JP2010040625A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. ベース基材上に樹脂層を形成する工程と、
   前記樹脂層上に犠牲導体層を形成する工程と、
   前記犠牲導体層上に、所要の配線パターンの形状に応じてパターニングされた開口部を有するドライフィルムレジスト層を形成する工程と、
   前記開口部から露出している前記犠牲導体層の部分を除去後、前記樹脂層の露出している部分に溝を形成する工程と、
   前記溝の壁面及び底面を含めて前記樹脂層上に、無電解めっきにより第１の導体層を形成する工程と、
   前記第１の導体層で覆われた前記溝内に、電解めっきにより第２の導体層を形成する工程と、
   前記ドライフィルムレジスト層を除去し、さらに前記犠牲導体層が露出した残りの部分を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 前記犠牲導体層と前記第１の導体層とは電気的に接続しており、前記犠牲導体層と前記第１の導体層とを給電層として前記電解めっきを行うことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
3. 前記ドライフィルムレジスト層を形成する工程において、前記開口部を、形成されるべき前記溝のパターン幅よりも大きくパターニングすることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
4. 前記ベース基材上に樹脂層を形成する工程において、少なくとも一方の面に配線層が形成されたベース基材を用意し、該ベース基材の配線層が形成されている側の面を覆って当該樹脂層を形成し、
   前記樹脂層の露出している部分に溝を形成する工程において、さらに当該溝内に前記ベース基材の配線層に達するビアホールを形成し、
   前記第１の導体層を形成する工程において、該第１の導体層をさらに前記ビアホールの壁面及び底面にも形成することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
5. ベース基材上に樹脂層を形成する工程と、
   前記樹脂層上に犠牲導体層を形成する工程と、
   前記犠牲導体層上にドライフィルムレジスト層を形成する工程と、
   所要の配線パターンの形状に応じて前記ドライフィルムレジスト層の上から前記犠牲導体層を貫通して前記樹脂層に、当該配線パターンの形状に応じた溝を形成する工程と、
   前記溝の壁面及び底面を含めて前記樹脂層上に、無電解めっきにより第１の導体層を形成する工程と、
   前記第１の導体層で覆われた前記溝内に、電解めっきにより第２の導体層を形成する工程と、
   前記ドライフィルムレジスト層を除去し、さらに前記犠牲導体層が露出した残りの部分を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
6. 前記犠牲導体層と前記第１の導体層とは電気的に接続しており、前記犠牲導体層と前記第１の導体層とを給電層として前記電解めっきを行うことを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
7. 前記ベース基材上に樹脂層を形成する工程において、少なくとも一方の面に配線層が形成されたベース基材を用意し、該ベース基材の配線層が形成されている側の面を覆って当該樹脂層を形成し、
   前記溝を形成する工程において、さらに当該溝内に前記ベース基材の配線層に達するビアホールを形成し、
   前記第１の導体層を形成する工程において、該第１の導体層をさらに前記ビアホールの壁面及び底面にも形成することを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。