JP2010040957A - 抵抗変化型素子および抵抗変化型素子製造方法 - Google Patents
抵抗変化型素子および抵抗変化型素子製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明の抵抗変化型素子Xは、電極1,2と、これらの間に位置する酸化物層3と、酸化物層3および第2電極の間に介在する非酸化性物質層4とを含む積層構造を有し、酸化物層3は、非酸化性物質層4との界面の側において非酸化性物質層4に対向する領域に酸素空孔6が偏在化移動することによって低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、当該領域から酸素空孔6が離反移動することによって高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。このような抵抗変化型素子Xの製造方法は、電極1,2、酸化物層3、および非酸化性物質層4を含む積層構造を形成する工程と、酸化物層3内の酸素の一部を熱拡散によって電極2に至らしめて当該電極2における酸化物層3側の端面を部分的に酸化させる酸化工程とを含む。
【選択図】図3
Description
図5(a)に示す積層構成を有するサンプル素子を、上述の抵抗変化型素子Xの実施例として作製した。本実施例のサンプル素子は、MgO単結晶基板である基板Sと、Ptよりなる電極1と、PrCaMnO3よりなり所定の酸素欠損を伴う含む酸化物層3と、Ptよりなる非酸化性物質層4と、TiOよりなる部分酸化部2aを含んでTi母材により構成される電極2とからなる積層構造を有する。
図6(a)に示す積層構成を有するサンプル素子を、従来の抵抗変化型素子Yたる比較例として作製した。本実施例のサンプル素子は、MgO単結晶基板である基板70と、Ptよりなる電極71と、PrCaMnO3よりなり所定の酸素欠損を伴う含む酸化物層73と、TiOよりなる界面酸化層72aを含んでTi母材により構成される電極72とからなる積層構造を有する。本サンプル素子の作製においては、電極71、酸化物層73、および電極72の各々に対応する所定材料を基板70上に順次成膜した後、各材料膜に対してパターニングを施した。
高抵抗化のために電圧印加すべき時間(パルス幅)についても、低抵抗化のために電圧印加すべき時間(パルス幅)についても、上述のように、実施例のサンプル素子は比較例のサンプル素子よりも相当程度に短い。このことから、実施例のサンプル素子は、比較例のサンプル素子よりも、高速動作の実現に適することが理解できよう。また、図5(b)のグラフに表れているように、実施例のサンプル素子は抵抗状態の切り替わりを示した。当該抵抗スイッチングでは、高抵抗状態と低抵抗状態の間の抵抗値差が大きく、且つ、抵抗スイッチングを数多く繰り返しても抵抗値差に減少は見られなかった。一方、図6(b)のグラフに表れているように、比較例のサンプル素子も抵抗状態の切り替わりを示したが、当該抵抗スイッチングを数多く繰り返すと、両抵抗値が共に上昇し且つ抵抗値差が次第に小さくなった。これらから、実施例のサンプル素子は、比較例のサンプル素子よりも、抵抗スイッチングの繰返し性に優れることが理解できよう。
酸化性金属からなる第2電極と、
前記第1および第2電極の間に位置し且つ酸素空孔が移動可能な酸化物層と、
前記酸化物層および前記第2電極の間に介在する非酸化性物質層と、を含む積層構造を有し、
前記酸化物層は、前記非酸化性物質層との界面の側において当該非酸化性物質層に対向する領域に酸素空孔が偏在化移動することによって低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、前記領域から酸素空孔が離反移動することによって高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である、抵抗変化型素子。
(付記2)前記第2電極は、前記酸化物層側の端面に部分酸化部を有する、付記1に記載の抵抗変化型素子。
(付記3)前記部分酸化部の厚さは10nm以下である、付記2に記載の抵抗変化型素子。
(付記4)前記第2電極は、Ti、Ta、Al、Fe、CoおよびNiからなる群より選択される金属を含んでなる、付記1から3のいずれか一つに記載の抵抗変化型素子。
(付記5)前記非酸化性物質層は、Pt、Au、Ag、RuおよびPdからなる群より選択される金属を含んでなる、付記1から4のいずれか一つに記載の抵抗変化型素子。
(付記6)前記非酸化性物質層は前記第1電極よりも薄い、付記1から5のいずれか一つに記載の抵抗変化型素子。
(付記7)前記非酸化性物質層の厚さは10nm以下である、付記1から6のいずれか一つに記載の抵抗変化型素子。
(付記8)前記酸化物層は、酸素イオン伝導体からなる、付記1から7のいずれか一つに記載の抵抗変化型素子。
(付記9)前記酸化物層は、ペロブスカイト構造型酸化物または蛍石構造型酸化物からなる、付記1から8のいずれか一つに記載の抵抗変化型素子。
(付記10)前記第1電極は非酸化性導電材料からなる、付記1から9のいずれか一つに記載の抵抗変化型素子。
(付記11)前記第1電極は、PtもしくはAuを含む金属またはSrRuO3からなる、付記1から10のいずれか一つに記載の抵抗変化型素子。
(付記12)前記第1電極を正極とし且つ第2電極を負極として当該第1および第2電極の間に電圧を印加することによって前記高抵抗状態を達成可能であり、前記第1電極を負極とし且つ第2電極を正極として当該第1および第2電極の間に電圧を印加することによって前記低抵抗状態を達成可能である、付記1から11のいずれか一つに記載の抵抗変化型素子。
(付記13)第1電極と、酸化性金属からなる第2電極と、当該第1および第2電極の間に位置する酸化物層と、当該酸化物層および前記第2電極の間に介在する非酸化性物質層と、を含む積層構造を形成する工程と、
前記酸化物層内の酸素の一部を熱拡散によって前記第2電極に至らしめて当該第2電極における前記酸化物層側の端面を部分的に酸化させる酸化工程と、を含む、抵抗変化型素子製造方法。
(付記14)前記酸化工程では、真空中において、少なくとも前記酸化物層を加熱する、付記12に記載の抵抗変化型素子製造方法。
S,70 基板
1,2,71,72 電極
2a 部分酸化部
3,53 酸化物層
3a 界面空孔部
4 非酸化性物質層
5 酸素イオン
6 酸素空孔
Claims (5)
- 第1電極と、
酸化性金属からなる第2電極と、
前記第1および第2電極の間に位置し且つ酸素空孔が移動可能な酸化物層と、
前記酸化物層および前記第2電極の間に介在する非酸化性物質層と、を含む積層構造を有し、
前記酸化物層は、前記非酸化性物質層との界面の側において当該非酸化性物質層に対向する領域に酸素空孔が偏在化移動することによって低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、前記領域から酸素空孔が離反移動することによって高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である、抵抗変化型素子。 - 前記第2電極は、前記酸化物層側の端面に部分酸化部を有する、請求項1に記載の抵抗変化型素子。
- 前記非酸化性物質層は、Pt、Au、Ag、RuおよびPdからなる群より選択される金属を含んでなる、請求項1または2に記載の抵抗変化型素子。
- 前記第1電極を正極とし且つ第2電極を負極として当該第1および第2電極の間に電圧を印加することによって前記高抵抗状態を達成可能であり、前記第1電極を負極とし且つ第2電極を正極として当該第1および第2電極の間に電圧を印加することによって前記低抵抗状態を達成可能である、請求項1から3のいずれか一つに記載の抵抗変化型素子。
- 第1電極と、酸化性金属からなる第2電極と、当該第1および第2電極の間に位置する酸化物層と、当該酸化物層および前記第2電極の間に介在する非酸化性物質層と、を含む積層構造を形成する工程と、
前記酸化物層内の酸素の一部を熱拡散によって前記第2電極に至らしめて当該第2電極における前記酸化物層側の端面を部分的に酸化させる酸化工程と、を含む、抵抗変化型素子製造方法。
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