JP2010122842A - 遅延調整装置、半導体装置及び遅延調整方法 - Google Patents

遅延調整装置、半導体装置及び遅延調整方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010122842A
JP2010122842A JP2008295065A JP2008295065A JP2010122842A JP 2010122842 A JP2010122842 A JP 2010122842A JP 2008295065 A JP2008295065 A JP 2008295065A JP 2008295065 A JP2008295065 A JP 2008295065A JP 2010122842 A JP2010122842 A JP 2010122842A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
signal
delay
data strobe
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008295065A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoshi Onishi
聰 大西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Electronics Corp
Original Assignee
NEC Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Electronics Corp filed Critical NEC Electronics Corp
Priority to JP2008295065A priority Critical patent/JP2010122842A/ja
Priority to EP09174000.1A priority patent/EP2189986B1/en
Priority to US12/588,909 priority patent/US8228747B2/en
Priority to KR1020090111632A priority patent/KR101120975B1/ko
Priority to CN200910222839A priority patent/CN101763890A/zh
Publication of JP2010122842A publication Critical patent/JP2010122842A/ja
Priority to US13/413,522 priority patent/US20120163104A1/en
Priority to US13/967,540 priority patent/US20130329504A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • G11C7/225Clock input buffers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4076Timing circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/02Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • G11C7/1066Output synchronization
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • G11C7/222Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C2207/00Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C2207/22Control and timing of internal memory operations
    • G11C2207/2254Calibration

Abstract

【課題】フライトタイムの調整に対応する回路規模を小さくする遅延調整回路を提供する。
【解決手段】メモリへ接続し、リードコマンドに応じて、メモリから出力されるデータ信号及びデータストローブ信号を用いてデータを取り込むタイミングを調整する遅延調整回路1であって、データ信号と、データストローブ信号とを入力し、データストローブ信号に応じてデータ信号のデータ値を出力するデータ取得部10と、メモリへリードコマンドを発行し、リードコマンドに応じてデータストローブ信号の値を取り込むことによって、フライトタイムを算出し、フライトタイムに基づいてデータストローブ信号を有効にする期間を制御する制御部20と、を備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、メモリとメモリコントローラ間の遅延調整に関し、特にDDR SDRAM(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)とメモリコントローラ間の遅延調整に関する。
DDR SDRAMは、高速な転送機能を有するメモリであり、具体的には、回路間の同期をとるためのクロック信号の立ち上がり時と立ち下がり時の両方でデータの読み書きを行う。すなわち、DDR SDRAMでは、外部クロックの2倍の周波数でデータの入出力を行う。このため、SDR SDRAM(Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)よりもデータを確実に読み取れる幅(確定データの幅)が狭くなる。また、DDR SDRAMから出力されるデータを、正確に読み出すタイミングを通知する必要がある。そこで、DDR SDRAMでは、データストローブ信号(DQS)を用いている。データストローブ信号は、データを転送するタイミングを通知する信号である。具体的には、DDR SDRAMは、データ信号(DQ)とデータストローブ信号とを同時に出力する。データ転送を要求する要求元は、リードコマンドの発行に応じて、データ信号とデータストローブ信号をメモリから受け取る。そして、データストローブ信号に応じてデータ信号からデータを取り込む。このような動作が必要なため、メモリと要求元との間にメモリコントローラが配置される。ここでは、メモリコントローラは、メモリと要求元との間に配置され、メモリへアクセスする動作を制御する機能全般を含むものとする。
また、要求元がメモリへリードコマンドを発行した場合、メモリからメモリコントローラまでの配線長に応じて、要求元へデータが届くまでの時間(フライトタイム:flight time)に差が生じる。このため、要求元は、データを取り込むタイミングを決定することが困難になる。特に、DDR SDRAMでは、読み出しの動作速度が速くなっているため、動作クロック周期に対してメモリとメモリコントローラ間のフライトタイムを無視することができなくなる。
そのため、データストローブ信号の受信タイミングにフライトタイム分の遅延を考慮した構造がメモリコントローラ内に必要となる。また、実装条件(例えば、メモリからメモリコントローラまでの配線長)によりフライトタイムはまちまちである。このため、メモリコントローラ設計時には受信タイミングを一意的に決めることはできない。従って、一定の範囲のフライトタイムに対応できる機能(例えば、回路)をメモリコントローラに搭載する必要である。
例えば、特許文献1には、装置初期化時に期待値を用いて遅延時間を調整する技術が開示されている。具体的には、メモリへキャリブレーション用パターンを生成し、装置初期化時にこのパターンを期待値としてPASS/FAIL判定を行う。判定結果に基づいて、最適な遅延時間になるように調整する。図6は、特許文献1に開示されているメモリインタフェース制御回路の構成を示す回路図である。特許文献1に開示された回路は、次の機能を行う制御回路であるといえる。すなわち、DQSの取り込みタイミングを内部で生成し、実際にDRAMに対して読み書きを行いデータが正しく取り込めたか期待値照合を行う。そしてDQS取り込みタイミングを少しずつずらしながら繰り返すことによって最適なタイミングを選択する。
また、特許文献2には、プリアンブルが始まるタイミング(インピーダンス状態からロウレベルへの変化)を検出するための比較器を搭載する回路が開示されている。図7は、特許文献2に開示されているデータストローブ受信機を示す図である。さらに、特許文献3には、データストローブ信号の遅延変動による不安定動作を解消する技術が開示されている。図8は、特許文献3に開示されたメモリリード制御回路の構成を示すブロック図である。メモリリード制御回路は、リード要求信号がアクティブとなった場合にデータストローブ信号をプルアップするようにプルアップ回路11sを制御する。プリアンブルを受信すると信号がハイレベルからロウレベルになる。このタイミングで制御回路14sのEnableによって、DQSの入力を有効にする。その後DQSの信号エッジをバーストレングスの数だけカウントしたあと、制御回路14sのEnableによってDQSの入力を無効にする。
特許文献1の回路は、事前にキャリブレーション用パターンをメモリへデータを書き込む回路と、メモリから読み出した値と比較する回路とが必要となり、回路規模が大きくなっていた。
特許文献2の制御回路では独立した2nd Vrefを要求するため比較器、電圧源ともに追加しなければならず回路が大きくなる。また、特許文献2または特許文献3の制御回路は、DQS信号を取り込むタイミングを検出しているものの、フライトタイムを把握していない。フライトタイムがわからない構造であるため、後段の回路(要求元)にデータを渡すためにクロックののせかえが必要となっていた。このような場合、例えばFIFOを用いるが、このために回路規模が大きくなっていた。
特開2005−276396号公報 特開2003−223786号公報 特開2008−103013号公報
上述したように、メモリとメモリコントローラ間のフライトタイムは、配線長により異なるため、設計段階では算出することができない。このため、メモリコントローラ内でフライトタイムの調整に対応する回路が必要であった。しかしながら、フライトタイムの調整に対応する回路規模が大きくなっているという問題があった。
本発明に係る遅延調整装置の一態様は、メモリへ接続し、リードコマンドに応じて、メモリから出力されるデータ信号及びデータストローブ信号を用いてデータを取り込むタイミングを調整する遅延調整装置であって、前記データ信号と、前記データストローブ信号とを入力し、前記データストローブ信号に応じてデータ信号のデータ値を出力するデータ取得部と、前記メモリへリードコマンドを発行し、前記リードコマンドに応じて前記データストローブ信号の値を取り込むことによって、フライトタイムを算出し、前記フライトタイムに基づいて前記データストローブ信号を有効にする期間を制御する制御部と、を備える。制御部は、リードコマンドを発行し、リードコマンドに応じてデータストローブ信号の値を複数のタイミングで取り込む。そして、複数のデータストローブ信号の値を用いて、フライトタイムを算出する。フライトタイムを用いることにより、データ信号及びデータストローブ信号がデータ取得部に到達する時間を精度よく予測することができる。このようにして、データストローブ信号を用いてフライトタイムを見積る回路を実現する。これにより、データ信号を用いてフライトタイムを見積る場合に比べ、回路規模を小さくすることが期待できる。
また、本発明に係る半導体装置の一態様は、上述した遅延調整装置と、前記遅延調整装置が出力するデータ値を処理する処理装置と、を備える。上述した遅延調整装置を用いることにより、半導体装置全体の回路規模を小さくすることが期待できる。また、処理装置が用いる内部クロックを遅延調整装置に用いることにより、内部クロックに同期させてデータ信号のデータ値を取り込むことができる。
さらに、本発明に係る遅延調整方法の一態様は、メモリへ接続し、リードコマンドに応じて、メモリから出力されるデータ信号及びデータストローブ信号を用いて、データを取り込むタイミングを調整する遅延調整装置の遅延調整方法であって、前記メモリへリードコマンドを発行し、前記リードコマンドに応じて、異なるタイミングで前記データストローブ信号の値を取り込み、取り込んだ複数のデータストローブ信号の値を用いて、フライトタイムを算出し、前記フライトタイムに基づいて前記データストローブ信号を有効にする期間を制御する。
本発明によれば、フライトタイムに対応する回路の規模を小さくすることが可能となる。これにより、チップのサイズを小さくすることができるため、コストを削減することができる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略、及び簡略化がなされている。各図面において同一の構成または機能を有する構成要素および相当部分には、同一の符号を付し、その説明は省略する。
以下の各実施形態では、メモリの一例として、DDR SDRAMを用いて説明する。遅延調整装置は、DDR SDRAMから出力されるデータストローブ信号を用いて、フライトタイムを算出し、データ信号からデータ値を適切に取り出すタイミングを調整する。以下の各実施形態では、遅延調整装置の一例として、遅延調整回路によって実現する場合を一例として説明する。また、メモリへアクセス要求(例えば、リードコマンドの発行)する装置(回路)を要求元ということもある。要求元(処理回路、内部回路ともいう)は、メモリコントローラを介してメモリへアクセスすることを前提とする。ここでは、メモリコントローラは、メモリへのアクセスを制御する機能を備える装置(回路)とする。本発明に係る遅延調整装置は、メモリコントローラの機能の一部を実現することになる。
DDR SDRAMは、リードコマンドに応じて、データ信号とデータストローブ信号を出力する。データ信号(以下、適宜、「DQ」という)は、リードコマンドに応じたデータを転送する信号である。データストローブ信号(以下、適宜、「DQS」という)は、データを転送するタイミングを通知する信号であり、データ信号と同時にメモリから出力される。
(実施形態1)
図1は、本発明に係る実施形態1の遅延調整装置の構成例を示すブロック図である。遅延調整回路1は、データ取得部10と制御部20とを備える。
データ取得部10は、DDR SDRAMからデータ信号とデータストローブ信号とを入力し、データストローブ信号に応じてデータ信号のデータ値を出力する。データ取得部10は、データ値を出力するタイミングを、制御部20によって制御される。具体的には、データストローブ信号を有効にする期間を制御部20が調整することによって制御される。
制御部20は、データストローブ信号を用いて、フライトタイムを算出する。具体的には、制御部20は、DDR SDRAMへリードコマンドを発行し、データストローブ信号の値を取り込む。取り込んだデータストローブ信号の値を用いて、フライトタイムを算出する。また、制御部20は、算出したフライトタイムに基づいて、データストローブ信号を有効にする期間を制御する。すなわち、制御部20は、データストローブ信号を有効にする期間をデータ取得部10に通知することによって、データ取得部10がデータストローブ信号に応じてデータ値を出力するタイミングを制御する。データ取得部10と制御部20との詳細については後述する。
図2は、DDR SDRAMメモリと、図1に示す遅延調整回路1を搭載した半導体装置との構成例を示すブロック図である。半導体装置8は、遅延調整回路1、及び処理回路7を備える。また、図2中、符号AからHは、信号を示す。後述する図5の説明で用いる。なお、図2では、本発明に直接関係しないメモリコントローラの機能の構成要素を省略して示している。
処理回路7は、コマンドを発行し、所望のデータをDDR SDRAM9から読み出し、読み出したデータを利用する。処理回路7は、リードコマンドを発行することによって、DDR SDRAM9へデータを要求するため、「要求元」ということもある。処理回路7は、フリップフロップ71を備える。フリップフロップ71は、処理回路7で用いる内部クロックに応じて、遅延調整回路1からデータ値を取り込み、出力する。出力されたデータ値は、処理回路7内の処理に用いられる。処理回路7内の具体的な処理については、処理回路7の機能に応じて異なるため図面での回路の例示及び説明を省略する。
また、処理回路7は、モード指示情報を遅延調整回路1へ出力する。モード指示情報は、調整モードと、通常モードとのいずれかを指示する。調整モードは、フライトタイムを算出するモードである。通常モードは、処理回路7から発行されるコマンドが実行されるモードである。さらに、処理回路7は、内部クロック、DQS有効信号(DQSマスク信号)を出力する。DQS有効信号は、リードコマンドの発行に応じて、設計上の計測可能な遅延時間遅延させてデータストローブ信号を有効にする信号である。
遅延調整回路1は、DDR DRAM9から読み出したデータを、処理回路7に出力する。また、フライトタイムを算出する。また、データ値を取り込むタイミングを調整する。遅延調整回路1は、調整モードと、通常モードとを有する。調整モードでは、遅延調整回路1は、フライトタイムを算出する。通常モードでは、遅延調整回路1は、フライトタイムに基づいて、データ信号からデータを取り込むタイミングと、取り込んだデータ値を処理回路7に出力するタイミングとの少なくとも一方を制御する。
なお、図2は、図1に示す遅延調整回路1と、処理回路7及びDDR SDRAM9との関係を説明するために示したものである。従って、半導体装置8に搭載する処理回路7は一例であり、これらに限られることなはなく、異なる接続状態である場合、その他の構成要素を含む場合であってもよい。
続いて、遅延調整回路1が備えるデータ取得部10と制御部20との詳細について図1と図2を参照して説明する。
データ取得部10は、バッファ(第1バッファ)11、バッファ(第2バッファ)12、マスク回路(マスク部)13、遅延回路(DDL、ストローブ信号遅延部)14、フリップフロップ(データ値取り出し部)15、及び可変遅延回路(遅延部)16を備える。また、制御部20は、調整回路(調整部、Calibration回路)21、有効信号出力回路(有効信号出力部、遅延調整回路)22、ストローブ値取得回路(ストローブ値取得部)23、スイッチ24、25、及びバッファ(第3バッファ)26、及びバッファ(第4バッファ)27を備える。
バッファ11、12は、データ信号、データストローブ信号それぞれを入力する入力バッファである。
マスク回路13は、データストローブ信号が有効な期間、データストローブ信号を出力し、無効な期間、データストローブ信号をマスクする。具体的には、マスク回路13は、バッファ12からデータストローブ信号を入力し、有効信号出力回路22から有効信号を入力し、データストローブ信号と有効信号との論理積を出力する。有効信号は、データストローブ信号が有効な期間を示す信号である。ここでは、ハイレベルを有効な期間とする。マスク回路13は、有効信号に応じてデータストローブ信号を有効(アクティブ)にする。また、有効信号は、制御部20において生成される。すなわち、マスク回路13は、制御部20からの指示に基づいて、データストローブ信号を有効にする。
遅延回路14は、データストローブ信号の位相を、例えばクロックの半周期ほどずらす。データ信号とデータストローブ信号とは同位相で出力されることから、データストローブ信号に応じてデータ信号からデータ値を取り込むタイミングが確実にならない(窓がない)。このため、遅延回路14は、データストローブ信号をずらず制御をおこなう。
フリップフロップ15は、遅延回路14から出力されるデータストローブ信号に応じて、データ信号からデータ値を取り込む。
可変遅延回路16は、制御部20からの指示に基づいて、データ値の出力を遅延させる。これにより、処理回路7で用いる内部クロックでデータ値を確実に取り込めるようにする。
調整回路21は、フライトタイムを算出し、データストローブ信号を有効にする期間を制御する。具体的には、調整回路21は、調整モードにおいて、フライトタイムを算出し、通常モードにおいて、フライトタイムを用いてデータストローブ信号を有効にする期間を制御する。調整回路21は、処理回路7からモード指示情報を入力し、モード指示情報に基づいて、調整モードと通常モードとを、スイッチ25、26を用いて切り替える。
調整モードにおいて、調整回路21は、処理回路7が出力するDQS有効信号に替えて調整用有効信号を出力する。調整用有効信号は、有効信号出力回路22が有効信号、ここでは、ストローブ値取得回路23がデータストローブ信号の値を取り込むタイミングを指示する信号である。また、調整回路21は、リードコマンドをDDR SDRAM9へ発行する。
フライトタイムを算出する場合、調整回路21は、リードコマンドを発行し、有効信号出力回路22へ有効信号を出力するタイミングを指示する。このとき、異なるタイミングで有効信号を出力するように指示する。具体的には、調整回路21は、遅延量(遅延時間)を有効信号出力回路22へ出力する。調整回路21は、複数のリードコマンドの発行し、それぞれについて、異なるタイミングで有効信号が出力されるように、遅延量を変化させる。このようにして、複数のタイミングでデータストローブ信号の値を取り込み、取り込んだ値を用いてフライトタイムを算出する。なお、一つのリードコマンドの発行について、複数のタイミングで有効信号を出力し、データストローブ信号の値を複数取り込んでもかまわない。
通常モードにおいて、フライトタイムを用いてデータストローブ信号を有効にする期間を制御する場合、調整回路21は、調整回路21は、フライトタイムに基づいて算出した遅延量を有効信号出力回路22へ出力する。これにより、有効信号は、処理回路7が指定する設計上の計測可能な遅延時間とフライトタイムとの時間、有効信号を有効にする時間を遅らせる。これにより、実際にデータ信号がデータ取得部10に到達する時間にデータストローブ信号を有効にし、確実にデータを取り込むことを可能にする。
有効信号出力回路22は、処理回路7からスイッチ25を介して、DQS有効信号と調整用有効信号とのいずれかを有効信号として入力する。また、有効信号出力回路22は、調整回路21から通知された時間(遅延量)経過後、有効信号を出力する。有効信号は、マスク回路13とストローブ値取得回路23へ出力される。
ストローブ値取得回路23は、有効信号に応じてデータストローブ信号の値を取り込む。すわなち、有効信号が有効になったタイミングでデータストローブ信号の値をフリップフロップに取り込む。取り込んだストローブ値は、調整回路21へ出力される。
スイッチ24は、処理回路7が発行するコマンドと、調整回路21が発行するリードコマンドとのいずれかを、モード指示情報に応じて選択するスイッチである。スイッチ25は、処理回路7が出力する有効信号と、調整回路21が出力する有効信号とのいずれかを、モード指示情報に応じて選択するスイッチである。ここでは、スイッチ24及び25は、通常モードでは、処理回路7から出力される信号を選択し、調整モードでは、調整回路21から出力される信号を選択する。
バッファ26は、スイッチ24が選択したコマンドをDDR SDRAM9へ出力する出力バッファである。バッファ27は、内部クロックをDDR SDRAM9へ出力する出力バッファである。
ここで、フライトタイムは、メモリコントローラからDDR SDRAM9およびDDR SDRAM9からメモリコントローラの配線による遅延時間である。図2では、半導体装置8とDDR SDRAM9との間を信号が転送される時間である。すなわち、半導体装置8内で発生する遅延については、設計段階で決定されるため、遅延時間を算出することができる(設計上の計測可能な遅延時間)。しかしながら、半導体装置8とDDR SDRAM9との間は、配線長により遅延時間が異なる。この配線長は、半導体装置8を搭載する装置によって異なるため、半導体装置8の設計時には、算出することができない。従って、遅延調整回路1によって算出する必要がある。
また、遅延調整回路1は、処理回路7が用いる内部クロックと同期したクロックを用いる。従って、調整回路21は、内部クロックで動作する。図1、2では、内部クロックが処理回路7から調整回路21及びDDR SDRAM9へ出力されていることが示されている。
遅延調整回路1は、図1に示す構成をとることにより、制御部20は次の機能を実現する。制御部20は、内部クロックに対して既知の遅延を付加した調整用有効信号を、有効信号出力回路22から出力する。また、制御部20は、有効信号出力回路22から出力する有効信号のタイミングでデータストローブ信号を取り込むフリップフロップ(ストローブ値取得回路23)を備える。そして、制御部20は、データストローブ信号に応じてデータ信号のデータ値を取り込むフリップフロップ15と内部クロックで動作するフリップフロップ71との間に可変遅延回路16を制御する信号を出す。
次に、遅延調整回路1の動作を説明する。調整モード時、すなわちcalibration実行時に、調整回路21は、まずDDR SDRAM9に対してリードコマンド(read command)を発行する。このコマンドに応じたDQとDQSがDDR SDRAM9からあらかじめ設定したクロック数(設計上の計測可能な遅延時間)+実装基板上のフライトタイムの後に送られてくる。このときDQSと内部クロックの位相関係は不明であるが、データストローブ信号は必ず決まった波形を返してくる。
ここでデータストローブ信号の波形について図3を用いて説明する。データストローブ信号は、Hi−z状態(リード・プリアンブル)、プリアンブル、有効データ期間、ポストアンブル、及びHi−z状態の波形を形成する。データストローブ信号は、リードコマンドを受け取るまでは、ハイインピーダンス状態(Hi−z状態)となっている。リードコマンドを受け取るとハイインピーダンス状態からロウレベルに変化する。この最初のロウレベルの期間がプリアンブルである。プリアンブルは、最初のデータが出力される約1クロック前に生ずる。有効データ期間は、データが転送される期間であり、有効データがある期間、トグルする。ポストアンブルは、最後のデータエッジ後の期間であり、再びハイインピーダンス状態になる。
データストローブ信号は、リードコマンドを発行してから、設計上の計測可能な遅延時間(リードレイテンシー:read latency)と、フライトタイム経過後、入力バッファに到達することになる。リードレイテンシーは、設計上計測(算出)できる時間であり、処理回路7及び調整回路21は、予めリードレイテンシーの時間を保持する。以下適宜、リードコマンド発行時における設計上可能な遅延時間をリードレイテンシーという。フライトタイムは上述したように、配線長等により異なってくる。このため、調整回路21によって算出する。本実施形態では、調整回路21は、データストローブ信号のプリアンブルの期間を検出することによって、フライトタイムを算出する場合を説明する。データストローブ信号は、プリアンブルのストローブ値の変化が、データ転送期間の2倍になっている。このため、プリアンブルのストローブ値の変化を検出することによって、確実にデータ転送期間の開始を把握することができる。従って、プリアンブルを用いてフライトタイムを算出することが好ましい。
具体的な動作について説明する。処理回路7は、フライトタイムの調整を実施するタイミングにおいて、モード指示情報を調整モードに指定し、調整回路21へ出力する。調整回路21は、モード指示情報に応じて、スイッチ24及びスイッチ25を調整モードへ切り替える。調整回路21は、リードコマンドをスイッチ24へ出力し、調整用有効信号をスイッチ25へ出力する。また、調整回路21は、有効信号出力回路22へ通知する遅延量を決定し、通知する。ストローブ値取得回路23は、有効信号出力回路22が出力した有効信号に応じてデータストローブ信号の値(ストローブ値)を取り込む。そこで、調整回路21は、有効信号出力回路22が有効信号を出力するタイミングを制御する。具体的には、有効信号出力回路22は、調整回路21から通知される遅延量に応じて、調整用有効信号を遅延させて出力する。従って、調整回路21は、調整モードにおいて、リードコマンドを発行し、遅延量を変えながら、ストローブ信号の値を取得することを繰り返す。調整回路21は、プリアンブルが予想される遅延量を算出し、複数のストローブ値を取得して、実際にプリアンブルがバッファ11に取り込まれるタイミングを検出する。
図4に示す模式図を用いて、ストローブ値取得回路23が取得するストローブ値の値と遅延量との関係を説明する。図4では、タイミングIからタイミングVの5つの遅延量を用いて、プリアンブルの期間を検出する具体例を示している。データストローブ信号の値は、タイミングI及びVでは、ハイレベル(1)。タイミングII、III及びIVではロウレベル(0)である。従って、調整回路21は、タイミングIIIからIVの期間がプリアンブルであることが検出する。
図1、及び図2に示すように、処理回路7の内部クロックは、DDR SDRAM9へ出力される。また、リードコマンドは、処理回路7または調整回路21から出力されが、どちらも内部クロックに応じて動作する回路である。DDR SDRAM9は、内部クロックに応じてデータストローブ信号及びデータ信号を生成し、出力する。従って、内部クロックに応じたタイミングでデータストローブ信号の値が変化することになる。このため、調整回路21は、プリアンブルの位置を検出することにより、データストローブ信号と内部クロックとの位相関係を検出することができる。すなわち、調整回路21は、データストローブ信号と内部クロックとの位相差を算出できる。調整回路21は、位相差として、1クロック未満の情報を保持し、位相差が1クロック以上になる場合には、何クロック位相差があるかを位相差情報として処理回路7へ出力する。
以上説明したように、制御部20では、ストローブ値取得回路23は、有効信号出力回路22を通過した有効信号でデータストローブ信号のストローブ値を取り込む。調整回路21は、リードコマンド発行とストローブ値の取り込みを遅延量を変えながら繰り返し行う。これにより、調整回路21は、内部クロックに対してデータストローブ信号がどのような位相関係で取り込まれるかを確認することができる。この結果、調整回路21は、位相関係からフライトタイムを知ることができる。
このようにして、調整回路21は、内部クロックとデータストローブ信号の位相差を取得する。これにより、調整回路21は、フライトタイムの時間を遅延量として、すなわち、通常モードにおいて、有効信号の出力を遅延させるため、フライトタイムに相当する遅延量を有効信号出力回路22へ通知する。有効信号出力回路22は、通知された遅延量を用いて、処理回路7から出力されるDQS有効信号を出力するタイミングを、遅延させ、出力する。このようにして、有効信号出力回路22は、リードレイテンシーとフライトタイムの時間を遅らせた有効信号をマスク回路13へ出力する。
また、データストローブ信号と内部クロックの位相関係を取得することにより、データストローブ信号のタイミングで取り込まれるデータ信号の値を内部クロックに渡すときに発生する位相差を算出することができる。すなわち、フリップフロップ15が保持するデータ値は、内部クロックに応じてデータを取り込む場合にはレーシングの発生を考慮する必要がある。調整回路21は、データストローブ信号と内部クロックとの位相関係に基づいて、フリップフロップ15が出力するデータ値を遅延させる。具体的には、調整回路21は、位相関係に基づいて算出されたデータ値用遅延量を可変遅延回路16へ通知する。可変遅延回路16は、フリップフロップ15から出力されたデータ値を、通知されたデータ値用遅延量遅延させ、フリップフロップ71へ出力する。これにより、フリップフロップ71は、内部クロックに応じて確実にデータ値が取り込むことができる。このように、調整回路21及び可変遅延回路16は、レーシングが起こらないようにデータ値に対して最適な遅延を付加するよう制御する。これにより確実にデータ値を内部クロックに渡すことができる。
図5は、通常モードにおいて、リードコマンドが発行された後の信号の値を示したタイミングチャートである。図5中、AからHは、図2の信号を示す符号AからHに対応する。また、DDR SDRAMは、DRAMと示す。以下では、AからHの各信号を、例えば「信号A」のようにいう。図5の最上段と下から2段目とに、内部クロックの信号を示す。2段目に、DDR SDRAM9から出力されるときのデータ信号、すなわち、リードレイテンシーとDDR SDRAM9までのフライトタイムの時間遅延した状態のデータ信号を示す。フライトタイムは、バッファ26からコマンドが発行されてからDDR SDRAM9までのフライトタイムとDDR SDRAM9からバッファ11までのフライトタイムとの合計である。
バッファ11は、リードレイテンシーとフライトタイムとの時間遅延したデータ信号(信号A)を入力する。バッファ12は、同様に、リードレイテンシーとフライトタイムとの時間遅延したデータストローブ信号(信号B)を入力する。有効信号出力回路22は、処理回路7から出力された有効信号を、リードレイテンシーとフライトタイムの時間遅延させた有効信号(信号C)を出力する。
マスク回路13は、データストローブ信号(信号B)と有効信号(信号C)との論理積の信号(信号D)を出力する。遅延回路14は、信号Dの位相を90度ずらした信号Eを出力する。フリップフロップ15は、信号Aを信号Eに応じて取り込んだ信号Fを出力する。このとき、信号Eは、データストローブ信号(信号B)をフライトタイム分遅延させた有効信号(信号C)によってアクティブにした信号である。このため、フリップフロップ15は、フライトタイムの遅れを考慮して、データ信号を取り込むことが可能になっている。
可変遅延回路16は、調整回路21から通知された遅延量に応じて、信号Fを遅延させて出力する。すなわち、可変遅延回路16は、信号Gを出力するタイミングを調整し、フリップフロップ71が内部クロックに応じてデータ値を取り込み易いようする。フリップフロップ71は、内部クロックに応じて、信号Gからデータ値を取り込み、信号Hを出力する。
図5に示すように、データストローブ信号(信号B)は、内部クロックとは、非同期になっている。従って、データストローブ信号に応じてデータ信号からデータ値を取り込んだ信号Fも内部クロックとは非同期となっている。そこで、可変遅延回路16によって信号Fを遅延させ、フリップフロップ71が内部クロックに応じてデータ値を取り込み易いように位相をずらす。すなわち、遅延調整回路1は、データストローブ信号と内部クロックとの位相関係のずれ、位相差を調整している。これは、遅延調整回路1(調整回路21)が位相差を把握していることによって実現される。このようにして、遅延調整回路1は、フリップフロップ71において、レーシングを回避するように、信号Fの出力を調整する。また、この調整機能により、FIFOを必要としないため、最短の時間で遅延調整回路1から処理回路7へデータを渡すことができる。
以上説明したように、本実施形態によれば、データストローブ信号を用いて、フライトタイムを見積もることができる。このとき、データストローブ信号を用いることにより、特許文献1の技術に比べ、回路規模を小さくすることができる。具体的には、特許文献1では、DDR SDRAM9へデータを書き込み、書き込んだデータが正しく読み込めるかを判定していた。この判定結果を用いて、処理回路7との位相関係を検出し、フライトタイムを見積もっていた。従って、特許文献1の技術では、DDR SDRAM9にデータを書き込む回路、データを読み込む回路、データと期待値を比較する回路すべてが必要になり、回路規模が大きくなっていた。これに対して、本実施形態の回路では、データ信号の値は用いないため、データを書き込む回路や期待値比較回路を必要としない。これにより、フライトタイムの算出するために必要な回路規模を小さくすることができる。
また、データの期待値(キャリブレーション用パターン)が必要ない。すなわち、DDR SDRAM9へデータを書き込む必要がない。このため、処理回路7は、DDR SDRAM9にアクセスしない期間において、遅延調整回路1を調整モードに移行させ、制御部20にフライトタイムの算出させることができる。従って、本実施形態の回路は初期化中だけでなく通常動作中にも調整回路を動作させタイミングを微調整することができる。このため、動作中の環境変化により、フライトタイムが変化した場合にも対応することができる。例えば、特許文献1の技術では、動作中にフライトタイムを調整する場合、電源をOFFにしてリスタートさせることになる。本実施形態では、装置の電源がOFFにすることなく、動作中にフライトタイムを調整し、環境の変化に対応させることができる。
また、フライトタイムの算出において、遅延調整回路1は、処理回路7の内部クロックを用いる。このため、遅延調整回路1は、内部クロックとデータストローブ信号との位相関係を取得することができる。これにより、遅延調整回路1は、内部クロックとデータストローブ信号との位相差を用いて、データ信号から取り出したデータ値を内部クロックが取り込み易いように制御することができる。すなわち、遅延調整回路1は、可変遅延回路16のデータ値用遅延量をフライトタイムに基づいて制御する。これにより、内部クロックに最小の遅延でデータを渡すことができる。これに対し、内部クロックとデータストローブ信号との位相関係がわからない場合、非同期クロックとして扱い、FIFOが必要になる。すなわち、FIFOによって、位相関係のわからない信号を同期させている。このため、遅延が余分に必要になったり、回路規模が大きくなる。本実施形態の回路では、FIFOを必要としないため、FIFOによる遅延や回路規模の増加を防止することができる。
また、遅延調整回路1は、フライトタイムを用いて、有効信号を生成する。具体的には、遅延調整回路1は、フライトタイムを把握しているため、処理回路7がリードコマンド発行後、有効信号出力回路22が有効信号を出力するタイミングを制御することができる。より具体的には、データストローブ信号がバッファ12に入力するタイミングに合わせて、有効信号出力回路22及びマスク回路13を制御することができる。このため、データ取得部10は、安定してデータストローブ信号を取り込むことができる。
また、本実施形態の遅延調整回路を搭載した半導体装置を用いることにより、実装基盤のフライトタイムに関する制約を与えずに、DDR SDRAMへアクセスする動作を実施させる。また、本実施形態の遅延調整回路は、従来に比べフライトタイムに対応する回路規模を小さくすることができるため、半導体装置のチップサイズを小さくすることが可能となる。従って、コストを削減することができる。
さらに、本実施形態の回路では、データストローブ信号をプルアップすることにより、確実にプリアンブルの期間を検出している。このため、例えば特許文献2のように、ハイインピーダンス状態とロウレベルとを区別する2nd Vrefの電圧の設定する必要がなくなる。また、これに要する回路を削減することができる。
(その他の実施形態)
上記実施形態では、メモリの一例としてDDR SDRAMを用いて説明したが、これに限られることはない。DDR SDRAMと同様に、リードコマンドの発行に応じて、メモリからデータ信号とデータストローブ信号とを出力するメモリであれは、本発明を適用することが可能である。
遅延調整装置(遅延調整回路)は、処理回路7とともに、一つの半導体装置(1チップ)として製造する例を示した。しかしながら、これに限られるわけではない。一つの半導体装置内にどのような機能(回路)を搭載するかは設計上の問題であり、上記各実施形態に限られることはない。
上記実施形態では、遅延調整装置として回路を用いて説明したが、実現手段として回路(ハードウェア)に限定されることはない。例えば、ハードウェア、ファームウェア、あるいは、ソフトウェアのいずれかあるいはこれらの組み合わせによって実現する場合であってもよい。例えば、一部の機能をプログラムにより実現してもよい。記憶領域に記憶したプログラムをメモリ(RAM;Random Access Unit)にロードし、CPU(Central Processing Unit)に実行させるようにしてもよい。
上記実施形態では、遅延調整回路1は、処理回路7が用いるクロックを入力し、使用する場合を説明した。処理回路7が用いるクロックとは異なるクロックを用いる場合、可変遅延回路16において、処理回路7が用いるクロックでデータ値が出力できるように遅延時間を調整する機能を搭載することが好ましい。FIFOを用いる場合に比べ、回路規模の小さい機能を実現することがより好ましい。また、FIFOを用いる場合に比べ、データ値を処理回路7に出力するまでの時間が短くする機能を実現することがより好ましい。
上記実施形態では、調整回路21は、プリアンブルの期間を検出してフライトタイムを算出する例を示したが、データ転送期間を用いてフライトタイムを算出する場合であってもよい。データ転送期間のトルグの回数は予め決められている。これを用いて、データストローブ信号の波形の変化を検出し、フライトタイムを算出する方法であってもよい。
上記実施形態では、処理回路7がフリップフロップ71を備える構成例を示したが、データ取得部10が、同様の機能のフリップフロップを備えてもよい。この場合、データ取得部10は、内部クロックに同期させたデータ値を処理回路7へ出力することになる。
なお、本発明は上記に示す実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲において、上記実施形態の各要素を、当業者であれば容易に考えうる内容に変更、追加、変換することが可能である。
本発明に係る実施形態1の遅延調整装置の構成例を示すブロック図である。 DDR SDRAMメモリと、図1に示す遅延調整回路を搭載した半導体装置との構成例を示すブロック図である。 データストローブ信号の波形を説明する図である。 ストローブ値取得回路が取得するストローブ値の値と遅延量との関係を説明する模式図である。 通常モードにおいて、リードコマンドが発行された後の信号の値を示したタイミングチャートである。 特許文献1に開示されているメモリインタフェース制御回路の構成を示す回路図である。 特許文献2に開示されているデータストローブ受信機を示す図である。 特許文献3に開示されたメモリリード制御回路の構成を示すブロック図である。
符号の説明
1 遅延調整回路
7 処理回路
8 半導体装置
9 DDR SDRAM
10 データ取得部
11、12、26、27 バッファ
13 マスク回路
14 遅延回路
15、17 フリップフロップ
16 可変遅延回路
20 制御部
21 調整回路
22 有効信号出力回路
23 ストローブ値取得回路
24、25 スイッチ

Claims (15)

  1. メモリへ接続し、リードコマンドに応じて、メモリから出力されるデータ信号及びデータストローブ信号を用いてデータを取り込むタイミングを調整する遅延調整装置であって、
    前記データ信号と、前記データストローブ信号とを入力し、前記データストローブ信号に応じてデータ信号のデータ値を出力するデータ取得部と、
    前記メモリへリードコマンドを発行し、前記リードコマンドに応じて前記データストローブ信号の値を取り込むことによって、フライトタイムを算出し、前記フライトタイムに基づいて前記データストローブ信号を有効にする期間を制御する制御部と、を備える遅延調整装置。
  2. 前記制御部は、
    前記データストローブ信号が有効な期間を示す有効信号を出力する有効信号出力部と、
    前記有効信号に応じて前記データストローブ信号の値を取り込むストローブ値取得部と、
    前記リードコマンドを発行し、前記有効信号出力部へ前記有効信号を出力するタイミングを指示し、前記ストローブ値取得部から前記データストローブ信号の値を取り込み、取り込んだ値を用いて前記フライトタイムを算出する調整部と、を備えることを特徴とする請求項1記載の遅延調整装置。
  3. 前記調整部は、リードコマンドの発行後、異なるタイミングで前記有効信号出力部に前記有効信号を出力させることによって、複数のデータストローブ信号の値を前記データストローブ値取得部から取得し、前記データストローブ信号の既知の波形と、前記複数のデータストローブ信号の値の変化とを比較することによって、前記フライトタイムを算出することを特徴とする請求項2記載の遅延調整装置。
  4. 前記調整部は、内部クロックに基づいて、前記有効信号を出力するタイミングを前記有効信号出力部へ指示し、前記内部クロックとデータストローブ信号との位相差を用いて、フライトタイムを算出することを特徴とする請求項2または3記載の遅延調整装置。
  5. 前記調整部は、前記要求元が使用する要求元クロックを内部クロックとして用いることを特徴とする請求項4記載の遅延調整装置。
  6. 前記データ取得部は、少なくとも、
    前記有効信号に応じて前記データストローブ信号を有効にし、有効にした信号を出力するマスク部と、
    前記マスク部が出力する信号を用いて、前記データ信号からデータ値を取り出すデータ値取り出し部と、
    前記取り出したデータ値を前記要求元クロックに応じて遅延させる遅延部と、を備えることを特徴とする請求項5記載の遅延調整装置。
  7. 前記制御部は、前記要求元がリードコマンドを発行する通常モードと、自己がリードコマンドを発行し、フライトタイムを算出する調整モードとを備え、
    前記通常モードにおいて、
    前記調整部は、算出したフライトタイムに基づいて、前記要求元から前記リードコマンドが発行された後、前記有効信号を出力するまでの遅延時間を前記有効信号出力部へ通知し、
    前記有効信号出力部は、前記リードコマンドが発行されてから前記遅延時間経過後、前記有効信号を出力し、
    前記マスク部は、前記有効信号を用いて、前記データストローブ信号を有効にすることを特徴とする請求項6記載の遅延調整装置。
  8. 前記データストローブ信号は、データ信号がデータを転送する期間と、前記データを転送する期間の前段階のプリアンブルとを有し、
    前記調整モードにおいて、
    前記調整部は、自己が発行したリードコマンドに応じて、前記データストローブ信号を取り込むまでの時間を前記遅延時間として前記有効信号出力部へ通知し、前記リードコマンドの発行と前記遅延時間の通知とを複数繰り返すことによって、複数のタイミングにおけるデータストローブ信号の値を取り出し、前記データストローブ信号がプリアンブルである期間を検出することによって、前記フライトタイムを算出することを特徴とする請求項7記載の遅延調整装置。
  9. 前記調整部は、前記リードコマンドを発行するときに、プルアップすることによって、前記データストローブ信号をハイインピーダンス状態よりハイレベルに調整させることを特徴とする請求項8記載の遅延調整装置。
  10. 前記メモリは、DDR SDRAM(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の遅延調整装置。
  11. 前記請求項1乃至10のいずれか一項に記載の遅延調整装置と、
    前記遅延調整装置が出力するデータ値を処理する処理装置と、を備える半導体装置。
  12. 前記処理装置は、前記遅延調整装置へ自己が用いる内部クロックを出力し、
    前記遅延調整装置は、前記内部クロックを用いて前記ストローブ値を取り込むことを特徴とする請求項11記載の半導体装置。
  13. 前記処理装置と前記遅延調整装置との一方は、さらに、前記内部クロックを用いて、前記データ取得部が出力するデータ値を取り込むフリップフロップを備えることを特徴とする請求項12記載の半導体装置。
  14. 前記処理装置がリードコマンドを発行する通常モードと、前記遅延調整装置がリードコマンドを発行し、フライトタイムを算出する調整モードとを備え、
    前記処理装置は、前記遅延調整装置へ調整モードと通常モードとのいずれのモードを選択するかを示すモード指示情報を通知し、
    前記制御部は、調整モードを示すモード指示情報を受け取ったとき、リードコマンドを発行し、前記フライトタイムを算出することと特徴とする請求項12または13記載の半導体装置。
  15. メモリへ接続し、リードコマンドに応じて、メモリから出力されるデータ信号及びデータストローブ信号を用いて、データを取り込むタイミングを調整する遅延調整装置の遅延調整方法であって、
    前記メモリへリードコマンドを発行し、
    前記リードコマンドに応じて、異なるタイミングで前記データストローブ信号の値を取り込み、
    取り込んだ複数のデータストローブ信号の値を用いて、フライトタイムを算出し、
    前記フライトタイムに基づいて前記データストローブ信号を有効にする期間を制御する遅延調整方法。
JP2008295065A 2008-11-19 2008-11-19 遅延調整装置、半導体装置及び遅延調整方法 Pending JP2010122842A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008295065A JP2010122842A (ja) 2008-11-19 2008-11-19 遅延調整装置、半導体装置及び遅延調整方法
EP09174000.1A EP2189986B1 (en) 2008-11-19 2009-10-26 Delay adjustment device, semiconductor device and delay adjustment method
US12/588,909 US8228747B2 (en) 2008-11-19 2009-11-02 Delay adjustment device, semiconductor device and delay adjustment method
KR1020090111632A KR101120975B1 (ko) 2008-11-19 2009-11-18 지연 조정 디바이스, 반도체 디바이스 및 지연 조정 방법
CN200910222839A CN101763890A (zh) 2008-11-19 2009-11-19 延迟调整装置、半导体器件以及延迟调整方法
US13/413,522 US20120163104A1 (en) 2008-11-19 2012-03-06 Delay adjustment device, semiconductor device and delay adjustment method
US13/967,540 US20130329504A1 (en) 2008-11-19 2013-08-15 Delay adjustment device, semiconductor device and delay adjustment method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008295065A JP2010122842A (ja) 2008-11-19 2008-11-19 遅延調整装置、半導体装置及び遅延調整方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010122842A true JP2010122842A (ja) 2010-06-03

Family

ID=41664583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008295065A Pending JP2010122842A (ja) 2008-11-19 2008-11-19 遅延調整装置、半導体装置及び遅延調整方法

Country Status (5)

Country Link
US (3) US8228747B2 (ja)
EP (1) EP2189986B1 (ja)
JP (1) JP2010122842A (ja)
KR (1) KR101120975B1 (ja)
CN (1) CN101763890A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012137913A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Fujitsu Semiconductor Ltd メモリインターフェース回路、メモリインターフェース方法、および電子機器
JP2012150769A (ja) * 2011-01-21 2012-08-09 Toshiba Corp メモリインターフェイスのタイミング調整回路および方法
JP2012248082A (ja) * 2011-05-30 2012-12-13 Fujitsu Semiconductor Ltd 受信回路、システム装置、及びタイミング調整方法
US9437261B2 (en) 2014-01-24 2016-09-06 Fujitsu Limited Memory controller and information processing device

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100832021B1 (ko) * 2006-06-29 2008-05-26 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자 및 그 구동방법
US8239590B1 (en) * 2009-01-31 2012-08-07 Xilinx, Inc. Method and apparatus for transferring data between two different interfaces
JP5577776B2 (ja) * 2010-03-17 2014-08-27 株式会社リコー メモリ制御装置及びマスクタイミング制御方法
KR20110131765A (ko) 2010-05-31 2011-12-07 주식회사 하이닉스반도체 위상 보정 회로 및 이를 이용한 데이터 정렬 회로
US8565033B1 (en) * 2011-05-31 2013-10-22 Altera Corporation Methods for calibrating memory interface circuitry
CN102637155B (zh) * 2012-01-10 2014-11-05 江苏中科梦兰电子科技有限公司 通过训练加修正配置ddr3中数据选通信号延时的方法
KR101930779B1 (ko) * 2012-04-04 2018-12-20 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 회로 및 이를 이용한 데이터 처리 시스템
CN102693197B (zh) * 2012-05-07 2015-01-28 江苏中科梦兰电子科技有限公司 内存控制器读选通使能微调寄存器的最小单元计算方法
US9368172B2 (en) * 2014-02-03 2016-06-14 Rambus Inc. Read strobe gating mechanism
US9513388B2 (en) * 2014-03-12 2016-12-06 Sercel Method for providing synchronization in a data acquisition system
US9652228B2 (en) * 2014-04-03 2017-05-16 Macronix International Co., Ltd. Devices and operation methods for configuring data strobe signal in memory device
CN104505116B (zh) * 2014-12-11 2018-01-19 深圳市国微电子有限公司 一种用于高速动态存储器的相位调制电路及相位调制方法
US9286961B1 (en) * 2015-03-30 2016-03-15 Apple Inc. Memory controller half-clock delay adjustment
WO2017130983A1 (ja) * 2016-01-25 2017-08-03 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 メモリコントローラ
CN108874686B (zh) * 2017-05-08 2021-08-03 龙芯中科技术股份有限公司 内存参数调节方法、装置及设备
US10026462B1 (en) * 2017-05-16 2018-07-17 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for providing constant DQS-DQ delay in a memory device
KR20190023796A (ko) * 2017-08-30 2019-03-08 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템, 메모리 시스템의 동작 방법 및 메모리 장치
KR102378384B1 (ko) * 2017-09-11 2022-03-24 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법
US10437279B2 (en) 2017-10-11 2019-10-08 Integrated Device Technology, Inc. Open loop solution in data buffer and RCD
US10082823B1 (en) 2017-10-11 2018-09-25 Integrated Device Technology, Inc. Open loop solution in data buffer and RCD
US10347347B1 (en) * 2017-12-18 2019-07-09 Intel Corporation Link training mechanism by controlling delay in data path
US10242723B1 (en) * 2017-12-19 2019-03-26 Apple Inc. Method and apparatus for background memory subsystem calibration
US10360951B1 (en) * 2018-01-19 2019-07-23 Micron Technology, Inc. Internal write adjust for a memory device
KR102495361B1 (ko) * 2018-03-14 2023-02-06 에스케이하이닉스 주식회사 입출력 회로
CN108520764B (zh) * 2018-04-08 2019-05-31 长鑫存储技术有限公司 双倍速率同步动态随机存储器
KR20190121121A (ko) * 2018-04-17 2019-10-25 에스케이하이닉스 주식회사 반도체장치
CN110648703B (zh) * 2018-06-26 2021-06-15 龙芯中科技术股份有限公司 数据采集电路、读数据窗口的控制方法及装置
US10546620B2 (en) * 2018-06-28 2020-01-28 Micron Technology, Inc. Data strobe calibration
US11061431B2 (en) * 2018-06-28 2021-07-13 Micron Technology, Inc. Data strobe multiplexer
CN109831208A (zh) * 2019-01-02 2019-05-31 晶晨半导体(深圳)有限公司 测量方法及装置
US11226752B2 (en) 2019-03-05 2022-01-18 Apple Inc. Filtering memory calibration
US11139008B2 (en) * 2020-02-03 2021-10-05 Micron Technology, Inc. Write leveling
US11609868B1 (en) 2020-12-31 2023-03-21 Waymo Llc Control calibration timing to avoid memory write blackout period
KR20230134388A (ko) * 2022-03-14 2023-09-21 에스케이하이닉스 주식회사 반도체장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007109203A (ja) * 2005-09-13 2007-04-26 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置
JP2007265399A (ja) * 2006-02-28 2007-10-11 Fujitsu Ltd データ取込み回路、データ取込みシステム、およびデータ取込み回路の制御方法
JP2008071018A (ja) * 2006-09-13 2008-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリインターフェース回路

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6456544B1 (en) * 2001-03-30 2002-09-24 Intel Corporation Selective forwarding of a strobe based on a predetermined delay following a memory read command
US6512704B1 (en) 2001-09-14 2003-01-28 Sun Microsystems, Inc. Data strobe receiver
US6646929B1 (en) * 2001-12-05 2003-11-11 Lsi Logic Corporation Methods and structure for read data synchronization with minimal latency
US6600681B1 (en) * 2002-06-10 2003-07-29 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for calibrating DQS qualification in a memory controller
JP4284527B2 (ja) 2004-03-26 2009-06-24 日本電気株式会社 メモリインターフェイス制御回路
JP5023539B2 (ja) * 2006-04-11 2012-09-12 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及び信号処理方法
JP4921888B2 (ja) * 2006-08-22 2012-04-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 インターフェース回路
JP2008103013A (ja) 2006-10-18 2008-05-01 Nec Electronics Corp メモリリード制御回路およびその制御方法
JP2010108217A (ja) * 2008-10-30 2010-05-13 Nec Electronics Corp メモリインターフェース及びメモリインターフェースの動作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007109203A (ja) * 2005-09-13 2007-04-26 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置
JP2007265399A (ja) * 2006-02-28 2007-10-11 Fujitsu Ltd データ取込み回路、データ取込みシステム、およびデータ取込み回路の制御方法
JP2008071018A (ja) * 2006-09-13 2008-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリインターフェース回路

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012137913A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Fujitsu Semiconductor Ltd メモリインターフェース回路、メモリインターフェース方法、および電子機器
US8711643B2 (en) 2010-12-27 2014-04-29 Fujitsu Semiconductor Limited Memory interface circuit, memory interface method, and electronic device
JP2012150769A (ja) * 2011-01-21 2012-08-09 Toshiba Corp メモリインターフェイスのタイミング調整回路および方法
JP2012248082A (ja) * 2011-05-30 2012-12-13 Fujitsu Semiconductor Ltd 受信回路、システム装置、及びタイミング調整方法
US9437261B2 (en) 2014-01-24 2016-09-06 Fujitsu Limited Memory controller and information processing device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100056407A (ko) 2010-05-27
KR101120975B1 (ko) 2012-03-05
EP2189986A1 (en) 2010-05-26
EP2189986B1 (en) 2013-07-17
US20120163104A1 (en) 2012-06-28
US8228747B2 (en) 2012-07-24
US20130329504A1 (en) 2013-12-12
US20100124131A1 (en) 2010-05-20
CN101763890A (zh) 2010-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010122842A (ja) 遅延調整装置、半導体装置及び遅延調整方法
KR101470975B1 (ko) 메모리 시스템 내 기록 타이밍을 교정하기 위한 방법 및 장치
US8111565B2 (en) Memory interface and operation method of it
US7321525B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
JP2008103013A (ja) メモリリード制御回路およびその制御方法
JP5733126B2 (ja) メモリインタフェース回路及びタイミング調整方法
JP2006260322A (ja) メモリインターフェイス制御回路
JP2010192031A (ja) 半導体記憶装置及びこれを備えるメモリモジュール、並びに、データ処理システム
JP2005078547A (ja) 半導体集積回路
JP2010108217A (ja) メモリインターフェース及びメモリインターフェースの動作方法
KR20090045641A (ko) 반도체 메모리 장치 및 그의 동작방법
JP5807952B2 (ja) メモリコントローラ及びメモリ制御方法
JP2010278798A (ja) 非同期インタフェース回路及び非同期データ転送方法
US8144531B2 (en) Latency control circuit, semiconductor memory device including the same, and method for controlling latency
KR100891301B1 (ko) 고속으로 데이터 송신할 수 있는 반도체 메모리 장치
JP5119828B2 (ja) タイミング調整装置
JP5005928B2 (ja) インタフェース回路及びそのインタフェース回路を備えた記憶制御装置
US20150146477A1 (en) Semiconductor device
JP2003173290A (ja) メモリ制御装置
JP2007334943A (ja) メモリ制御装置
JP2010079520A (ja) メモリモジュールのコントローラ及びメモリモジュールのコントローラの制御方法
JP2007164697A (ja) 半導体集積回路およびメモリシステム並びにクロック信号設定方法
US20150046641A1 (en) Memory interface having memory controller and physical interface
JP2003122625A (ja) インターフェース回路
JP5332671B2 (ja) メモリ制御装置及びその制御信号出力タイミングの調整方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111013

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130403

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130416

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130813