JP2010109379A - Cmosデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 CMOSデバイスのプロセスで、副産物的に作成できる縦型PNPトランジスタ等のバイポーラトランジスタに有効利用する。
【解決手段】 N―MOSトランジスタは、P型ウエル32−1にドレイン領域37、ソース領域38、及びチャネルストッパー39として形成される。P−MOSトランジスタは、半導体基板31−1の表面に、ドレイン領域40、ソース領域41、及びチャネルストッパー42として形成される。チャネルストッパー42と同時に、すなわち同じ工程で、p型ウェル32−2にはバイポーラトランジスタを形成するベース領域43が形成される。また、P−MOSトランジスタのドレイン/ソース領域40,41と同時に、バイポーラトランジスタのエミッタ領域49及びコレクタ領域の電極取り出し部48が形成される。
【選択図】 図4
【解決手段】 N―MOSトランジスタは、P型ウエル32−1にドレイン領域37、ソース領域38、及びチャネルストッパー39として形成される。P−MOSトランジスタは、半導体基板31−1の表面に、ドレイン領域40、ソース領域41、及びチャネルストッパー42として形成される。チャネルストッパー42と同時に、すなわち同じ工程で、p型ウェル32−2にはバイポーラトランジスタを形成するベース領域43が形成される。また、P−MOSトランジスタのドレイン/ソース領域40,41と同時に、バイポーラトランジスタのエミッタ領域49及びコレクタ領域の電極取り出し部48が形成される。
【選択図】 図4
Description
本発明は、PチャネルMOSトランジスタとNチャネルMOSトランジスタ、及びバイポーラトランジスタを同一半導体基板に形成した相補型(C)MOSデバイス、及びその製造方法に関する。また、CMOSプロセスで、副産物的に作成できるバイポーラトランジスタを有効に利用するものである。
従来のCMOSプロセスにおいて、寄生的に形成できる(そのための専用工程を付加せずに)バイポーラトランジスタは、MOSトランジスタのソース(S)/ドレイン(D)を用いた横型npnもしくはpnpトランジスタと、S/D-well-基板構造を利用した縦型npn(n型基板pwellの場合)かpnp(p型基板nwellの場合)であった。
図8にはPチャネルのMOSトランジスタ(以下、P-MOSと呼ぶ)と、NチャネルのMOSトランジスタ(以下、N-MOSと呼ぶ)からなるCMOSデバイスと、このCMOSデバイスを作製するときに寄生的に形成できるバイポーラトランジスタの一種である縦型PNPトランジスタの素子構造を示す。ここでは、説明の簡略化のために、同一であるシリコン(Si)半導体基板を符号1−1と符号1−2で示す二つの部分に分けている。また、n型のウェル(well)も符号2−1と符号2−2で示す二つの部分に分けている。
使用されるシリコン(Si)半導体基板1−1及び1−2はp型であり、その表面にはn型のウェル(well)2−1及び2−2が深く形成される。n型ウェル2−1の表面にはP−MOS3のソース/ドレインとなるp+型領域5,6が浅く形成され、半導体基板1−1の表面にはN−MOS4のソース/ドレインとなるn+型領域7,8が浅く形成される。更に、P−MOS3とN−MOS4の間を分離するために、n型ウェル2−1の表面にはn型のチャネルストッパー9がPMOS3寄りに、また半導体基板1−1の表面にはp型のチャネルストッパー10がN−MOS4寄りに形成される。
このとき、n型ウェル2−2の表面には縦型PNPトランジスタ18のエミッタEとなるp+型領域19と、ベースBを形成するn型ウエル2−2の電極取り出し部となるn+型領域20が浅く形成され、半導体基板1−2の表面には上記縦型PNPトランジスタのコレクタCの電極取り出し部となるp+型領域21が浅く形成される。ここで、p+型領域19、及びp+型領域21は、P−MOS3のソース/ドレイン領域5,6と同じ工程で形成され、またn+型領域20はN−MOS4のソース/ドレイン領域7,8と同じ工程で形成される。
上述した内部構造を有する半導体基板1−1及び1−2の表面は、素子領域間が厚いフィールド酸化膜(SiO2)11で分離されており、このフィールド酸化膜11はLOCOS(Local Oxidation of Silicon)により形成される。P-MOS3及びN-MOS4側の酸化膜(SiO2)の薄い部分は、ゲート酸化膜12であり、このゲート酸化膜12の上には、ゲート電極となる多結晶シリコン層13が形成され、このゲート酸化膜12の下の斜線部で示される部分はチャネル領域1A,2Aを構成している。デバイス全体の表面には絶縁膜として、例えばBPSG(ボロ・フォスフォ・シリケート・グラス)膜14が積層されている。このBPSG膜14のP-MOS3及びN-MOS4側には、Al(ア
ルミニウム)等の電極15A,15B,15C及び電極16A,16B,16Cが積層されている。電極15A,15B,15C及び電極16A,16B,16Cは、BPSG膜14とその下の酸化膜の一部に窓開けされたコンタクト窓を介して、ソース/ドレイン領域5,6,7,8及び多結晶シリコン層13に接続されている。また、上記縦型PNPトランジスタ側にも、Al等の電極17A,17B,17Cが積層されている。電極17A,17B,17Cは、BPSG膜14とその下の酸化膜の一部に窓開けされたコンタクト窓を介してエミッタ領域、ベース領域、コレクタ領域に接続されている。
ルミニウム)等の電極15A,15B,15C及び電極16A,16B,16Cが積層されている。電極15A,15B,15C及び電極16A,16B,16Cは、BPSG膜14とその下の酸化膜の一部に窓開けされたコンタクト窓を介して、ソース/ドレイン領域5,6,7,8及び多結晶シリコン層13に接続されている。また、上記縦型PNPトランジスタ側にも、Al等の電極17A,17B,17Cが積層されている。電極17A,17B,17Cは、BPSG膜14とその下の酸化膜の一部に窓開けされたコンタクト窓を介してエミッタ領域、ベース領域、コレクタ領域に接続されている。
ところで、上記縦型PNPトランジスタのバイポーラトランジスタの素子領域においては、n型ウェル2−2がベース領域となるためベース幅が大となり大きな電流増幅率hFEが得られなかった。
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、CMOSトランジスタに使用されるチャネルストッパー用の拡散層を、同じ半導体基板の別表面にバイポーラトランジスタを形成した際、このバイポーラトランジスタを構成する複数の領域の一部に使用して大きな電流増幅率hFEを持ったバイポーラトランジスタを含んだCMOSデバイスの製造方法の提供を目的とする。
本発明に係るCMOSデバイスの製造方法は、一導電型のシリコン単結晶から切り出され、その切り出し面が鏡面研磨されたウェーハを高温の酸化性ガス雰囲気にさらし、前記ウェーハの表面にシリコンの酸化膜を成長させる工程と、前記酸化膜上にレジストを使って第1のウェル領域となるパターンを形成し、反対導電型となる不純物をドープし、熱拡散して、反対導電型の前記第1のウェルを形成する工程と、前記第1のウェルに反対導電型の第1のチャネルストッパーを形成するためにイオンを注入する工程と、前記ウェーハに一導電型の第2のチャネルストッパーを形成するためにイオンを注入する工程と、前記CMOSデバイスのアクティブエリアに窒化膜を形成する工程と、前記窒化膜をマスクとして利用して熱酸化し、フィールド酸化膜を形成するのと同時に前記第1のチャネルストッパーを形成するために注入されたイオンと、前記第2のチャネルストッパーを形成するために注入されたイオンとを拡散して、前記第1のチャネルストッパーと前記第2のチャネルストッパーとを形成する工程と、前記第1のチャネルストッパー及び前記第2のチャネルストッパーより内側にそれぞれゲート酸化膜及び該ゲート酸化膜上にゲート電極を形成する工程と、前記第1のチャネルストッパーより内側に一導電型のソース/ドレイン領域を形成することにより、第1のMOSトランジスタを形成する工程と、前記第2のチャネルストッパーより内側に反対導電型のソース/ドレイン領域を形成することにより、第2のMOSトランジスタを形成する工程と、前記第1のウェルの形成をするのと同じ工程で、バイポーラトランジスタのコレクタ領域となる反対導電型の第2のウェルを形成する工程と、前記第2のチャネルストッパーを形成するためにイオンを注入するのと同じ工程で、前記第2のウェルに一導電型のベース領域を形成するためにイオンを注入する工程と、前記フィールド酸化膜を形成するのと同時に、前記ベース領域を形成するために注入されたイオンを拡散して前記ベース領域を形成する工程と、前記第2のMOSトランジスタの前記ソース/ドレイン領域の形成をするのと同じ工程で、前記ベース領域に反対導電型のエミッタ領域を形成する工程と、を有することを特徴とすることを特徴とする。
本発明によれば、CMOSトランジスタで使用されるチャネルストッパー用の拡散層を、同じ半導体基板の別表面にバイポーラトランジスタを形成した際、上記バイポーラトランジスタを構成する複数の領域の一部として形成することにより、大きな電流増幅率hFEを有するバイポーラトランジスタを含んだCMOSデバイスを提供することができる。
以下、本発明に係るCMOSデバイスの製造方法について図面を参照しながら説明する。
このCMOSデバイスの製造方法では、n型シリコン単結晶をウェーハに切り出し、表面を鏡面研磨し、そのウェーハを高温の酸化性ガス雰囲気にさらし、シリコンの酸化膜を成長させた後、フォトレジストを使って酸化膜上にpウエルの領域となるパターンを形成し、pウェル用不純物をドープし、熱拡散して、pウェルを形成(pウェル形成工程)してから、図1以下に示す各工程を経てCMOSデバイスを製造する。
特にこのCMOSデバイスの製造方法により製造されるCMOSデバイスは、NチャネルのMOSトランジスタ(以下、N-MOSと呼ぶ)と、PチャネルのMOSトランジスタ(以下、P-MOSと呼ぶ)からなるpウェル型CMOSデバイスであり、このCMOSデバイスを作製するときに寄生的に形成できるバイポーラトランジスタの一種である縦型PNPトランジスタを含んでいる。
この縦型PNPトランジスタのコレクタ領域(p)は上記pウェル形成工程と同時に形成できる。
以下では説明の簡略化のために、同一であるシリコン(Si)半導体基板を符号31−1と符号31−2で示す二つの部分に分けている。また、p型のウェル(well)も符号32−1と符号32−2で示す二つの部分に分けている。
先ず、図1(a)の如く、上記p型ウェル32−1及び32−2、上記半導体基板31−1及び31−2上にパッド酸化膜33を形成し、そのパッド酸化膜33上にレジスト34を塗布する。そしてp型ウェル32−1にp型のチャネルストッパーを形成するため、また、p型ウェル32−2にp型のチャネルストッパーをそれぞれ形成するために、レジスト34の開口から矢印で示す如く、パッド酸化膜33を通してB(ボロン)イオンを注入する。
次いで、図1(b)の如く、半導体基板31−1の表面の必要箇所にn型のチャネルストッパー領域を形成するため、また、p型ウェル32−2にn型のベース領域を形成するために、レジスト34の開口からパッド酸化膜33を通してP(リン)イオンを注入する。
次いで、図1(c)及び図1(d)の如く、後述するソース/ドレイン領域、及びバイポーラトランジスタのコレクタ、エミッタ、ベースの電極取り出し部に窒化膜35を形成し、この窒化膜35をマスクとして利用して熱酸化し、フィールド酸化膜36を形成する。同時に上記注入されたイオンB、Pを拡散して、p型ウェル32−1にp型のチャネルストッパー39を、また、半導体基板31−1の表面の必要な箇所に、n型のチャネルストッパー42を形成する。このとき、すなわち、チャネルストッパー42が形成されるとき、p型ウェル32−2にはn型のベース領域(n)43が形成される。また、p型ウェル32−2にはチャネルストッパー44も形成される。
次いで、図2(a)及び図2(b)の如く、窒化膜35及び酸化膜33を除去し、ゲート酸化膜45を形成した後、上面に導電性の多結晶シリコン層46を形成する。次いで、図2(c)及び図2(d)の如く、多結晶シリコン層46の不要部分を除去し、ゲート電極47を形成する。
次いで、図3の如く、p型ウェル32−1にN−MOSを形成するために、酸化膜を通してイオン注入後、熱拡散してn+型のドレイン領域37、及びソース領域38が形成され、同工程で、p型ウェル32−2にはベースのコンタクトの電極取り出し部(n+)50が形成される。
また、半導体基板31−1の表面にP−MOSを形成するために、酸化膜を通してイオン注入後、熱拡散してp+型のドレイン領域40、及びソース領域41が形成され、同工程で、p型ウェル32−2にはコレクタの電極取り出し部(p+)48、エミッタ領域(p+)49が形成される。
ここでN−MOSのドレイン、ソースと同時に、半導体基板31−2の表面には、sub電位取り領域のための電極取り出し部51が形成される。
次いで、図4の如く、N−MOS、P−MOS、PNPトランジスタ上には絶縁膜56が積層され、その後絶縁膜56の上層にはAl(アルミニウム)等の電極52A,52B及び52C、53A,53B及び53C、54A,54B及び54Cが積層される。上記電極は、絶縁膜56とその下の酸化膜45の一部に窓開けされたコンタクト窓を介して、ソース/ドレイン領域及び多結晶シリコン、さらにはコレクタ、エミッタ、ベース領域に接続される。また、sub電位取り領域のための電極取り出し部51にも電極55が形成される。以上の工程により、CMOSデバイスが製造される。
上記CMOSデバイスの製造方法では、チャネルストッパー形成のためのイオン注入工程(図1(a),図1(b))をLOCOS用窒化膜35の形成前に、すなわち図1(c)よりも前に行っている。これにより、ベース領域43が浅く形成され、ベース領域43のベース幅を小にできて、バイポーラトランジスタにおいて大きな電流増幅率hFEが得られる。また、ベース領域43は、MOSトランジスタのチャネルストッパー形成と同じ工程で形成でき、バイポーラトランジスタを専用の工程を付加することなく作製することができる。
なお、本発明のCMOSデバイス製造方法によれば、次の図5、図6及び図7に示す実施例は、チャネルストッパー(c/s)用の拡散層をバイポーラトランジスタのアクティブエリア(フィールド酸化膜が存在しない半導体基板表面エリア)内に有効活用した変形例である。いずれの変形例においても各バイポーラトランジスタ専用の工程を不要として作製することができる。
図5は縦型npnトランジスタ60を含んだCMOSデバイスの構造図を示す第一の変形例である。同図においては、上記図1〜図4に描かれたCMOSトランジスタの構造図及び工程図が同様に形成されるが、これらの図及び説明が省略されている。CMOSトランジスタのチャネルストッパー形成と同じ工程で、エミッタ領域63が形成されている。また、N―MOSのソース/ドレイン領域形成と同じ工程で、半導体基板61の表面に、コレクタCのコンタクト領域64、及びp型ウェル62にエミッタ領域63の電極取り出し部63Aが形成されている。また、P−MOSのソース/ゲート領域形成と同じ工程で、ベース領域を構成するp型ウェル62の電極取り出し部65も形成されている。また、p型ウェル62にはチャネルストッパー66が形成されている。ここで、CMOSトランジスタのチャネルストッパー、エミッタ領域63の形成は、上述したようにLOCOS用窒化膜の形成前に、フォトレジスト塗布及びイオン注入を行うことで形成される。半導体基板61及びp型ウェル62上にはフィールド酸化膜67が形成され、かつその上には絶縁膜68が形成される。コレクタ、エミッタ、ベースには電極69A、69B及び69Cが積層される。この変形例において、エミッタ領域63が深く形成され、このため、ベース領域のベース幅が小となって、バイポーラトランジスタ60の電流増幅率hFEが大きくなる。
図6は縦型npnトランジスタ70を含んだCMOSデバイスの構造図を示す第二の変形例である。同図においては、上記図1〜図4に描かれたCMOSトランジスタの構造図が同様に形成されるが、これらの図及び説明が省略されている。COSトランジスタのチャネルストッパーが形成されると同じ工程で、バイポーラトランジスタのベース領域72が形成される。また、半導体基板71の表面には、N−MOSのソース/ゲート領域が形成されると同じ工程で、コレクタ領域の電極取り出し部73、及びエミッタ領域74が形成されている。また、P―MOSのソース/ドレイン領域形成と同じ工程で、ベース領域の電極取り出し部75が形成されている。半導体基板71上にはフィールド酸化膜76が形成され、その上には絶縁膜77が形成される。コレクタ、エミッタ、ベースには電極78A、78B及び78Cが積層される。この変形例において、ベース領域72は、浅く形成され、このため、ベース領域72のベース幅が小となり、バイポーラトランジスタ70の電流増幅率hFEが大きくなる。
図7は横型npnトランジスタ80を含んだCMOSデバイスの構造図を示す第三の変形例である。同図においては、上記図1〜図4に描かれたCMOSトランジスタの構造図及び工程図が同様に形成されるが、これらの図及び説明が省略されている。CMOSトランジスタのチャネルストッパー形成と同じ工程で、エミッタ領域86、コレクタ領域84が形成される。チャネルストッパー89もCMOSトランジスタのチャネルストッパー形成と同じ工程で形成される。また、N−MOSのソース/ドレイン領域形成と同じ工程で、半導体基板81の表面に、sub電位取り領域83、p型ウェル82に、コレクタ領域84の電極取り出し部85、エミッタ領域86の電極取り出し部87が形成される。また、p型ウェル82には、P−MOSのソース/ゲート領域形成と同じ工程でベース領域を構成するp型ウェル82の電極取り出し部88が形成される。ここで、コレクタ領域84、エミッタ領域86は、CMOSトランジスタのチャネルストッパーが上述したようにLOCOS用窒化膜の形成前に、フォトレジスト塗布及びイオン注入を行うことで形成される。半導体基板81及びp型ウェル82上にはフィールド酸化膜90が形成され、かつその上には絶縁膜91が形成される。コレクタ、エミッタ、ベースには電極92A、92B及び92Cが積層される。また、sub電位取り領域83にも電極93が形成される。この第三の変形例においては、エミッタ領域、及びコレクタ領域を深く形成でき、バイポーラトランジスタ80の電流増幅率hFEが大きくなる。
なお、上記各具体例では、n型ウェーハを用いた場合で説明したが、p型ウェーハを用いても、各拡散層のp,nを逆にすれば同様にCMOSトランジスタと同時にバイポーラトランジスタを製造することができる。
31−1,31−2 半導体基板
32−1,32−2 p型ウェル
33 パッド酸化膜
34 レジスト
35 窒化膜
36 フィールド酸化膜
37 N−MOSのドレイン領域
38 N−MOSのソース領域
40 P−MOSのドレイン領域
41 P−MOSのソース領域
39 p型のチャネルストッパー
42 n型のチャネルストッパー
32−1,32−2 p型ウェル
33 パッド酸化膜
34 レジスト
35 窒化膜
36 フィールド酸化膜
37 N−MOSのドレイン領域
38 N−MOSのソース領域
40 P−MOSのドレイン領域
41 P−MOSのソース領域
39 p型のチャネルストッパー
42 n型のチャネルストッパー
Claims (4)
- CMOSデバイスの製造方法であって、
一導電型のシリコン単結晶から切り出され、その切り出し面が鏡面研磨されたウェーハを高温の酸化性ガス雰囲気にさらし、前記ウェーハの表面にシリコンの酸化膜を成長させる工程と、
前記酸化膜上にレジストを使って第1のウェル領域となるパターンを形成し、反対導電型となる不純物をドープし、熱拡散して、反対導電型の前記第1のウェルを形成する工程と、
前記第1のウェルに反対導電型の第1のチャネルストッパーを形成するためにイオンを注入する工程と、
前記ウェーハに一導電型の第2のチャネルストッパーを形成するためにイオンを注入する工程と、
前記CMOSデバイスのアクティブエリアに窒化膜を形成する工程と、
前記窒化膜をマスクとして利用して熱酸化し、フィールド酸化膜を形成するのと同時に前記第1のチャネルストッパーを形成するために注入されたイオンと、前記第2のチャネルストッパーを形成するために注入されたイオンとを拡散して、前記第1のチャネルストッパーと前記第2のチャネルストッパーとを形成する工程と、
前記第1のチャネルストッパー及び前記第2のチャネルストッパーより内側にそれぞれゲート酸化膜及び該ゲート酸化膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記第1のチャネルストッパーより内側に一導電型のソース/ドレイン領域を形成することにより、第1のMOSトランジスタを形成する工程と、
前記第2のチャネルストッパーより内側に反対導電型のソース/ドレイン領域を形成することにより、第2のMOSトランジスタを形成する工程と、
前記第1のウェルの形成をするのと同じ工程で、バイポーラトランジスタのコレクタ領域となる反対導電型の第2のウェルを形成する工程と、
前記第2のチャネルストッパーを形成するためにイオンを注入するのと同じ工程で、前記第2のウェルに一導電型のベース領域を形成するためにイオンを注入する工程と、
前記フィールド酸化膜を形成するのと同時に、前記ベース領域を形成するために注入されたイオンを拡散して前記ベース領域を形成する工程と、
前記第2のMOSトランジスタの前記ソース/ドレイン領域の形成をするのと同じ工程で、前記ベース領域に反対導電型のエミッタ領域を形成する工程と、
を有することを特徴とするCMOSデバイスの製造方法。 - CMOSデバイスの製造方法であって、
一導電型のシリコン単結晶から切り出され、その切り出し面が鏡面研磨されたウェーハを高温の酸化性ガス雰囲気にさらし、前記ウェーハの表面にシリコンの酸化膜を成長させる工程と、
前記酸化膜上にレジストを使って第1のウェル領域となるパターンを形成し、反対導電型となる不純物をドープし、熱拡散して、反対導電型の前記第1のウェルを形成する工程と、
前記第1のウェルに反対導電型の第1のチャネルストッパーを形成するためにイオンを注入する工程と、
前記ウェーハに一導電型の第2のチャネルストッパーを形成するためにイオンを注入する工程と、
前記CMOSデバイスのアクティブエリアに窒化膜を形成する工程と、
前記窒化膜をマスクとして利用して熱酸化し、フィールド酸化膜を形成するのと同時に前記第1のチャネルストッパーを形成するために注入されたイオンと、前記第2のチャネルストッパーを形成するために注入されたイオンとを拡散して、前記第1のチャネルストッパーと前記第2のチャネルストッパーとを形成する工程と、
前記第1のチャネルストッパー及び前記第2のチャネルストッパーより内側にそれぞれゲート酸化膜及び該ゲート酸化膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記第1のチャネルストッパーより内側に一導電型のソース/ドレイン領域を形成することにより、第1のMOSトランジスタを形成する工程と、
前記第2のチャネルストッパーより内側に反対導電型のソース/ドレイン領域を形成することにより、第2のMOSトランジスタを形成する工程と、
前記第1のチャネルストッパーを形成するためにイオンを注入するのと同じ工程で、前記ウェーハにバイポーラトランジスタの反対導電型のベース領域を形成するためにイオンを注入する工程と、
前記フィールド酸化膜を形成するのと同時に、前記ベース領域を形成するために注入されたイオンを拡散して前記ベース領域を形成する工程と、
前記第1のMOSトランジスタの前記一導電型のソース/ドレイン領域の形成をするのと同じ工程で、前記ベース領域に一導電型のエミッタ領域を形成する工程と、
を有することを特徴とするCMOSデバイスの製造方法。 - CMOSデバイスの製造方法であって、
一導電型のシリコン単結晶から切り出され、その切り出し面が鏡面研磨されたウェーハを高温の酸化性ガス雰囲気にさらし、前記ウェーハの表面にシリコンの酸化膜を成長させる工程と、
前記酸化膜上にレジストを使って第1のウェル領域となるパターンを形成し、反対導電型となる不純物をドープし、熱拡散して、反対導電型の前記第1のウェルを形成する工程と、
前記第1のウェルに反対導電型の第1のチャネルストッパーを形成するためにイオンを注入する工程と、
前記ウェーハに一導電型の第2のチャネルストッパーを形成するためにイオンを注入する工程と、
前記CMOSデバイスのアクティブエリアに窒化膜を形成する工程と、
前記窒化膜をマスクとして利用して熱酸化し、フィールド酸化膜を形成するのと同時に前記第1のチャネルストッパーを形成するために注入されたイオンと、前記第2のチャネルストッパーを形成するために注入されたイオンとを拡散して、前記第1のチャネルストッパーと前記第2のチャネルストッパーとを形成する工程と、
前記第1のチャネルストッパー及び前記第2のチャネルストッパーより内側にそれぞれゲート酸化膜及び該ゲート酸化膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記第1のチャネルストッパーより内側に一導電型のソース/ドレイン領域を形成することにより、第1のMOSトランジスタを形成する工程と、
前記第2のチャネルストッパーより内側に反対導電型のソース/ドレイン領域を形成することにより、第2のMOSトランジスタを形成する工程と、
前記第1のウェルの形成をするのと同じ工程で、バイポーラトランジスタのベース領域となる反対導電型の第2のウェルを形成する工程と、
前記第2のチャネルストッパーを形成するためにイオンを注入するのと同じ工程で、前記ベース領域に一導電型のエミッタ領域を形成するためにイオンを注入する工程と、
前記フィールド酸化膜を形成するのと同時に、前記エミッタ領域を形成するために注入されたイオンを拡散して一導電型の前記エミッタ領域を形成する工程と、
を有することを特徴とするCMOSデバイスの製造方法。 - CMOSデバイスの製造方法であって、
一導電型のシリコン単結晶から切り出され、その切り出し面が鏡面研磨されたウェーハを高温の酸化性ガス雰囲気にさらし、前記ウェーハの表面にシリコンの酸化膜を成長させる工程と、
前記酸化膜上にレジストを使って第1のウェル領域となるパターンを形成し、反対導電型となる不純物をドープし、熱拡散して、反対導電型の前記第1のウェルを形成する工程と、
前記第1のウェルに反対導電型の第1のチャネルストッパーを形成するためにイオンを注入する工程と、
前記ウェーハに一導電型の第2のチャネルストッパーを形成するためにイオンを注入する工程と、
前記CMOSデバイスのアクティブエリアに窒化膜を形成する工程と、
前記窒化膜をマスクとして利用して熱酸化し、フィールド酸化膜を形成するのと同時に前記第1のチャネルストッパーを形成するために注入されたイオンと、前記第2のチャネルストッパーを形成するために注入されたイオンとを拡散して、前記第1のチャネルストッパーと前記第2のチャネルストッパーとを形成する工程と、
前記第1のチャネルストッパー及び前記第2のチャネルストッパーより内側にそれぞれゲート酸化膜及び該ゲート酸化膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記第1のチャネルストッパーより内側に一導電型のソース/ドレイン領域を形成することにより、第1のMOSトランジスタを形成する工程と、
前記第2のチャネルストッパーより内側に反対導電型のソース/ドレイン領域を形成することにより、第2のMOSトランジスタを形成する工程と、
前記第1のウェルの形成をするのと同じ工程で、バイポーラトランジスタのベース領域となる反対導電型の第2のウェルを形成する工程と、
前記第2のチャネルストッパーを形成するためにイオンを注入するのと同じ工程で、前記ベース領域に一導電型のエミッタ領域とコレクタ領域を形成するためにイオンを注入する工程と、
前記フィールド酸化膜を形成するのと同時に、前記エミッタ領域と前記コレクタ領域を形成するために注入されたイオンを拡散して一導電型の前記エミッタ領域と前記コレクタ領域とを形成する工程と、
を有することを特徴とするCMOSデバイスの製造方法。
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