【作用及び効果】上記した請求項1記載の構成において
は、熱電半導体と電極との接続を導電性接着剤を用いて
行ったので、従来のような半田付接続に伴う不具合は全
く惹起されない。また、電半導体と電極との接続を半田
付を行う場合、熱電半導体の端部にメッキを施す必要が
あったが、半田の代りに導電性接着剤を採用することに
より、メッキ工程が省かれることになり、製造工程の大
幅な簡素化を図ることができる。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の例を添付図
面に基づいて説明する。
【0008】実施形態例1: 図1に示されるように、
熱電装置10は相対する平行なアルミナセラミックス製
の基板11・12を備える。基板11(基板12)には
基板12(11)に対向するように、厚さが0.3ミリ
メートルの電極15が貼着ないし固定されている。
【0009】基板11と基板12との間には空間13が
形成され、この空間13内には熱電機構14が配設され
る。しかして、熱電機構14はP型熱電半導体18とN
型半導体素子19とを交互に配列することにより、全体
として、平面的にはマトリックス状をなすように構成さ
れている。
【0010】P型熱電半導体18( N型半導体素子1
9)の両端部は、電極15に導電性接着剤20を介して
接続される。すなわち、電極15の両側には薄底の凹部
16が形成されており、この中に導電性接着剤20が少
しくあふれるように充填されている。具体的には、周知
のスクリーン印刷により塗布される。そして、この溢れ
でた部分をP型熱電半導体18( N型半導体素子1
9)の端部に接着させた後、加熱・硬化させることによ
り、両者の電気的接続がなされる。
【0011】上記した導電性接着剤20は銀粉を50重
量パーセント含有したエポキシ樹脂であって、藤倉化成
株式会社から[ドータイトA−860]という商品名で
市販されているものを使用している。しかして、導電性
接着剤20の抵抗値は膜厚依存性があり、余りに薄いと
導通が良くないので、所定の厚さを確保して導電性接着
剤20の導通性を確保している。この例においては、凹
部16の深さを15ミクロンと設定した。なお、導電性
接着剤20に含有される銀粉に代えて、銅粉その他を用
いても良い。
【0012】電極15に凹部16を形成する手段とし
て、エッチングが用いられる。電極15が形成された基
板11(12)を準備し(図3)、次いで電極15の上
にエッチングレジスト31を載せ(図4)、この状態で
エッチングを行えば、図5に示すように凹部16が形成
された電極15を得ることが出来る。
【0013】かようにして得られた熱電装置10を、内
部抵抗のバラツキ、チップズレ不良つまり熱電半導体が
位置ズレをおこし隣の熱電半導体に接触することに伴う
不良及び冷熱衝撃試験により、信頼性を評価した。
【0014】冷熱衝撃試験は熱電装置10を摂氏マイナ
ス50度の環境下に1時間放置した後に摂氏120度の
環境下に1時間放置することを1サイクルとする処置を
200サイクル実施した後、試験前後の内部抵抗の変化
率を測定し、10パーセント以上の個数が何個あるかを
測定した。そして、10パーセント以上の変化率を示し
たものは不合格とした。また、内部抵抗のバラツキは、
20個の熱電装置の内部抵抗を測定して、その最大値と
最小値の差違を最大値で除した値の百分率でしめすよう
にした。
【0015】実施形態例2: この例に係る熱電装置
は、図1に示される熱電装置10と殆ど同じ構成である
が、導電性接着剤20に含有されるのが銀粉ではなくて
銅粉である点、電極15が銅板60を打ち抜いて作製さ
れ(図7)、この電極15に凹部16を形成するのにプ
レス加工を用いる点(図8)及び電極15が基板11
(12)に両面テープ62で接着されている点(図9)
で異なる。
【0016】このような熱電装置についても、実施形態
例1において行ったのと同様な試験行い、図10の表に
示すような結果を得た。
【0017】比較例1:実施形態例1の電極15を全く
フラットなものにしたものを、比較例1として準備し、
実施形態例1において行ったのと同様な試験行い、図1
0の表に示すような結果を得た。
【0018】比較例2:実施形態例1において、全くフ
ラットに形成された電極と熱電半導体とを半田付けによ
り接続したものを、比較例1として準備し、実施形態例
1において行ったのと同様な試験行い、図10の表に示
すような結果を得た。
【0019】総括: 図10に示す表から明らかなよう
に、電極の凹部に充填された導電性接着剤を用いて熱電
半導体と電極とを接続した熱電装置の方が、そうでない
熱電装置に比べて秀でたる特性を示すことが明瞭に読み
取れる。
【0020】なお、上記実施形態例は単なる例示であっ
て、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、各種の
変形例を用いて、本発明の実施をなしうることは勿論で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る熱電装置の斜視図である。
【図2】図1に示す熱電装置の断面図である。
【図3】基板に電極を固定した状態を示す断面図であ
る。
【図4】図3の電極上にエッチングレジストを載せた状
態を示す断面図である。
【図5】基板の固定された電極に凹部が形成された状態
を示す断面図である。
【図6】電極を銅板から打ち抜きで作製する状態を示す
図である。
【図7】プレス加工で電極に凹部を形成する過程を示す
図である。
【図8】図7で作製された電極を基板に固定した状態を
示す断面図である。
【図9】信頼性試験の結果を示す表である。
【符号の説明】
10 熱電装置 11 第1基板 12 第2基板 15 電極 16 凹部 18 P型熱電半導体 19 N型熱電半導体 20 導電性接着剤

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】P型熱電半導体とN型半導体素子とを相対
    する第1基板と第2基板との間で交互に配列し、前記各
    熱電半導体の一端部及び他端部を夫々前記第1基板及び
    第2基板に固定された電極に接続することにより前記各
    熱電半導体を前記第1基板と前記第2基板との間で挟持
    された状態で直列接続するようにしてなる熱電装置にお
    いて、前記接続は、前記各電極に形成された凹部内に充
    填された導電性接着剤により行うようにしてなる、熱電
    装置。
JP10144723A 1998-05-26 1998-05-26 熱電装置 Pending JPH11340527A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006278352A (ja) * 2005-03-24 2006-10-12 Seiko Instruments Inc 熱電素子及び熱電素子の製造方法
JP2009117645A (ja) * 2007-11-07 2009-05-28 Showa Denko Kk 熱電素子用電極および熱電モジュール

Cited By (3)

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