JP2010031312A - パターンめっき皮膜、及びその形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プリント基板又は半導体ウエハー上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン上に形成されたパターンめっき皮膜であって、前記パターンめっき皮膜は導体パターン上に形成された無電解ニッケル-パラジウム合金めっき皮膜と、前記無電解ニッケル-パラジウム合金めっき皮膜上に形成された無電解金めっき皮膜とからなるパターンめっき皮膜。
【選択図】図1
Description
ニッケル濃度が1.0g/L未満であるとめっき反応が進行せず、25g/L以上であると得られるめっき皮膜特性に問題はないが、製造コストが高くなるため経済的ではない。
水溶性アミン塩およびカルボン酸塩の濃度が2g/L未満であると、めっき液の安定性が悪くなり、液の分解が生じ、25g/Lを超えると添加量に見合った効果が得られないので経済的ではない。
BGAプリント基板上に形成された銅端子に常法に従って銅エッチング、パラジウム活性処理を行った後、表1に記載のめっきを順次に行った。
無電解ニッケル-パラジウム合金めっきの膜厚を2μm、置換型無電解金めっきの膜厚を0.05μmとした以外は、実施例1と同様にめっきを行った。
無電解ニッケル-パラジウムめっきの膜厚を0.5μmとした以外は、実施例1と同様にめっきを行った。
置換型無電解金めっきの膜厚を0.15μmとし、自己触媒型無電解金めっきを行わなかった以外は、実施例1と同様にめっきを行った。
実施例1と同様に操作した。但し無電解ニッケル-パラジウム合金めっき液の組成を以下のものとした。
5)組成: 硫酸ニッケル(ニッケル濃度として) 10g/L
エチレンジアミンパラジウム(パラジウム濃度として) 8g/L
エチレンジアミン 2g/L
マロン酸 2g/L
クエン酸 10g/L
ギ酸 5g/L
pH 6.0
結果はシェア強度の最高値と最低値との差が428gf、シェア強度の平均値は3631gfであった。
実施例1と同様に操作した。但し無電解ニッケル-パラジウム合金めっき液の組成を以下のものとした。
6)組成: 硫酸ニッケル(ニッケル濃度として) 10g/L
エチレンジアミンパラジウム(パラジウム濃度として) 2g/L
エチレンジアミン 2g/L
マロン酸 2g/L
クエン酸 10g/L
ギ酸 5g/L
pH 6.0
結果はシェア強度の最高値と最低値との差が461gf、シェア強度平均値は3591gfであった。
BGAプリント基板上に形成された銅端子に銅エッチング、パラジウム活性処理した後、表2に記載のめっきを順に行なった。
無電解パラジウムめっきを行わなかった以外は、比較例1と同様にしてめっきを行なった。
1)無電解ニッケル-パラジウムめっき
組成: 硫酸ニッケル(ニッケル濃度として) 10g/L
エチレンジアミンパラジウム(パラジウム濃度として) 5g/L
エチレンジアミン 2g/L
マロン酸 2g/L
クエン酸 10g/L
ギ酸 5g/L
pH 6.0
2)置換型無電解金めっき(エヌ・イー ケムキャット(株)製、商品名:ATOMEX)
組成: シアン化金カリウム(金濃度として) 2g/L
クエン酸 4g/L
エチレンジアミン 1g/L
3)自己触媒型無電解金めっき(エヌ・イー ケムキャット(株)製、商品名:SuperMex)
組成: 亜硫酸金塩 (金濃度として) 4g/L
亜硫酸塩 20g/L
エチレンジアミン 5g/L
イニノ二酢酸 30g/L
ヒドラジン 15g/L
4)無電解ニッケルめっき(エヌ・イー ケムキャット(株)製、 商品名:Super NIC)
組成: 硫酸ニッケル 20g/L
次亜リン酸ナトリウム 25g/L
クエン酸 5g/L
5)無電解パラジウムめっき(エヌ・イー ケムキャット(株)製、商品名:Pallamex)
組成: 塩化パラジウム(パラジウム濃度として) 2g/L
トリエタノールアミン 12g/L
シュウ酸 30g/L
〔半田ボールシェア強度の測定〕
実施例1〜4と比較例1,2で得られた銅端子上のめっき皮膜の接合強度試験を行った。めっき皮膜を170℃で5時間熱処理した後、めっき皮膜に半田ボールを接合した。アークテック社製 MK−30を用いてシェア強度(半田ボールシェア強度)を10点測定した。結果を表3に示す。
3 導体パターン
5 無電解ニッケル-パラジウム合金めっき皮膜
7 置換型無電解金めっき皮膜
9 パターンめっき皮膜
11 配線
13 自己触媒型無電解金めっき皮膜
Claims (6)
- プリント基板又は半導体ウエハー上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン上に形成されたパターンめっき皮膜であって、前記パターンめっき皮膜は導体パターン上に形成された無電解ニッケル-パラジウム合金めっき皮膜と、前記無電解ニッケル-パラジウム合金めっき皮膜上に形成された無電解金めっき皮膜とからなるパターンめっき皮膜。
- 無電解ニッケル-パラジウム合金めっき皮膜の膜厚が0.1〜0.3μm、無電解金めっき皮膜の厚さが0.01〜0.2μmである請求項1に記載のパターンめっき皮膜。
- 請求項1の無電解金めっき皮膜上に更に自己触媒型無電解金めっき皮膜を形成してなるパターンめっき皮膜。
- 請求項1に記載のめっき皮膜を形成するために用いられる、可溶性ニッケル塩、可溶性パラジウム塩、水溶性アミン塩、カルボン酸塩および還元剤を含有する無電解ニッケル-パラジウム合金めっき液。
- プリント基板又は半導体ウエハー上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン上に、請求項4に記載の無電解ニッケル-パラジウム合金めっき液を用いて無電解ニッケル-パラジウム合金めっきを行う導体パターン上に形成した無電解ニッケル-パラジウム合金めっき皮膜からなるパターンめっき皮膜の形成方法。
- プリント基板又は半導体ウエハー上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン上に、請求項4に記載の無電解ニッケル-パラジウム合金めっき液を用いて無電解ニッケル-パラジウム合金めっきを行い、次いで無電解金めっきを行う請求項1に記載のパターンめっき皮膜の形成方法。
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2008
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