KR100568300B1 - 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, AlN로 이루어진 다결정 또는 비정질 기판과, 상기 AlN기판 상에 형성되며, 스트라이프형상 또는 격자형상으로 이루어진 복수개의 유전체 패턴과, 상기 유전체 패턴이 형성된 AlN기판 상에 측면성장법으로 형성된 측면성장 질화물 반도체층과, 상기 질화물 반도체층 상에 형성된 제1 도전형 질화물 반도체층과, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 질화물 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자을 제공한다.
본 발명에 따르면, 사파이어기판 또는 SiC기판에 비해 우수한 열전도성과 기계적 특성을 갖는 AlN 다결정 또는 비정질기판과 측면성장법을 이용하여 고품질 질화물 반도체층을 형성함으로써 우수한 특성을 갖는 질화물 반도체 발광소자를 보다 저렴한 비용으로 제공할 수 있다.
질화물 반도체 발광소자(nitride semiconductor light emitting diode), AlN 다결정기판(AlN polycrystal substrate), 측면성장법(lateral epitaxial overgrowth)

Description

질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법{Nitride Semiconductor Light Emitting Diode and Method of Producing The Same }
도1은 종래의 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 측단면도이다.
도2는 본 발명의 일실시형태에 따른 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 측단면도이다.
도3a 내지 도3f는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
31: AlN 다결정 기판 32: 버퍼층
33: 유전체 패턴 34: 측면성장 질화물 반도체층
35: n형 질화물 반도체층 36: 활성층
37: p형 질화물 반도체층 38: 투명전극층
39a,39b: n 및 p측 전극
본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 AlN 다결정 또는 비정질 기판을 갖는 질화물 반도체 발광소자과 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 질화물 반도체 결정은 가시광 전체영역뿐만 아니라, 자외선 영역에 이르는 넓은 범위의 빛을 생성할 수 있다는 특성 때문에, 발광다이오드(LED) 또는 레이저다이오드(LD)형태의 가시광 및 자외선 LED와 청록색 광소자를 제조하는 물질로 각광받고 있다.
이러한 질화물 반도체 결정은 보다 고효율의 광소자를 제조하기 위해서는, 질화물 반도체를 고품위의 단결정 박막으로 성장시키는 기술이 필수적으로 요구된다. 하지만, Ⅲ족 질화물 반도체는 그 격자상수 및 열팽창계수에 적합한 기판이 보편적이지 않으므로, 단결정 박막을 성장하는 자체에 어려움이 있다.
질화물 반도체 결정을 성장하기 위해서, 사파이어(Al2O3)기판 또는 SiC기판와 같은 제한된 기판이 이용된다. 예를 들어, 사파이어 기판 상에 유기금속화학기상증착법(MOCVD) 및 분자빔 에피택시법(MBE) 등을 이용한 헤테로- 에피택시(heteroepitaxy)법을 질화물 반도체 결정을 성장시킬 수 있다.
그러나, 이러한 질화물 반도체 단결정 기판을 사용하더라도, 격자상수 및 열 팽창계수의 불일치로 인하여 고품질의 질화물 반도체 단결정을 직접 성장하기 어려우므로, 저온핵생성층과 버퍼층이 추가로 사용된다. 도1은 종래의 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 측단면도이다.
도1에 도시된 바와 같이, 종래의 질화물 반도체 발광소자(10)는 사파이어 기판(11) 상에 형성된 n형 질화물 반도체층(15), 다중우물구조인 활성층(16) 및 p형 질화물 반도체층(17)을 포함한다. 상기 p형 질화물 반도체층(17)과 상기 활성층(16)의 일부영역이 제거되어 노출된 n형 질화물 반도체층(15)영역에는 n측 전극(19a)이 형성되고, p형 GaN 반도체층(17) 상에는 Ni과 Au을 포함한 투명전극(18)과 p측 전극(19b)이 형성된다.
또한, 상기 사파이어기판 상에는 고품질의 질화물 반도체결정을 성장하기 위해서 소정의 버퍼층이 형성된다. 이러한 버퍼층으로는 AlxGa1-xN(0≤x≤1)과 같은 저온핵성장층이 주로 사용된다.
하지만, 사파이어 기판 위에 저온핵생성층을 형성한 후에 질화물 반도체 단결정을 성장시키더라도, 질화물 반도체 단결정은 약 109 ∼ 약 1010 ㎝-2의 결정결함을 가지며, 특히 이러한 결함은 수직방향으로 전파되어, 누설전류의 원인이 되는 악영향을 줄 수 있다.
한편, 종래의 사파이어기판 또는 SiC기판은 AlN 다결정 또는 비정질기판에 비해 고가이며, 열전도도 및 기계적 특성이 낮으므로, 제조비용이 증가하고, 소자의 특성을 저하시키는 문제가 있을 수 있다. 그러나, AlN 다결정 또는 비정질기판 은 질화물단결정층을 성장시키기 위해 적합하지 않으므로, 질화물 반도체 발광소자의 기판으로 사용되지 못하고 있다.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제를 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 AlN 다결정 또는 비정질기판 상에 측면성장법(lateral epitaxial overgrowth: LEO)으로 성장된 고품질의 질화물 반도체층을 포함한 질화물 반도체 발광소자를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 AlN 다결정 또는 비정질기판 상에 측면성장법을 이용하여 고품질의 질화물 반도체층을 형성하는 반도체 발광소자의 제조방법을 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위해서, 본 발명은
AlN로 이루어진 다결정 또는 비정질 기판과, 상기 AlN기판 상에 형성되며, 스트라이프형상 또는 격자형상으로 이루어진 복수개의 유전체 패턴과, 상기 유전체 패턴이 형성된 AlN기판 상에 측면성장법으로 형성된 측면성장 질화물 반도체층과, 상기 질화물 반도체층 상에 형성된 제1 도전형 질화물 반도체층과, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 질화물 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
바람직하게는, 상기 AlN 기판은 소정의 면방향으로 요철이 형성된 상면을 갖는다.
본 발명의 일실시형태에서, 상기 질화물 반도체 발광소자는 상기 AlN기판 상에 형성된 버퍼층을 더 포함할 수 있다. 바람직하게는 상기 버퍼층은 AlxGa1-xN(0≤x≤1)인 물질로 이루어진 저온핵성장층일 수 있다.
또한, 상기 버퍼층은 소정의 면방향으로 요철이 형성된 상면을 갖는 것이 바람직하다.
본 발명에서 채용되는 유전체패턴은 SiO2 또는 SiN로 이루어질 수 있으며, 상기 측면성장되는 질화물 반도체층은 제1 도전형 불순물을 포함한 질화물 반도체층으로 형성되어, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층과 동일한 도전형인 클래드층으로서 제공될 수 있다.
상기 제1 도전형 질화물 반도체층은 p형 질화물 반도체층이며, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층은 n형 질화물 반도체층일 수 있다. 이 경우에는, 상대적으로 전기적 저항이 낮은 n형 질화물 반도체층을 캡핑층(capping layer)으로 사용하므로, 오믹콘택을 위한 투명전극층을 생략할 수도 있다.
나아가, 본 발명은 새로운 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.
상기 방법은, AlN로 이루어진 다결정 또는 비정질 기판을 제공하는 단계와,상기 AlN기판 상에 스트라이프형상 또는 격자형상으로 이루어진 복수개의 유전체패턴을 형성하는 단계와, 상기 유전체패턴이 형성된 AlN기판 상에 측면성장법을 이용하여 측면성장 질화물 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 질화물 반도체층 상에 제1 도전형 질화물 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계와, 상기 활성층 상에 제2 도전형 질화물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
바람직하게는, 상기 AlN 기판 상에 소정의 면방향으로 요철이 형성되도록, 상기 AlN 기판 상면을 에칭하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 에칭하는 단계는, 상기 AlN기판 상에 NaOH를 포함한 에칭액을 이용하여 습식에칭을 적용하는 단계일 수 있다.
본 발명의 일실시형태에서는, 상기 유전체 패턴을 형성하는 단계 전에, AlN 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 바람직하게, 상기 버퍼층은 AlxGa1-xN(0≤x≤1)인 물질로 이루어진 저온핵성장층일 수 있다. 본 실시형태에서는, 상기 버퍼층 상에 소정의 면방향으로 요철이 형성되도록, 상기 버퍼층 상면을 에칭하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 유전체패턴은 SiO2 또는 SiN로 이루어질 수 있다. 상기 측면성장 질화물 반도체층은 제1 도전형 불순물을 포함한 질화물 반도체층일 수 있으며, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층은 p형 질화물 반도체층이며, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층은 n형 질화물 반도체층일 수 있다.
상기 측면성장 질화물 반도체층은 Al을 포함한 질화물 반도체층인 경우에, 상기 측면성장 질화물 반도체층을 형성하는 단계는, Cl계 가스 또는 Br계 가스를 주입하면서, 측면성장법을 이용하여 상기 측면성장 질화물 반도체층을 형성하는 단계일 수 있다. 이러한 Br계 가스 또는 Cl계 가스로는, Br2, Cl2, CBr4, CCl4, HBr 및 HCl로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함한 가스가 사용될 수 있다.
본 발명은 종래의 사파이어기판 또는 SiC기판을 대체하여 AlN 다결정 또는 비정질기판 상에 질화물 반도체층을 형성함으로써 새로운 형태의 질화물 반도체 소자를 제공한다. 즉, 스트라이프상 또는 격자상인 유전체패턴을 이용한 측면성장법을 통해 고품질의 질화물 반도체층을 성장시키며, 보다 바람직하게는 AlN 다결정 또는 비정질 기판 상에 NaOH과 같은 소정의 에칭액을 적용하여 원하는 면방향을 갖는 요철부를 형성함으로써 보다 양질의 질화물 반도체층을 성장시킬 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.
도2는 본 발명의 일실시형태에 따른 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 측단면도이다.
상기 질화물 반도체 발광소자(20)는 AlN 다결정 기판(21)을 포함한다. 상기 AlN 다결정기판(21) 상에는 스트라이프상 또는 격자상으로 복수개의 유전체패턴(23)이 나란히 배열되도록 제공된다. 상기 유전체 패턴이 형성된 AlN 다결정기판(21) 상에는 측면성장법으로 성장된 측면성장 질화물 반도체층(24)이 제공되며, 상기 질화물 반도체(24) 상에는 n형 질화물 반도체층(25), 다중우물구조인 활성층(26) 및 p형 질화물 반도체층(27)이 순차적으로 형성된다.
또한, 상기 p형 질화물 반도체층(27) 상에는 접촉저항을 감소시키기 위해, Ni/Au과 같은 투명전극층(28)이 형성되며, 상기 투명전극층(28)과 n형 질화물 반도체층(25)영역에는 각각 p측 전극(29b)과 n측 전극(29a)이 제공된다.
상기 AlN 다결정기판(21) 상에 형성된 측면성장 질화물 반도체층(24)은 스트라이프상 또는 격자상인 유전체패턴(23)을 이용한 측면성장법(lateral epitaxial overgrowth: LEO)에 의해 형성된다. 따라서, 이종물질의 계면 사이에 발생된 전위는 측방향을 따라 유전체패턴(23) 상으로 결정성장되므로, 통상의 성장방식과 달리, 수직방향으로 진행되는 결함을 크게 감소시킬 수 있다. 따라서, 활성층 등까지 전파되는 전위를 감소시킴으로써 결정결함으로 인한 누설전류도 크게 감소시킬 수 있다. 이러한 유전체패턴(23)은 SiO2 또는 SiN로 이루어질 수 있다.
본 발명에서 채용된 측면성장 질화물 반도체층(24)은 언도프 질화물 반도체 층으로 형성될 수 있으나, 이와 달리 그 상부에 형성된 질화물 반도체층(25)과 동일한 도전형을 갖는 질화물 반도체층으로 형성될 수도 있다.
예를 들어, 본 실시형태에서는, n형 불순물을 주입하여 측면성장함으로써 n형 측면성장 질화물 반도체층(24)을 형성할 수 있으며, 그 상부에 형성된 n형 질화물 반도체층(25)과 일체로 n측 클래드층을 구성할 수 있다.
또한, 본 실시형태와 달리, p형 질화물 반도체층을 AlN 다결정 기판과 활성층 사이에 배치하고, n형 질화물 반도체층을 활성층 상부에 배치되는 구조로 제공될 수 있다. 이 경우에, n형 질화물 반도체층은 p형 질화물 반도체층에 비해 상대적으로 낮은 전기저항을 가지므로, 도2에서 p형 질화물 반도체층(27) 상부에 형성된 투명전극구조(28)를 생략할 수 있다.
도3a 내지 도3f는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도이다.
우선, 도3a와 같이, AlN 다결정기판(31)을 마련한다. 이와 같이, 본 발명에서는 사파이어기판을 사용하지 않고 비교적 높은 열전도도와 우수한 기계적 특성을 갖는 AlN 다결정기판(31)을 사용한다.
또한, 도시된 바와 같이, 추가적으로 AlN 다결정기판(31)의 상면에 대해 원하는 결정면을 갖는 요철부(31a)가 형성되도록 에칭을 실시하는 것이 바람직하다. 일반적으로 결정면 방향에 따라 에칭률이 다르므로, NaOH 등과 같은 에칭액을 이용하여 습식에칭을 적용함으로써 불규칙한 각 요철부(31a)는 특정 면방향으로 주된 면방향을 갖게 될 수 있다. 이러한 요철부(31a)의 주된 면방향은 후속공정에서 질화물 단결정층을 형성하는데 보다 유리한 성장면 조건을 제공할 수 있다. 예를 들어, 적합한 요철형상은 AlN 다결정기판(31) 상에 NaOH 에칭액을 약 60℃에서 10분간 적용함으로써 얻어질 수 있다.
이어, 도3b와 같이, AlN 다결정 기판(31) 상에 버퍼층(32)을 제공할 수 있다. 본 발명에서 버퍼층(32)은 보다 우수한 질화물 결정을 얻기 위해 선택적으로 제공될 수 있다. 상기 버퍼층(32)으로는 조성식 AlxGa1-xN(0≤x≤1)을 만족하는 물질이 제공될 수 있다. 예를 들어, AlN, GaN 또는 AlGaN 등으로 구성되는 저온핵성층이 사용될 수 있다. 본 단계에서는 추가적으로 버퍼층(32) 상에 원하는 결정면을 갖는 요철부가 형성되도록 에칭을 실시할 수도 있다. 이는 상기 설명한 AlN 다결정기판에 대한 에칭공정과 같이, 특정 결정면방향이 주된 면방향으로 갖는 요철부를 형성함으로써 후속공정에서의 질화물 단결정층 성장조건을 유리하게 하기 위함이다. 또한, 이러한 요철부형성을 위한 에칭공정은 AlN 다결정기판(31)에서 실시하지 않고, 본 단계에서만 실시할 수도 있으나, 둘 단계에서 모두 실시할 수 있다.
다음으로, 도3c와 같이, 상기 버퍼층(32) 상에 스트라이프형상 또는 격자형 상을 갖는 복수개의 유전체패턴(33)을 형성한다. 상기 유전체 패턴(33)은 상기 버퍼층(32) 전체 상면에 SiO2 및 Si3N4와 같은 유전체 물질을 증착한 후에, 이어 포토리소그래피공정을 이용하여 스트라이프패턴(또는 격자패턴)이 형성되도록 선택적으로 제거함으로써 얻어질 수 있다. 본 실시형태와 달리, 상기 버퍼층(32)이 없는 경우에는, AlN 다결정기판(31) 상면에 직접 유전체 패턴(33)을 제공할 수도 있다.
이어, 도3d와 같이, 상기 스트라이프상 또는 격자상의 유전체패턴(33)을 이용한 측면성장법을 이용하여 질화물 반도체 결정(34)을 성장시킨다. 이러한 성장공정은 통상의 MOCVD, MBE 등의 공정을 이용할 수 있다. 본 단계의 측면성장공정에서는, 상기 유전체패턴(33) 사이에 노출된 상기 버퍼층(32)영역에 질화물 단결정이 1차적으로 성장하고, 이어, 그 성장두께가 유전체 패턴(33)의 높이에 이르며, 유전체 패턴(33)위로 측방향 성장이 진행되어, 최종적으로 유전체패턴(33)을 덮는 측면성장 질화물층(34)을 얻을 수 있다. 측면성장 질화물 반도체층(34)이 AlGaN와 같은 Al을 함유한 질화물 단결정일 경우에는 Al원소가 SiO2 또는 Si3N4와 같은 유전체패턴(33)과 반응성이 높고, 흡착원자(adatom)의 표면이동도(surface mobility)가 낮아 유전체 상에서도 결정이 성장되므로, 고품질 질화물 결정을 성장시키기 어렵다. 따라서, 이 경우에는, Cl계 가스 또는 Br계 가스를 주입하면서, 상기 측면성장 질화물 반도체층(34)을 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 Br계 가스 또는 Cl계 가스로는, Br2, Cl2, CBr4, CCl4, HBr 및 HCl로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나 를 포함한 가스를 사용하는 것이 바람직하다.
다음으로, 도3e와 같이, 상기 측면성장 질화물 반도체층(34) 상에 p형 질화물 반도체층(35), 활성층(36) 및 n형 질화물 반도체층(37)을 성장시킨다. 본 성장공정은 상기 측면성장 질화물 반도체층(34)과 연속적으로 실시될 수 있다. 예를 들어, MOCVD챔버에 배치된 상태에서 상기 질화물반도체층(35,36,37)을 도3d에서 설명된 측면성장 질화물 반도체층(34)과 함께 연속적으로 성장시킬 수 있다. 이 경우에 도3d에서 설명된 측면성장 질화물 반도체층(34)은 언도프영역으로 형성될 수도 있으나, 이와 달리 p형 질화물 반도체층(35)과 같은 p형 불순물을 포함한 층으로 형성되어, p형 질화물 반도체층(35)과 일체로 일측의 클래드층으로서 제공될 수 있다.
이어, 최종적으로, n형 질화물 반도체층(37)과 활성층(36)의 일부영역을 메사에칭하여 노출된 p형 질화물 반도체층(35) 영역에 p측 전극(39a)을 형성하고, n형 질화물 반도체층(37) 상면에는 Ni/Au와 같은 n측 전극(39b)을 형성한다.
본 실시형태와 달리, AlN 다결정 기판 상에 p형 질화물 반도체층을 먼저 형성하고, 활성층을 형성한 후에 상기 활성층 상에 n형 질화물 반도체층을 형성하는 제조방법으로 구현될 수도 있다. 이 경우에, n형 질화물 반도체층은 p형 질화물 반도체층에 비해 상대적으로 낮은 전기저항을 가지므로, p형 질화물 반도체층(37) 상 부에 형성된 투명전극구조(38)를 생략할 수 있다는 잇점이 있다.
이와 같이, 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 명백할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 사파이어기판 또는 SiC기판에 비해 우수한 열전도성과 기계적 특성을 갖는 AlN 다결정 또는 비정질기판을 이용하고, 그 위에 측면성장법을 이용하여 고품질 질화물 반도체층을 형성함으로써 우수한 특성을 갖는 질화물 반도체 발광소자를 보다 저렴한 비용으로 제공할 수 있다.

Claims (20)

  1. AlN로 이루어진 다결정 기판;
    상기 AlN기판 상에 형성되며, 스트라이프상 또는 격자상으로 이루어진 복수개의 유전체 패턴;
    상기 유전체 패턴이 형성된 AlN기판 상에 측면성장법으로 형성된 측면성장 질화물 반도체층;
    상기 질화물 반도체층 상에 형성된 제1 도전형 질화물 반도체층;
    상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층; 및,
    상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 질화물 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 AlN 다결정기판의 상면은 결정면에 따라 형성된 요철을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 AlN기판 상에 형성된 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 버퍼층은 AlxGa1-xN(0≤x≤1)인 물질로 이루어진 저온핵성장층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 버퍼층의 상면은 결정면에 따라 형성된 요철을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 유전체패턴은 SiO2 또는 SiN로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 측면성장 질화물 반도체층은 제1 도전형 불순물을 포함한 질화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전형 질화물 반도체층은 n형 질화물 반도체층이며, 상기 제2 도 전형 질화물 반도체층은 p형 질화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  9. AlN로 이루어진 다결정 기판을 제공하는 단계;
    상기 AlN기판 상에 스트라이프상 또는 격자상으로 이루어진 복수개의 유전체패턴을 형성하는 단계;
    상기 유전체패턴이 형성된 AlN기판 상에 측면성장법을 이용하여 측면성장 질화물 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 질화물 반도체층 상에 제1 도전형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및,
    상기 활성층 상에 제2 도전형 질화물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 AlN 다결정기판 상에 결정면을 따라 요철이 형성되도록, 상기 AlN 기판 상면을 에칭하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 에칭하는 단계는 AlN기판 상에 NaOH를 포함한 에칭액을 이용하여 습식에칭을 적용하는 단계인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 유전체 패턴을 형성하는 단계 전에, AlN 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 버퍼층은 AlxGa1-xN(0≤x≤1)인 물질로 이루어진 저온핵성장층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 버퍼층 상에 결정면을 따라 요철이 형성되도록, 상기 버퍼층 상면을 에칭하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 에칭하는 단계는, 상기 버퍼층 상에 NaOH를 포함한 에칭액을 이용하여 습식에칭을 적용하는 단계인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방 법.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 유전체패턴은 SiO2 또는 SiN로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  17. 제9항에 있어서,
    상기 측면성장 질화물 반도체층은 제1 도전형 불순물을 포함한 질화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  18. 제9항에 있어서,
    상기 제1 도전형 질화물 반도체층은 n형 질화물 반도체층이며, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층은 p형 질화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  19. 제9항에 있어서,
    상기 측면성장 질화물 반도체층은 Al을 포함한 질화물 반도체층이며,
    상기 측면성장 질화물 반도체층을 형성하는 단계는,
    Cl계 가스 또는 Br계 가스를 주입하면서, 측면성장법을 이용하여 상기 측면 성장 질화물 반도체층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 Br계 가스 또는 상기 Cl계 가스는,
    Br2, Cl2, CBr4, CCl4, HBr 및 HCl로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함한 가스인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
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