KR20070101785A - 전자파 차폐층 제조시 무전해도금에 대한 촉매 전구체수지조성물, 이를 이용한 금속패턴 형성방법 및 이에 따라제조된 금속패턴 - Google Patents

전자파 차폐층 제조시 무전해도금에 대한 촉매 전구체수지조성물, 이를 이용한 금속패턴 형성방법 및 이에 따라제조된 금속패턴 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자파 차폐층 제조시 무전해 도금에 대한 촉매 전구체 수지 조성물, 이를 이용한 금속패턴의 형성방법 및 이에 따라 제조된 금속패턴에 관한 것으로, 본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물은 유기 고분자 수지; 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 다관능 모노머; 광개시제; 은이온 유기착화물 전구체; 및 유기 용매를 포함하여 이루어지며, 금속패턴의 형성방법은 본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물을 이용하여 패턴을 형성하고, 환원 및 무전해도금하므로써 형성된다. 본 발명에 따른 수지 조성물을 이용하여 금속패턴을 형성하는 경우, 형성된 촉매패턴층의 접착성이 우수하고, 현상 또는 도금공정과 같은 습윤공정 중의 촉매 유실이 적고, 증착속도가 향상되어 무전해 도금후 균일하고 미세한 금속패턴으로 형성될 수 있다. 또한, 본 발명에 의하여 형성된 금속패턴을 갖는 전자파 차폐재는 CRT, PDP, 액정, EL 등의 디스플레이 전면으로부터 발생되는 전자파 차폐막이나 연성 회로 기판의 배선 형성에 적합하게 사용될 수 있다.
전자파 차폐, 무전해 도금 촉매, 은이온 유기 착화물 전구체

Description

전자파 차폐층 제조시 무전해도금에 대한 촉매 전구체 수지조성물, 이를 이용한 금속패턴 형성방법 및 이에 따라 제조된 금속패턴{Resin Composition Containing Catalystic Precursor for Electroless Plating in Preparing Electro-Magentic Shielding Layer, Forming Method of Metallic Patten Using the Same and Metallic Pattern Formed Thereby}
도 1은 본 발명에 따라 포토마스크 공정을 이용하여 미세 구리박막을 제조하는 공정 흐름도이며,
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 금속 패턴의 광학현미경 사진(배율x 250)이며,
도 3은 본 발명의 실시예 2에 따른 금속패턴의 광학현미경 사진(배율x 250)이며,
도 4는 본 발명의 실시예 3에 따른 금속패턴의 광학현미경 사진(배율x 250)이며,
도 5는 본 발명의 실시예 4에 따른 금속패턴의 광학현미경 사진(배율x 250)이며,
도 6은 본 발명의 실시예 5에 따른 금속패턴의 광학현미경 사진(배율x 250) 이며,
도 7 은 본 발명의 비교예 1에 따른 금속패턴의 광학현미경 사진(배율x 250)이며,
도 8 은 본 발명의 비교예 2에 따른 금속패턴의 광학현미경 사진(배율x 50)이다.
본 발명은 전자파 차폐층 형성시 무전해도금에 대한 촉매 전구체 수지 조성물, 이를 이용한 금속패턴 형성방법 및 이에 따라 형성된 금속패턴에 관한 것이다. 보다 상세하게는 은이온 유기 착화물 전구체를 포함하는 촉매 전구체 수지 조성물, 이를 이용한 미세한 금속패턴 형성방법 및 이에 따라 형성된 금속패턴에 관한 것이며, 이에 따라 제공되는 금속패턴은 CRT, PDP, 액정, EL 등의 디스플레이 전면으로부터 발생되는 전자파 차폐막이나 연성 회로 기판의 배선 형성에 적합하게 사용될 수 있다.
최근 다양한 방식의 디스플레이가 상용화되면서 이러한 디스플레이로부터 발생되는 전자기적인 노이즈(Noise)의 방해현상 (Electronmagnetic Interference:EMI)으로 인한 인체의 유해성 및 기기의 오작동 등이 큰 문제점으로 대두되고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 디스플레이의 전면에 도전성 차폐(Shielding)막을 형성하여 전자파의 진행방향을 왜곡시킨 후, 접지하여 방출시키는 방법이 사용되고 있다.
CRT, PDP 등의 디스플레이 전면으로부터 발생되는 전자파 노이즈의 차폐 방법으로서, 투명한 기재상에 금속 또는 금속 산화물을 증착하여 얇은 도전성 막을 형성하는 방법이 알려져 있으나, 이러한 방법은 투명성을 제공하기 위해 막을 얇게 증착하여야 하며, 이러한 경우에는 도전 층의 표면 저항이 너무 커지기 때문에 충분한 전자파 차폐 효과를 얻을 수 없다.
상기와 같은 방법 이외에도 스크린 프린팅, 오프셋 프린팅 등의 프린팅 방식으로 도전성 페이스트를 패턴하거나 이를 다시 무전해 도금 처리하여 전자파 차폐막을 형성하는 것이 보고되고 있으나, 이러한 경우에는 인쇄회로의 정밀도에 한계가 있고, 요철 부분으로 도전성 물질들이 스며드는 문제 등이 있다.
또한 사진현상 방법으로 금속층을 형성하고 도금 또는 무전해 도금 처리하는 방법이 제시되었으나, 사진 현상 방법은 여러 층이 필요하고, 공정이 복잡한 단점이 있다. 금속 촉매를 감광성 수지와 혼합하여 코팅하고 현상한 후 무전해 도금 또는 전해 도금을 행하는 것이 보고되고 있으나 이는 주로 촉매로 고가의 Pd를 사용하며 미세패턴의 형성 및 무전해 도금시 문제점 등을 해결하는 방법을 구체적으로 제시하지 않고 있다. 또한 무전해 도금을 행할 경우, 증착 특성이 향상되기는 하나 강염기 수용액에서의 패턴 탈착 등으로 인한 문제에 대해서는 해결방안을 구체적으로 제시하지 않고 있다.
이에, 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 고가의 Pd 촉매를 사용하지 않으면서, 환원 전위 때문에 열역학적으로 산화에 안정하므로 다루기가 쉽고, 현상, 무전해 도금 등의 습식 공정시 촉매의 유실이 적고, 접착성 및 증착성이 우수한 촉매 전구체 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 촉매 전구체 수지 조성물을 이용한 금속패턴의 형성 방법을 제공하는 것이다.
나아가, 본 발명의 또 다른 목적은 상기와 같이 제공되는 금속패턴 및 이를 포함하는 전자파 차폐재를 제공하는 것이다.
본 발명의 제 1견지에 의하면,
(a) 유기 고분자 수지;
(b) 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 다관능 모노머;
(c) 광개시제;
(d) 은이온 유기착화물 전구체; 및
(e) 유기 용매
를 포함하여 이루어지는 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물이 제공된다.
본 발명의 제 2견지에 의하면,
(a) 본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물을 기재에 코팅하는 단계;
(b) 상기 코팅된 조성물을 노광 및 현상하여 촉매패턴층을 형성하는 단계;
(c) 상기 촉매패턴층을 환원시키는 단계; 및
(d) 상기 환원된 촉매패턴층위에 무전해 도금하는 단계;
를 포함하여 이루어지는 금속패턴의 형성방법이 제공된다.
본 발명의 제 3견지에 의하면,
(a) 상기 촉매 전구체 수지 조성물을 이용하여 프린팅법으로 기재에 촉매패턴층을 형성하는 단계;
(b) 상기 형성된 촉매패턴층을 환원시키는 단계; 및
(c) 상기 환원된 촉매패턴층위에 무전해 도금하는 단계
를 포함하여 이루어지는 금속패턴의 형성방법이 제공된다.
본 발명의 제 4견지에 의하면,
(a) 본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물을 기재에 코팅하는 단계;
(b) 상기 코팅된 조성물을 노광 및 현상하여 촉매패턴층을 형성하는 단계;
(c) 상기 촉매패턴층을 환원시키는 단계; 및
(d) 상기 환원된 막을 무전해 도금하는 단계;
를 포함하여 이루어지는 방법으로 형성된 금속패턴이 제공된다.
본 발명의 제 5견지에 의하면,
(a) 본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물을 사용하여 기재상에 촉매패턴층을 형성하는 단계;
(b) 상기 형성된 촉매패턴층을 환원시키는 단계; 및
(c) 상기 환원된 패턴을 무전해 도금하는 단계;
를 포함하여 이루어지는 방법으로 형성된 금속패턴이 제공된다.
　
본 발명의 제 6견지에 의하면,
상기 본 발명의 방법으로 형성된 금속패턴을 포함하는 전자파 차폐재가 제공된다.
이하, 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다.
본 발명자들은 공정이 단순하고, 라인 폭 20㎛ 이하의 미세한 금속 패턴의 제조방법을 연구한 결과, 은이온 유기 착화물 전구체를 함유하는 수지 조성물을 사용하여 촉매패턴을 형성할 경우, 금속 입자 사용에 따른 수지 조성물의 안정성을 해결하고, 현상 또는 도금 공정과 같은 습윤 공정중의 은 촉매의 유실이 감소되며, 촉매패턴층의 접착성, 내화학성, 증착 속도 등이 향상되어 무전해 도금 후 균일한 미세 금속패턴의 형성이 가능함을 발견하고 본 발명을 완성하게 되었다.
본 발명의 일 구현에 있어서, 본 발명에 따른 촉매 전구체 수지 조성물은 유기 고분자 수지; 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 다관능 모노머; 광개시제; 은이온 유기착화물 전구체; 및 유기 용매를 포함하여 이루어질 수 있다.
본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물을 구성하는 유기 고분자 수지는 은 촉매를 안정화시키고, 촉매의 현상성을 제어한다. 일반적으로 촉매의 함량이 많으면 무전해 도금시 도금 속도가 빨라지나 안정성 및 현상성이 떨어지는 문제가 있다.
무전해 도금에 대한 촉매로서 충분한 은이온 유기 착화물 전구체를 함유하면서도 촉매의 안정성 및 현상성을 고려하여 본 발명은 유기 고분자 수지로서 카르복실기를 포함하는 모노머 및 이와 공중합 가능한 모노머의 공중합체가 사용될 수 있다. 이로써 한정하는 것은 아니지만, 본 발명에 사용되는 유기 고분자 수지는 카르 복실기를 포함하는 모노머와 이와 공중합 가능한 모노머를 3:7 내지 9:1 중량비로 포함할 수 있다. 상기 유기고분자 수지에서 카르복시기를 포함하는 모노머의 이와 공중합 가능한 모노머에 대한 중량비가 3:7미만이면, 촉매와의 상용성이 저하되고, 알칼리 현상액의 용해도가 낮아 현상 불량이 되기 쉬우며, 카르복시기를 포함하는 모노머의 이와 공중합 가능한 모노머에 대한 중량비가 9:1을 초과하면 용해도가 너무 높아 미세 패턴의 촉매층을 형성하기 어렵다.
상기 카르복실기를 가지는 모노머로는 불포화카르복실산으로 예를들면 아크릴산, 메타아크릴산, 크로톤산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 모노메틸말레산, 이소프렌술폰산, 스티렌술폰산 및 5-노보넨-2-카르복실산으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 1종 이상이 사용될 수 있다. 상기 카르복실기를 가지는 모노머는 단독 혹은 2이상의 혼합물로 사용될 수 있다.
카르복실기 함유한 모노머와 공중합가능한 모노머로는 특별히 이에 한정하지는 않으나, 불포화 이중결합을 갖는 화합물이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 금속 촉매와의 혼화성(compatibility) 측면에서 방향족 관능기가 없는 것이 사용될 수 있다. 이로써 한정하는 것은 아니지만, 구체적으로는 메틸메타크릴레이트, 에틸 2-메틸아크릴레이트, 이소부틸 2-메틸아크릴레이트 및 헥실 2-메틸아크릴레이트로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종이 사용될 수 있다. 카르복실기 함유 모노머와 공중합 가능한 모노머는 단독으로 혹은 2종 이상의 혼합물로 사용될 수 있다.
한편, 바람직하게는 촉매형성층과 기재의 접착력을 향상시키고 열경화를 고려하여 상기 공중합체에 에폭시를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물이 부가된 유기 고분자 수지, 보다 바람직하게는 에폭시기와 히드록시기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물이 부가된 유기 고분자 수지가 사용될 수 있다.
상기 유기고분자 수지는 중량평균 분자량이 2,000~30,000, 바람직하게는 3,000~15,000인 것이 미세 촉매패턴층 형성에 바람직하게 사용될 수 있다. 유기 고분자 수지의 중량평균 분자량이 2,000 미만인 경우에는, 현상시 접착 특성이 저하되고 미세 패턴의 촉매층의 형성이 어려우며, 중량평균 분자량이 30,000을 초과하는 경우에는, 현상액의 용해도가 저하되어 현상이 이루어지지 않을 가능성이 높다.
또한, 상기 유기고분자 수지는 산가가 90~700mg KOH/g, 바람직하게는 300~570mg KOH/g인 것이 미세 촉매패턴층 촉매층 형성에 바람직하게 사용될 수 있다. 상기 유기 고분자 수지의 산가가 90mgKOH/g 미만인 경우에는 촉매와의 상용성이 저하되고, 알칼리 현상액의 용해도가 낮아 현상 불량이 되기 쉽고, 산가가 700mgKOH/g 을 초과하는 경우에는, 용해도가 너무 높아 미세 패턴의 촉매층을 형성하기 어렵다.
본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물을 구성하는 에틸렌성 불포화 결합 함유 다관능 모노머는 광경화의 촉진 및 현상성을 향상시키고 무전해 도금시 촉매패턴층의 접착성, 내화학성 등을 향상시키기 위해 사용된다. 상기 에틸렌성 불포화 결합 함유 다관능 모노머는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를들어, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 에틸렌기의 수가 2~14인 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트 또는 폴리에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라메타크릴레이트, 프로필렌기의 수가 2~14인 프로필렌글리콜디아크릴레이트 또는 프로필렌글리콜디메타크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 펜타메타크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 디펜타 에리스리톨헥사메타크릴레이트등의 다가 알코올과 α,β-불포화 카르복실산을 에스테르화하여 얻어지는 화합물; 트리메틸올프로판 트리글리시딜에테르아크릴산 부가물, 비스페놀 A 디글리시딜에테르아크릴산 부가물 등의 글리시딜기를 함유하는 화합물에 아크릴산 또는 메타아크릴산을 부가하여 얻어지는 화합물; β-히드록시에틸아크릴레이트 또는 β-히드록시에틸메타크릴레이트의 프탈산에스테르, β-히드록시에틸 아크릴레이트 또는 β-히드록시에틸메타크릴레이트의 톨루엔디이소시아네이트 부가물 등의 수산화기 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물과 멀티(multi)- 카르복실산의 에스테르 화합물 또는 수산화기 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물의 멀티(multi)-이소시아네이트 부가물 등을 들 수 있다. 상기 에틸렌성 불포화 결합 함유 다관능 모노머는 단독으로 혹은 2종 이상의 혼합물로 사용 될 수 있다.
상기 에틸렌성 불포화 결합 함유 다관능기의 모노머는 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 관능기수가 3이상인 것이 미세 촉매 패턴 형상과 무전해 도금시 내화학성 및 접착 특성의 측면에서 더욱 바람직하다.
상기 에틸렌성 불포화 결합 함유 다관능기의 모노머의 함량은 상기 유기 고분자 수지 100중량부에 대하여 20~150중량부일 수 있다. 다관능기 모노머의 함량이 20중량부 미만이면 충분한 경화가 이루어지지 않아, 미세 패턴을 형성하기 어렵고 무전해 도금시 용해 및 박리 등의 불량이 발생할 수 있다. 150 중량부를 초과하면 코팅성이 감소하며 내부까지 균일하게 경화되지 않아 미세 촉매 패턴을 형성하기 어렵다.
본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물을 구성하는 광개시제의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를들어, 광중합 개시제로 아세토페논류, 벤조페논류, 미히라(Michler) 벤조일벤조에이트, α-아밀록심에스테르, 티옥산톤류 및 트리아진류로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종의 광개시제가 단독으로 혹은 함께 사용될 수 있다.
아세토 페논류의 예로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 2-벤질-2(디메틸아 미노)-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논)((2-Benzyl-2(dimethylamino)-1-[4-(4-morpholinyl)phenyl]-1-butanone, IRGACURE 369), α,α-디메톡시-α-페닐아세토페논(α,α-dimethoxy-α-phenylacetopheone, IRGACURE 651), IRGACURE 1300 (IRGACURE 369 (30wt%)+IRGACURE 651(70wt%)), 1-벤조일시클로-헥사놀(1-Benzoylcyclo-hexanol) , 2,2'-디메톡시-2-페닐-아세토페논(2,2'-Dimethoxy-2-phenyl-acetophenone, DMPA), 2,2-디에톡시아세토페논(2,2-diethoxyacetophenone, DEAP), 4-메틸메르캅토-α,α-디메틸-모르폴리노 아세토페논(4-Methylmercapto-α,α-dimethyl-morpholino acetophenone)을 포함할 수 있다. 상기 벤조페논류로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-0-벤조일옥심 (1-Phenyl-1,2-Propanedione-2-O-benzoyloxime, PPO), 에타논, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-O-아세틸옥심(Ethanone, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-1-(O-acetyloxime)(CGI242)을 포함할 수 있다. 상기 티옥산톤류로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 2-클로로티오-잔탄(2-Chlorothio-xanthane) 및 2-이소프로필티오잔탄 (2-isopropylthioxanthane)을 포함할 수 있다. 상기 트리아진류로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 3-{4-[2,4-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진-6-일]페닐티오}프로피온산(TPA)을 포함할 수 있다.
이때 상기 광개시제의 배합량은 상기 유기 고분자 수지 100 중량부에 대하여 1 내지 25 중량부, 바람직하게는 5~20 중량부이다. 광개시제 배합량이 1중량부 미만이면 촉매패턴층이 형성되지 않으므로 바람직하지 않고, 25중량부를 초과하면 패 턴의 정확성이 저하되므로 바람직하지 않다.
또한 필요에 따라, 광증감제가 상기 유기 고분자 수지와 광개시제의 혼합량 100중량부에 대하여 10중량부 이하, 바람직하게는 0.1 내지 10 중량부로 사용될 수 있다. 광증감제 첨가량이 10중량부를 초과하면 패턴의 정확성이 저하된다는 점에서 바람직하지 않다.
광증감제로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를 들어, n-부틸아민, 트리에틸아민 및 트리-n-부틸포스파인로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 1종 이상이 단독으로 혹은 2종 이상의 혼합물로 사용될 수 있다.
본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물을 구성하는 은이온 유기착화물 전구체는 은촉매 전구체로서 상기 수지조성물에 배합되며, 전자파 차폐층 제조시 촉매로 환원되어 무전해 도금에 대한 촉매로서 작용한다. 촉매의 안정성, 현상 및 무전해 도금과 같은 습윤 공정의 촉매 유실, 접착 특성, 무전해시 도금 특성 및 제조 비용 측면에서 은이온 유기 착화물 전구체가 가장 바람직하다. 촉매로서 은입자를 사용하는 경우에는 조성물 내에 균일하게 분산시키는 것이 어렵고, 응집이 발생하기 쉬워 조성물 내에 계면활성제와 같은 안정제를 첨가하여야 하며, 과량으로 사용하는 경우에는 현상성이 떨어져 미세 촉매층 형성이 어렵고, 또한, 촉매층의 접착 특성이 저하될 수 있다. 또한 무기 은염은 수용액에 용해되어 현상이나 무전해 도금시 유실될 수 있고 촉매층의 접착특성이 저하될 수 있으며, 따라서, 무전해 도금의 도금특성이 떨어질 수 있다.
이에 본 발명에서와 같이 은이온 유기 착화물 전구체를 사용하는 경우, 안정성, 접착성, 증착성이 무기 은염보다 우수함을 발견하였으며, 보다 바람직하게는 플루오르화 은이온 유기 착화물 전구체가 사용된다. 은이온 유기 착화물 전구체에 비하여 플루오르화 은이온 유기 착화물 전구체는 유기 고분자 수지 및 유기용매와의 혼화성(compatibility)이 우수하기 때문에 수지 조성물이 안정하고, 촉매 패턴의 형상이 우수하고 또한 물에 대한 용해도가 낮아 습식 공정에서 촉매의 손실이 잘 일어나지 않는 것으로 여겨진다. 뿐만 아니라, 플루오르화 은이온 유기 착화물 전구체를 사용하므로써 염기성 수용액인 무전해 도금용액에서 수지 조성물에서 은 촉매와 기재상의 흡착력이 더욱 증대되어 균일한 증착막을 얻을 수 있었다. 본 명세서에서 사용된 용어 '은이온 유기 착화물 전구체'란 촉매로서 작용하기 위해 환원처리등 되어야 하는 촉매로서 직접적으로 사용되기 전의 물질임을 뜻한다.
본 발명에 바람직한 은이온 유기 착화물 전구체로는 이로써 제한하는 것은 아니나, 예를들어, 은아세테이트계, 은설폰네이트계, β-카르보닐케톤계 실버(I)착화물 및 β-카르보닐에스테르계실버(I)착화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종 이상이 단독 또는 2종이상의 혼합물로 사용될 수 있다.
은아세테이트계 혹은 은설폰네이트계 은이온 유기 착화물로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를들어, 은아세테이트, 은락테이트, 은미리스트레이트, 은시트레이트, 은벤조에이트, 은페닐아세테이트, 은사이클로헥산부티레이트, 은파라톨루엔설폰네이트, 은옥살레이트, 은마론네이트, 은써신네이트, 또는 은에디픽에이트 등이 사용될 수 있으며, 플루오르화물로는 은(I)플루오르설페이트, 은(I)트라이플루오르아세테이트, 은(I)트라이플루오르메탄설페이트, 은(I)펜타플루오르프로피온네이트, 은(I)헵타플루오르부티레이트 등이 사용될 수 있다.
β-카르보닐케톤계 혹은 β-카르보닐에스테르계 실버(I)착화물로는 이로서 한정하는 것은 아니지만, 예를들어, 실버(I)아세틸아세토네이트, 3-클로로-2,4-펜탄다이온네이토 실버(I)착화물, 3,5-헵탄다이온네이토실버(I)착화물, 2-아세틸사이클로헥사노네이토실버(I)착화물, 3-에틸-2,4-펜타다이오네이토실버(I)착화물, 벤조일아세톤실버(I)착화물, 다이벤조일메탄실버(I)착화물, 2,2,6,6-테트라메틸헵탄다이엔실버(I)착화물, 에틸아세토아세테이트실버(I)착화물, 메틸아세토아세테이트실버(I)착화물, 아이소프로필아세토아세테이트실버(I)착화물, 터셔리아릴부틸아세토- 아세테이트실버(I)착화물등이 사용될 수 있으며, 플루오르화된 은이온 유기 착화물로는 1,5-사이클로옥타다이엔-헥사플루오르아세틸아세토네이토실버(I) 착화물, 1,1,1-트라이플루오르-2,4-펜타다이온네이토실버(I)착화물, 5,5-다이메틸-1,1,1-트라이플루오르-2,4-헥산다이온네이토실버(I)착화물, 1-(4-메톡시페닐)-4,4,4-트라이플루오르부탄다이온네이토실버(I)착화물, 5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-헵타데카플루오르데칸-2,4-다이온네이토실버(I)착화물, 1,1,1,2,2,3,3,-헵타플루오르-7,7-다이메틸-4,6-옥탄다이온네이토실버(I)착화물, 1,1,1,3,5,5,5-헵타플루오르펜탄-2,4-다이온네이토실버(I)착화물, 1,1,1,5,5,5-헥사플루오르펜탄-2,4-다이온네이토실버(I)착화물, 5,5,6,6,7,7,8,8,8-노나플루오르옥탄-2,4-다이온네이토실버(I)착화물, 5H,5H-퍼플루오르노난-4,6-다이온네이토실버(I)착화물, 6H,6H-퍼플루오루-운데칸-5,7-다이온네이토실버(I)착화물, 8H,8H-퍼플루오르펜타데칸-7,8-다이온네이토실버(I)착화물, 6H,6H-퍼플루오르운데칸-5,7-다이온네이토실버(I)착화물, 1-페닐-2H,2H-퍼플루오르헥산-1,3-다이온네이토실버(I)착화물, 1-페닐-2H,2H-퍼플루오르운데칸-1,3-다이온네이토실버(I)착화물, 5,6,6,6-테트라플루오르-5-(헵타플루오르프로폭시)헥산-2,4-다이온네이토실버(I)착화물, 1,1,5,5-테트라플루오르펜탄-2,4 다이온네이토실버(I)착화물, 5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,9-운데칸플루오르-노난-2,4-다이온네이토실버(I)착화물, 에틸 3-클로로-4,4,4-트라이플루오루아세토아세테이토실버(I)착화물, 에틸-4,4-다이플루오르아세토아세테이토실버(I)착화물, 에틸-4,4,4-트라이플루오르아세토아세테이토실버(I)착화물, 아이소프로필-4,4,4-트라이플루오르아세토아세테이토실버(I)착화물, 메틸-4,4,5,5,5-펜타플루오르-3-옥소펜타노네이토실버(I)착화물, 에틸-4,4,5,5,5-펜타플루오르-3-옥소-펜타노네이토실버(I)착화물, 및 1,1,1,5,5,6,6,6-옥타플루오르-2,4-헥산다이오네이토실버(I)착화물로부터 선택된 최소 일종 이상이 사용될 수 있다. 상기 은이온 유기 착화물은 단독으로 혹은 2종 이상의 혼합물로 사용될 수 있다.
본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물 중 은이온 유기착화물 전구체는 전체 유기 고형분 100중량부에 대하여, 2~80 중량부, 바람직하게는, 5~60중량부로 사용될 수 있다. 본 발명의 수지 조성물에 있어서 은이온 유기착화물 전구체 함량이 2중량부 미만이면 촉매의 양이 충분하지 않아 무전해 도금시 금속막 제조시간이 오래 걸리고 균일한 막의 형성이 어렵다. 반면, 촉매 전구체 수지 조성물 중의 은이온 유기착화물 전구체의 함량이 80중량부를 초과하면 현상성이 떨어져 20 ㎛이하의 균일한 미세 촉매 패턴을 형성하기 어렵고, 접착 특성이 저하되어 미세 패턴의 금속층 형성이 곤란하다.
본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물을 구성하는 용매는 특별히 제한되지는 않으나, 예를들어, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 또는 프로필렌글리콜과 같은 알코올류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 또는 n-메틸-2-피롤리돈과 같은 케톤류; 톨루엔, 크실렌, 또는 테트라메틸벤젠과 같은 방향족 탄화수소류; 셀로솔브, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 3-메톡시프로필아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 또는 디프로필렌 글리콜에틸 에테르와 같은 글리콜에테르류; 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 또는 프로필렌글리콜에틸에테르 아세테이트와 같은 아세테이트류 등으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 최소 1종이상이 단독으로 혹은 혼합물로 사용될 수 있다.
나아가, 상기 본 발명의 촉매 전구체 수지 조성물은 이로써 한정하는 것은 아니지만, 이 기술분야에 촉매전구체 수지 조성물 제조시 필요에 따라 일반적으로 사용될 수 있는 습윤제, 접착증진제등의 첨가제를 필요에 따라 추가로 포함할 수 있다.
상기 촉매 전구체 수지 조성물은 고형분 함량이 10~50중량%일 수 있다. 고형분 함량이 50중량%를 초과하면, 점도가 높아져 균일하게 코팅되지 않으며, 고형분 함량이 10중량% 미만이면, 두께가 얇아져 박막의 기계적 강도가 떨어지게 되므로 바람직하지 않다.
본 발명의 다른 구현에 있어서, 본 발명에 의한 금속패턴의 형성방법은 상기 촉매 전구체 수지 조성물을 기재에 코팅하여 촉매패턴층을 형성한 후, 이를 노광 및 현상하고 환원시킨 다음에 촉매패턴층위에 무전해 도금하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 구현에 있어서, 본 발명에 의한 금속 패턴의 제조방법은 상기 본 발명의 촉매 전구체 수지조성물을 이용하여 프린팅법으로 기재에 촉매패턴층을 형성하고, 환원시킨 후, 무전해 도금하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.
본 발명에서 사용하는 기재는 투명성 전자파 차폐재의 제조를 위하여, 투명 기재가 바람직하게 사용되며, 구체적으로 유리, 폴리카보네이트, 아크릴 수지, PET, TAC(Tri acetyl cellulose), 폴리염화비닐수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드 수지 등의 플라스틱 시트 또는 플라스틱 필름 등을 사용할 수 있다. 기타 기재의 두께등은 이 기술분야에서 일반적으로 것으로 특히 한정하지 않는다.
상기와 같은 기재에 본 발명의 촉매 형성 조성물을 코팅하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 도포액의 특성이나 도포량에 따라 달라질 수 있으며, 그 예로 롤 코팅, 그라비아 코팅, 딥 코팅, 바 코팅, 스프레이 코팅, 또는 스핀 코팅 등의 통상의 방법으로 코팅할 수 있다.
본 발명의 노광 및 현상공정은 통상적으로 알려져 있는 방법을 사용할 수 있다. 예를들어, 노광공정은 노광패턴을 가지는 마스크를 이용하여 접촉 또는 비접촉 노광 방식으로 행할 수 있다. 노광공정에서 광원으로는 할로겐 램프, 고압 수은등, 메탈 할라이드 램프등의 통상의 것을 사용할 수 있다. 현상 공정은 스프레이법 또는 침지법을 사용하여 현상할 수 있다. 노광 및 현상으로 제조된 촉매 패턴층의 형상은 라인의 폭이 30㎛ 이하, 바람직하게는 20㎛ 이하인 것이 좋다. 또한 본 발명에 의한 촉매 형성 조성물을 사용하여 라인 폭이 10㎛ 이하인 미세패턴을 형성할 수 있다. 노광현상 공정 후, 패턴이 없는 공간의 비율(개구율)이 60%이상, 더욱 바 람직하게는 70% 이상인 것이 적당하다.
한편, 프린팅법으로 촉매패턴층을 형성하는 경우에는 오프셋 프린팅, 잉크젯 프린팅, 임프린트 및 스크린 프린팅으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 방법으로 상기 기재에 본 발명에 의한 촉매 전구체 수지 조성물을 사용하여 촉매패턴층을 형성한 다음, 이를 환원시키고 환원된 촉매패턴층에 무전해 도금하여 금속패턴을 제조할 수 있다.
상기 노광 및 현상에 의한 촉매패턴층 형성 또는 프린팅법에 의한 촉매패턴 형성시, 촉매 패턴을 형성한 후에 무전해 도금 특성을 향상시키기 위하여 은이온 유기 착화물 전구체가 환원되도록 환원처리한다.
은이온 유기착화물의 환원방법은 특히 제한되는 것은 아니나, 환원제를 사용하거나 열 및/또는 UV 노광으로 환원처리할 수 있다. 환원제를 사용하는 경우 공지의 환원제를 사용할 수 있고, 예를들어, 소듐보레인하이드라이드(NaBH4)나 아스코르브산(Ascorbic acid) 수용액을 사용할 수 있다.
한편, 은이온 유기착화물의 종류에 따라, 무전해 도금시 무전해 도금 용액에 의해 자발적으로 환원될 수도 있으나, 무전해 도금용액에 의한 환원은 충분하지 못 하므로, 이 경우에도 은이온 환원공정을 필요로 한다.
환원제 수용액의 적정 농도는 0.01-1.0 M가 적당하고, 스프레이 방식이나 침지 방식으로 환원처리할 수 있다. UV 노광이나 열을 사용하여 환원시키는 방법은 습식 공정이 아니기 때문에 촉매의 유실 방지 측면에서 바람직한 것이다. 환원제 수용액의 농도가 0.01M 미만이면 환원력이 충분하지 않아 은이온 유기착화물 전구체가 충분히 환원되지 않으며, 1.0M을 초과하는 경우에는 환원정도를 제어하기 어렵고 패턴막이 손상될 염려가 있다.
상기 금속패턴층 형성시, 필요에 따라 코팅후에, 전열경화 및/또는 현상한 후에 후열경화할 수 있으며, 이러한 공정은 이 기술분야에서 일반적이며, 필요에 따라 행할 수 있는 것으로 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
상기와 같이 본 발명에 의한 촉매 전구체 수지 조성물을 이용하여 촉매패턴층을 형성한 후, 그 위에 무전해 도금을 하여 금속패턴을 형성한다. 무전해 도금은 이 기술분야에 일반적으로 알려져 있는 무전해 도금 기술을 이용하여 행할 수 있다.
본 발명에서는 구리 도금 또는 은 도금을 행할 수 있으며, 가격 및 전자파 차폐 성능 측면에서 구리도금하는 것이 바람직하다.
무전해 구리도금은 예를들어, 종래 일반적으로 사용되는 공지의 도금액을 이용하여 행할 수 있다. 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를들면 황산동와 같은 금속이온염, 포르말린 같은 환원제, EDTA 같은 착화제와 미량의 첨가제를 포함한 공지의 도금액을 사용할 수 있다.
상기 본 발명에 의한 방법으로 형성되는 금속패턴을 포함하는 최종 전자파 차폐막에서 촉매패턴층과 금속층의 총 두께는 도금욕의 금속염 또는 금속 이온 농도, 도금 온도, 증착 시간등에 의하여 제어할 수 있다. 촉매패턴층 및/또는 금속층의 두께는 패턴의 두께등에 따라 다양하게 변할 수 있는 것으로 이 기술분야의 기술자는 필요에 따라 적합한 두께가 되도록 촉매패턴층 및/또는 금속층의 두께를 조절할 수 있는 것으로 이로써 한정하는 것은 아니지만, 촉매패턴층과 금속층의 총 두께는 0.3㎛ 이상, 바람직하게는 0.5 ㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 더 바람직하게는 1-8㎛일 수 있다. 촉매패턴층과 금속층의 총 두께가 0.3㎛미만이면, 기계적 강도가 충분하지 않고, 전도도가 충분하지 않아 차폐특성이 저하될 수 있다. 촉매패턴층과 금속층의 총 두께가 8㎛을 초과하면, 두께가 너무 두꺼워져서 후공정 처리에 바람직하지 않다. 또한, 상기 촉매패턴층과 금속층의 총 두께중 금속층의 두께는 전도도 및 전자파 차폐성등을 고려하여 최소 0.1㎛(100㎚)인 것이 바람직하다.
이와 같이, 본 발명에 의한 촉매 전구체 수지 조성물을 사용하여 촉매패턴층 을 형성하므로써 촉매패턴층의 접착성이 증대되므로 현상 또는 도금공정과 같은 습윤공정 중의 촉매 유실이 적고, 도금속도가 향상되어 무전해 도금후 균일하고 미세한 금속패턴이 형성될 수 있다. 형성된 금속패턴을 포함하는 전자파 차폐재는 CRT, PDP, 액정, EL 등의 디스플레이 전면으로부터 발생되는 전자파 차폐막이나 연성 회로 기판의 배선 형성에 적합하게 사용될 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하고자 하며, 이로써 본 발명을 제한하는 것은 아니다.
실시예
실시예 1
A. 유기 고분자 수지(1) 및 이를 이용한 촉매 전구체 수지 조성물에 사용되는 배합물(2)의 제조
(1) 250mL 플라스크에서 15.0g MMA(Methyl methacrylate)과 15.0g MAA(Methacrylic acid)을 DPM(dipropylene glycol monomethyl ether) 75.4g에 녹인 후, 0.9g 3-MPA(3-mercaptopropionic acid)를 첨가하고 500rpm으로 교반하였다. 이 혼합용액을 질소 분위기 하에서 60℃로 승온시킨 후 1시간동안 교반하였다. 그 후, 0.9g AIBN(2,2'-azobisisobutyronitrile)을 DPM 10.0g에 녹인 용액을 상기 60℃의 혼합용액에 첨가하고, 3시간 동안 60?에서 반응을 수행하였다. 이와 같이 얻어진 유기 고분자 수지의 산가는 348.77mgKOH/g, 중량 평균 분자량은 7,933이었다.
(2) 상기와 같이 얻어지는 고분자 수지용액 5.81g, DPHA(dipentaerythritol hexa-acrylate) 용액(50wt% in PGMEA) 2.68g, 광개시제로 3-{4-[2,4-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진-6-일]페닐티오}프로피온산(TPA)을 0.185g을 혼합하고, 추가 용매로 PGMEA(프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트) 6.23g을 혼합하여 촉매 전구체 수지 조성물에 사용되는 배합물을 제조하였다.
B. 은이온 유기 착화물의 제조
상온에서 실버아세테이트 (AgOAc) 1g 과 다이메틸아세트아마이드 (DMAc) 10g을 섞고 500rpm으로 교반하였다. 여기에 1,1,1-트라이플루오로-2,4-펜타다이온 2.5g을 첨가하였다. 실버아세테이트가 1,1,1-트라이플루오로-2,4-펜타다이온과 착화물을 이루면서 다이메틸아세트아마이드 (DMAc) 유기용매에 잘 녹아 있는 노란색 용액이 형성되며, 이 용액을 0.20㎛실린지 필터를 통해 여과하여 얻어진 고형분을 촉매 전구체로 사용하였다. 다음 반응식 1은 상기 제조된 착화물의 반응식을 나타내는 것이다.
[반응식 1]
Figure 112007027768461-PAT00001
C. 촉매 전구체 수지 조성물의 제조
상기 은이온 유기착화물과 상기 촉매 전구체 수지 조성물에 사용되는 배합물을 2:1 중량비로 섞고, 교반기를 500rpm 교반하였다. 수지 조성물의 고형분 함량은 16.5중량%였다.
D. 미세금속패턴 형성
(1) 코팅: 두께 700㎛의 유리기판에 상기 C에서 제조된 촉매 전구체 수지 조성물을 1500rpm으로 10초 그리고 3000rpm으로 20초동안 스핀코팅하였다.
(2) 전열경화: 스핀코팅한 후에 100℃로 90초동안 전열경화하였다.
(3) 노 광: 접촉방식으로 포토마스크(20㎛ 메쉬 패턴)을 통해 330~500nm파장영역의 자외선을 180 mJ/Cm2 에너지로 조사하여 노광시켰다.
(4) 현 상: ENF사의 ECD-100(pH 13의 염기성 수용액)을 72초 동안 스프레이하고 초순수(DI)로 세정하고 질소를 블로잉하여 현상하였다.
(5) 환원: 현상 후, 0.1M 아스코르브산 수용액에 120초 동안 침지한 후, 초순수(DI)로 세정하여 은 촉매를 환원시켰다.
(6) 후열경화: 환원시킨 후, 100℃로 300초 동안 후열경화시켰다.
(7) 구리 무전해 도금: ATOTECH 사의 Covertron 구리도금액(Copper Bath)를 사용하여 60℃에서 행하였다.
실시예 2
본 실시예에서는 330~500nm 파장영역의 자외선을 3.9 J/㎠ 로 조사하여 은 유기화합물을 환원시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속패턴층을 형성하였으며, 형성된 금속패턴층의 광학현미경사진(배율 x250)을 도 3에 나타내었다.
실시예 3
A. 유기 고분자 수지(1) 및 이를 이용한 촉매 전구체 수지 조성물에 사용되는 배합물(2)의 제조
(1) 250mL 플라스크에서 9.0g MMA(Methyl methacrylate)과 21.0g MAA(Methacrylic acid)을 DPM 75.4g에 녹인 후, 0.9g 3-MPA(3-mercaptopropionic acid)를 첨가하여 500rpm으로 교반하였다. 이 혼합용액을 질소 분위기하에서 60℃로 승온시킨 후 1시간동안 500rpm으로 교반하였다. 0.9g AIBN(α,α'-azobisisobutyronitrile) 을 DPM 10.0g에 녹인 용액을 60℃의 혼합용액에 첨가해 준 후, 3시간 동안 60℃에서 반응을 수행하였다. 이와 같이 얻어진 유기 고분자 수지의 산가는 452.32mgKOH/g, 중량 평균 분자량은 6,423 이었다.
(2) 상기와 같이 얻어진 고분자 용액 5.81g, DPHA(dipentaerythritol hexa- acrylate) 용액(50wt% in PGMEA) 2.68g, 광개시제로 3-{4-[2,4-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진-6-일]페닐티오}프로피온산(TPA) 0.185g을 혼합하고 추가 용매로 PGMEA 6.23g을 혼합하여 촉매 전구체 수지 조성물에 사용되는 배합물을 제조하였다.
B. 촉매 전구체 수지 조성물의 제조
실시예 1에서 제조된 은이온 유기착화물과 상기 실시예 3의 A(2)에서 제조된 배합물을 2:1 중량비로 섞고, 교반기를 500rpm으로 하여 교반하여 촉매 전구체 수지 조성물을 제조하였다. 촉매 전구체 수지 조성물을 총 고형분 함량은 16.5중량%였다.
C. 미세금속패턴 형성
상기 실시예 3의 B의 촉매 전구체 수지 조성물을 사용한 것으로 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 기재위에 금속패턴을 형성하였으며, 형성된 금속패턴의 광학현미경사진 (배율 X 250)을 도 4에 나타내었다.
실시예 4
A. 유기 고분자 수지(1) 및 이를 이용한 촉매 전구체 수지 조성물에 사용되는 배합물(2)의 제조
(1) 250mL 플라스크에서 3.0g MMA(Methyl methacrylate)과 27.0g MAA(Methacrylic acid)을 DPM 75.4g에 녹인 후, 0.9g 3-MPA(3-mercaptopropionic acid)를 첨가하여 500rpm으로 교반하였다. 이 혼합용액을 질소 분위기하에서 60℃로 승온시킨 후 1시간동안 500rpm으로 교반하였다. 0.9g AIBN을 DPM 10.0g에 녹인 용액을 상기 60℃의 혼합용액에 첨가해 준 후, 3시간 동안 60℃에서 반응시켰다. 이와 같이 얻어진 유기 고분자 수지의 산가는 576.69mgKOH/g, 중량평균 분자량은 4,032이었다.
(2) 상기 합성으로 얻어진 고분자 수지 용액 5.81g, DPHA(dipentaerythritol hexa-acrylate) 용액(50wt% in PGMEA) 2.68g 및 광개시제로 3-{4-[2,4-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진-6-일]페닐티오}프로피온산(TPA) 0.185g을 혼합하고 추가 용매로 PGMEA 6.23g을 혼합하여 촉매 전구체 수지 조성물에 사용되는 배합물의 제조하였다.
B. 촉매 전구체 수지 조성물의 제조
실시예 1에서 제조된 은이온 유기착화물과 상기 실시예 4의 A(2)에서 제조된 배합물을 2:1 중량비로 섞고, 교반기를 500rpm으로 하여 교반하여 촉매 전구체 수지 조성물을 제조하였다. 촉매 전구체 수지 조성물의 고형분 함량은 16.5중량% 였다.
C. 미세금속패턴 형성
상기 실시예4의 B의 촉매 전구체 수지 조성물을 사용한 것으로 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 기재위에 금속패턴을 형성하였으며, 형성된 금속패턴의 광학현미경사진 (배율 x 250)을 도 5에 나타내었다.
실시예 5
은이온 유기 착화물로서 상온에서 실버아세틸아세토네이트(silver acetylacetonate) 1g 과 다이메틸아세트아마이드 (DMAc) 11.533g을 섞고 500rmp으로 교반하여 얻은 용액을 0.20μm 실린지 필터를 통해 여과하여 얻어진 고형분을 촉매 전구체로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 기재위에 금속패턴을 형성하였으며, 형성된 금속패턴의 광학현미경사진 (배율 X 250)을 도 6에 나타내었다.
비교예 1
A. 유기 고분자 수지(1) 및 이를 이용한 촉매 전구체 수지 조성물에 사용되는 배합물(2)의 제조
(1) 250mL 플라스크에서 9.0g MMA(Methyl methacrylate)과 21.0g MAA(Methacrylic acid)을 DPM 75.4g에 녹인 후, 0.9g 3-MPA(3-mercaptopropionic acid)를 첨가하여 500rpm으로 교반하였다. 이 혼합용액을 질소 분위기하에서 60℃로 승온시킨 후 1시간동안 추가로 500rpm으로 교반하였다. 0.9g AIBN을 DPM 10.0g에 녹인 용액을 상기 60℃의 혼합용액에 첨가해 준 후, 3시간 동안 60℃에서 반응 시켰다.
이와 같이 얻어진 유기 고분자 수지의 산가는 452.32mgKOH/g, 중량 평균 분자량은 6,423이었다. 상기 합성된 유기 고분자 용액을 80℃로 온도를 올려준 후 산소 분위기 하에서 30분 동안 다시 교반해 준다. 다시 용액의 온도를 90℃로 상승시킨 다음 0.15g DMAP(dimethyl amino pyridine)를 용매(DPM) 3g에 녹인 용액을 첨가한다. 이 용액을 110℃로 상승시킨 후, 7.44g GMA(glycidyl methacrylate)를 첨가하고 6시간 동안 교반한 후, 용액을 상온으로 식힌다. 이렇게 얻어진 고분자의 산가는 123.74mgKOH/g이었고, 중량 평균 분자량은 11,635 이었다.
(2) 상기 합성으로 얻어진 고분자 수지용액 5.81g과 DPHA (dipentaerythritol hexa-acrylate) 용액(50wt% in PGMEA) 2.68g, 광개시제로 3-{4-[2,4-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진-6-일]페닐티오}프로피온산(TPA) 0.185g을 혼합하고 추가 용매로 PGMEA 6.23g을 혼합하여 촉매 전구체 수지 조성물에 사용되는 배합물을 제조하였다.
B. 촉매 전구체의 제조
상온에서 실버나이트레이트(AgNO3) 1g 과 다이메틸포름아마이드 (DMF) 1g을 교반하면서 500rpm으로 혼합하고 이 용액을 0.20㎛ 실린지 필터를 통해 여과하여 얻어진 고형물을 촉매 전구체로 사용하였다.
C. 촉매 전구체 수지조성물의 제조
상기 비교예 1의 A(2)에서 준비된 배합물과 비교예 1의 B에서 준비된 촉매전구체를 1:1 중량비로 교반기로 500rpm으로 교반하면서 혼합하였다. 촉매 전구체 수지 조성물의 고형분 함량은 16.5중량% 였다.
D. 미세금속패턴 형성
상기 촉매 전구체 수지 조성물을 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 미세금속패턴을 형성하였으며 형성된 금속패턴의 광학현미경사진(배율 x 250)을 도 7에 나타내었다.
비교예 2
촉매 전구체를 사용하지 않은 것으로 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 미세금속패턴을 형성하였으며, 형성된 미세금속패턴의 광학현미경사진(배율 x 50)을 도 8 에 나타내었다.
비교예 3
상온에서 팔라듐아세테이트(II)(PdOAc2) 1g 과 다이메틸포름아마이드 (DMF) 1g의 혼합물을 교반하면서 혼합하였다. 이를 구리 무전해 도금 촉매로 사용한 것을 제외하고는 실시예 4와 같은 방법으로 촉매 전구체 수지 조성물을 제조하였다.
상기 촉매 전구체 수지 조성물은 촉매와 유기용매의 상용성이 떨어지고, 또한 유기고분자와 혼련시에서 상이 분리되어 침전이 발생하여 촉매패턴의 형성이 불가능하였다.
비교예 4
상온에서 팔라듐아세테이트(II)(PdOAc2) 1g, 폴리비닐피롤리돈(PVP,Mw 10,000) 2.5g을 다이메틸아세트아마이드(DMAc) 10g에 교반하면서 혼합하여 촉매상을 준비하였다. 상기 제조된 촉매상과 실시예 4에서 사용된 유기고분자 2:1 중량비로 교반하면서 혼합하여 촉매 전구체 수지조성물을 제조하였다.
실시예 2에서 사용된 방법으로 본 비교예의 촉매 전구체 수지 조성물을 사용하여 촉매 패턴을 형성하려 하였으나, 코팅막이 균일하게 형성되지 않고, 현상되지 않아 촉매 패턴을 형성할 수 없었다.
상기 실시예 1 내지 5에서와 같이 은이온 유기착화물을 사용한 경우 유기고분자, 유기 용매와의 상용성이 매우 우수하여 촉매의 패턴이 매우 균일하고 패턴내에 촉매가 균일하게 분포되고, 미세한 촉매패턴으로 형성되었다. 또한, 현상 공정 및 도금 공정중 박리 발생이 없고, 빠른 시간내에 도 2 내지 6에 도시한 바와 같이 우수한 미세금속패턴이 형성되었다.
환원처리로는 화학적으로 환원처리한 경우보다 UV 노광으로 환원처리한 경우에 보다 우수한 금속패턴이 형성되었다.
무기 은 염을 사용한 경우(비교예 1)에는 현상공정 및 도금공정 중 촉매패턴층의 일부가 박리되고 촉매 유실에 의해 도금층이 느리게 형성되고 금속 도금층의 품질이 저조하였다. 또한, 장시간 무전해 도금시 촉매패턴층이 박리되었다.
촉매를 사용하지 않는 비교예 2의 경우에는, 금속 패턴의 투명기재에 대한 흡착성이 현저하게 저조하므로 기재에 도금용액이 도금이 되지 않았다.
비교예 3에 사용한 촉매는 유기용매와의 상용성이 떨어지고, 또한 유기고분자와 혼련시에서 상이 분리되어 침전이 발생하여 균일한 패턴의 촉매패턴층의 형성이 불가능하였다.
혼련성을 향상시키기 위하여 PVP를 첨가한 비교예 4의 경우는 촉매 패턴층이 균일하지 않고, 현상도 되지 않아 촉매패턴을 형성할 수 없었다.
본 발명에 따른 은이온 유기 착화물 함유 수지 조성물을 금속패턴의 제조에 사용함에 따라 형성된 촉매막의 접착성이 우수하며, 현상 또는 도금공정과 같은 습윤공정 중의 촉매 유실이 적고, 도금속도가 향상되어 무전해 도금후 균일하고 미세한 금속패턴으로 형성된다. 또한, 본 발명에 의한 촉매 전구체 수지 조성물 및 방법으로 제조된 금속패턴을 포함하는 전자파 차폐재는 CRT, PDP, 액정, EL 등의 디스플레이 전면으로부터 발생되는 전자파 차폐막이나 연성 회로 기판의 배선 형성에 적합하게 사용될 수 있다.

Claims (29)

  1. (a) 유기고분자 수지; (b) 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 다관능 모노머; (c) 광개시제; (d) 은이온 유기착화물 전구체 및 (e) 유기용매를 포함하여 이루어지는 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 유기 고분자 수지는 카르복실기 함유 모노머 및 카르복실기 함유 모노머와 공중합가능한 불포화 이중결합 함유 모노머의 공중합체임을 특징으로 하는 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 카르복실기 함유 모노머는 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 모노메틸말레산, 이소프렌술폰산, 스티렌술폰산 및 5-노보넨-2-카르복실산으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종 이상임을 특징으로 하는 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 유기 고분자 수지는 중량평균 분자량이 2,000~30,000임을 특징으로 하는 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 유기 고분자 수지는 산가가 90~700mgKOH/g임을 특징으로 하는 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 다관능 모노머는 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 에틸렌기의 수가 2~14인 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 또는 폴리에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라메타크릴레이트, 프로필렌기의 수가 2~14인 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 또는 프로필렌글리콜디메타크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타메타크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사메타크릴레이트 등의 다가 알코올을 α,β-불포화 카르복실산으로 에스테르화하여 얻어지는 화합물; 트리메틸올프로판 트리글리시딜에테르아크릴산 부가물, 비스페놀 A 디글리시딜에테르아크릴산 부가물 등의 글리시딜기를 함유하는 화합물에 아크릴산 또는 메타크릴산을 부가하여 얻어지는 화합물; β-히드록시에틸아크릴레이트 또는 β-히드록시에틸메타크릴레이트의 프탈산에스테르, β-히드록시에틸 아크릴레이트 또는 β-히드록시에틸메타크릴레이 트의 톨루엔디이소시아네이트 부가물 등의 수산화기 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물과 멀티(multi)-카르복실산의 에스테르 화합물 또는 수산화기 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물의 멀티(multi)-폴리이소시아네이트 부가물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 다관능 모노머는 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 관능기수가 3이상인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 다관능 모노머는 상기 유기고분자 수지 100 중량부에 대하여 20~150 중량부로 배합됨을 특징으로 하는 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 광개시제는 아세토페논류, 벤조페논류, 미히라(Michler) 벤조일벤조에이트, α-아밀록심에스테르, 티옥산톤류 및 트리아진류로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종 이상임을 특징으로 하는 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 광개시제는 상기 유기 고분자 수지 100중량부에 대하여 1~25중량부로 사용되는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 은이온 유기 착화물 전구체는 은아세테이트계, 은설폰네이트계, β-카르보닐케톤계 실버(I)착화물 및 β-카르보닐에스테르계 실버(I)착화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종 이상임을 특징으로 하는 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 은이온 유기 착화물 전구체는 은아세테이트, 은락테이트, 은미리스트레이트, 은시트레이트, 은벤조에이트, 은페닐아세테이트, 은사이클로헥산부티레이트, 은파라톨루엔설폰네이트, 은옥살레이트, 은마론네이트, 은써신네이트, 은에디픽에이트, 실버(I)아세틸아세토네이트, 3-클로로-2,4-펜탄다아온네이토실버(I)착화물, 3,5-헵탄다이온네이토실버(I)착화물, 2-아세틸사이클로헥사노네이토 실버(I)착화물, 3-에틸-2,4-펜타다이온네이토실버(I)착화물, 벤조일아세 톤실버(I)착화물, 다이벤조일메탄실버(I)착화물, 2,2,6,6-테트라메틸헵탄다이엔 실버(I)착화물, 에틸아세토아세테이트실버(I)착화물, 메틸아세토아세테이트실버(I)착화물, 아이소프로필아세토아세테이트실버(I)착화물 및 터셔리아릴부틸아세토 아세테이트실버(I)착화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종 이상임을 특징으로 하는 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물.
  13. 제 11항에 있어서, 상기 은이온 유기 착화물 전구체는 플루오르화된 은이온 유기 착화물임을 특징으로 하는 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 플루오르화된 은이온 유기 착화물 전구체는 은(I)플루오르설페이트, 은(I)트라이플루오르아세테이트, 은(I)트라이플루오르메탄설페이트, 은(I)펜타플루오르프로피온네이트, 은(I)헵타플루오르브티레이트, 1,5-사이클로옥타다이엔-헥사플루오르아세틸아세토네이토실버(I) 착화물, 1,1,1-트라이프루오르-2,4-펜타다이온네이토실버(I)착화물, 5,5-다이메틸-1,1,1-트라이플루오르-2,4-헥산다이온네이토실버(I)착화물, 1-(4-메톡시페닐)-4,4,4-트라이플루오르부탄다이온네이토실버(I)착화물, 5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-헵타데카플루오르데칸-2,4-다이온네이토실버(I)착화물 1,1,1,2,2,3,3-헵타플루오르-7,7-다이메틸-4,6-옥탄다이온네이토실버(I)착화물, 1,1,1,3,5,5,5-헵타플루오르펜탄-2,4-다이 온네이토실버(I)착화물, 1,1,1,5,5,5-헥사플루오르펜탄-2,4-다이온네이토실버(I)착화물, 5,5,6,6,7,7,8,8,8-노나플루오르옥탄-2,4-다이온네이토실버(I)착화물, 5H,5H-퍼플루오르노난-4,6-다이온네이토실버(I)착화물, 6H,6H-퍼플루오루-운데칸-5,7-다이온네이토실버(I)착화물, 8H,8H-퍼플루오르펜타데칸-7,8-다이온네이토실버(I)착화물, 6H,6H-퍼플루오르운데칸-5,7-다이온네이토실버(I)착화물, 1-페닐-2H,2H-퍼플루오르헥산-1,3-다이온네이토실버(I)착화물, 1-페닐-2H,2H-퍼플루오르운데칸-1,3-다이온네이토실버(I)착화물, 5,6,6,6-테트라플루오르-5-(헵타플루오르프로폭시)헥산-2,4-다이온네이토실버(I)착화물, 1,1,5,5-테트라플루오르펜탄-2,4 다이온네이토실버(I)착화물, 5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,9-운데칸플루오르-노난-2,4-다이온네이토실버(I)착화물, 에틸 3-클로로-4,4,4-트라이플루오루아세토아세테이토실버(I)착화물, 에틸-4,4-다이플루오르아세토아세테이토실버(I)착화물, 에틸-4,4,4-트라이플루오르아세토아세테이토실버(I)착화물, 아이소프로필-4,4,4-트라이플루오르아세토아세테이토실버(I)착화물, 메틸-4,4,5,5,5-펜타플루오르-3-옥소펜타노네이토실버(I)착화물, 에틸-4,4,5,5,5-펜타플루오르-3-옥소-펜타노네이토실버(I)착화물, 및 1,1,1,5,5,6,6,6-옥타플루오르-2,4-헥산다이오네이토실버(I)착화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종임을 특징으로 하는 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물.
  15. 제 1항에 있어서, 상기 은이온 유기 착화물 전구체는 촉매 전구체 수지 조성 물중의 전체 유기 고형분 100중량부에 2~80중량부로 첨가됨을 특징으로 하는 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물.
  16. 제 1항에 있어서, 상기 유기용매는 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 또는 프로필렌글리콜과 같은 알코올류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 또는 n-메틸-2-피롤리돈과 같은 케톤류; 톨루엔, 크실렌, 또는 테트라메틸벤젠과 같은 방향족 탄화수소류; 셀로솔브, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 3-메톡시프로필아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌 글리콜모노메틸에테르, 또는 디프로필렌글리콜에틸에테르와 같은 글리콜에테르류; 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트, 또는 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트와 같은 아세테이트류로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 1종 이상임을 특징으로 하는 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물.
  17. 제 1항에 있어서, 상기 유기 고분자 수지와 광개시제 혼합양 100중량부에 대하여 광증감제를 10중량부 이하로 추가로 포함함을 특징으로 하는 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 광증감제는 n-부틸아민, 트리에틸아민 또는 트리-n-부틸포스파인으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종 이상임을 특징으로 하는 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물.
  19. (a) 청구항 1항의 촉매 전구체 수지 조성물을 기재에 코팅하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 조성물을 노광 및 현상하여 촉매패턴층을 형성하는 단계;
    (c) 상기 촉매패턴층을 환원시키는 단계; 및
    (d) 상기 환원된 막을 무전해 도금하는 단계
    를 포함하여 이루어지는 금속패턴 형성방법.
  20. (a) 청구항 1항의 촉매 전구체 수지 조성물을 사용하여 기재상에 촉매패턴층을 형성하는 단계;
    (b) 상기 형성된 촉매패턴층을 환원시키는 단계; 및
    (c) 상기 환원된 패턴을 무전해 도금하는 단계
    를 포함하여 이루어지는 금속패턴 형성방법.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 촉매 패턴 형성은 오프셋 프린팅, 잉크젯 프린팅, 임프린트 또는 스크린 프린팅으로 행함을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
  22. 제 19항 또는 20항에 있어서, 상기 기재는 유리, 폴리카보네이트, 아크릴 수지, PET, TAC(Tri-acetyl cellulose), 폴리염화비닐수지, 폴리아마이드 수지 및 폴리이미드 수지와 같은 플라스틱 시트 또는 플라스틱 필름으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 일종임을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
  23. 제 19 항 또는 20항에 있어서, 상기 환원단계는 소듐보레인하이드라이드 또는 아스코르브산 환원제로 수행되는 것을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
  24. 제 19 항 또는 20항에 있어서, 상기 환원단계는 UV 노광 및/또는 열을 적용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
  25. 제 19 항 또는 20항에 있어서, 상기 무전해 도금은 구리도금 또는 은도금으 로 수행되는 것을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
  26. 제 25항에 있어서, 상기 구리도금은 황산동과 같은 금속이온염, 포르말린과 같은 환원제 및 EDTA와 같은 안정화제를 포함하는 도금액을 이용하여 수행됨을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
  27. (a) 청구항 1항의 촉매 전구체 수지 조성물을 기재에 코팅하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 조성물을 노광 및 현상하여 촉매패턴층을 형성하는 단계;
    (c) 상기 촉매패턴층을 환원시키는 단계; 및
    (d) 상기 환원된 막을 무전해 도금하는 단계
    를 포함하여 이루어지는 방법으로 형성된 금속패턴.
  28. (a) 청구항 1항의 촉매 전구체 수지 조성물을 사용하여 기재상에 촉매패턴층을 형성하는 단계;
    (b) 상기 형성된 촉매패턴층을 환원시키는 단계; 및
    (c) 상기 환원된 패턴을 무전해 도금하는 단계
    를 포함하여 이루어지는 방법으로 형성된 금속패턴.
  29. 청구항 27항 또는 28항의 금속패턴을 포함하는 전자파 차폐재.
KR1020070035607A 2006-04-13 2007-04-11 전자파 차폐층 제조시 무전해도금에 대한 촉매 전구체수지조성물, 이를 이용한 금속패턴 형성방법 및 이에 따라제조된 금속패턴 KR100823718B1 (ko)

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TW096113065A TWI364626B (en) 2006-04-13 2007-04-13 Resin composition comprising catalyst precursor for electroless plating to form electromagnetic wave shielding layer, methods for forming metal patterns using the resin composition and metal patterns formed by the methods
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008140272A2 (en) * 2007-05-15 2008-11-20 Lg Chem, Ltd. Resin composition containing catalyst precursor for electroless plating in forming electro-magnetic shielding layer, method of forming metallic patten using the same, and metallic pattern formed by the same method
KR100958289B1 (ko) * 2007-07-09 2010-05-19 주식회사 엘지화학 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물, 이를 이용한 금속패턴 형성방법 및 이에 따라 형성된 금속패턴
KR100964962B1 (ko) * 2007-07-03 2010-06-21 주식회사 엘지화학 그라비아 인쇄법을 이용한 촉매 패턴 형성에 사용되는 촉매전구체 수지 조성물, 이를 이용한 금속패턴 형성방법 및이에 따라 형성된 금속패턴
CN110010337A (zh) * 2019-05-07 2019-07-12 深圳市金泰德五金电子有限公司 一种高效的扁平状漆包线去漆皮方法
KR20230140951A (ko) * 2022-03-30 2023-10-10 재단법인대구경북과학기술원 투명 전극 및 광열층의 동시 패터닝 방법 및 이를 통하여 제조된 투명 전극 구조체

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110071805A (ko) * 2009-12-21 2011-06-29 삼성전기주식회사 금속 박막 형성용 유기 금속 착물, 이를 포함하는 잉크 및 이를 이용한 금속 박막의 형성방법
US9176377B2 (en) 2010-06-01 2015-11-03 Inpria Corporation Patterned inorganic layers, radiation based patterning compositions and corresponding methods
KR101114256B1 (ko) * 2010-07-14 2012-03-05 한국과학기술원 패턴 제조 방법
CN103773143B (zh) * 2012-10-26 2017-02-22 比亚迪股份有限公司 白色涂料组合物、绝缘基材表面选择性金属化的方法及复合制品
US9310684B2 (en) * 2013-08-22 2016-04-12 Inpria Corporation Organometallic solution based high resolution patterning compositions
TW201543977A (zh) * 2014-05-07 2015-11-16 Daxin Materials Corp 形成含銀之導電圖案層的方法
JP6888619B2 (ja) * 2017-03-07 2021-06-16 東レ株式会社 印刷物の製造方法および印刷機
CN110922429B (zh) * 2018-09-20 2023-11-03 北京夏禾科技有限公司 含有辅助配体的有机发光材料
EP3648161A1 (en) 2018-11-05 2020-05-06 Heraeus Deutschland GmbH & Co KG Method of manufacturing an electromagnetic interference shielding layer
CN109881497B (zh) * 2019-02-25 2021-12-03 普宁市鸿骏纺织有限公司 一种防水面料及其制备方法
CN111234099B (zh) * 2020-03-12 2021-09-03 扬州大学 一种高性能防辐射含铅有机玻璃及其制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0823691B2 (ja) * 1989-02-24 1996-03-06 日本合成化学工業株式会社 感光性樹脂組成物
JPH04103771A (ja) 1990-08-23 1992-04-06 Sankei Giken Kogyo Kk 求電子的な極性を有する材料の無電解めっき方法
JPH10163673A (ja) * 1996-10-01 1998-06-19 Nisshinbo Ind Inc 電磁波シールドパネル及びその製造方法
EP0921433B1 (en) * 1997-12-08 2002-08-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Thermographic recording elements
JP3861462B2 (ja) * 1998-05-28 2006-12-20 三菱化学株式会社 カラーフィルター用光重合性組成物
KR100878236B1 (ko) * 2002-06-12 2009-01-13 삼성전자주식회사 금속 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터기판의 제조 방법
CN1238420C (zh) * 2002-10-22 2006-01-25 中国科学院化学研究所 一种酚醛树脂纳米复合材料的制法及由其制备的产品
JP4641719B2 (ja) * 2002-12-27 2011-03-02 富士フイルム株式会社 透光性電磁波シールド膜の製造方法及び透光性電磁波シールド膜
KR100529371B1 (ko) * 2003-07-29 2005-11-21 주식회사 엘지화학 촉매전구체 수지조성물 및 이를 이용한 투광성 전자파차폐재 제조방법

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008140272A2 (en) * 2007-05-15 2008-11-20 Lg Chem, Ltd. Resin composition containing catalyst precursor for electroless plating in forming electro-magnetic shielding layer, method of forming metallic patten using the same, and metallic pattern formed by the same method
WO2008140272A3 (en) * 2007-05-15 2008-12-31 Lg Chemical Ltd Resin composition containing catalyst precursor for electroless plating in forming electro-magnetic shielding layer, method of forming metallic patten using the same, and metallic pattern formed by the same method
US8519017B2 (en) 2007-05-15 2013-08-27 Lg Chem, Ltd. Resin composition containing catalyst precursor for electroless plating in forming electro-magnetic shielding layer, method of forming metallic pattern using the same, and metallic pattern formed by the same method
US8840769B2 (en) 2007-05-15 2014-09-23 Lg Chem, Ltd. Resin composition containing catalyst precursor for electroless plating in forming electro-magnetic shielding layer, method of forming metallic pattern using the same, and metallic pattern formed by the same method
KR100964962B1 (ko) * 2007-07-03 2010-06-21 주식회사 엘지화학 그라비아 인쇄법을 이용한 촉매 패턴 형성에 사용되는 촉매전구체 수지 조성물, 이를 이용한 금속패턴 형성방법 및이에 따라 형성된 금속패턴
KR100958289B1 (ko) * 2007-07-09 2010-05-19 주식회사 엘지화학 전자파 차폐용 촉매 전구체 수지 조성물, 이를 이용한 금속패턴 형성방법 및 이에 따라 형성된 금속패턴
CN110010337A (zh) * 2019-05-07 2019-07-12 深圳市金泰德五金电子有限公司 一种高效的扁平状漆包线去漆皮方法
KR20230140951A (ko) * 2022-03-30 2023-10-10 재단법인대구경북과학기술원 투명 전극 및 광열층의 동시 패터닝 방법 및 이를 통하여 제조된 투명 전극 구조체

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