JP2009533521A - 電磁波遮蔽層の製造時に無電解メッキに対する触媒前駆体樹脂組成物、これを用いた金属パターンの形成方法及びこれにより製造された金属パターン - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
(a)有機高分子樹脂と、
(b)エチレン性不飽和結合を有する多官能モノマーと、
(c)光開始剤と、
(d)銀イオン有機錯化物前駆体と、
(e)有機溶媒と、
を含んでなる電磁波遮蔽用触媒前駆体樹脂組成物が提供される。
(a)本発明の触媒前駆体樹脂組成物を基材にコーティングする段階と、
(b)上記コーティングされた組成物を露光及び現像して触媒パターン層を形成する段階と、
(c)上記触媒パターン層を還元させる段階と、
(d)上記還元された触媒パターン層上に無電解メッキする段階と、
を含んでなる金属パターンの形成方法が提供される。
(a)上記触媒前駆体樹脂組成物を用いてプリンティング法で基材に触媒パターン層を形成する段階と、
(b)上記形成された触媒パターン層を還元させる段階と、
(c)上記還元された触媒パターン層上に無電解メッキする段階と、
を含んでなる金属パターンの形成方法が提供される。
(a)本発明の触媒前駆体樹脂組成物を基材にコーティングする段階と、
(b)上記コーティングされた組成物を露光及び現像して触媒パターン層を形成する段階と、
(c)上記触媒パターン層を還元させる段階と、
(d)上記還元された触媒パターン層を無電解メッキする段階と、
を含んでなる方法で形成された金属パターンが提供される。
(a)本発明の触媒前駆体樹脂組成物を用いて基材上に触媒パターン層を形成する段階と、
(b)上記形成された触媒パターン層を還元させる段階と、
(c)上記還元された触媒パターン層を無電解メッキする段階と、
を含んでなる方法で形成された金属パターンが提供される。
上記本発明の方法で形成された金属パターンを含む電磁波遮蔽材が提供される。
ビスフェノルAジグリシジルエテールアクリル酸付加物等のグリシジル基を含有する化合物にアクリル酸またはメタアクリル酸を付加して得られる化合物と、β−ヒドロキシエチルアクリレートまたはβ−ヒドロキシエチルメタクリレートのフタル酸エステル、β−ヒドロキシエチルアクリレートまたはβ−ヒドロキシエチルメタクリレートのトルエンジイソシアネート付加物等の水酸化基及びエチレン性不飽和結合を有する化合物とマルチ(multi)−カルボキシル酸のエステル化合物または水酸化基及びエチレン性不飽和結合を有する化合物のマルチ(multi)−イソシアネート付加物等を挙げることができる。上記エチレン性不飽和結合含有多官能モノマーは単独で、或いは2種以上の混合物で用いることができる。
α−ジメチル-モルホリノアセトフェノン(4−Methylmercapto−α,α−dimethyl−morpholino acetophenone)を含むことができる。上記ベンゾフェノン類としては、これに限定するものではないが、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−0−ベンゾイルオキシム(1−Phenyl−1,2−Propanedione−2−O-benzoyloxime、PPO)、エタノン、1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−1−O−アセチルオキシム(Ethanone、1−[9−ethyl−6−(2−Methylbenzoyl)−9H−carbazol−3−yl]−1−(O−acetyloxime)(CGI242)を含むことができる。上記チオキサントン類としてはこれに限定するものではないが、2−クロロチオ−キサンタン(2−Chlorothio−xanthane)及び2−イソプロピルチオキサンタン(2−isopropylthioxanthane)を含むことができる。上記トリアジン類としてはこれに限定するものではないが、3−{4−[2,4−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン−6−イル]フェニルチオ}プロピオン酸(TPA)を含むことができる。
実施例1
A.有機高分子樹脂(1)及びこれを用いた触媒前駆体樹脂組成物に用いられる配合物(2)の製造
(1)250mLのフラスコにおいて、15.0g MMA(Methyl methacrylate)と15.0g MAA(Methacrylic acid)をDPM(dipropylene glycol monomethyl ether)75.4gに溶かしてから、0.9g 3−MPA(3−mercaptopropionic acid)を添加し500rpmで攪拌した。この混合溶液を窒素雰囲気下で60℃に昇温させた後、1時間の間攪拌した。その後、0.9g AIBN(2,2'−azobisisobutyronitrile)をDPM 10.0gに溶かした溶液を上記60℃の混合溶液に添加し、3時間の間60℃で反応を行った。このようにして得られた有機高分子樹脂の酸価は348.77mgKOH/g、重量平均分子量は7,933であった。
常温でシルバーアセテート(AgOAc)1gとジメチルアセトアミド(DMAc)10gを混ぜ500rpmで攪拌した。ここに1,1,1−トリフルオロ−2,4−ペンタジオン2.5gを添加した。シルバーアセテートが1,1,1−トリフルオロ−2,4−ペンタジオンと錯化物をなしながらジメチルアセトアミド(DMAc)有機溶媒によく溶けている黄色の溶液が形成される。この溶液を0.20μmシリンジフィルタを介し濾過して得られた固形分を触媒前駆体として使用した。下記の反応式1は上記製造された錯化物の反応式を示すものである。
上記銀イオン有機錯化物と上記触媒前駆体樹脂組成物に用いられる配合物を2:1重量比で混ぜ、攪拌機を用いて500rpmで攪拌した。樹脂組成物の固形分含量は16.5重量%であった。
(1)コーティング:厚さ700μmのガラス基板に上記Cにおいて製造された触媒前駆体樹脂組成物を1500rpmで10秒、そして3000rpmで20秒の間スピンコーティングした。
(2)前熱硬化:スピンコーティングしてから100℃で90秒の間前熱硬化した。
(3)露光:接触方式でフォトマスク(20μmメッシュのパターン)を通じ330〜500nm波長領域の紫外線を180mJ/cm2エネルギーで照射し露光させた。
(4)現像:ENF社のECD−100(pH13の塩基性水溶液)を72秒の間スプレーし、超純粋(DI)で洗浄して窒素をブローイングして現像した。
(5)還元:現像後、0.1M アスコルビン酸水溶液に120秒の間浸漬してから、超純粋(DI)で洗浄して銀触媒を還元させた。
(6)後熱硬化:還元させた後、100℃で300秒の間後熱硬化させた。
(7)銅無電解メッキ:ATOTECH社のCovertron銅メッキ液(Copper Bath)を用いて60℃で行った。
本実施例では、330〜500nm波長領域の紫外線を3.9J/cm2で照射し銀有機化合物を還元させたことを除いては実施例1と同じ方法で金属パターン層を形成し、形成された金属パターン層の光学顕微鏡の写真(倍率x250)を図3に示した。
A.有機高分子樹脂(1)及びこれを用いた触媒前駆体樹脂組成物に用いられる配合物(2)の製造
(1)250mLのフラスコにおいて、9.0g MMA(Methyl methacrylate)と21.0g MAA(Methacrylic acid)をDPM 75.4gに溶かしてから、0.9g 3−MPA(3−mercaptopropionic acid)を添加して500rpmで攪拌した。この混合溶液を窒素雰囲気下で60℃に昇温させた後、1時間の間500rpmで攪拌した。0.9g AIBN(α,α'−azobisisobutyronitrile)をDPM 10.0gに溶かした溶液を60℃の混合溶液に添加してから、3時間の間60℃で反応を行った。このようにして得られた有機高分子樹脂の酸価は452.32mgKOH/g、重量平均分子量は6,423であった。
実施例1において製造された銀イオン有機錯化物と上記実施例3のA(2)において製造された配合物を2:1重量比で混ぜ、攪拌機を用いて500rpmで攪拌して触媒前駆体樹脂組成物を製造した。触媒前駆体樹脂組成物の総固形分含量は16.5重量%であった。
上記実施例3のBの触媒前駆体樹脂組成物を用いたことを除いては実施例2と同じ方法で基材上に金属パターンを形成し、形成された金属パターンの光学顕微鏡の写真(倍率x250)を図4に示した。
A.有機高分子樹脂(1)及びこれを用いた触媒前駆体樹脂組成物に用いられる配合物(2)の製造
(1)250mLのフラスコにおいて、3.0g MMA(Methyl methacrylate)と27.0g MAA(Methacrylic acid)をDPM 75.4gに溶かしてから、0.9g 3−MPA(3−mercaptopropionic acid)を添加して500rpmで攪拌した。この混合溶液を窒素雰囲気下で60℃に昇温させた後、1時間の間500rpmで攪拌した。0.9g AIBNをDPM 10.0gに溶かした溶液を上記60℃の混合溶液に添加してから、3時間の間60℃で反応させた。このようにして得られた有機高分子樹脂の酸価は576.69mgKOH/g、重量平均分子量は4,032であった。
実施例1において製造された銀イオン有機錯化物と上記実施例4のA(2)において製造された配合物を2:1重量比で混ぜ、攪拌機を用いて500rpmで攪拌し触媒前駆体樹脂組成物を製造した。触媒前駆体樹脂組成物の固形分含量は16.5重量%であった。
上記実施例4のBの触媒前駆体樹脂組成物を用いたことを除いては実施例2と同じ方法で基材上に金属パターンを形成し、形成された金属パターンの光学顕微鏡の写真(倍率x250)を図5に示した。
銀イオン有機錯化物として、常温でシルバーアセチルアセトネート(silver acetylacetonate)1gとジメチルアセトアミド(DMAc)11.533gを混ぜ、500rmpで攪拌して得た溶液を0.20μmシリンジフィルタを介し濾過して得られた固形分を触媒前駆体に用いたことを除いては実施例1と同じ方法で基材上に金属パターンを形成し、形成された金属パターンの光学顕微鏡の写真(倍率x250)を図6に示した。
A.有機高分子樹脂(1)及びこれを用いた触媒前駆体樹脂組成物に用いられる配合物(2)の製造
(1)250mLのフラスコにおいて、9.0g MMA(Methyl methacrylate)と21.0g MAA(Methacrylic acid)をDPM 75.4gに溶かしてから、0.9g 3−MPA(3−mercaptopropionic acid)を添加して500rpmで攪拌した。この混合溶液を窒素雰囲気下で60℃に昇温させた後、さらに1時間の間500rpmで攪拌した。0.9g AIBNをDPM 10.0gに溶かした溶液を上記60℃の混合溶液に添加してから、3時間の間60℃で反応させた。
常温で硝酸銀(AgNO3)1gとジメチルホルムアミド(DMF)1gを500rpmで攪拌しながら混合し、この溶液を0.20μmシリンジフィルタを介し濾過して得られた固形物を触媒前駆体として用いた。
上記比較例1のA(2)において用意された配合物と比較例1のBにおいて用意された触媒前駆体を1:1重量比で攪拌機を用いて500rpmで攪拌しながら混合した。触媒前駆体樹脂組成物の固形分含量は16.5重量%であった。
上記触媒前駆体樹脂組成物を用いて実施例1と同じ方法で微細金属パターンを形成し、形成された金属パターンの光学顕微鏡の写真(倍率x250)を図7に示した。
触媒前駆体を用いないことを除いては実施例2と同じ方法で微細金属パターンを形成し、形成された微細金属パターンの光学顕微鏡の写真(倍率x50)を図8に示した。
常温でパラジウムアセテート(II)(PdOAc2)1gとジメチルホルムアミド(DMF)1gの混合物を攪拌しながら混合した。これを銅無電解メッキの触媒に用いたことを除いては実施例4のような方法で触媒前駆体樹脂組成物を製造した。
常温でパラジウムアセテート(II)(PdOAc2)1gと、ポリビニルピロリドン(PVP,Mw 10,000)2.5gをジメチルアセトアミド(DMAc)10gに攪拌しながら混合し触媒相を用意した。上記製造された触媒相と実施例4において用いられた有機高分子を2:1重量比で攪拌しながら混合して触媒前駆体樹脂組成物を製造した。
Claims (29)
- (a)有機高分子樹脂と、(b)エチレン性不飽和結合を有する多官能モノマーと、(c)光開始剤と、(d)銀イオン有機錯化物前駆体及び(e)有機溶媒を含んでなる電磁波遮蔽用触媒前駆体樹脂組成物。
- 前記有機高分子樹脂は、カルボキシル基含有モノマー及びカルボキシル基含有モノマーと共重合が可能な不飽和二重結合含有モノマーの共重合体であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波遮蔽用触媒前駆体樹脂組成物。
- 前記カルボキシル基含有モノマーは、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、モノメチルマレイン酸、イソプレンスルホン酸、スチレンスルホン酸及び5−ノルボルネン−2−カルボキシル酸で構成されるグループから選ばれた少なくとも1種以上であることを特徴とする請求項2に記載の電磁波遮蔽用触媒前駆体樹脂組成物。
- 前記有機高分子樹脂は、重量平均分子量が2,000〜30,000であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波遮蔽用触媒前駆体樹脂組成物。
- 前記有機高分子樹脂は、酸価が90〜700mgKOH/gであることを特徴とする請求項1に記載の電磁波遮蔽用触媒前駆体樹脂組成物。
- 前記エチレン性不飽和結合を有する多官能モノマーは、エチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、エチレン基の数が2〜14であるポリエチレングリコールジアクリレート、またはポリエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリトリトールトリアクリレート、ペンタエリトリトールトリメタクリレート、ペンタエリトリトールテトラアクリレート、ペンタエリトリトールテトラメタクリレート、プロピレン基の数が2〜14であるプロピレングリコールジアクリレート、またはプロピレングリコールジメタクリレート、ジペンタエリトリトールペンタアクリレート、ジペンタエリトリトールペンタメタクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサメタクリレート等の多価アルコールをα,β−不飽和カルボキシル酸でエステル化して得られる化合物と、トリメチロールプロパントリグリシジルエテールアクリル酸付加物、ビスフェノルAジグリシジルエテールアクリル酸付加物等のグリシジル基を含有する化合物にアクリル酸またはメタクリル酸を付加して得られる化合物と、β−ヒドロキシエチルアクリレートまたはβ−ヒドロキシエチルメタクリレートのフタル酸エステル、β−ヒドロキシエチルアクリレートまたはβ−ヒドロキシエチルメタクリレートのトルエンジイソシアネート付加物等の水酸化基及びエチレン性不飽和結合を有する化合物とマルチ(multi)−カルボキシル酸のエステル化合物または水酸化基及びエチレン性不飽和結合を有する化合物のマルチ(multi)−ポリイソシアネート付加物で構成されるグループから選ばれた少なくとも1種以上であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波遮蔽用触媒前駆体樹脂組成物。
- 前記エチレン性不飽和結合を有する多官能モノマーは、エチレン性不飽和結合を有する官能基数が3以上であることを特徴とする請求項6に記載の電磁波遮蔽用触媒前駆体樹脂組成物。
- 前記エチレン性不飽和結合を有する多官能モノマーは前記有機高分子樹脂 100重量部に対して20〜150重量部で配合されることを特徴とする請求項1に記載の電磁波遮蔽用触媒前駆体樹脂組成物。
- 前記光開始剤は、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ミッヒラー(Michler)ベンゾイルベンゾエイト、α−アミルオキシムエステル、チオキサントン類及びトリアジン類で構成されるグループから選ばれた少なくとも1種以上であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波遮蔽用触媒前駆体樹脂組成物。
- 前記光開始剤は、前記有機高分子樹脂100重量部に対して1〜25重量部で用いられることを特徴とする請求項1に記載の電磁波遮蔽用触媒前駆体樹脂組成物。
- 前記銀イオン有機錯化物前駆体は、銀アセテート系、銀スルホネート系、β−カルボニルケトン系シルバー(I)錯化物及びβ−カルボニルエステル系シルバー(I)錯化物で構成されるグループから選ばれた少なくとも1種以上であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波遮蔽用触媒前駆体樹脂組成物。
- 前記銀イオン有機錯化物前駆体は銀アセテート、銀ラクテート、銀ミリステート、銀シトレート、銀ベンゾエート、銀フェニルアセテート、銀シクロヘキサンブチレート、銀パラトルエンスルホネート、銀オキサレート、銀マロネート、銀サクシネート、銀アジペート、シルバー(I)アセチルアセトネート、3−クロロ−2,4−ペンタンジオネートシルバー(I)錯化物、3,5−ヘプタンジオネートシルバー(I)錯化物、2−アセチルシクロヘキサノネートシルバー(I)錯化物、3−エチル−2,4−ペンタジオネートシルバー(I)錯化物、ベンゾイルアセトンシルバー(I)錯化物、ジベンゾイルメタンシルバー(I)錯化物、2,2,6,6−テトラメチルヘプタンジエンシルバー(I)錯化物、エチルアセトアセテートシルバー(I)錯化物、メチルアセトアセテートシルバー(I)錯化物、イソプロピルアセトアセテートシルバー(I)錯化物及びtert−アリールブチルアセトアセテートシルバー(I)錯化物で構成されるグループから選ばれた少なくとも1種以上であることを特徴とする請求項11に記載の電磁波遮蔽用触媒前駆体樹脂組成物。
- 前記銀イオン有機錯化物前駆体は、フルオロ化された銀イオン有機錯化物であることを特徴とする請求項11に記載の電磁波遮蔽用触媒前駆体樹脂組成物。
- 前記フルオロ化された銀イオン有機錯化物前駆体は、銀(I)フルオロサルフェイト、銀(I)トリフルオロアセテート、銀(I)トリフルオロメタンサルフェイト、銀(I)ペンタフルオロプロピオネート、銀(I)ヘプタフルオロブチラート、1,5−シクロオクタジエン−ヘキサフルオロアセチルアセトネートシルバー(I)錯化物、1,1,1−トリフルオロ−2,4−ペンタジオネートシルバー(I)錯化物、5,5−ジメチル−1,1,1−トリフルオロ−2,4−ヘキサンジオネートシルバー(I)錯化物、1−(4−メトキシフェニル)−4,4,4−トリフルオロブタンジオネートシルバー(I)錯化物、5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12−ヘプタデカフルオロデカン−2,4−ジオネートシルバー(I)錯化物、1,1,1,2,2,3,3−ヘプタフルオロ-7,7−ジメチル−4,6−オクタンジオネートシルバー(I)錯化物、1,1,1,3,5,5,5−ヘプタフルオロペンタン−2,4−ジオネートシルバー(I)錯化物、1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロペンタン−2,4−ジオネートシルバー(I)錯化物、5,5,6,6,7,7,8,8,8−ノナフルオロオクタン−2,4−ジオネートシルバー(I)錯化物、5H,5H−ペルフルオロノナン−4,6−ジオネートシルバー(I)錯化物、6H,6H−ペルフルオロ-ウンデカン−5,7−ジオネートシルバー(I)錯化物、8H,8H−ペルフルオロペンタデカン−7,8−ジオネートシルバー(I)錯化物、6H,6H−ペルフルオロウンデカン−5,7−ジオネートシルバー(I)錯化物、1−フェニル−2H,2H−ペルフルオロヘキサン−1,3−ジオネートシルバー(I)錯化物、1−フェニル−2H,2H−ペルフルオロウンデカン−1,3−ジオネートシルバー(I)錯化物、5,6,6,6−テトラフルオロ−5−(ヘプタフルオロプロポキシ)ヘキサン−2,4−ジオネートシルバー(I)錯化物、1,1,5,5−テトラフルオロペンタン−2,4 ジオネートシルバー(I)錯化物、5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,9−ウンデカンフルオロ−ノナン−2,4−ジオネートシルバー(I)錯化物、エチル−3−クロロ−4,4,4−トリフルオロアセトアセテートシルバー(I)錯化物、エチル−4,4−ジフルオロアセトアセテートシルバー(I)錯化物、エチル−4,4,4−トリフルオロアセトアセテートシルバー(I)錯化物、イソプロピル−4,4,4−トリフルオロアセトアセテートシルバー(I)錯化物、メチル−4,4,5,5,5−ペンタフルオロ−3−オキソペンタノネートシルバー(I)錯化物、エチル−4,4,5,5,5−ペンタフルオロ−3−オキソ-ペンタノネートシルバー(I)錯化物及び1,1,1,5,5,6,6,6−オクタフルオロ−2,4−ヘキサンジオネートシルバー(I)錯化物で構成されるグループから選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする請求項13に記載の電磁波遮蔽用触媒前駆体樹脂組成物。
- 前記銀イオン有機錯化物前駆体は、触媒前駆体樹脂組成物中の全体有機固形分100重量部に2〜80重量部で添加されることを特徴とする請求項1に記載の電磁波遮蔽用触媒前駆体樹脂組成物。
- 前記有機溶媒は、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、エチレングリコール、またはプロピレングリコールのようなアルコール類と、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、またはn−メチル−2−ピロリドンのようなケトン類と、トルエン、キシレン、またはテトラメチルベンゼンのような芳香族炭化水素類と、セロソルブ、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、3−メトキシプロピルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエテール、プロピレングリコールエチルエテール、ジプロピレングリコールモノメチルエテール、またはジプロピレングリコールエチルエテールのようなグリコールエテール類と、エチルアセテート、ブチルアセテート、セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエテールアセテート、またはプロピレングリコールエチルエテールアセテートのようなアセテート類で構成されるグループから選ばれた少なくとも1種以上であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波遮蔽用触媒前駆体樹脂組成物。
- 前記有機高分子樹脂と光開始剤の混合量100重量部に対して光増感剤を10重量部以下でさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の電磁波遮蔽用触媒前駆体樹脂組成物。
- 前記光増感剤は、n−ブチルアミン、トリエチルアミンまたはトリ−n−ブチルホスフィンで構成されるグループから選ばれた少なくとも1種以上であることを特徴とする請求項17に記載の電磁波遮蔽用触媒前駆体樹脂組成物。
- (a)請求項1項の触媒前駆体樹脂組成物を基材にコーティングする段階と、
(b)前記コーティングされた組成物を露光及び現像して触媒パターン層を形成する段階と、
(c)前記触媒パターン層を還元させる段階と、
(d)前記還元された触媒パターン層を無電解メッキする段階と、
を含んでなる金属パターンの形成方法。 - (a)請求項1項の触媒前駆体樹脂組成物を用いて基材上に触媒パターン層を形成する段階と、
(b)前記形成された触媒パターン層を還元させる段階と、
(c)前記還元された触媒パターン層を無電解メッキする段階と、
を含んでなる金属パターンの形成方法。 - 前記触媒パターンの形成は、オフセットプリンティング、インクジェットプリンティング、インプリントまたはスクリーンプリンティングで行うことを特徴とする請求項20に記載の金属パターンの形成方法。
- 前記基材は、ガラス、ポリカーボネート、アクリル樹脂、PET、TAC(Tri−acetyl cellulose)、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリアミド樹脂及びポリイミド樹脂のようなプラスチックシートまたはプラスチックフィルムで構成されるグループから選ばれた1種であることを特徴とする請求項19または請求項20に記載の金属パターンの形成方法。
- 前記還元段階は、水素化ホウ素ナトリウムまたはアスコルビン酸還元剤で行われることを特徴とする請求項19または請求項20に記載の金属パターンの形成方法。
- 前記還元段階は、UV露光及び/または熱を適用して行われることを特徴とする請求項19または請求項20に記載の金属パターンの形成方法。
- 前記無電解メッキは、銅メッキまたは銀メッキで行われることを特徴とする請求項19または請求項20に記載の金属パターンの形成方法。
- 前記銅メッキは、硫酸銅のような金属イオン塩、ホルマリンのような還元剤及びEDTAのような安定化剤を含むメッキ液を用いて行われることを特徴とする請求項25に記載の金属パターンの形成方法。
- (a)請求項1項の触媒前駆体樹脂組成物を基材にコーティングする段階と、
(b)前記コーティングされた組成物を露光及び現像して触媒パターン層を形成する段階と、
(c)前記触媒パターン層を還元させる段階と、
(d)前記還元された触媒パターン層を無電解メッキする段階と、
を含んでなる方法で形成された金属パターン。 - (a)請求項1項の触媒前駆体樹脂組成物を用いて基材上に触媒パターン層を形成する段階と、
(b)前記形成された触媒パターン層を還元させる段階と、
(c)前記還元された触媒パターン層を無電解メッキする段階と、
を含んでなる方法で形成された金属パターン。 - 請求項27項または28項の金属パターンを含む電磁波遮蔽材。
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