KR101103892B1 - 발광소자 및 발광소자 패키지 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (23)
- 발광구조물; 및상기 발광구조물 상에 패턴을 포함하는 제1 전극;을 포함하며,상기 발광구조물의 상면 면적 중 상기 제1 전극의 면적 비율인 필링팩터(Filling Factor)가 20% 이하를 차지하는 발광소자.
- 제1 항에 있어서,상기 패턴의 크기는 0.45a 이상인(단, a는 패턴의 주기) 발광소자.
- 제1 항에 있어서,상기 필링팩터는상기 발광구조물 상면에서 전체적으로 균일한 발광소자.
- 제1 항에 있어서,상기 필링팩터는상기 발광구조물 상면에서 전체적으로 균일하지 않은 발광소자.
- 제4 항에 있어서,상기 제1 전극 상에 패드전극을 더 포함하고상기 패드전극으로부터 제1 거리에 있는 제1 영역의 필링팩터는 상기 패드전극으로부터 상기 제1 거리보다 멀리 있는 제2 거리의 제2 영역의 필링팩터 보다 낮은 발광소자.
- 제1 항에 있어서,상기 제1 전극은오믹층을 포함하는 발광소자.
- 제6 항에 있어서,상기 오믹층은 투명 오믹층을 포함하는 발광소자.
- 제7 항에 있어서,상기 투명 오믹층은 10 nm 이하의 두께로 형성되는 발광소자.
- 제1 항에 있어서,상기 제1 전극은,상기 발광구조물 상에 오믹층; 및상기 오믹층 상에 반사층;을 포함하는 발광소자.
- 제1 항에 있어서,굴절률이 1 이상 3 이하이고, 상기 패턴의 적어도 일부분을 채우는 유전체를 더 포함하는 발광소자.
- 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;상기 발광구조물 상에 패턴을 포함하는 제1 전극; 및상기 제1 전극 상에 패드전극;을 포함하며,상기 패드전극을 기준으로 가까운 제1 영역과 멀리 있는 제2 영역 각각의 필링팩터(Filling Factor)(단, 상기 필링팩터는 상기 발광구조물의 상면 면적 중 상기 제1 전극의 면적 비율 )가 같지 않은 발광소자.
- 제11 항에 있어서,상기 제1 영역의 필링팩터는 상기 제2 영역의 필링팩터 보다 낮은 발광소자.
- 제11 항에 있어서,상기 필링팩터(Filling Factor)의 평균은 20% 이하인 발광소자.
- 제11 항에 있어서,상기 패턴의 크기는 0.45a 이상인(단, a는 패턴의 주기) 발광소자.
- 제11 항에 있어서,상기 제1 전극은투명 오믹층을 포함하는 발광소자.
- 제11 항에 있어서,상기 제1 전극은,상기 발광구조물 상에 오믹층; 및상기 오믹층 상에 반사층;을 포함하는 발광소자.
- 제11 항에 있어서,굴절률이 1 이상 3 이하이고, 상기 패턴의 적어도 일부분을 채우는 유전체를 더 포함하는 발광소자.
- 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물과, 상기 발광구조물 상에 패턴을 포함하는 제1 전극을 포함하는 발광소자; 및상기 발광소자가 배치되는 패키지 몸체;를 포함하는 발광소자 패키지.
- 제18 항에 있어서,상기 발광구조물의 상면 면적 중 상기 제1 전극의 면적 비율인 필링팩터(Filling Factor)가 20% 이하인 발광소자 패키지.
- 제19 항에 있어서,상기 패턴의 크기는 0.45a 이상인(단, a는 패턴의 주기) 발광소자 패키지.
- 제19 항에 있어서,상기 필링팩터는상기 발광구조물 상면에서 전체적으로 균일하거나 균일하지 않은 발광소자 패키지.
- 제21 항에 있어서,상기 제1 전극 상에 패드전극을 더 포함하고,상기 패드전극을 기준으로 가까운 제1 영역의 필링팩터(Filling Factor)는 상기 패드전극을 기준으로 상기 제1 영역보다 멀리있는 제2 영역의 필링팩터 보다 낮은 발광소자 패키지.
- 제18 항에 있어서,굴절률이 1 이상 3 이하이고, 상기 패턴의 적어도 일부분을 채우는 유전체를 더 포함하는 발광소자 패키지.
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