JP2010067984A - 発光素子の製造方法、発光装置の製造方法、発光素子、および発光装置 - Google Patents
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- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05124—Aluminium [Al] as principal constituent
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- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05139—Silver [Ag] as principal constituent
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- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05144—Gold [Au] as principal constituent
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- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05147—Copper [Cu] as principal constituent
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- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05155—Nickel [Ni] as principal constituent
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- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
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- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/05164—Palladium [Pd] as principal constituent
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- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
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- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/05166—Titanium [Ti] as principal constituent
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- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
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- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/05169—Platinum [Pt] as principal constituent
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- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/05171—Chromium [Cr] as principal constituent
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- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/05184—Tungsten [W] as principal constituent
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- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
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- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/0557—Disposition the external layer being disposed on a via connection of the semiconductor or solid-state body
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- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05571—Disposition the external layer being disposed in a recess of the surface
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- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05575—Plural external layers
- H01L2224/0558—Plural external layers being stacked
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- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
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- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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Abstract
【課題】光抽出効率が向上して欠陥が少なく、発光量が増加した発光素子の製造方法、発光装置の製造方法、発光素子、及び発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、基板１００上にバッファ層１０８を形成し、バッファ層１０８上に光結晶パターン１０６（ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ ｐａｔｔｅｒｎ）とパッドパターン１０７を形成し、光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７は、各々金属物質を含み互いに物理的に接続され、光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７が形成されたバッファ層１０８上に順次に積層された第１導電型の第１導電パターン１１２、発光パターン１１４、第２導電型の第２導電パターン１１６を含む発光構造体１１０を形成し、第１導電パターン１１２と電気的に接続された第１電極１４０と、第２導電パターン１１６と電気的に接続された第２電極１５０を形成することを含む。
【選択図】図７
【解決手段】発光素子の製造方法は、基板１００上にバッファ層１０８を形成し、バッファ層１０８上に光結晶パターン１０６（ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ ｐａｔｔｅｒｎ）とパッドパターン１０７を形成し、光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７は、各々金属物質を含み互いに物理的に接続され、光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７が形成されたバッファ層１０８上に順次に積層された第１導電型の第１導電パターン１１２、発光パターン１１４、第２導電型の第２導電パターン１１６を含む発光構造体１１０を形成し、第１導電パターン１１２と電気的に接続された第１電極１４０と、第２導電パターン１１６と電気的に接続された第２電極１５０を形成することを含む。
【選択図】図７
Description
本発明は、発光素子の製造方法、および発光装置の製造方法に関する。また、発光素子の製造方法を利用して製造した発光素子、及び発光装置の製造方法を利用して製造した発光装置に関するものである。
ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）のような発光素子は、電子とホールの結合によって光を発散する。発光素子は、消費電力が少なく、寿命が長く、狹小空間でも設置可能であり、振動に強い特性を有する。
このような発光素子は、ｎ型ＧａＮパターン、発光パターン、ｐ型ＧａＮパターンが積層された発光構造体を含むことができ、発光パターンではｎ型ＧａＮパターンのキャリア（電子）とｐ型ＧａＮパターンのキャリア（ホール）が結合して光が発生する。
発光素子の開発において重要な一つは、光抽出効率（ｌｉｇｈｔ ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）を改善することである。光抽出効率は、発光構造体で発生した光のうち外部（すなわち、空気、または発光構造体を囲んだ透明樹脂）に放出される光の比率を意味する。発光構造体の光屈折率（ｏｐｔｉｃａｌ ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ ｉｎｄｅｘ）は例えば、約２．２〜３．８であり得、空気の光屈折率は１であり、透明樹脂の光屈折率は約１．５であり得る。例えば、発光構造体の光屈折率が３．４である場合、発光構造体内部で生成された光が空気に放出されたときの臨界角（ｃｒｉｔｉｃａｌ ａｎｇｌｅ）は約１７°であり、透明樹脂に放出されたときの臨界角は約２６°であり得る。このような場合、発光構造体内部で生成された光が空気に放出される光抽出効率は約２．２％であり、透明樹脂に放出される光抽出効率は約４％である。残りの光は、表面で反射して発光構造体内部に閉じ込められる。
一方、発光構造体は、ＩｎxＡｌyＧａ(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を含む物質を利用して製造することができるが、ＩｎxＡｌyＧａ(1-x-y)Ｎを利用した発光素子の開発において重要な一つは、低欠陥（ｌｏｗ ｄｅｆｅｃｔ ｄｅｎｓｉｔｉｅｓ）ＩｎxＡｌyＧａ(1-x-y)Ｎを形成することである。例えば、サファイア基板上にＩｎxＡｌyＧａ(1-x-y)Ｎを成長させることができるが、サファイア基板に欠陥がある場合、成長したＩｎxＡｌyＧａ(1-x-y)Ｎにも同様に欠陥が生じる。
また、発光素子のデザインによって発光パターンの全領域がもれなく使用されるのではなく、発光パターンの一部領域のみが使用され得る。すなわち、発光パターンの一部領域にのみ電流が流れるようになって電流が流れる一部の領域でのみ光が発散することができる。このような場合、発光量が減るようになる。
また、発光素子のデザインによって発光パターンの全領域がもれなく使用されるのではなく、発光パターンの一部領域のみが使用され得る。すなわち、発光パターンの一部領域にのみ電流が流れるようになって電流が流れる一部の領域でのみ光が発散することができる。このような場合、発光量が減るようになる。
本発明が解決しようとする課題は、光抽出効率が向上して欠陥が少なく、発光量が増加した発光素子および発光装置の製造方法を提供するものである。
本発明が解決しようとする他の課題は、光抽出効率が向上して欠陥が少なく、発光量が増加した発光素子および発光装置を提供するものである。
本発明の技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていないまた他の技術的課題は、次の記載から当業者に明確に理解されるであろう。
本発明が解決しようとする他の課題は、光抽出効率が向上して欠陥が少なく、発光量が増加した発光素子および発光装置を提供するものである。
本発明の技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていないまた他の技術的課題は、次の記載から当業者に明確に理解されるであろう。
上述の課題を達成するために、本発明の技術手段は次の通りである。
本発明の請求項１に対応する解決手段１によると、発光素子の製造方法は、基板上にバッファ層を形成し、バッファ層上に光結晶パターン（ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ ｐａｔｔｅｒｎ）とパッドパターンを形成し、光結晶パターンと前記パッドパターンは、各々金属物質を含み互いに物理的に接続され、光結晶パターンと前記パッドパターンが形成されたバッファ層上に順次に積層された第１導電型の第１導電パターン、発光パターン、第２導電型の第２導電パターンを含む発光構造体を形成し、第１導電パターンと電気的に接続された第１電極と、第２導電パターンと電気的に接続された第２電極を形成することを含む。
本発明の請求項１に対応する解決手段１によると、発光素子の製造方法は、基板上にバッファ層を形成し、バッファ層上に光結晶パターン（ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ ｐａｔｔｅｒｎ）とパッドパターンを形成し、光結晶パターンと前記パッドパターンは、各々金属物質を含み互いに物理的に接続され、光結晶パターンと前記パッドパターンが形成されたバッファ層上に順次に積層された第１導電型の第１導電パターン、発光パターン、第２導電型の第２導電パターンを含む発光構造体を形成し、第１導電パターンと電気的に接続された第１電極と、第２導電パターンと電気的に接続された第２電極を形成することを含む。
請求項２に対応する解決手段２によると、光結晶パターンとパッドパターンは、実質的に同一のレベルに形成される。
請求項３に対応する解決手段３によると、光結晶パターンは、複数の反復的なパターンを含み、発光構造体で発生する光の波長がλであるとき、複数の反復的なパターンのうち互いに隣接したパターンの間の間隔はλ／４である
請求項４に対応する解決手段４によると、光結晶パターンは、ライン形態またはメッシュ形態である。
請求項５に対応する解決手段５によると、パッドパターンの幅は、約４０≡以下である。
請求項６に対応する解決手段６によると、第２電極は、発光構造体の上部または側壁に形成される
請求項７に対応する解決手段７によると、発光構造体を形成することは、光結晶パターンとパッドパターンが形成されたバッファ層上に順次に第１導電型の第１導電層、発光層、第２導電型の第２導電層を形成し、第２導電層、発光層、第１導電層をパターニングし、第２導電パターン、発光パターン、第１導電パターンを含む発光構造体を完成し、第１導電パターンの幅が第２導電パターンの幅および発光パターンの幅より広いため、第１導電パターンが側方向に突出され、第１導電パターンの突出された領域の下にはパッドパターンが位置することを含む。
また、解決手段８によると、解決手段７で第１電極を形成することは、第１導電パターンの突出した領域の一部をパターニングし、パッドパターンを露出させて、露出したパッドパターン上にオーム層を形成し、オーム層上に前記第１電極を形成する。
さらに、解決手段９によると、解決手段７で発光構造体を形成した後、発光構造体の上面および側壁に絶縁層を形成することをさらに含み、第１電極を形成することは、パッドパターン上に位置する絶縁層の一部をエッチングし、絶縁層を貫通する第１ホールを形成し、パッドパターン上に位置する第１導電パターンの一部をエッチングし、第１導電パターンを貫通する第２ホールを形成し、第２ホールの幅は、第１ホールの幅より狭く、第１ホールおよび第２ホールの少なくとも一部を埋めたてるオーム層を形成し、オーム層上に前記第１電極を形成する。
解決手段１０によると、解決手段９で第１ホールを形成することは、湿式エッチングを利用し、第２ホールを形成することは、乾式エッチングを利用する。
請求項８に対応する解決手段１１によると、第１電極と第２電極を形成することは、発光構造体を形成した後、発光構造体上に第２電極を形成し、基板と導電基板をボンディングし、第２電極が基板と導電基板の間に配置されるようにボンディングし、基板を除去し、バッファ層上に第１電極を形成することを含む。
解決手段１２によると、解決手段１１でバッファ層上に第１電極を形成することは、パッドパターンの少なくとも一部が露出するようにバッファ層の一部をエッチングし、パッドパターンの露出した領域上にオーム層を形成し、第１電極は、オーム層上に形成されることを含む。
解決手段１３によると、解決手段１１の導電基板は、基板より大きい。
請求項９に対応する解決手段１４によると、発光装置の製造方法は、解決手段１ないし解決手段１３のうち何れか一つの発光素子の製造方法を利用する。
請求項１０に対応する解決手段１５によると、発光素子は、基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成され、各々金属物質を含み互いに物理的に接続された光結晶パターンとパッドパターンと、光結晶パターンおよびパッドパターンが形成されたバッファ層上に順次に形成された第１導電型の第１導電パターン、発光パターン、第２導電型の第２導電パターンを含む発光構造体と、第１導電パターンと電気的に接続された第１電極、および第２導電パターンと電気的に接続された第２電極を含む。
請求項１１に対応する解決手段１６によると、発光素子は、導電基板と、導電基板上に形成された第２電極と、第２電極上に順次に形成されて第２導電型の第２導電パターン、発光パターン、第１導電型の第１導電パターンを含む発光構造体と、第１導電パターン上に形成されて各々金属物質を含み互いに物理的に接続される光結晶パターンとパッドパターンと、光結晶パターンとパッドパターンが形成された第１導電パターン上に形成されて前記パッドパターンの少なくとも一部を露出させるバッファ層、および露出したパッドパターン上に形成された第１電極を含む。
解決手段１７によると、解決手段１5又は解決手段１６の光結晶パターンとパッドパターンは、実質的に同一のレベルに形成される。
解決手段１８によると、解決手段１5又は解決手段１６の光結晶パターンは、複数の反復的なパターンを含み、発光構造体で発生する光の波長がλであるとき、複数の反復的なパターンのうち互いに隣接したパターンの間の間隔はλ／４である第１５項または請求項１６に記載の発光素子。
解決手段１９によると、解決手段１5又は解決手段１６のパッドパターンの幅は、約４０≡以下である。
解決手段２０によると、解決手段１5の第１導電パターンの幅は、第２導電パターンの幅および発光パターンの幅より広いため、第１導電パターンが側方向に突出され、第１導電パターンの突出した領域の下にはパッドパターンが位置する。
解決手段２１によると、解決手段２０の発光素子は、第１導電パターンの突出した領域に形成されてパッドパターンを露出させるホールと、露出したパッドパターン上に形成されたオーム層をさらに含み、第１電極は、オーム層上に形成される。
解決手段２２によると、解決手段２０の発光素子は、発光構造体の上面および側壁に形成された絶縁層と、パッドパターン上に位置する絶縁層を貫通する第１ホールと、パッドパターン上に位置する第１導電パターンを貫通し、第１ホールの幅より細幅第２ホールと、第１ホールおよび第２ホールの少なくとも一部を埋めたてるオーム層をさらに含み、第１電極は、オーム層上に形成される。
解決手段２３によると、解決手段１６の第２電極はボウル（ｂｏｗｌ）形態を有し、発光構造体は、第２電極を埋めるように形成される。
解決手段２４によると、解決手段２３の第２電極には突起が形成されており、発光構造体は、突起によって一側とタ側に区分され、第１電極の光結晶パターンは、発光構造体の一側上に配置され、第１電極のパッドパターンは、発光構造体のタ側上に配置される。
請求項１２に対応する解決手段２５によると、発光装置は解決手段１５または解決手段１６の発光素子を含む。
前記他の課題を達成するための本発明の発光装置の解決手段は、前述した発光素子を含む。
その他解決手段の具体的な内容は詳細な説明および図面に記載されている。
その他解決手段の具体的な内容は詳細な説明および図面に記載されている。
本発明の利点、特徴、およびそれらを達成する方法は、添付される図面と共に詳細に後述される実施形態を参照すれば明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で具現されることが可能である。本実施形態は、単に本発明の開示が完全になるように、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に対して発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範疇によってのみ定義される。なお、明細書全体にかけて、同一の参照符号は同一の構成要素を指すものとする。
（第１実施形態）
図１〜図９は、本発明の第１実施形態による発光素子の製造方法を説明するための中間段階図である。この中、図２、図３は、図１に示す光結晶パターン（ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ ｐａｔｔｅｒｎ）の例示的形態を示す図である。図８および図９は、本発明の第１実施形態の発光素子の動作を説明するための図である。一方、本発明の第１実施形態による発光素子としては、ラテラルタイプ（ｌａｔｅｒａｌ ｔｙｐｅ）またはフリップチップタイプ（ｆｌｉｐｃｈｉｐ ｔｙｐｅ）を例にあげた。
図１〜図９は、本発明の第１実施形態による発光素子の製造方法を説明するための中間段階図である。この中、図２、図３は、図１に示す光結晶パターン（ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ ｐａｔｔｅｒｎ）の例示的形態を示す図である。図８および図９は、本発明の第１実施形態の発光素子の動作を説明するための図である。一方、本発明の第１実施形態による発光素子としては、ラテラルタイプ（ｌａｔｅｒａｌ ｔｙｐｅ）またはフリップチップタイプ（ｆｌｉｐｃｈｉｐ ｔｙｐｅ）を例にあげた。
先ず図１を参照すると、基板１００上にバッファ層１０８を形成する。
具体的に、バッファ層１０８は後述する第１導電層１１２ａ、発光層１１４ａ、第２発光層１１６ａを作るためのシード層として使用することができる。また、バッファ層１０８は、基板１００と後述する発光構造体（図５の１１０）の間の格子不整合（ｌａｔｔｉｃｅ ｍｉｓｍａｔｃｈ）を防止するために使用される。したがって、バッファ層１０８は、発光構造体（図５の１１０）の膜質特性を良くする。
具体的に、バッファ層１０８は後述する第１導電層１１２ａ、発光層１１４ａ、第２発光層１１６ａを作るためのシード層として使用することができる。また、バッファ層１０８は、基板１００と後述する発光構造体（図５の１１０）の間の格子不整合（ｌａｔｔｉｃｅ ｍｉｓｍａｔｃｈ）を防止するために使用される。したがって、バッファ層１０８は、発光構造体（図５の１１０）の膜質特性を良くする。
バッファ層１０８としては、シード層の役割を果たすことができる物質であれば、如何なるものでも可能であり、例えば、ＩｎxＡｌyＧａ(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１、 ０≦ｙ≦１）、ＳｉxＣyＮ(1-x-y)（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を含み得る。
バッファ層１０８は、基板１００上にＭＯＣＶＤ（ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、液相｛えきそう｝エピタキシー（ｌｉｑｕｉｄ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ）、ハイドライド気相エピタキシー（ｈｙｄｒｉｄｅ ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ）、分子線エピタキシー（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ）、ＭＯＶＰＥ（ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ）などを利用して成長させることができる。
次いで、バッファ層１０８上に光結晶パターン（ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ ｐａｔｔｅｒｎ）１０６とパッドパターン１０７を形成する。
次いで、バッファ層１０８上に光結晶パターン（ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ ｐａｔｔｅｒｎ）１０６とパッドパターン１０７を形成する。
光結晶パターン１０６は、発光構造体（図５の１１０）で発生した光が外部に旨く放出できるようにする。すなわち、光結晶パターン１０６は、光抽出効率を上げる役割を果たすことができる。
このような光結晶パターン１０６は、複数の反復的な（または周期的な）パターンを含むように実現することができる。例えば、光結晶パターン１０６は、様々な形態が可能であるが、例えば、ライン形態（図２参照）であり得、メッシュ形態（図３参照）であり得る。光結晶パターン１０６の複数のパターンは、所定間隔（ａ）を有して配置されるが、発光構造体で発生した光の波長がλであるとき、隣接したパターンの間の間隔（ａ）はλ／４であり得る。もちろん、隣接したパターンの間の間隔（ａ）は、必要によってλ／４を中心に多少調節することもできる（すなわち、λ／４より多少大きいか、λ／４より多少小さくてもよい）。
パッドパターン１０７は、後述する第１電極（図７の１４０）から電源を伝達されるために使用される部分である。パッドパターン１０７のサイズが大き過ぎる、第１導電層（図４の１１２ａ）、発光層（図４の１１４ａ）、第２導電層（図４の１１６ａ）を成長させ難い。すなわち、液相｛えきそう｝エピタキシー、ハイドライド気相エピタキシー、分子線エピタキシーのような成長法を利用して第１導電層１１２ａなどを成長させるとき、第１導電層１１２ａがパッドパターン１０７の上面を全て覆うように成長しないことがある。したがって、パッドパターン１０７のサイズは適切に調節しなければならないが、例えば、パッドパターン１０７の幅は約４０≡以下であり得る。
図１〜図３に図示されたように光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７は実質的に同一のレベルで形成することができる。光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７が同時に形成することができるために、光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７が同一のレベルで形成することができる。
光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７は、互いに物理的に接続されていることもできる。したがって、第１電極１４０によりパッドパターン１０７に電源が印加されると、光結晶パターン１０６にまで電源が印加されるようになる。このように光結晶パターン１０６にまで電源が印加されるため、バイアス（例えば、電流）の流れを適切に調節することができる。これについては図９を参照して後述する。
光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７の物理的接続方式は、図２および図３に示すものに限定されない。図示していない他の方式で光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７が接続していることもある。また光結晶パターン１０６は、図示するパターンに限定されるものではない。
また、光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７は、金属物質から成り得るが、例えば、透明度の高い金属物質であるか、反射度の高い金属物質を含み得る。透明度の高い金属物質としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ （Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などを例にあげることができ、反射度の高い金属物質としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｒｈ、ＮｉＡｕ、Ｐｄ、ＴｉＰｔなどを例にあげることができる。
一方、基板１００は、バッファ層、第１導電層、発光層、第２導電層を成長させることができる材質であれば如何なるものでも可能である。例えば、基板１００は、サファイア（Ａｌ2Ｏ3）、ジンクオキサイド（ＺｎＯ）などの絶縁性基板であり得、シリコーン（Ｓｉ）、シリコーンカーバイド（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）などの導電性基板であり得る。
図４を参照すると、光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７が形成されたバッファ層１０８上に、第１導電層１１２ａ、発光層１１４ａ、第２導電層１１６ａを順次に形成する。
具体的に、第１導電層１１２ａ、発光層１１４ａ、第２導電層１１６ａは、ＩｎxＡｌyＧａ(1-x-y)Ｎ （０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を含み得る。すなわち、第１導電層１１２ａ、発光層１１４ａ、第２導電層１１６ａは例えば、ＡｌＧａＮであり得、ＩｎＧａＮでもあり得る。
このような第１導電層１１２ａ、発光層１１４ａ、第２導電層１１６ａは、ＭＯＣＶＤ（ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、液相エピタキシー（ｌｉｑｕｉｄ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ）、ハイドライド気相エピタキシー（ｈｙｄｒｉｄｅ ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ）、分子線エピタキシー（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ）、ＭＯＶＰＥ（ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ）などを利用して順次に形成することができる。
各階について具体的に説明すると、第１導電層１１２ａは、第１導電型（例えば、ｎ型）であり、第２導電層１１６ａは第２導電型（例えば、ｐ型）であり得るが、設計方式によって第１導電層１１２ａが第２導電型（ｐ型）であり、第２導電層１１６ａが第１導電型（ｎ型）であり得る。
発光層１１４ａは、第１導電層１１２ａのキャリア（例えば、電子）と第２導電層１１６ａのキャリア（例えば、ホール）が結合するとき光を発生する領域である。発光層１１４ａは、図面に正確に示していないが、井戸層と障壁層から成り得るが、井戸層は、障壁層よりバンドギャップが小さいため、井戸層にキャリア（電子、ホール）が集まって結合するようになる。このような発光層１１４ａは、井戸層の個数によって単一量子井戸（Ｓｉｎｇｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ：ＳＱＷ）構造、多重量子井戸（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ：ＭＱＷ）構造に区分することができる。単一量子井戸構造は、一つの井戸層を含み、多重量子井戸構造は、多層の井戸層を含む。発光特性を調節するために井戸層、障壁層のうち少なくとも何れか１つに、Ｂ、Ｐ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｅ、Ａｌのうち少なくとも一つをドーピングすることができる。
一方、第２導電層１１６ａを形成した後に、第２導電層１１６ａを活性化するためにアニーリングすることができる。例えば、約４００℃程度でアニーリングすることができる。具体的に、第２導電層１１６ａが例えば、ＭｇがドーピングされているＩｎxＡｌyＧａ(1-x-y)Ｎであれば、アニーリングによりＭｇと結合しているＨを落とすことによって第２導電層１１６ａがｐ型の特性を確実に表すことができるようにする。
一方、第１導電層１１２ａは、光結晶パターン１０６の間に位置する垂直（ｖｅｒｔｉｃａｌ）導電層１１２ｂと、光結晶パターン１０６上に位置する水平（ｌａｔｅｒａｌ）導電層１１２ｃを含み得る。ここで、「垂直（ｖｅｒｔｉｃａｌ）」は、基板１００の表面と実質的に垂直方向を意味し、「水平（ｌａｔｅｒａｌ）」は、基板１００の表面と実質的に平行方向を意味する。
垂直導電層１１２ｂは、光結晶パターン１０６の間に露出した基板１００から成長するようになり、水平導電層１１２ｃは、垂直導電層１１２ｂから光結晶パターン１０６上に延長されて形成される。水平導電層１１２ｃは、過度成長（ｏｖｅｒ−ｇｒｏｗｔｈ）した領域（または側面成長（ｌａｔｅｒａｌ−ｇｒｏｗｔｈ）した領域）に該当する。しかし、水平導電層１１２ｃは、垂直導電層１１２ｂに比べて相対的に少ない欠陥を有する。例えば、水平導電層１１２ｃの欠陥数は１０4ｃｍ-2であり得る。
光結晶パターン１０６は、前述したように光抽出効率を上げることに使用され得、少ない欠陥を有する第１導電層１１２ａ、発光層１１４ａ、第２発光層１１６ａを形成させることに使用され得る。欠陥が少ない第１導電層１１２ａから成長した発光層１１４ａ、第２発光層１１４ａも欠陥が少なくなるからである。
次いで、第２導電層１１６ａ上に第２オーム層１３２を形成する。オーム層１３２は例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ジンク（Ｚｎ）、ジンクオキサイド（ＺｎＯ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウムオキサイド（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）のうち少なくとも一つを含み得る。
図５を参照すると、第２導電層１１６ａ、発光層１１４ａ、第１導電層１１２ａをパターニングし、第１導電パターン１１２、発光パターン１１４、第２導電パターン１１６を含む発光構造体１１０を形成することができる。図示していないが、発光構造体１１０は下側の幅が上側の幅より広いため、発光構造体１１０の側壁は傾斜し得る。また、第１導電パターン１１２の幅を第２導電パターン１１６の幅および発光パターン１１４の幅より広くし、第１導電パターン１１２が側方向に突出され得る。第１導電パターン１１２の突出した領域の下にはパッドパターン１０７が位置することができる。
次いで、発光構造体１１０の上面、側壁に絶縁層１２０を形成する。
次いで、パッドパターン１０７上に位置する絶縁層１２０の一部をエッチングし、絶縁層１２０を貫通する第１ホール（ｈ１）を形成する。また、パッドパターン１０７上に位置する第１導電パターン１１２の一部をエッチングし、第１導電パターン１１２を貫通する第２ホール（ｈ２）を形成する。
次いで、パッドパターン１０７上に位置する絶縁層１２０の一部をエッチングし、絶縁層１２０を貫通する第１ホール（ｈ１）を形成する。また、パッドパターン１０７上に位置する第１導電パターン１１２の一部をエッチングし、第１導電パターン１１２を貫通する第２ホール（ｈ２）を形成する。
ここで、第１ホール（ｈ１）を形成することには湿式エッチングを利用することができ、第２ホール（ｈ２）を形成することには乾式エッチングを利用することができる。第１ホール（ｈ１）を形成する湿式エッチングと第２ホール（ｈ２）を形成する乾式エッチングは同一のマスク（例えば、フォトレジストパターン）を利用して形成することができる。同一のマスクを使用しても湿式エッチングはアンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）が生じるため、第２ホール（ｈ２）の幅（ｗ２）は第１ホール（ｈ１）の幅（ｗ１）より狭くてもよい。
図６を参照すると、第１ホール（ｈ１）および第２ホール（ｈ２）の少なくとも一部を埋めたてる第１オーム層１３１を形成することができる。
具体的に、第１オーム層１３１は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ジンク（Ｚｎ）、ジンクオキサイド（ＺｎＯ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウムオキサイド（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）のうち少なくとも一つを含み得る。
具体的に、第１オーム層１３１は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ジンク（Ｚｎ）、ジンクオキサイド（ＺｎＯ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウムオキサイド（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）のうち少なくとも一つを含み得る。
次いで、第１オーム層１３１を活性化させるために第１オーム層１３１が形成された基板１００をアニーリングすることができる。例えば、約４００℃程度でアニーリングする ことができる。
前述したように、第１ホール（ｈ１）の幅は、第２ホール（ｈ２）の幅より広くてもよい。したがって、第１ホール（ｈ１）および第２ホール（ｈ２）を埋めたてる第１オーム層１３１は第１ホールの幅と第２ホールの幅が同一である場合、第１ホールおよび第２ホールを埋めたてる第１オーム層より第１導電パターン１１２との接触面積が広くなる。このように、第１オーム層１３１と第１導電パターン１１２の接触面積が広くなると、第１電極（図７の１４０）から印加される電源が第１導電パターン１１２に旨く伝達され得る。
図７を参照すると、絶縁層１２０をエッチングして第２オーム層１３２を露出させる。次いで、第２オーム層１３２上に第２電極１５０を形成して第１オーム層１３１上には第１電極１４０を形成する。
ここで、本発明の第１実施形態による発光素子１をフリップチップタイプで製造するとき、第２電極１５０は反射率が高い物質を使用することができる。第２電極１５０は例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）を使用することができる。発光構造体１１０で発生した光が第２電極１５０に反射して光結晶パターン１０６側に進むようにするためである。このような反射特性を極大化するために、第２電極１５０の面積は例えば、第２導電パターン１１６の上面の面積の少なくとも１／２以上であり得る。第２電極１５０の面積が広くなるほど第２電極１５０に反射する光の量が増加され得る。
反面、本発明の第１実施形態による発光素子１をラテラルタイプで製造するときは、第２電極１５０は透明度が高い物質を使用することができる。例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を使用することができる。発光構造体１１０で発生した光は第２電極１５０を通過して外に放出されるからである。このような透過特性を極大化するために、第２電極１５０の面積を最小化することができるが、例えば、ワイパーボンディングが可能な面積（直径５０μｍ）まで最小化することができる。
ここで、図７を参照して本発明の第１実施形態による発光素子１について詳しく説明する。本発明の第１実施形態による発光素子１は、図１〜図６を利用して説明した製造方法によって製造される。
図７を参照すると、本発明の第１実施形態による発光素子１は、基板１００上に形成されたバッファ層１０８、バッファ層１０８上に形成されて各々金属物質を含み互いに物理的に接続された光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７、光結晶パターン１０６およびパッドパターン１０７が形成されたバッファ層１０８上に順次に形成された第１導電型の第１導電パターン１１２、発光パターン１１４、第２導電型の第２導電パターン１１６を含む発光構造体１１０、第１導電パターン１１２と電気的に接続された第１電極１４０、第２導電パターン１１６と電気的に接続された第２電極１５０を含む。
特に、光結晶パターン１０６の反復的なパターン間の間隔（ａ）は、発光構造体１１０で発生する可視光の波長がλであるとき、隣接したパターンの間の間隔（ａ）はλ／４であり得る。隣接したパターンの間の間隔（ａ）は、必要によってλ／４を中心に多少調節することもできる（すなわち、λ／４より大きくなるか、λ／４より小さくなってもよい）。このように配置された光結晶パターン１０６は、光の進路に影響を及ぼし、光が外部に容易に放出されるようにして光抽出効率を上げる。
具体的に説明すると、発光構造体１１０ではＵＶ光および／または可視光を発生させることができる。例えば、発光構造体１１０で可視光が発生して可視光の波長が４００〜８００ｎｍであれば、光結晶パターン１０６の反復的なパターン間の間隔（ａ）は１００〜４００ｎｍであり得る。
本発明の第１実施形態による発光素子１の動作を説明すると次のとおりである。
図８を参考にすると、第１導電パターン１１２がｎ型であり、第２導電パターン１１６がｐ形である場合、第１バイアス（ＢＩＡＳ（−））は、第１電極１４０、第１オーム層１３１、パッドパターン１０７、光結晶パターン１０６を通して第１導電パターン１１２に印加されて、第２バイアス（ＢＩＡＳ（＋））は、第２電極１５０、第２オーム層１３２を通して第２導電パターン１１６に印加される。第２導電パターン１１６がｎ型であり、第１導電パターン１１２がｐ形である場合、第２バイアス（ＢＩＡＳ（＋））は、第１電極１４０、第１オーム層１３１、パッドパターン１０７、光結晶パターン１０６を通して第１導電パターン１１２に印加されて第１バイアス（ＢＩＡＳ（−））は第２電極１５０、第２オーム層１３２を通して第２導電パターン１１６に印加される。
図８を参考にすると、第１導電パターン１１２がｎ型であり、第２導電パターン１１６がｐ形である場合、第１バイアス（ＢＩＡＳ（−））は、第１電極１４０、第１オーム層１３１、パッドパターン１０７、光結晶パターン１０６を通して第１導電パターン１１２に印加されて、第２バイアス（ＢＩＡＳ（＋））は、第２電極１５０、第２オーム層１３２を通して第２導電パターン１１６に印加される。第２導電パターン１１６がｎ型であり、第１導電パターン１１２がｐ形である場合、第２バイアス（ＢＩＡＳ（＋））は、第１電極１４０、第１オーム層１３１、パッドパターン１０７、光結晶パターン１０６を通して第１導電パターン１１２に印加されて第１バイアス（ＢＩＡＳ（−））は第２電極１５０、第２オーム層１３２を通して第２導電パターン１１６に印加される。
このようにバイアスを印加するとき、発光構造体１１０には順方向バイアスがかかる。順方向バイアスによって発光パターン１１４から光（Ｌ）が発生する。図示していないが、発生した光（Ｌ）は第２電極１５０に反射するか、そのまま光結晶パターン１０６へ向かうことができる。光（Ｌ）は、光結晶パターン１０６を通して外に容易に放出される。光結晶パターン１０６は光（Ｌ）の進路を誘導するため、光（Ｌ）が外部に容易に放出されるようにすることができる。すなわち、光抽出効率が増加する。
図９を参照すると、第１電極１４０に印加された電源が物理的に接続された光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７に伝達されるため、第１電極１４０と第２電極１５０との間のバイアス（例えば、電流）の流れを適切に調節することができる。
具体的に、光結晶パターン１０６は、第１導電パターン１１２と基板１００との間に広く分布しており、光結晶パターン１０６にも第１バイアス（ＢＩＡＳ（−））が印加されている。したがって、図示するように、第２電極１５０から第１電極１４０に流れる電流（Ｉ）は発光構造体１１０のほぼ全領域に行き渡る。すなわち、発光構造体１１０の発光パターン１１４のほぼ全領域で光が発散され得る。したがって、発光量が増加することができる。
（第２実施形態）
図１０〜図１４は、本発明の第２実施形態による発光素子の製造方法を説明するための中間段階図である。本発明の第２実施形態による発光素子としてはフリップチップタイプ（ｆｌｉｐｃｈｉｐ ｔｙｐｅ）を例にあげた。
図１０〜図１４は、本発明の第２実施形態による発光素子の製造方法を説明するための中間段階図である。本発明の第２実施形態による発光素子としてはフリップチップタイプ（ｆｌｉｐｃｈｉｐ ｔｙｐｅ）を例にあげた。
先ず図１のように、基板１００上にバッファ層１０８を形成する。次いで、バッファ層１０８上に光結晶パターン（ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ ｐａｔｔｅｒｎ）１０６とパッドパターン１０７を形成する。
次いで、図４のように、光結晶パターン（ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ ｐａｔｔｅｒｎ）１０６とパッドパターン１０７が形成されたバッファ層１０８上に第１導電層１１２ａ、発光層１１４ａ、第２導電層１１６ａを順次に形成する。
次いで、図１０を参照すると、第２導電層１１６ａ、発光層１１４ａ、第１導電層１１２ａをパターニングし、第１導電パターン１１２、発光パターン１１４、第２導電パターン１１６を含む発光構造体１１０を形成することができる。特に、図示するように発光構造体１１０は下側の幅が上の幅より広くてもよい。すなわち、発光構造体１１０の側壁は傾斜し得る。また、第１導電パターン１１２の幅を第２導電パターン１１６の幅および発光パターン１１４の幅より広くすることで、第１導電パターン１１２が側方向に突出することができる。第１導電パターン１１２の突出した領域の下にはパッドパターン１０７が位置することができる。
図１１を参照すると、発光構造体１１０の上面と側面に絶縁層１２０を形成する。絶縁層１２０は、シリコーン酸化膜、シリコーン窒化膜、アルミニウム酸化膜（Ａｌ2Ｏ3）またはアルミニウム窒化膜（ＡｌＮ）を含み得る。絶縁層１２０は例えば、ＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、熱酸化（ｔｈｅｒｍａｌ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）、電子ビーム蒸着などを利用して形成することができる。
次いで、絶縁層１２０の一部をエッチングして第２導電パターン１１６の上面一部を露出させる。
図１２を参照すると、露出された第２導電パターン１１６上に第２オーム層１３２を形成する。
図１２を参照すると、露出された第２導電パターン１１６上に第２オーム層１３２を形成する。
次いで、絶縁層１２０、第２オーム層１３２上に第２電極１５０を形成する。すなわち、発光構造体１１０の上面と側面、第１導電パターン１１２の突出された領域の上面にも第２電極１５０が形成される。第２電極１５０は、発光構造体１１０を覆うボウル（ｂｏｗｌ）形態であり得る。
図示していないが、第２電極１５０は発光旧初め制１１０の上面にのみ形成されることもできる。
第２電極１５０は、反射率が高い物質を使用することができる。第２電極１５０は例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）を使用することができる。発光構造体１１０で発生した光が第２電極１５０に反射して光結晶パターン１０６側に進むようにするためである。
第２電極１５０は、反射率が高い物質を使用することができる。第２電極１５０は例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）を使用することができる。発光構造体１１０で発生した光が第２電極１５０に反射して光結晶パターン１０６側に進むようにするためである。
図１３を参照すると、絶縁層１２０および第２電極１５０の一部をエッチングし、パッドパターン１０７上に位置する絶縁層１２０を貫通する第１ホール（ｈ１）を形成する。
次いで、第１導電パターン１１２の突出した領域の一部をエッチングしてパッドパターン１０７上に位置する第１導電パターン１１２の一部を貫通する第２ホール（ｈ２）を形成する。ここで、第２ホール（ｈ２）の幅は第１ホール（ｈ１）の幅より狭くても良い。前述したように、第１ホール（ｈ１）を形成することには湿式エッチングを利用することができ、第２ホール（ｈ２）を形成することには乾式エッチングを利用することができる。第１ホール（ｈ１）を形成する湿式エッチングと第２ホール（ｈ２）を形成する乾式エッチングは同一のマスク（例えば、フォトレジストパターン）を利用して形成することができる。
次いで、第１導電パターン１１２の突出した領域の一部をエッチングしてパッドパターン１０７上に位置する第１導電パターン１１２の一部を貫通する第２ホール（ｈ２）を形成する。ここで、第２ホール（ｈ２）の幅は第１ホール（ｈ１）の幅より狭くても良い。前述したように、第１ホール（ｈ１）を形成することには湿式エッチングを利用することができ、第２ホール（ｈ２）を形成することには乾式エッチングを利用することができる。第１ホール（ｈ１）を形成する湿式エッチングと第２ホール（ｈ２）を形成する乾式エッチングは同一のマスク（例えば、フォトレジストパターン）を利用して形成することができる。
図１４を参照すると、第１ホール（ｈ１）と第２ホール（ｈ２）の少なくとも一部を埋めたてる第１オーム層１３１を形成する。次いで、第１オーム層１３１上に第１電極１４０を形成して本発明の第２実施形態による発光素子２を完成する。
ここで、図１４を参照して本発明の第２実施形態による発光素子２について詳しく説明する。
ここで、図１４を参照して本発明の第２実施形態による発光素子２について詳しく説明する。
本発明の第２実施形態による発光素子２が本発明の第１実施形態による発光素子１と異なる点は、第２電極１５０が発光構造体１１０の上部だけでなく、発光構造体１１０の側壁にも形成されているという点である。すなわち、第２電極１５０は発光構造体１１０を覆うボウル（ｂｏｗｌ）形態であり得る。
第２電極１５０が発光構造体１１０の側面に形成されていても（第２電極１５０が発光構造体１１０を囲んでいても）、第２電極１５０と発光構造体１１０との間には絶縁層１２０が形成されているため、第２電極１５０が第１導電パターン１１２と第２導電パターン１１６を電気的に接続させない（すなわち、ショート（ｓｈｏｒｔ）させない）。すなわち、絶縁層１２０が漏洩電流を防止することができる。
また、発光構造体１１０の側壁は傾斜しているため、発光構造体１１０で発生した光は発光構造体１１０を囲んでいる第２電極１５０に反射して光結晶パターン１０６側に容易に放出される。すなわち、側壁が傾斜している発光構造体１１０と、発光構造体１１０のプロファイルに沿って傾斜しており反射率が高い第２電極１５０は光抽出効率をさらに高める。
（第３実施形態）
図１５〜図１９は、本発明の第３実施形態による発光素子の製造方法を説明するための中間段階図である。本発明の第３実施形態による発光素子としてはバーチカルタイプ（ｖｅｒｔｉｃａｌ ｔｙｐｅ）を例にあげた。
図１５〜図１９は、本発明の第３実施形態による発光素子の製造方法を説明するための中間段階図である。本発明の第３実施形態による発光素子としてはバーチカルタイプ（ｖｅｒｔｉｃａｌ ｔｙｐｅ）を例にあげた。
図１５を参照すると、基板１００上に犠牲層１０２、バッファ層１０８、光結晶パターン１０６、パッドパターン１０７を順次に形成する。
具体的に、犠牲層１０２は後述するように、ＬＬＯ（Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ Ｏｆｆ）方法を用いて基板１００を分離するとき、除去される層である。このような犠牲層１０２は例えば、ＧａＮ層を使用することができる。
具体的に、犠牲層１０２は後述するように、ＬＬＯ（Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ Ｏｆｆ）方法を用いて基板１００を分離するとき、除去される層である。このような犠牲層１０２は例えば、ＧａＮ層を使用することができる。
バッファ層１０８は、ＬＬＯ方法を用いるとき光結晶パターン１０６が損傷を受けることを防止して第１導電層、発光層、第２導電層を順次に形成するとき（成長させるとき）シード層（ｓｅｅｄ ｌａｙｅｒ）の役割を果たす。また、バッファ層１０８は、基板１００と第１導電層、発光層、第２発光層の間の格子不整合（ｌａｔｔｉｃｅ ｍｉｓｍａｔｃｈ）を防止するために用いられる。
光結晶パターン１０６は、前述したように、光抽出効率を増加させて側面成長を誘導して小さい欠陥を有する第１導電層、発光層、第２導電層を形成することに使用される。光結晶パターン１０６は、複数の反復的な（または周期的な）パターンを含むように実現することができる。光結晶パターン１０６の複数のパターンは、所定の間隔を有して配置され得るが、発光構造体で発生した光の波長がλであるとき、隣接したパターンの間の間隔はλ／４であり得る。もちろん、隣接したパターンの間の間隔は必要によってλ／４を中心に多少調節することもできる（すなわち、λ／４より多少大きくなるか、λ／４より多少小さくなってもよい。）。
光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７は、前述したように、各々金属物質を含み、互いに物理的に接続することができる。また、光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７は実質的に同一のレベルに形成することができる。
図１６を参照すると、光結晶パターン１０６、パッドパターン１０７が形成されている基板１００上に第１導電層、発光層、第２導電層を順次に成長させる。
次いで、第２導電層、発光層、第１導電層をパターニングして第１導電パターン１１２、発光パターン１１４、第２導電パターン１１６を含む発光構造体１１０を形成する。このとき、発光構造体１１０は下側の幅が上側の幅より広く、発光構造体１１０の側壁は傾斜し得る。
次いで、発光構造体１１０の上面と側面上に絶縁層１２０を形成する。
次いで、絶縁層１２０の一部をエッチングして第２導電パターン１１６の上面一部を露出させる。
次いで、露出された第２導電パターン１１６上に第２オーム層１３２を形成する。
次いで、発光構造体１１０の上面および側面に第２電極１５０を形成する。すなわち、第２オーム層１３２および絶縁層１２０上にコンフォーマルに第２電極１５０を形成する。したがって、第２電極１５０は発光構造体１１０を覆うボウル（ｂｏｗｌ）形態であり得る。
次いで、第２導電層、発光層、第１導電層をパターニングして第１導電パターン１１２、発光パターン１１４、第２導電パターン１１６を含む発光構造体１１０を形成する。このとき、発光構造体１１０は下側の幅が上側の幅より広く、発光構造体１１０の側壁は傾斜し得る。
次いで、発光構造体１１０の上面と側面上に絶縁層１２０を形成する。
次いで、絶縁層１２０の一部をエッチングして第２導電パターン１１６の上面一部を露出させる。
次いで、露出された第２導電パターン１１６上に第２オーム層１３２を形成する。
次いで、発光構造体１１０の上面および側面に第２電極１５０を形成する。すなわち、第２オーム層１３２および絶縁層１２０上にコンフォーマルに第２電極１５０を形成する。したがって、第２電極１５０は発光構造体１１０を覆うボウル（ｂｏｗｌ）形態であり得る。
図１７を参照すると、導電基板２００上に基板１００をボンディングする。このとき、導電基板２００と基板１００との間に第２電極１５０が配置されるようにボンディングする。
具体的に、導電基板２００は例えば、シリコーン、ストレインドシリコン（ｓｔｒａｉｎｅｄ Ｓｉ）、シリコーン アルミニウム（Ｓｉ−Ａｌ）、シリコーン合金、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）、シリコーンカーバイド（ＳｉＣ）、シリコーンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、シリコーンゲルマニウムカーバイド（ＳｉＧｅＣ）、ゲルマニウム、ゲルマニウム合金、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）およびＩＩＩ−Ｖ半導体、ＩＩ−ＶＩ半導体のうち一つであり得る。
基板１００または導電基板２００は、実質的に平たい方が良い（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ ｆｌａｔ）。基板１００または導電基板２００が曲がっていれば、ボンディングし難いからである。後述するが、基板１００と導電基板２００との間に中間物質層２１０が配置されるため（特に、中間物質層２１０が充分な厚さを有する場合）、中間物質層２１０が基板１００または導電基板２００が少し曲がっている程度は補償（ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ）することができる。
例えば、導電基板２００と複数の基板１００は、接着ボンディング（ａｄｈｅｓｉｖｅ ｂｏｎｄｉｎｇ）方式によりボンディングすることができるが、具体的に説明すると次のとおりである。
例えば、導電基板２００と複数の基板１００は、接着ボンディング（ａｄｈｅｓｉｖｅ ｂｏｎｄｉｎｇ）方式によりボンディングすることができるが、具体的に説明すると次のとおりである。
先ず、導電基板２００と複数の基板１００を清潔に洗浄する。導電基板２００のボンディング面と、基板１００のボンディング面は清潔である方が良い。
導電基板２００と基板１００表面に付いている様々な不純物（例えば、パーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅ）、ホコリ（ｄｕｓｔ）など）は汚染ソース（ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ ｓｏｕｒｃｅ）となり得るからである。すなわち、導電基板２００と基板１００を互いにボンディングしたとき、導電基板２００と基板１００との間に前述した不純物があれば、ボンディングエネルギ（ｂｏｎｄｉｎｇ ｅｎｅｒｇｙ）を弱化させ得る。ボンディングエネルギが弱ければ、導電基板２００と基板１００が簡単に分離され得る。
導電基板２００と基板１００表面に付いている様々な不純物（例えば、パーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅ）、ホコリ（ｄｕｓｔ）など）は汚染ソース（ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ ｓｏｕｒｃｅ）となり得るからである。すなわち、導電基板２００と基板１００を互いにボンディングしたとき、導電基板２００と基板１００との間に前述した不純物があれば、ボンディングエネルギ（ｂｏｎｄｉｎｇ ｅｎｅｒｇｙ）を弱化させ得る。ボンディングエネルギが弱ければ、導電基板２００と基板１００が簡単に分離され得る。
次いで、導電基板２００のボンディング面または、基板１００のボンディング面に中間物質層２１０を形成する。図１７では説明の便宜上導電基板２００のボンディング面に中間物質層２１０が形成されていることを図示する。図示していないが、基板１００の第２電極１５０のプロファイルによってコンフォーマルに中間物質層２１０をさらに形成するか、発光構造体１１０の第２電極１５０上面に中間物質層２１０を形成した後導電基板２００とボンディングすることもできる。
中間物質層２１０は、導電性物質例えば、金属層であり得る。中間物質層２１０が金属層である場合、金属層は例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｔｉのうち少なくとも一つを含み得る。すなわち、金属層はＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｔｉの単一層であり得、これらの積層物であり得、これらの組み合わせであり得る。例えば、金属層は、Ａｕの単一層であり得、Ａｕ−Ｓｎ二重層であり得、ＡｕとＳｎを交互に数回積層したマルチ層でもあり得る。このような中間物質層２１０は、第２電極１５０に比べて反射率は低い物質であり得る。
図示していないが、第２電極１５０と中間物質層２１０との間にベリーオ層が形成されていることもできる。ベリーオ層は、光の反射役割を果たす第２電極１５０が損傷しないようにする。このようなベリーオ層は、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗの単一層であり得、これらの積層物であり得、これらの組み合わせであり得る。例えば、ＴｉＷとＰｔを交互に数回積層したマルチ層でもあり得る。
次いで、基板１００に形成された第２電極１５０と導電基板２００のボンディング面が対向するようにする。
次いで、導電基板２００と基板１００を熱処理してボンディングする。熱処理をしながら導電基板２００と基板１００を圧搾してボンディングすることもできる。
次いで、基板１００に形成された第２電極１５０と導電基板２００のボンディング面が対向するようにする。
次いで、導電基板２００と基板１００を熱処理してボンディングする。熱処理をしながら導電基板２００と基板１００を圧搾してボンディングすることもできる。
中間物質層２１０としてＡｕの単一層を使用する場合、熱圧搾が例えば、約２００℃〜４５０℃の温度で行うことができるが、この温度は当業者によって適切に調節され得る。
しかし、スループット（ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ）を高めるために、図１８で示すように、基板１００と導電基板２００をボンディングするとき、一つの導電基板２００に複数の基板１００をボンディングすることもできる。具体的に、導電基板２００は基板１００より大きい。すなわち、導電基板２００と基板１００を重なっておいたとき、前にある導電基板２００に遮られて基板１００が見えないことを意味する。例えば、導電基板２００と基板１００が円形の場合には、導電基板２００の直径が基板１００の直径より大きい。例えば、導電基板２００の直径は６インチ（約１５０ｍｍ）以上であり、基板１００の直径は６インチ未満であり得る。導電基板２００と基板１００が四角形の場合には、導電基板２００の対角線の長さが基板１００の対角線の長さより大きくてもよい。複数の基板１００各々に形成された第２電極１５０と、導電基板２００のボンディング面が対向するようにする。
しかし、スループット（ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ）を高めるために、図１８で示すように、基板１００と導電基板２００をボンディングするとき、一つの導電基板２００に複数の基板１００をボンディングすることもできる。具体的に、導電基板２００は基板１００より大きい。すなわち、導電基板２００と基板１００を重なっておいたとき、前にある導電基板２００に遮られて基板１００が見えないことを意味する。例えば、導電基板２００と基板１００が円形の場合には、導電基板２００の直径が基板１００の直径より大きい。例えば、導電基板２００の直径は６インチ（約１５０ｍｍ）以上であり、基板１００の直径は６インチ未満であり得る。導電基板２００と基板１００が四角形の場合には、導電基板２００の対角線の長さが基板１００の対角線の長さより大きくてもよい。複数の基板１００各々に形成された第２電極１５０と、導電基板２００のボンディング面が対向するようにする。
スループットが問題にならなければ、基板１００と導電基板２００のサイズが類似し、一つの導電基板２００に一つの基板１００のみをボンディングしてもよい。
図１９を参照すると、犠牲層１０２を除去することによって基板１００を除去する。
具体的に、基板１００を除去することにはＬＬＯ（Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ Ｏｆｆ）工程またはＣＬＯ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）工程を利用することができる。
図１９を参照すると、犠牲層１０２を除去することによって基板１００を除去する。
具体的に、基板１００を除去することにはＬＬＯ（Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ Ｏｆｆ）工程またはＣＬＯ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）工程を利用することができる。
ＬＬＯ工程を例にあげれば次のとおりである。
レーザは基板１００側から照射されて、相対的に小さい面積を有しているため、相対的に広い面積の基板１００をスキャンする。レーザを利用して犠牲層１０２を除去する。そうすると、レーザが照射される部分から順次に基板１００が分離し始める。
レーザは基板１００側から照射されて、相対的に小さい面積を有しているため、相対的に広い面積の基板１００をスキャンする。レーザを利用して犠牲層１０２を除去する。そうすると、レーザが照射される部分から順次に基板１００が分離し始める。
一方、レーザリフトオフ工程によって発光素子が損傷を受けることを防止するためにＬＬＯ工程前に基板１００の厚さを薄くすることができる。前述したように、レーザが照射される部分から順次に基板１００が分離されるため、基板１００が分離されるときの物理的力によって発光構造体１１０が割れるか損傷され得る。しかし、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程などにより、基板１００の厚さをあらかじめ薄くすると、基板１００が分離されるときの物理的な力が減少するため発光構造体１１０の損傷を減らすことができる。
また、バッファ層１０８は、第１電極１４０がＬＬＯ工程で損傷することを防止する。
図１９を参照すると、基板１００が除去された後露出されたバッファ層１０８の一部をエッチングしてパッドパターン１０７を露出させる。
次いで、パッドパターン１０７の少なくとも一部が露出するようにバッファ層１０８の一部をエッチングする。
次いで、パッドパターン１０７の露出された領域上に第１オーム層１３１を形成する。
次いで、第１電極１４０を第１オーム層１３１上に形成して本発明の第３実施形態による発光素子３を完成する。
図１９を参照すると、基板１００が除去された後露出されたバッファ層１０８の一部をエッチングしてパッドパターン１０７を露出させる。
次いで、パッドパターン１０７の少なくとも一部が露出するようにバッファ層１０８の一部をエッチングする。
次いで、パッドパターン１０７の露出された領域上に第１オーム層１３１を形成する。
次いで、第１電極１４０を第１オーム層１３１上に形成して本発明の第３実施形態による発光素子３を完成する。
このように完成された本発明の第３実施形態による発光素子３は、導電基板２００上に形成されたボウル（ｂｏｗｌ）形態の第２電極１５０、第２電極１５０上に順次に形成され、第２導電パターン１１６、発光パターン１１４、第１導電パターン１１２を含む発光構造体１１０、第１導電パターン１１２上に形成される光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７を含む。光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７は、各々金属物質を含み、実質的に同一のレベルに形成されて互いに物理的に接続することができる。
また、バッファ層１０８は、光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７が形成された第１導電パターン１１２上に形成されてパッドパターン１０７の少なくとも一部を露出させる。パッドパターン１０７の露出された領域上には第１オーム層１３１が形成されて第１電極１４０は第１オーム層１３１上に形成される。すなわち、第１電極１４０と第１導電パターン１１２は第１オーム層１３１により電気的に接続する。
バッファ層１０８は、第１導電パターン１１２に比べて抵抗が高くてもよい。なぜなら、第１導電パターン１１２は、第１導電型のドーパント（ｄｏｐａｎｔ）でドーピングされているが、バッファ層１０８はそうでないこともあり得るからである。したがって、第１電極１４０に印加される電源のレベルを大幅落とさず、パッドパターン１０７および第１導電パターン１１２に伝達するため、第１電極１４０とパッドパターン１０７は第１オーム層１３１により電気的に接続することができる。
（第４実施形態）
図２０は、本発明の第４実施形態による発光素子を説明するための図である。
図２０を参照すると、本発明の第４実施形態による発光素子４が第３実施形態と異なる点は、ボウル（ｂｏｗｌ）形態の第２電極１５０に突起１５１が形成されており、このような突起によって第２電極１５０内に形成されている発光構造体１１０内にはフォーム１１８が形成されるという点である。
図２０は、本発明の第４実施形態による発光素子を説明するための図である。
図２０を参照すると、本発明の第４実施形態による発光素子４が第３実施形態と異なる点は、ボウル（ｂｏｗｌ）形態の第２電極１５０に突起１５１が形成されており、このような突起によって第２電極１５０内に形成されている発光構造体１１０内にはフォーム１１８が形成されるという点である。
このような突起１５１またはフォーム１１８を基準として発光構造体１１０は一側（例えば、図２０の左側）と他側（例えば、図２０の右側）に区分することができる。第１電極１４０のパッドパターンは、発光構造体１１０のタ側上に配置され、第１電極１４０の光結晶パターン１０６は発光構造体１１０の一側上に配置され得る。
このように配置されても、パッドパターン１０７と光結晶パターン１０６は、物理的に接続しており、第１電極１４０に印加された電源がパッドパターン１０７を経て光結晶パターン１０６まで伝達される。第１電極１４０と第２電極１５０との間の電流の流れは適切に調節することができ、したがって、光発散効率が増加することができる。
以下では前述した発光素子（１〜４）を利用して製造した発光装置を説明する。説明の便宜のために本発明の第１実施形態による発光素子１を利用した発光装置を図示したが、本発明の権利範囲がこれに限定されるものではない。本発明が属する技術における当業者は発光素子（２〜４）を利用しても類似に発光装置を構築できることは自明である。
（第１実施形態）
図２１Ａは、本発明の第１実施形態による発光装置を説明するための図である。
図２１Ａを参照すると、本発明の第１実施形態による発光装置１１は回路基板３００と、回路基板３００上に配置された発光素子１を含む。発光素子１は、サブマウント（ｓｕｂｍｏｕｎｔ）２５０により回路基板３００と接続することができる。
図２１Ａは、本発明の第１実施形態による発光装置を説明するための図である。
図２１Ａを参照すると、本発明の第１実施形態による発光装置１１は回路基板３００と、回路基板３００上に配置された発光素子１を含む。発光素子１は、サブマウント（ｓｕｂｍｏｕｎｔ）２５０により回路基板３００と接続することができる。
回路基板３００は、互いに電気的に分離された第１導電領域３１０、第２導電領域３２０を含む。第１導電領域３１０および第２導電領域３２０は回路基板３００の一面に配置されている。
サブマウント２５０も互いに電気的に分離された第３導電領域２６０、第４導電領域２７０を含む。第３導電領域２６０および第４導電領域２７０はサブマウント２５０の一面に配置されている。
サブマウント２５０も互いに電気的に分離された第３導電領域２６０、第４導電領域２７０を含む。第３導電領域２６０および第４導電領域２７０はサブマウント２５０の一面に配置されている。
発光素子１の第２電極１５０は、サブマウント２５０の第３導電領域２６０と導電性ソルダ２８０により接続され、第３導電領域２６０は、第１導電領域３１０とワイヤー３３２により接続され得る。発光素子１の第１電極１４０は、サブマウント２５０の第４導電領域２７０と導電性ソルダ２８０により接続され、第４導電領域２７０は第２導電領域３２０とワイヤー３３２により接続され得る。図２１Ａに図示する接続方式は本発明が属する技術の当業者によって変更できることは自明である。
（第２実施形態）
図２１Ｂは、本発明の第２実施形態による発光装置を説明するための図である。
図２１Ｂを参照すると、本発明の第２実施形態による発光装置１２が第１実施形態と異なる点は、回路基板３００が貫通ビア（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｖｉａ）３１６、３２６を具備するという点である。
図２１Ｂは、本発明の第２実施形態による発光装置を説明するための図である。
図２１Ｂを参照すると、本発明の第２実施形態による発光装置１２が第１実施形態と異なる点は、回路基板３００が貫通ビア（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｖｉａ）３１６、３２６を具備するという点である。
具体的に、回路基板３００の一面には互いに電気的に分離された第１導電領域３１０および第２導電領域３２０が形成されており、回路基板３００の他面には互いに電気的に分離された第５導電領域３１２および第６導電領域３２２が形成されている。第１導電領域３１０と第５導電領域３１２は、第１貫通ビア３１６により接続され、第２導電領域３２０と第６導電領域３２２は第２貫通ビア３２６により接続される。
一方、図面に図示していないが、発光素子１の第２電極１５０は回路基板３００の第１導電領域３１０と導電性ソルダ２８０により接続され、発光素子１の第１電極１４０は回路基板３００の第２導電領域３２０と導電性ソルダ２８０により接続され、第１導電領域３１０と第５導電領域３１２は第１貫通ビア３１６により接続され、第２導電領域３２０と第６導電領域３２２は第２貫通ビア３２６により接続され得る。
（第３実施形態）
図２１Ｃは、本発明の第３実施形態による発光装置を説明するための図である。
図２１Ｃを参照すると、本発明の第３実施形態による発光装置１３が第１実施形態と異なる点は、サブマウント２５０が導電性基板からなっているという点である。
したがって、第３導電領域２６０とショート（ｓｈｏｒｔ）しないために第４導電領域２７０とサブマウント２５０との間には絶縁膜２７１が介在している。
図２１Ｃは、本発明の第３実施形態による発光装置を説明するための図である。
図２１Ｃを参照すると、本発明の第３実施形態による発光装置１３が第１実施形態と異なる点は、サブマウント２５０が導電性基板からなっているという点である。
したがって、第３導電領域２６０とショート（ｓｈｏｒｔ）しないために第４導電領域２７０とサブマウント２５０との間には絶縁膜２７１が介在している。
また、サブマウント２５０が導電性基板であるため、第１導電領域３１０と第３導電領域２６０はワイヤーなしに導電性基板を通して電気的に接続することができる。反面、第２導電領域３２０と第４導電領域２７０はワイヤー３３２により接続される。
（第４実施形態）
図２２は、本発明の第４実施形態による発光装置を説明するための図である。
図２２を参照すると、本発明の第４実施形態による発光装置１４が第１実施形態と異なる点は、発光素子１を囲む蛍光層３４０と、蛍光層３４０を囲む第２透明樹脂３５０を含むという点である。
図２２は、本発明の第４実施形態による発光装置を説明するための図である。
図２２を参照すると、本発明の第４実施形態による発光装置１４が第１実施形態と異なる点は、発光素子１を囲む蛍光層３４０と、蛍光層３４０を囲む第２透明樹脂３５０を含むという点である。
蛍光層３４０は、第１透明樹脂３４２と蛍光体（ｐｈｏｓｐｈｏｒ）３４４を混合したものであり得る。蛍光層３４０内に分散された蛍光体３４４が発光素子１から出た光を吸収して他の波長の光に波長変換するため、蛍光体の分布が良いほど発光特性が良くなり得る。このようになる場合、蛍光体３４４による波長変換、混色効果などが改善される。図示するように、ワイヤー３３２を保護するために蛍光層３４０はワイヤー３３２より高く形成され得る。
例えば、発光装置１４が白色を作るために蛍光層３４０を形成することができる。発光素子１が青（ｂｌｕｅ）波長の光を放出する場合、蛍光体３４４は黄色（ｙｅｌｌｏｗ）蛍光体を含むことができ、演色評価数（Ｃｏｌｏｒ Ｒｅｎｄｅｒｉｎｇ Ｉｎｄｅｘ、ＣＲＩ）特性を高めるために赤（ｒｅｄ）蛍光体も含み得る。または、発光素子１がＵＶ波長の光を放出する場合、蛍光体３４４はＲＧＢ（Ｒｅｄ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅ）すべてを含み得る。
第１透明樹脂３４２は、蛍光体３４４を安定的に分散可能な材料であれば、特別に限定しなくても良い。例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、硬質シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂などの樹脂を利用することができる。
蛍光体３４４は、発光構造体１１０から光を吸収して他の波長の光に波長変換する物質であれば良い。例えば、Ｅｕ、Ｃｅなどのランタノイド系元素によって主に活力を受ける窒化物系／酸窒化物系蛍光体、Ｅｕなどのランタノイド系、Ｍｎなどの遷移金属系の元素によって主に活力を受けるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ほう酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、またはＣｅなどのランタノイド系元素によって主に活力を受ける希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩またはＥｕなどのランタノイド系元素によって主に活力を受ける有機および有機錯体などから選択される少なくとも何れか一つ以上であることが好ましい。具体的な例として次のような蛍光体を用いることができるが、これに限定されない。
Ｅｕ、Ｃｅなどのランタノイド系元素によって主に活力を受ける窒化物系蛍光体は、Ｍ2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕ（ＭはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選択される少なくとも一つ）などがある。また、Ｍ2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕ他、ＭＳｉ7Ｎ10：Ｅｕ、 Ｍ1.8Ｓｉ5Ｏ0.2Ｎ8：Ｅｕ、 Ｍ0.9Ｓｉ7Ｏ0.1Ｎ10：Ｅｕ（ＭはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選択される少なくとも一つ）などもある。
Ｅｕ、Ｃｅなどのランタノイド系元素によって主に活力を受ける酸窒化物系蛍光体は、ＭＳｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ（ＭはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選択される少なくとも一つ）などがある。
Ｅｕなどのランタノイド系、Ｍｎなどの遷移金属界の元素によって主に活力を受けるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体にはＭ5（ＰＯ4）3 Ｘ：Ｒ（ＭはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選択される少なくとも一つ、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選択される少なくとも一つ、ＲはＥｕ、Ｍｎ、Ｅｕから選択される少なくとも一つ）などがある。
アルカリ土類金属ほう酸ハロゲン蛍光体にはＭ2Ｂ5Ｏ9Ｘ：Ｒ（ＭはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選択される少なくとも一つ、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選択される少なくとも一つ、ＲはＥｕ、Ｍｎ、Ｅｕで選択される少なくとも一つ）などがある。
アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体にはＳｒＡｌ2Ｏ4：Ｒ、 Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｒ、 ＣａＡｌ2Ｏ4：Ｒ、 ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｒ、 ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ12：Ｒ、 ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｒ（ＲはＥｕ、Ｍｎ、Ｅｕから選択される何れか一つ）などがある。
アルカリ土類乳化物蛍光体にはＬａ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、 Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、 Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕなどがある。
Ｃｅなどのランタノイド系元素によって主に活力を受ける希土類アルミン酸塩蛍光体にはＹ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、Ｙ3（Ａｌ0.8Ｇａ0.2）5 Ｏ12：Ｃｅ、 （Ｙ、Ｇｄ）3 （Ａｌ、Ｇａ）5 Ｏ12の助成式で示すＹＡＧ系蛍光体などがある。また、Ｙの一部あるいは全部をＴｂ、Ｌｕなどで置換したＴｂ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、Ｌｕ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅなどもある。
Ｃｅなどのランタノイド系元素によって主に活力を受ける希土類アルミン酸塩蛍光体にはＹ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、Ｙ3（Ａｌ0.8Ｇａ0.2）5 Ｏ12：Ｃｅ、 （Ｙ、Ｇｄ）3 （Ａｌ、Ｇａ）5 Ｏ12の助成式で示すＹＡＧ系蛍光体などがある。また、Ｙの一部あるいは全部をＴｂ、Ｌｕなどで置換したＴｂ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、Ｌｕ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅなどもある。
アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体にはシリケート（ｓｉｌｉｃａｔｅ）で構成され得、代表的な蛍光体として（ＳｒＢａ）2ＳｉＯ4：Ｅｕなどがある。
その他の蛍光体にはＺｎＳ：Ｅｕ、Ｚｎ2ＧｅＯ4：Ｍｎ、ＭＧａ2Ｓ4：Ｅｕ（ＭはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選択される少なくとも一つ、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選択される少なくとも一つ）などがある。
その他の蛍光体にはＺｎＳ：Ｅｕ、Ｚｎ2ＧｅＯ4：Ｍｎ、ＭＧａ2Ｓ4：Ｅｕ（ＭはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選択される少なくとも一つ、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選択される少なくとも一つ）などがある。
前述した蛍光体は、必要によってＥｕの代わりにするか、またはＥｕに加えてＴｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉから選択される１種以上を含有させることもできる。
また、前述した蛍光体以外の蛍光体として、同一の性能、効果を有する蛍光体も使用することができる。
また、前述した蛍光体以外の蛍光体として、同一の性能、効果を有する蛍光体も使用することができる。
第２透明樹脂３５０は、レンズ形態を有して発光素子１から出た光を拡散する役割を果たす。第２透明樹脂３５０の曲律、平坦度（ｆｌａｔｎｅｓｓ）を調節することによって拡散／抽出特性を調節することができる。また、第２透明樹脂３５０は蛍光層３４０を囲むように形成されて蛍光層３４０を保護する役割を果たす。蛍光体３４２は湿気などに接触する場合特性が悪化することができるからである。
第２透明樹脂３５０は、光を透過する材料であれば、如何なるものでも可能である。例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、硬質シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネート、ポリイミドなどを利用することができる。
（第５実施形態）
図２３は、本発明の第５実施形態による発光装置を説明するための図である。図２３を参照すると、蛍光体３４４が発光素子１、回路基板３００のプロファイルに沿って形成されている。
図２３は、本発明の第５実施形態による発光装置を説明するための図である。図２３を参照すると、蛍光体３４４が発光素子１、回路基板３００のプロファイルに沿って形成されている。
このような場合、蛍光体３４４は、別途の第１透明樹脂（図２２の３４２参照）なしに塗布されることもできる。
別途の第１透明樹脂なしに蛍光体３４４が塗布された場合であれば、発光素子１を囲む透明樹脂は単一層になる（すなわち、３４２なしで３５０が単一層になる）。
別途の第１透明樹脂なしに蛍光体３４４が塗布された場合であれば、発光素子１を囲む透明樹脂は単一層になる（すなわち、３４２なしで３５０が単一層になる）。
（第６実施形態）
図２４は、本発明の第６実施形態による発光装置を説明するための図である。
図２４を参照すると、本発明の第６実施形態による発光装置１６が第３実施形態と異なる点は、発光素子１を囲む第１透明樹脂３４２、第１透明樹脂３４２上に形成された蛍光体３４４、蛍光体３４４上に形成された第２透明樹脂３５０を含むという点である。
すなわち、第１透明樹脂３４２と蛍光体３４４を混ぜて塗布せず、別々に塗布したため、蛍光体３４４は第１透明樹脂３４２の表面に沿ってコンフォーマルに薄く形成することができる。
図２４は、本発明の第６実施形態による発光装置を説明するための図である。
図２４を参照すると、本発明の第６実施形態による発光装置１６が第３実施形態と異なる点は、発光素子１を囲む第１透明樹脂３４２、第１透明樹脂３４２上に形成された蛍光体３４４、蛍光体３４４上に形成された第２透明樹脂３５０を含むという点である。
すなわち、第１透明樹脂３４２と蛍光体３４４を混ぜて塗布せず、別々に塗布したため、蛍光体３４４は第１透明樹脂３４２の表面に沿ってコンフォーマルに薄く形成することができる。
（第７実施形態）
図２５は、本発明の第７実施形態による発光装置を説明するための図である。本発明の第７実施形態による発光装置は、トップビュータイプ発光パッケージを図示しているが、これに限定されるものではない。
図２５を参照すると、発光素子１がマウントされたサブマウント２５０がパッケージ本体２１０上に配置されている。具体的に、パッケージ本体２１０内部にスロット（ｓｌｏｔ）２１２が形成されており、発光素子１がマウントされたサブマウント２５０がスロット２１２内に配置され得る。特に、スロット（ｓｌｏｔ）２１２は側壁が傾斜し得る。発光素子１で発生した光は側壁に反射して前に進むことができる。発光素子１で発生した光がスロット２１２の側壁に反射する程度、反射角度、スロット２１２を満たす透明樹脂層の種類、蛍光体の種類などを考慮してスロット２１２のサイズを決定した方がよい。また、サブマウント２５０がスロット２１２の中に置かれた方がよい。発光素子１と側壁までの距離が同一になれば、色度の不均一を容易防止することができる。
図２５は、本発明の第７実施形態による発光装置を説明するための図である。本発明の第７実施形態による発光装置は、トップビュータイプ発光パッケージを図示しているが、これに限定されるものではない。
図２５を参照すると、発光素子１がマウントされたサブマウント２５０がパッケージ本体２１０上に配置されている。具体的に、パッケージ本体２１０内部にスロット（ｓｌｏｔ）２１２が形成されており、発光素子１がマウントされたサブマウント２５０がスロット２１２内に配置され得る。特に、スロット（ｓｌｏｔ）２１２は側壁が傾斜し得る。発光素子１で発生した光は側壁に反射して前に進むことができる。発光素子１で発生した光がスロット２１２の側壁に反射する程度、反射角度、スロット２１２を満たす透明樹脂層の種類、蛍光体の種類などを考慮してスロット２１２のサイズを決定した方がよい。また、サブマウント２５０がスロット２１２の中に置かれた方がよい。発光素子１と側壁までの距離が同一になれば、色度の不均一を容易防止することができる。
このようなパッケージ本体２１０は、耐光性が優れたシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂、イミド樹脂などの有機物質やガラス、シリカゲルなどの耐光性が優れた無機物質を利用することができる。また、製造工程時の熱で樹脂が溶融しないように熱強化性樹脂を使用することができる。また、樹脂の熱応力を緩和させるために窒化アルミニウム、酸化アルミニウムおよびこのような複合混合物などの各種フィラーを混入してもよい。また、パッケージ本体２１０は、樹脂に限定されない。パッケージ本体２１０の一部（例えば、側壁）、または全部に金属材料やセラミックス材料を使用することもできる。例えば、パッケージ本体２１０全部に金属材料を使用する場合、発光素子１で発生した熱を外部に放出することが容易である。
また、パッケージ本体２１０には発光素子１と電気的に接続されたリード２１４ａ、２１４ｂが設置される。発光素子１は、サブマウント２５０と電気的に接続し、サブマウント２５０とリード２１４ａ、２１４ｂはビアにより接続することができる。一方、リード２１４ａ、２１４ｂは熱伝導性が高い物質を使用した方がよい。発光素子１で発生した熱がリード２１４ａ、２１４ｂにより直接外部に放出されることができるからである。
図示していないが、スロットの少なくとも一部は透明樹脂層で満たすことができる。また、透明樹脂層上に蛍光体が形成されていることもできる。または透明樹脂層と蛍光体が混ざっていてもよい。
例えば、白色を作るために蛍光体を使用する場合は次のとおりにすることができる。発光素子１がブルー（ｂｌｕｅ）波長の光を放出する場合、蛍光体２６４は黄色（ｙｅｌｌｏｗ）蛍光体を含み得、演色評価数（Ｃｏｌｏｒ Ｒｅｎｄｅｒｉｎｇ Ｉｎｄｅｘ、ＣＲＩ）特性を高めるために赤（ｒｅｄ）蛍光体も含み得る。または、発光素子１がＵＶ波長の光を放出する場合、蛍光体はＲＧＢ（Ｒｅｄ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅ）すべてを含み得る。
例えば、白色を作るために蛍光体を使用する場合は次のとおりにすることができる。発光素子１がブルー（ｂｌｕｅ）波長の光を放出する場合、蛍光体２６４は黄色（ｙｅｌｌｏｗ）蛍光体を含み得、演色評価数（Ｃｏｌｏｒ Ｒｅｎｄｅｒｉｎｇ Ｉｎｄｅｘ、ＣＲＩ）特性を高めるために赤（ｒｅｄ）蛍光体も含み得る。または、発光素子１がＵＶ波長の光を放出する場合、蛍光体はＲＧＢ（Ｒｅｄ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅ）すべてを含み得る。
（第８実施形態）
図２６〜図２８は、本発明の第８実施形態による発光装置を説明するための図である。具体的に、図２６〜図２８は、複数の発光素子が回路基板に配列された発光素子アレイを説明するための図である。特に、図２７および図２８は、発光素子アレイ上に蛍光層３４０と第２透明樹脂３５０が形成された形態を例示的に示すものである。
図２６〜図２８は、本発明の第８実施形態による発光装置を説明するための図である。具体的に、図２６〜図２８は、複数の発光素子が回路基板に配列された発光素子アレイを説明するための図である。特に、図２７および図２８は、発光素子アレイ上に蛍光層３４０と第２透明樹脂３５０が形成された形態を例示的に示すものである。
先ず図２６を参照すると、回路基板３００上に第１導電領域３１０と第２導電領域３２０が並ぶように一方向に延長されている。発光素子１は、第１および第２導電領域３１０、３２０の延長方向に沿って一列に配置される。前述したように、発光素子１の第２電極１５０はサブマウント２５０、ワイヤー３３２により第１導電領域３１０と接続することができ、発光素子１の第１電極１４０はサブマウント２５０、ワイヤー３３２により第２導電領域３２０と接続することができる。
第１導電領域３１０および第２導電領域３２０に適切なバイアスが印加されれば、発光素子１内部の発光構造体（図示せず）に順方向バイアスがかかると、発光素子１は光を発散する。
第１導電領域３１０および第２導電領域３２０に適切なバイアスが印加されれば、発光素子１内部の発光構造体（図示せず）に順方向バイアスがかかると、発光素子１は光を発散する。
ここで、図２７を参照すると、蛍光層３４０と第２透明樹脂３５０は、ラインタイプで形成することができる。例えば、図２７のように発光素子１が第１導電領域３１０の延長方向に沿って配置された場合、蛍光層３４０と第２透明樹脂３５０も第１導電領域３１０の延長方向に沿って配置され得る。また、蛍光層３４０と第２透明樹脂３５０は、第１導電領域３１０と第２導電領域３２０をすべて囲むように形成することができる。
図２８を参照すると、蛍光層３４０と第２透明樹脂３５０はドットタイプで形成することができる。各蛍光層３４０と各第２透明樹脂３５０は、対応する発光素子１のみを囲むように形成することができる。
（第９実施形態）
図２９は、本発明の第９実施形態による発光装置を説明するための図である。
本発明の第９実施形態による発光装置は最終製品（ｅｎｄ ｐｒｏｄｕｃｔ）であることを図２９に示す。図２９の発光装置は、照明装置、表示装置、モバイル装置（携帯電話、ＭＰ３プレーヤ、ナビゲーション（Ｎａｖｉｇａｔｉｏｎ）など）のような様々な装置に適用され得る。図２９に示す例示的装置は、液晶表示装置（ＬＣＤ）で使用するエッジ型（ｅｄｇｅ ｔｙｐｅ）バックライトユニット（Ｂａｃｋ Ｌｉｇｈｔ Ｕｎｉｔ：ＢＬＵ）である。液晶表示装置は、自体光源がないため、バックライトユニットが光源として使用され、バックライトユニットは主に液晶パネルの後方から照明する。
図２９は、本発明の第９実施形態による発光装置を説明するための図である。
本発明の第９実施形態による発光装置は最終製品（ｅｎｄ ｐｒｏｄｕｃｔ）であることを図２９に示す。図２９の発光装置は、照明装置、表示装置、モバイル装置（携帯電話、ＭＰ３プレーヤ、ナビゲーション（Ｎａｖｉｇａｔｉｏｎ）など）のような様々な装置に適用され得る。図２９に示す例示的装置は、液晶表示装置（ＬＣＤ）で使用するエッジ型（ｅｄｇｅ ｔｙｐｅ）バックライトユニット（Ｂａｃｋ Ｌｉｇｈｔ Ｕｎｉｔ：ＢＬＵ）である。液晶表示装置は、自体光源がないため、バックライトユニットが光源として使用され、バックライトユニットは主に液晶パネルの後方から照明する。
図２９を参照すると、バックライトユニットは発光素子１、導光板４１０、反射板４１２、拡散シート４１４、一対のプリズムシート４１６を含む。
発光素子１は光を提供する役割を果たす。ここで、使用される発光素子１はサイドビュータイプであり得る。
発光素子１は光を提供する役割を果たす。ここで、使用される発光素子１はサイドビュータイプであり得る。
導光板４１０は液晶パネル４５０に提供される光を案内する役割を果たす。導光板４１０はアクリルのようなプラスチック系列の透明な物質のパネルで形成されて、発光装置１１から発生した光が導光板４１０の上部に配置された液晶パネル４５０側に進むようにする。したがって、導光板４１０の背面には導光板４１０内部に入射した光の進行方向を液晶パネル４５０側に変換させるための各種パターン４１２ａが印刷されている。
反射板４１２は導光板４１０の下部面に設置されて導光板４１０の下部に放出される光を上部に反射する。反射板４１２は、導光板４１０背面の各種パターン４１２ａにより反射されない光を再び導光板４１０の出射面側に反射させる。このようにすることで、光損失を減らすと共に導光板４１０の出射面に透過する光の均一度を向上させる。
拡散シート４１４は導光板４１０から出た光を分散させることによって光が部分的に密集することを防止する。
プリズムシート４１６上部面に三角柱形状のプリズムが一定の配列を有して形成されており、通常２枚のシートで構成されて各々のプリズム配列が互いに所定の角度で交錯するように配置されて拡散シート４１４で拡散された光を液晶パネル４５０に垂直方向に進むようにする。
プリズムシート４１６上部面に三角柱形状のプリズムが一定の配列を有して形成されており、通常２枚のシートで構成されて各々のプリズム配列が互いに所定の角度で交錯するように配置されて拡散シート４１４で拡散された光を液晶パネル４５０に垂直方向に進むようにする。
（他の実施形態）
図３０〜図３３は、本発明の第１０〜１３の実施形態による発光装置を説明するための図である。
図３０〜図３３では、前述した発光装置が適用された例示的な装置（最終製品、ｅｎｄ ｐｒｏｄｕｃｔ）を示す。図３０は、プロジェクタを、図３１は、自動車のヘッドライトを、図３２は、街灯を、図３３は、照明灯を図示した。図３０〜図３３で使用される発光素子１はトップビュータイプであり得る。
図３０〜図３３は、本発明の第１０〜１３の実施形態による発光装置を説明するための図である。
図３０〜図３３では、前述した発光装置が適用された例示的な装置（最終製品、ｅｎｄ ｐｒｏｄｕｃｔ）を示す。図３０は、プロジェクタを、図３１は、自動車のヘッドライトを、図３２は、街灯を、図３３は、照明灯を図示した。図３０〜図３３で使用される発光素子１はトップビュータイプであり得る。
図３０を参照すると、光源４１０から出た光はコンデンスレンズ（ｃｏｎｄｅｎｓｉｎｇ ｌｅｎｓ）４２０、カラーフィルタ４３０、シャープニングレンズ（ｓｈａｒｐｅｎｉｎｇ ｌｅｎｓ）４４０を通過してＤＭＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ ｄｅｖｉｃｅ）４５０に反射してプロジェクションレンズ（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ ｌｅｎｓ）４８０を通過してスクリーン４９０に到達する。光源４１０内には本願発明の発光素子が装着されている。
以上添付された図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想や必須の特徴を変更しない範囲で他の具体的な形態で実施され得ることを理解することができる。したがって、以上で記述した実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的でないものと理解しなければならない。
１〜４：発光素子、１０６：光結晶パターン、１０７：パッドパターン、１１０：発光構造体、１１２：第１導電パターン、１１４：発光パターン、１１６：第２導電パターン、１４０：第１電極、１５０：第２電極。
Claims (12)
- 基板上にバッファ層を形成するステップと、
前記バッファ層上に光結晶パターンとパッドパターンを形成し、前記光結晶パターンと前記パッドパターンは、各々金属物質を含み、互いに物理的に接続されるステップと、
前記光結晶パターンと前記パッドパターンが形成されたバッファ層上に順次に積層された第１導電型の第１導電パターン、発光パターン、第２導電型の第２導電パターンを含む発光構造体を形成するステップと、
前記第１導電パターンと電気的に接続された第１電極と、前記第２導電パターンと電気的に接続された第２電極を形成するステップと、
を含む発光素子の製造方法。 - 前記光結晶パターンと前記パッドパターンは、実質的に同一のレベルに形成される請求項１に記載の発光素子の製造方法。
- 前記光結晶パターンは、複数の反復的なパターンを含み、
前記発光構造体で発生する光の波長がλであるとき、前記複数の反復的なパターンのうち互いに隣接したパターンの間の間隔はλ／４である請求項１に記載の発光素子の製造方法。 - 前記光結晶パターンは、ライン形態またはメッシュ形態である請求項１に記載の発光素子の製造方法。
- 前記パッドパターンの幅は、約４０≡以下である請求項１に記載の発光素子の製造方法。
- 前記第２電極は、前記発光構造体の上部または側壁に形成される請求項１に記載の発光素子の製造方法。
- 前記発光構造体を形成するステップは、
前記光結晶パターンと前記パッドパターンが形成されたバッファ層上に順次に第１導電型の第１導電層、発光層、第２導電型の第２導電層を形成し、
前記第２導電層、発光層、第１導電層をパターニングし、前記第２導電パターン、前記発光パターン、前記第１導電パターンを含む発光構造体を完成し、前記第１導電パターンの幅が前記第２導電パターンの幅および前記発光パターンの幅より広いため、前記第１導電パターンが側方向に突出され、前記第１導電パターンの突出された領域の下には前記パッドパターンが位置することを特徴とする請求項１に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第１電極と前記第２電極を形成するステップは、
前記発光構造体を形成した後、前記発光構造体上に第２電極を形成するステップと、
前記基板と導電基板をボンディングし、前記第２電極が前記基板と前記導電基板の間に配置されるようにボンディングするステップと、
前記基板を除去するステップと、
前記バッファ層上に第１電極を形成するステップと、
を含む請求項１に記載の発光素子の製造方法。 - 請求項１ないし請求項８のうち何れか一項の発光素子の製造方法を利用する発光装置の製造方法。
- 基板上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層上に形成され、各々金属物質を含み互いに物理的に接続された光結晶パターンとパッドパターンと、
前記光結晶パターンおよびパッドパターンが形成されたバッファ層上に順次に形成された第１導電型の第１導電パターン、発光パターン、第２導電型の第２導電パターンを含む発光構造体と、
前記第１導電パターンと電気的に接続された第１電極と、
前記第２導電パターンと電気的に接続された第２電極とを含む発光素子。 - 導電基板と、
前記導電基板上に形成された第２電極と、
前記第２電極上に順次に形成されて第２導電型の第２導電パターン、発光パターン、第１導電型の第１導電パターンを含む発光構造体と、
前記第１導電パターン上に形成されて各々金属物質を含み互いに物理的に接続される光結晶パターンとパッドパターンと、
前記光結晶パターンとパッドパターンが形成された第１導電パターン上に形成されて前記パッドパターンの少なくとも一部を露出させるバッファ層と、
前記露出したパッドパターン上に形成された第１電極とを含む発光素子。 - 請求項１０または請求項１１の発光素子を含む発光装置。
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011233893A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-11-17 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子、発光素子パッケージ、及び照明システム |
| JP2011238913A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-24 | Imec | 発光ダイオードの製造方法 |
| JP2012124330A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2012169435A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Stanley Electric Co Ltd | 光半導体素子 |
| WO2014006763A1 (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-09 | ウェーブスクエア，インコーポレイテッド | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2014103314A (ja) * | 2012-11-21 | 2014-06-05 | Ichikoh Ind Ltd | Ｌｅｄチップ、車両用灯具の半導体型光源、車両用灯具 |
| JP2015032809A (ja) * | 2013-08-07 | 2015-02-16 | ソニー株式会社 | 発光素子、発光素子ウェーハ及び電子機器 |
| US9627588B2 (en) | 2010-06-17 | 2017-04-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing an optoelectronic semiconductor chip, and optoelectronic semiconductor chip |
| JP2019129176A (ja) * | 2018-01-22 | 2019-08-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置の製造方法、及び、発光装置 |
| CN113711370A (zh) * | 2019-04-22 | 2021-11-26 | 亮锐有限责任公司 | 具有设置在由嵌入式纳米结构层和反射器限定的光学腔内的有源区的led |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100030472A (ko) * | 2008-09-10 | 2010-03-18 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법, 상기 방법을 이용하여 제조한 발광 소자 및 발광 장치 |
| KR101081166B1 (ko) * | 2009-09-23 | 2011-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지 |
| KR20110052131A (ko) * | 2009-11-12 | 2011-05-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101103892B1 (ko) * | 2009-12-08 | 2012-01-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 발광소자 패키지 |
| US8722441B2 (en) * | 2010-01-21 | 2014-05-13 | Siphoton Inc. | Manufacturing process for solid state lighting device on a conductive substrate |
| US8674383B2 (en) * | 2010-01-21 | 2014-03-18 | Siphoton Inc. | Solid state lighting device on a conductive substrate |
| KR101658838B1 (ko) * | 2010-02-04 | 2016-10-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
| KR101039988B1 (ko) * | 2010-03-09 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
| TWI417478B (zh) * | 2010-08-19 | 2013-12-01 | Delta Electronics Inc | 燈具模組 |
| TWI492423B (zh) * | 2010-10-18 | 2015-07-11 | Advanced Optoelectronic Tech | 覆晶式led封裝結構 |
| TWI458129B (zh) * | 2010-12-21 | 2014-10-21 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體晶片結構及其製造方法 |
| KR101890457B1 (ko) * | 2011-08-10 | 2018-08-21 | 헵타곤 마이크로 옵틱스 피티이. 리미티드 | 광전자 모듈 및 그것을 제조하기 위한 방법 |
| KR101804408B1 (ko) | 2011-09-05 | 2017-12-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| KR101233234B1 (ko) * | 2011-09-08 | 2013-02-14 | 전북대학교산학협력단 | 내재전극에 메탈 콜로이드가 채워진 발광다이오드 및 그 제조방법 |
| CN102361053B (zh) * | 2011-11-01 | 2013-05-01 | 东南大学 | 一种光子晶体结构发光二极管 |
| KR101279073B1 (ko) * | 2011-11-21 | 2013-06-26 | 포항공과대학교 산학협력단 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
| GB2500232B (en) * | 2012-03-14 | 2015-07-22 | Lamda Guard Technologies Ltd | An optical device |
| KR101233063B1 (ko) * | 2012-04-19 | 2013-02-19 | (주)휴넷플러스 | 나노 급 패턴이 형성된 고효율 질화물계 발광다이오드용 기판의 제조방법 |
| US8796693B2 (en) * | 2012-12-26 | 2014-08-05 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Successive ionic layer adsorption and reaction process for depositing epitaxial ZnO on III-nitride-based light emitting diode and light emitting diode including epitaxial ZnO |
| JP2015050256A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体発光装置 |
| US9698053B2 (en) | 2013-11-25 | 2017-07-04 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Laser liftoff of epitaxial thin film structures |
| US10168450B2 (en) * | 2013-12-27 | 2019-01-01 | Sunasic Technologies, Inc. | Silicon wafer having colored top side |
| CN106489204B (zh) * | 2014-07-18 | 2020-12-22 | 亮锐控股有限公司 | 光源 |
| KR102255305B1 (ko) * | 2014-10-14 | 2021-05-24 | 삼성전자주식회사 | 수직형 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 |
| TWI583019B (zh) * | 2015-02-17 | 2017-05-11 | 新世紀光電股份有限公司 | Light emitting diode and manufacturing method thereof |
| CN111293199A (zh) * | 2017-01-20 | 2020-06-16 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光二极管封装结构、发光二极管封装模块 |
| CN108878605B (zh) * | 2018-05-04 | 2020-01-14 | 厦门三安光电有限公司 | 发光元件、发光元件阵列及其发光装置 |
| KR20210000351A (ko) | 2019-06-24 | 2021-01-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치 |
| TWI730460B (zh) * | 2019-10-18 | 2021-06-11 | 進化光學有限公司 | 高出光效率的背接觸式全彩ｌｅｄ顯示面板及其製造方法 |
| US20230154968A1 (en) * | 2021-11-12 | 2023-05-18 | Lumileds Llc | Thin-film led array with low refractive index patterned structures |
| CN115207182B (zh) * | 2022-09-15 | 2022-12-13 | 南昌凯捷半导体科技有限公司 | 具有P面薄膜导电层的红光mini LED及其制备方法 |
Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000058918A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2003142732A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Sharp Corp | オーミック電極、ｎ型電極、窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2004521509A (ja) * | 2001-04-26 | 2004-07-15 | サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・レシェルシュ・サイエンティフィーク | 光取り出し手段を持つ電界発光素子 |
| JP2005064475A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-03-10 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP3108273U (ja) * | 2004-06-18 | 2005-04-14 | 炬▲きん▼科技股▲ふん▼有限公司 | 白光発光ダイオードの垂直電極構造 |
| JP2006295124A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-10-26 | Sharp Corp | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| JP2006339656A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 発光ダイオード |
| WO2007049939A1 (en) * | 2005-10-29 | 2007-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| JP2007157850A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| WO2007089089A1 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-09 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting diode and method of fabricating the same |
| JP2007214576A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2007258700A (ja) * | 2006-03-21 | 2007-10-04 | Lg Electronics Inc | 垂直型発光素子及びその製造方法 |
| JP2007273975A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-10-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光素子 |
| JP2008041866A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
| JP2008053602A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
| JP2008053425A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2008133180A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-06-12 | Siltron Inc | 金属層上に成長した化合物半導体基板、その製造方法、及びそれを用いた化合物半導体素子 |
| JP2008187059A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3925753B2 (ja) * | 1997-10-24 | 2007-06-06 | ソニー株式会社 | 半導体素子およびその製造方法ならびに半導体発光素子 |
| US20060273324A1 (en) * | 2003-07-28 | 2006-12-07 | Makoto Asai | Light-emitting diode and process for producing the same |
| WO2005018008A1 (ja) * | 2003-08-19 | 2005-02-24 | Nichia Corporation | 半導体素子 |
| TWI223460B (en) * | 2003-09-23 | 2004-11-01 | United Epitaxy Co Ltd | Light emitting diodes in series connection and method of making the same |
| KR100568300B1 (ko) | 2004-03-31 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100669142B1 (ko) | 2005-04-20 | 2007-01-15 | (주)더리즈 | 발광 소자와 이의 제조 방법 |
| US7173289B1 (en) * | 2005-09-08 | 2007-02-06 | Formosa Epitaxy Incorporation | Light emitting diode structure having photonic crystals |
| JP4462249B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2010-05-12 | ソニー株式会社 | 発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法 |
| US20080128734A1 (en) * | 2006-01-06 | 2008-06-05 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
| KR100858923B1 (ko) | 2006-09-29 | 2008-09-17 | 고려대학교 산학협력단 | 질화갈륨 박막 제조용 단결정 기판, 질화갈륨 박막제조방법 및 질화갈륨 박막 제조용 단결정 기판으로 제조된질화갈륨 박막을 포함하는 발광다이오드 및레이저다이오드 |
| US20080121903A1 (en) * | 2006-11-24 | 2008-05-29 | Sony Corporation | Method for manufacturing light-emitting diode, light-emitting diode, lightsource cell unit, light-emitting diode backlight, light-emitting diode illuminating device, light-emitting diode display, and electronic apparatus |
| TWI322522B (en) * | 2006-12-18 | 2010-03-21 | Delta Electronics Inc | Electroluminescent device, and fabrication method thereof |
| US7576364B2 (en) * | 2007-02-15 | 2009-08-18 | Chi Mei Optoelectronics Corp. | Display device and method of manufacturing the same |
| KR20100030472A (ko) * | 2008-09-10 | 2010-03-18 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법, 상기 방법을 이용하여 제조한 발광 소자 및 발광 장치 |
-
2008
- 2008-09-10 KR KR1020080089441A patent/KR20100030472A/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-08-10 US US12/462,819 patent/US7960196B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-31 TW TW098129268A patent/TWI460884B/zh active
- 2009-09-10 JP JP2009209589A patent/JP2010067984A/ja active Pending
-
2011
- 2011-05-03 US US13/099,869 patent/US8288755B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000058918A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2004521509A (ja) * | 2001-04-26 | 2004-07-15 | サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・レシェルシュ・サイエンティフィーク | 光取り出し手段を持つ電界発光素子 |
| JP2003142732A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Sharp Corp | オーミック電極、ｎ型電極、窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2005064475A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-03-10 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP3108273U (ja) * | 2004-06-18 | 2005-04-14 | 炬▲きん▼科技股▲ふん▼有限公司 | 白光発光ダイオードの垂直電極構造 |
| JP2006295124A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-10-26 | Sharp Corp | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| JP2006339656A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 発光ダイオード |
| WO2007049939A1 (en) * | 2005-10-29 | 2007-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| JP2007157850A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| WO2007089089A1 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-09 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting diode and method of fabricating the same |
| JP2007214576A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2007273975A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-10-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光素子 |
| JP2007258700A (ja) * | 2006-03-21 | 2007-10-04 | Lg Electronics Inc | 垂直型発光素子及びその製造方法 |
| JP2008041866A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
| JP2008053425A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2008053602A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
| JP2008133180A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-06-12 | Siltron Inc | 金属層上に成長した化合物半導体基板、その製造方法、及びそれを用いた化合物半導体素子 |
| JP2008187059A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011238913A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-24 | Imec | 発光ダイオードの製造方法 |
| JP2011233893A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-11-17 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子、発光素子パッケージ、及び照明システム |
| US9627588B2 (en) | 2010-06-17 | 2017-04-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing an optoelectronic semiconductor chip, and optoelectronic semiconductor chip |
| JP2012124330A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2012169435A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Stanley Electric Co Ltd | 光半導体素子 |
| WO2014006763A1 (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-09 | ウェーブスクエア，インコーポレイテッド | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JPWO2014006763A1 (ja) * | 2012-07-04 | 2016-06-02 | ビービーエスエイ リミテッドＢＢＳＡ Ｌｉｍｉｔｅｄ | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2014103314A (ja) * | 2012-11-21 | 2014-06-05 | Ichikoh Ind Ltd | Ｌｅｄチップ、車両用灯具の半導体型光源、車両用灯具 |
| JP2015032809A (ja) * | 2013-08-07 | 2015-02-16 | ソニー株式会社 | 発光素子、発光素子ウェーハ及び電子機器 |
| US9716127B2 (en) | 2013-08-07 | 2017-07-25 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Light-emitting element having an optical function film including a reflection layer |
| JP2019129176A (ja) * | 2018-01-22 | 2019-08-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置の製造方法、及び、発光装置 |
| CN113711370A (zh) * | 2019-04-22 | 2021-11-26 | 亮锐有限责任公司 | 具有设置在由嵌入式纳米结构层和反射器限定的光学腔内的有源区的led |
| JP2022526801A (ja) * | 2019-04-22 | 2022-05-26 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 埋設ナノ構造化層および反射器により定められた光キャビティ内に配置された活性領域を有するｌｅｄ |
| US11942571B2 (en) | 2019-04-22 | 2024-03-26 | Lumileds Llc | LED with active region disposed within an optical cavity defined by an embedded nanostructured layer and a reflector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8288755B2 (en) | 2012-10-16 |
| US7960196B2 (en) | 2011-06-14 |
| US20100062554A1 (en) | 2010-03-11 |
| KR20100030472A (ko) | 2010-03-18 |
| TW201017936A (en) | 2010-05-01 |
| TWI460884B (zh) | 2014-11-11 |
| US20110204325A1 (en) | 2011-08-25 |
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| US8889448B2 (en) | Method of fabricating a light-emitting element | |
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