JP2010114411A - 化合物半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】、Si−Al合金基板101と、このSi−Al合金基板101の上面及び下面に設けられた保護層120と、このSi−Al合金基板101の上面に設けられた保護層120上に順に積層されているp型半導体層104、活性層105及びn型半導体層106とを含む化合物半導体発光素子100を提供する。また、化合物半導体発行素子100の製造方法を提供する。
【選択図】図1
Description
まず、第1の実施の形態による化合物半導体発光素子の構造について図1を参照して説明する。
第2の実施の形態による化合物半導体発光素子の構造について説明する。図10を参照して、本発明の第2の実施の形態による化合物半導体発光素子に対して詳細に説明する。ただし、第2の実施の形態の構成において、第1の実施の形態と同一の構成を有する部分についての説明は省略し、異なる構成に対してのみ詳述することにする。
101 Si−Al合金基板
102 接合金属層
103 反射金属層
104 p型半導体層
105 活性層
106 n型半導体層
107 n側電極
110 シード金属層
120 保護層
122 導電層
123 コンタクト金属層
150 サファイア基板
Claims (21)
- Si−Al合金基板と、
前記Si−Al合金基板の上面及び下面に設けられた保護層と、
前記Si−Al合金基板の上面に設けられた前記保護層上に順に積層されているp型半導体層、活性層及びn型半導体層と、
を含むことを特徴とする化合物半導体発光素子。 - 前記保護層は、金属または伝導性誘電体からなることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体発光素子。
- 前記金属は、Ni、Au、Cu、W、Cr、Mo、Pt、Ru、Rh、Ti及びTaのうちのいずれか一つ、または該金属群のうち少なくとも二つの合金からなることを特徴とする請求項2に記載の化合物半導体発光素子。
- 前記伝導性誘電体は、ITO、IZO及びCIOによって構成された群より選ばれるいずれか一つからなることを特徴とする請求項2に記載の化合物半導体発光素子。
- 前記保護層は、0.01μm以上20μm以下の厚さで設けられたことを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体発光素子。
- 前記Si−Al合金基板の上面に設けられた前記保護層と前記p型半導体層との間に設けられた接合金属層を、さらに含むことを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体発光素子。
- 前記接合金属層と前記p型半導体層との間に設けられた反射金属層をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の化合物半導体発光素子。
- Si−Al合金基板と、
前記Si−Al合金基板の上面に、前記Si−Al合金基板の一部を露出するように設けられた保護層と、
前記保護層を含む前記Si−Al合金基板の上面に設けられた導電層と、
前記導電層上に順に積層されているp型半導体層、活性層及びn型半導体層と、
前記Si−Al合金基板の下面に設けられたコンタクト金属層と、
を含むことを特徴とする化合物半導体発光素子。 - 前記保護層は、絶縁材で形成されることを特徴とする請求項8に記載の化合物半導体発光素子。
- 成長用基板上にn型半導体層、活性層及びp型半導体層を順に設けるステップと、
保護層が表面に設けられたSi−Al合金基板を備えるステップと、
前記p型半導体層上に、前記保護層が表面に設けられた前記Si−Al合金基板を接合するステップと、
前記成長用基板を前記n型半導体層から分離するステップと、
前記n型半導体層上にn側電極を複数設けるステップと、
前記n側電極間の前記n型半導体層、前記活性層、前記p型半導体層、前記保護層及び前記Si−Al合金基板をダイシングし、チップ単位に分離するステップと、
を含むことを特徴とする化合物半導体発光素子の製造方法。 - 前記保護層が表面に設けられたSi−Al合金基板を備えるステップにおいて、
前記保護層は、金属または伝導性誘電体を用いて設けられることを特徴とする請求項10に記載の化合物半導体発光素子の製造方法。 - 前記保護層が金属で設けられる場合、該金属が無電解メッキ、金属蒸着、スパッタリング及びCVDのうちのいずれか一つの方式で設けられることを特徴とする請求項11に記載の化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記保護層が伝導性誘電体によって設けられる場合、該伝導性誘電体が蒸着またはスパッタリング方式で設けられることを特徴とする請求項11に記載の化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記保護層は、前記Si−Al合金基板の表面に0.01μm以上20μm以下の厚さで設けられたことを特徴とする請求項10に記載の化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記保護層が表面に設けられたSi−Al合金基板を備えるステップの後、前記保護層の表面をCMP処理するステップを、さらに含むことを特徴とする請求項10に記載の化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記保護層が表面に設けられた前記Si−Al合金基板を接合するステップは、前記保護層が表面に設けられた前記Si−Al合金基板を前記p型半導体層上に直接接合することによって行われることを特徴とする請求項10に記載の化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記保護層が表面に設けられた前記Si−Al合金基板を接合するステップは、接合金属層を用いて前記p型半導体層上に前記保護層が表面に設けられた前記Si−Al合金基板を接合することによって行われることを特徴とする請求項10に記載の化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記p型半導体層を設けるステップの後に、前記p型半導体層上に反射金属層を設けるステップを、さらに含むことを特徴とする請求項10に記載の化合物半導体発光素子の製造方法。
- 成長用基板上にn型半導体層、活性層及びp型半導体層を順に設けるステップと、
上面一部を除いた残りの部分上に、保護層が設けられたSi−Al合金基板を備えるステップと、
前記保護層を含む前記Si−Al合金基板の上面に導電層を設けるステップと、
前記p型半導体層上に、前記Si−Al合金基板の上面に設けられた前記導電層を接合するステップと、
前記成長用基板を前記n型半導体層から分離するステップと、
前記n型半導体層上にn側電極を複数設けるステップと、
前記保護層を含む前記Si−Al合金基板の下面をラッピングするステップと、
前記Si−Al合金基板の下面にコンタクト金属層を設けるステップと、
前記n側電極間の前記n型半導体層、前記活性層、前記p型半導体層、前記導電層、前記保護層、前記Si−Al合金基板及び前記コンタクト金属層をダイシングし、チップ単位に分離するステップと、
を含むことを特徴とする化合物半導体発光素子の製造方法。 - 前記上面一部を除いた残りの部分上に保護層が設けられたSi−Al合金基板を備えるステップは、
前記Si−Al合金基板の全体表面に保護層を設けるステップと、
前記保護層の一部を除去して前記Si−Al合金基板の上面一部を露出するステップと、
を含むことを特徴とする請求項19に記載の化合物半導体発光素子の製造方法。 - 前記Si−Al合金基板の全体表面に保護層を設けるステップにおいて、前記保護層は絶縁材を用いて設けられることを特徴とする請求項20に記載の化合物半導体発光素子の製造方法。
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