JP2010004022A - 有機太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ナノイムプリント方法を使用して有機太陽電池の光活性層に微細パターンを形成させて、微細なパターンが形成された前記光活性層にカソード電極物質を塗布することで、カソード電極物質を光活性層の微細パターン内部に挿入して、電子の伝導度を向上させ、効率的な電子の移動経路を提供する有機太陽電池を製造する方法、及び、前記方法によって製造される有機太陽電池を提供する。
本発明による有機太陽電池の製造方法は、電子受容体物質の凝固による光電流の損失を減らすことができ、ナノイムプリント過程で電子供与体の分子配向性を向上させて高効率有機太陽電池を提供することのみならず、製造方法が簡単で、手頃な費用で高い効率を有する太陽電池を提供することによって環境親和的で、再生可能なエネルギー源を活用することができる有機太陽電池製造に応用できる。
【選択図】図4
Description
1−1:正孔伝達層の製造
インジウムスズ酸化物(ITO)が塗布されたガラス基板をアセトンとアルコールで超音波洗浄機を使用して洗浄した後、酸素プラズマ処理装置(Harrick Plasma社、PDC−32G)を使用して酸素雰囲気でプラズマを発生させて表面の有機物を除去して、インジウムスズ酸化物表面にヒドロキシ基を作って表面を親水性にした。前記のように表面が親水性になったインジウムスズ酸化物上部に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(Bayer社)をスピンコーティング方法で塗布した後、140℃で乾燥させて溶媒を完全に除去してガラス基板に正孔伝達層を形成させた。
電子供与体物質であるポリ−3−ヘキシルチオフェン[poly−3−hexylthiophene、P3HT]30mgと電子受容体物質であるPCBM 21mgをジクロロベンゼン2mlで溶解させて混合物を製造した後、前記混合物を窒素が充填されたグローブボックス内でスピンコーティングで、実施例1−1で形成された正孔伝達層の上層に塗布した。塗布された前記混合物の溶媒を完全に蒸発させて光活性層を製造した。
モールドは、酸化されたアルミニウムオキサイド(anodized aluminumoxide、AAO)で作られ、モールドのパターン間の距離が0.2μmの商業化されたフィルター(Whatman社、Anodisc)を使用した。図6は、前記モールドを走査電子顕微鏡(SEM)で、45度傾斜観察した写真である。実施例1−2で製造された光活性層が塗布された基板を150℃に加熱された板の上に位置させて、前記モールドを光活性層上に乗せた後、一定圧力が加えられるように平たい金属板をモールドの上に乗せて、200Kpaの圧力を2分間加えた後、モールドを引き離して冷却して光活性層にパターンを形成させた。
実施例1−3で製造されたナノイムプリントによってパターン化された光活性層の上部に電子伝達層としてリチウムフロライド(lithium flouride、LiF)を1nmの厚さで真空蒸着した後、カソード電極としてアルミニウムを150nmの厚さで真空蒸着させて、150℃で10分間熱処理して有機太陽電池を製造した。
実施例1と同一な方法で有機太陽電池を製造するが、実施例1−2で正孔伝達層に塗布された光活性層の混合物を乾燥させないで、直ちに塗布された光活性層の混合物上にモールドを乗せた状態で混合物の溶媒を乾燥させて有機太陽電池を製造した。
実施例1と同一な方法で製造するが、実施例1の1−3の工程を除外した方法で有機太陽電池を製造した。
実施例1と同一な方法で製造するが、実施例1の1−3の工程で前記モールドを使用してナノイムプリントする過程なしに、光活性層が塗布された基板を150℃に加熱された板上に2分間位置させた後、光活性層が塗布された基板を冷却して、前記光活性層上部に電子伝達層及びカソード電極を順次に実施例1と同一な過程で形成して有機太陽電池を製造した。
実施例1及び2と比較例1及び2で各々製造した有機太陽電池をソーラーシミュレータ(solar simulator)(Newport社、66984)を使用して電流−電圧特性を比較した。ソーラーシミュレータは、300Wゼノンランプ(Newport社、6258)とAM 1.5Gフィルター(Newport社、81088A)を使用し、光の強さは、100mW/cm2で設定した。
2:透明電極
3:正孔伝達層
4:電子供与体
5:電子受容体
6:光活性層
7:電子伝達層
8:カソード電極
9:モールド
Claims (20)
- 下記の工程を含む有機太陽電池の製造方法;
(a)基板上に透明電極物質を塗布して透明電極を形成する工程と、
(b)該形成された透明電極上部に電子供与体物質及び電子受容体物質を溶媒で溶解させた混合物を塗布して光活性層を形成した後、該形成された光活性層上部にナノイムプリント方式によってパターンを形成する工程、及び
(c)前記パターン化された光活性層上部にカソード電極物質を塗布してカソード電極を形成する工程。 - 前記基板が、ガラス基板または折り曲げ可能な高分子基板であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記透明電極物質が、透明酸化物、伝導性高分子、炭素ナノチューブ薄膜、グラフェン(graphene)薄膜、グラフェン酸化物薄膜、金属が結合された炭素ナノチューブ薄膜及びそれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記電子供与体物質が、ポリ−3−ヘキシルチオフェン[poly−3−hexylthiophene、P3HT]、ポリ−3−ポリ−3−オクチルチオフェン[poly−3−octylthiophene、P3OT]、ポリパラフェニレンビニレン[poly−p−phenylenevinylene、PPV]、ポリ(ジオクチルフルオレン)[poly(9,9’−dioctylfluorene)]、ポリ(2−メトキシ,5−(2−エチル−ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン)[poly(2−methoxy,5−(2−ethyle−hexyloxy)−1,4−phenylenevinylene,MEH−PPV]、ポリ(2−メチル,5−(3’,7’−ジメチルオクチルオキシ))−1,4−フェニレンビニレン[poly(2−methyl,5−(3’,7’−dimethyloctyloxy))−1,4−phenylene vinylene、MDMO−PPV]及びこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記電子受容体物質が、(6,6)−フェニル−C61−ブチル酸メチルエステル[(6,6)−phenyl−C61−butyric acid methyl ester;PCBM]、(6,6)−フェニル−C71−ブチル酸メチルエステル[(6,6)−phenyl−C71−butyric acid methyl ester;C70−PCBM]、フラーレン(fullerene,C60)、(6,6)−チエニル−C61−ブチル酸メチルエステル[(6,6)−thienyl−C61−butyric acid methyl ester;ThCBM]、炭素ナノチューブ及びこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記カソード電極物質が、カルシウム、リチウム、アルミニウム、リチウムフロライドとリチウムの合金、アルカリ金属塩、伝導性高分子及びこれらの混合物からなる群から選択することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記溶媒が、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、卜リクロロベンゼン及びこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴する、請求項1に記載の方法。
- 前記光活性層が、電子供与体物質と電子受容体物質のバルクヘテロ接合(bulkheterojunction)構造になっていることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記ナノイムプリント方式が、パターン周期が0.01μm〜1μmのパターン構造を有するモールドを使用することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記モールドの材質が、金属、金属酸化物、セラミックス、半導体、熱硬化性高分子及びこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする、請求項9に記載の方法。
- 前記ナノイムプリント方式が、基板下部に熱を加えて光活性層を流動させて、パターン構造を有するモールドを光活性層上部に位置させた後、前記モールドの上部に圧力をかけて光活性層上部にパターンを形成させることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記ナノイムプリント方式が、光活性層混合物の溶媒が蒸発する前にパターン構造を有するモールドを光活性層上部に乗せて毛細管現象を使用して光活性層の表面にパターンを形成させることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記(c)工程が、パターン化された光活性層上部にカソード電極を形成させた後、熱処理を行なう工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記(a)工程が、基板上に透明電極を形成させた後、該透明電極上部に正孔伝達物質を塗布して正孔伝達層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記正孔伝達物質が、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート[poly(3,4−ethylenedioxythiophene)−polystyrenesulfonate]、ポリアニリン(polyaniline)、銅フタロシアニン(copper phthalo cyanine,CuPC)、ポリチオフェニレンビニレン(polythiophenylenevinylene)、ポリビニルカルバゾール(polyvinylcarbazole)、ポリパラフェニレンビニレン(poly−p−phenylenevinylene)、ポリメチルフェニルシラン[poly(methyl phenyl silane)]及びこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする、請求項14に記載の方法。
- 前記(b)工程が、ナノイムプリント方式によって光活性層上部にパターンを形成させた後、該パターン化された光活性層上部に電子伝達物質を塗布して電子伝達層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記電子伝達物質が、リチウムフロライド(LiF)、カルシウム、リチウム、チタン酸化物及びこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする、請求項16に記載の方法。
- 請求項1の方法によって製造され、電子供与体と電子受容体のバルクヘテロ接合構造を有する光活性層を含み、該光活性層内部にカソード電極物質が挿入されていることを特徴とする有機太陽電池。
- 下記の工程を含む有機太陽電池の製造方法;
(a)ガラス基板上にインジウムスズ酸化物を塗布して透明電極を形成する工程と、
(b)該形成された透明電極上にポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネートを塗布して正孔伝達層を形成する工程と、
(c)前記形成された正孔伝達層上部にポリ−3−ヘキシルチオフェン及び(6,6)−フェニル−C61−ブチル酸メチルエステルをジクロロベンゼンで溶解させた混合物を塗布して光活性層を形成した後、該形成された光活性層上部にナノイムプリント方式によってパターンを形成する工程と、
(d)前記パターン化された光活性層上部にリチウムフロライドを塗布して電子伝達層を形成する工程、及び
(e)前記形成された電子伝達層上部にアルミニウムを塗布してカソード電極を形成する工程。 - 請求項19の方法によって製造され、ポリ−3−ヘキシルチオフェンと(6,6)−フェニル−C61−ブチル酸メチルエステルのバルクヘテロ接合構造を有する光活性層を含み、前記光活性層内部にカソード電極物質が挿入されていることを特徴とする有機太陽電池。
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