KR101123006B1

KR101123006B1 - 전자파 차폐층의 촉매 흡착용 수지조성물, 이를 이용한금속 패턴 형성방법 및 이에 따라 제조된 금속패턴

Info

Publication number: KR101123006B1
Application number: KR1020070055137A
Authority: KR
Inventors: 고민진; 김민균; 노정임; 이상철
Original assignee: 주식회사 엘지화학
Priority date: 2007-06-05
Filing date: 2007-06-05
Publication date: 2012-03-12
Also published as: KR20080107165A

Abstract

전자파 차폐용 금속패턴 형성에 사용되는 말레이미드 단량체와 카르복시기를 갖는 아크릴레이트로 구성된 아크릴레이트 공중합체 수지를 포함하는 전자파 차폐패턴형성시 촉매 흡착용 수지조성물 및 이를 이용한 금속패턴 형성방법에 관한 것으로, (a) 카르복시기를 갖는 단량체와 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체의 공중합체 수지, (b)에틸렌성 불포화 결합을 갖는 다관능성 단량체, (c)광개시제 및 (d)유기용매를 포함하여 이루어지는 촉매 흡착용 수지조성물; 및 (a) 상기 수지조성물로 기재에 금속 촉매 흡착을 위한 패턴을 형성하는 단계; (b) 상기 형성된 금속촉매 흡착을 위한 패턴에 금속이온을 흡착시키는 금속촉매 흡착단계; (c) 금속촉매를 환원시키는 단계; 및 (d) 상기 환원된 금속촉매층에 무전해 도금하는 단계를 포함하여 이루어지는 금속 패턴 형성방법이 제공된다. 본 발명의 금속패턴 형성방법은 고가의 원자재인 베이스 필름을 사용하지 않을 수 있으며, 구리 메쉬 패턴의 제조 비용이 감소하여, 가격 경쟁력이 있으며, 에칭 공정이 없으므로 정밀한 미세회로 구현이 가능하며, 무아레(Moire) 현상이 감소된다.

전자파 차폐, 금속 미세패턴 형성, 금속 이온 흡착, 카르복시산 관능기를 갖는 단량체, 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체

Description

전자파 차폐층의 촉매 흡착용 수지조성물, 이를 이용한 금속 패턴 형성방법 및 이에 따라 제조된 금속패턴{Resin Composition for Absorbing Catalysts in Preparing Electro-Magnetic Shielding Layer, Method for Forming Metallic Patten Using the Same and Metallic Pattern Formed Thereby}

도 1은 실시예 1에서 제조된 금속패턴을 나타내는 광학현미경사진(배율 x 100)이다.

본 발명은 특정한 수지를 포함하는 전자파 차폐층 형성시 사용되는 촉매 흡착용 수지조성물, 이를 이용한 금속패턴 형성방법, 이에 따라 형성된 금속패턴 및 형성된 금속패턴을 포함하는 전자파 차폐재에 관한 것이다. 보다 상세하게 본 발명은 전자파 차폐층 형성에 사용되는 카르복시기를 갖는 단량체와 말레이미드 단량체의 공중합체 수지를 포함하는 촉매흡착용 수지조성물, 이를 이용한 금속패턴 형성방법, 이에 따라 형성된 금속패턴 및 금속패턴을 포함하는 전자파 차폐재에 관한 것이다.

주지하는 바와 같이, PDP 등과 같은 표시장치에서 전방으로 방사되는 전자파를 차폐할 필요가 있으며, 효율적으로 전자파를 차폐하기 위하여 구리 메쉬 패턴이 형성된 투명 필름이 전자파 차폐막으로 사용되어 왔다.

종래에는 투명 필름 위에 구리 메쉬 패턴을 형성하기 위하여, 폴리에틸렌(PE) 또는 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(PET, Poly Ethylene Terephthalate) 필름소재에 구리(Cu)소재의 박판을 압착한 원자재 베이스 필름(Base Film)이 사용되어 왔다. 구리 메쉬 패턴은 드라이 필름(Dry Film) 또는 감광액등을 구리소재의 박판 표면에 도포한 다음, 원하는 회로를 드라이 필름 또는 감광액 도포층에 밀착하고 자외선(UV)을 조사하여 전사한 후에, 현상액을 이용하여 현상하고, 이어서 화학 부식액으로 구현하고자 하는 회로만 남긴 상태에서 불필요한 구리(Cu)박판을 부식(Etching)시킨 다음, 회로 표면에 밀착된 드라이 필름 또는 도포된 감광액을 제거하여 구리 메쉬 패턴을 제조하여 왔다.

그러나, 이러한 구리 메쉬 패턴 형성방법은 공정이 단순한 반면에 구리(Cu)층이 부착된 원자재 베이스 필름이 고가이어서 구리 메쉬패턴의 제조비용이 증가되어 가격 경쟁력을 갖지 못하며, 부식(etching)공법에 따른 정밀한 미세회로 구현에 어려움이 있으며, 부식액의 사용으로 인하여 부식액 폐기과정에서 환경문제를 유발시키게 된다.

또한, 사진 현상방법으로 금속층을 형성하고 도금 또는 무전해 도금 처리하는 방법이 제시되어 있으나, 사진 현상방법은 여러층이 필요하고 공정이 복잡한 단점이 있다. 한편, 금속촉매를 감광성 수지에 혼합하고 현상한 후, 무전해 도금 및 전해 도금을 행하는 것이 보고되고 있으며, 강염기 수용액에서의 패턴탈착 등, 무전해 도금시 수반되는 문제에 대한 해결방법들이 구체적으로 제시되어 있지 않다.

이와 관련된 종래기술로서 일본 특허공개 2003-304090호는 투명기재상에 그라비아 인쇄법에 의해 수지조성물로 형성된 평균 선폭 50미크론 이하의 망상패턴이 형성되고 패턴위에 무전해 도금법으로 금속층이 설치되고 도전성이 부여된 투명전자파 차폐재료 및 그 제조방법에 대하여 개시하고 있으나, 상기 특허는 미세 패턴의 구현이 어려운 문제를 갖는다.

또한, 일본 특허공개 2004-56106는 소수성을 패턴을 형성한 다음에, 친수성 영역에 금속이온 또는 금속염을 부여하고 금속을 환원시키고, 환원된 금속층위에 금속막을 형성하는 패턴형성방법을 개시하고 있으나, 상기 특허는 형성되는 금속막의 두께가 얇아 충분한 전도도가 나오지 않는다는 문제점이 있다.

이에, 본 발명자들은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 많은 연구를 진행한 결과 특정한 수지를 함유하는 조성물을 사용하므로써 상기 문제점을 해결할 수 있음을 발견하고 본 발명을 완성하였다.

본 발명의 목적은 패턴 특성이 우수하고, 미세 패턴의 형성이 가능하며, 촉매 금속 이온의 흡착이 용이하며, 내화학성이 우수한 촉매 흡착용 수지 조성물을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 촉매 흡착용 수지 조성물을 이용한 금속패턴의 형성 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 본 발명의 방법으로 형성된 금속패턴 및 이를 포함하는 전자파 차폐재를 제공하는 것이다.

본 발명의 일 견지에 의하면,

(a) 카르복시기를 갖는 단량체와 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체의 공중합체 수지,

(b) 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 다관능성 단량체,

(c) 광개시제, 및

(d) 유기용매를 포함하는 촉매 흡착용 수지 조성물이 제공된다.

본 발명의 다른 견지에 의하면,

(a) 본 발명의 촉매 흡착용 수지조성물로 투명기재에 금속촉매 흡착을 위한 패턴을 형성하는 단계;

(b) 형성된 금속촉매 흡착을 위한 패턴에 촉매금속이온을 흡착시키는 금속촉매 흡착단계;

(c) 상기 금속촉매를 환원시키는 단계; 및

(d) 환원된 촉매층에 무전해 도금하는 단계를 포함하는 금속패턴 형성방법이 제공된다.

본 발명의 또 다른 견지에 의하면,

(c) 상기 금속촉매를 환원시키는 단계; 및

(d) 환원된 촉매층에 무전해 도금하는 단계를 포함하는 방법으로 형성된 금속패턴이 제공된다.

나아가, 본 발명의 또 다른 견지에 의하면,

상기 본 발명에 의한 금속패턴을 포함하는 전자파 차폐재가 제공된다.

이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.

본 발명자들은 공정이 단순하고, 선폭 20μm 이하의 미세한 금속 패턴의 형성이 가능하고, 패턴 특성이 매우 우수한 금속 배선 형성방법을 연구한 결과, 카르복시기를 갖는 단량체와 질소에 지용성 관능기가 치환된 말레이미드 단량체를 갖는 공중합체 고분자 수지를 함유하는 촉매 흡착용 수지조성물을 사용하므로써 내화학성이 우수하여 강염기를 사용하는 도금공정에서도 안정한 패턴을 얻을 수 있고, 형성된 수지패턴에 대한 촉매의 접착성이 우수하며, 도금공정 또는 세정공정과 같은 습윤공정중의 촉매 유실이 적어 증착속도가 향상되고 패턴성이 우수하며 무전해 도금으로 균일한 미세 금속패턴을 형성할 수 있으며, 본 발명의 수지조성물에 대한 금속촉매 이온의 흡착성이 우수함을 발견하고 본 발명을 완성하게 되었다.

본 발명의 구현에 있어서, 본 발명에 따른 촉매 흡착용 수지조성물(이하, '수지조성물'이라 함.)은 (a) 카르복시기를 갖는 단량체와 질소에 지용성 관능기가 치환된 말레이미드 단량체의 공중합체 수지, (b) 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 다관능성 단량체, (c) 광개시제 및 (d) 유기용매를 포함하여 이루어질 수 있다.

또한, 상기 본 발명에 의한 촉매 흡착용 수지 조성물로 형성된 패턴은 후속처리인 금속촉매 흡착공정시 금속촉매에 대한 우수한 흡착력을 나타낸다.

본 발명의 수지 조성물을 구성하는 유기고분자 수지, 즉, 공중합체 수지는 패턴을 형성하기 위해 염기 현상액에 대한 충분한 용해도를 확보해야 한다. 따라서, 카르복시기를 갖는 단량체로부터 형성된 공중합체 수지가 사용된다. 상기 카르복시기를 갖는 단량체의 예로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 이타콘산, 말레인산, 퓨마린산, 모노메틸말레인산, 이소프렌술폰산, 스티렌술폰산 및 5-노보넨-2-카르복실산등과 같은 불포화 카르복시산을 들 수 있다. 상기 불포화 카르복시산 단량체는 단독 혹은 2종 이상의 혼합물로 사용될 수 있다.

또한, 본 발명의 수지 조성물을 구성하는 유기고분자 수지, 즉, 공중합체 수지는 내화학성 및 촉매의 유실을 최소하기 위하여 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드(maleimide) 단량체를 포함하여 제조된 것이 사용될 수 있다. 상기 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체의 예로는, 이로써 한정하는 것은 아니지만, N-에틸말레이미드, N-프로필말레이미드, N-메톡시카르보닐말레이미드, N-푸르푸릴말레이미드, N-사이클로헥실말레이미드, N-부틸말레이미드, 2,5-다이옥소-3-피롤린-1-카르복사아마이드, 3,4-다이클로로메틸-피롤-2,5-다이온, N-벤질말레이미드, N-페닐말레이미드, 3-메틸-N-페닐말레이미드, N-(오르소(ortho)-토일)-N-페닐말레이미드, N-(4-플루오르페닐)말레이미드, N-(2,6-자일릴(xylyl))말레이미드, 3-클로로-1-페닐-피롤-2,5-다이온, N-(2-클로로페닐)-말레이미드, N-(1-나프탈릴)-말레이미드, 1-(2-트라이플로오루메틸-페닐)-피롤-2,5-다이온 등을 들 수 있다. 상기 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드(maleimide) 단량체는 단독으로 혹은 이종 이상이 함께 사용될 수 있다. 특히, 본 발명에 의한 조성물에 포함되는 공중합체 수지에 단량체로 사용되는 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체로서, 이로서 한정하는 것은 아니나, 내화학성 측면에서 질소에 방향족 관능기를 갖는 말레이미드 단량체가 바람직한 것이다.

본 명세서에서 사용된 '카르복시기를 갖는 단량체와 질소에 지용성 관능기가 치환된 말레이미드 단량체의 공중합체 수지'는 카르복시기를 갖는 단량체와 질소에 지용성 관능기가 치환된 말레이미드 단량체를 포함하여 이루어지는 단량체의 중합에 의해 형성된 공중합체 수지를 뜻하며, 후술하는 바와 같이 기타, 중합가능한 불포화결합, 구체적으로는 라디칼 중합이 가능한 불포화 결합을 갖는 단량체 (이하, '공중합성 단량체'라 한다.)를 추가로 포함하여 중합된 것을 포함할 수 있는 것으로 이해된다.

상기 공중합성 단량체로는 투명기재와 흡착력 및 내화학성을 고려하면 방향족 관능기를 갖는 아크릴레이트가 바람직하다. 한편, 촉매 흡착 패턴층과 기재의 접착력 향상 및 열경화를 고려하여, 에폭시기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물이 부가된 공중합체 수지, 보다 바람직하게는 에폭시기와 히드록시기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물이 부가된 공중합체 수지가 공중합성 단량체로 사용될 수 있다.

본 발명의 수지조성물을 구성하는 유기 고분자 수지, 즉 중합체 수지는 상기한 바와 같이, 카르복시기를 갖는 단량체와 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체의 공중합체 수지로서 현상성 및 패턴 특성이 확보될 뿐만 아니라 내화학성 또한 우수하므로 포르말린 구리 도금조와 같은 강염기 상태에서도 패턴의 형상이 균일하고 우수하게 형성되며, 촉매와의 상호작용으로 공정 도중 촉매의 탈착 또는 유실이 최소화되므로 본 발명의 수지조성물을 이용하여 형성된 촉매흡착패턴의 후속공정에 대한 안정성이 우수하다.

상기 공중합체 수지는 중량평균 분자량이 3,000~30,000, 바람직하게는 5,000~15,000인 것이 사용될 수 있다. 공중합체 수지의 중량평균분자량이 3,000 미만인 경우에는, 현상시 잘 경화되지 않으므로 접착특성이 저하되고 미세패턴의 형상이 좋지 않으며, 분자량이 30,000을 초과하는 경우에는, 현상액에 대한 용해도가 저하되어 패턴 박막의 질이 떨어진다.

상기 공중합체 수지는 산가가 90~450mg KOH/g, 바람직하게는 200~350mg KOH/g인 것이 촉매를 이용한 미세패턴형성을 위한 촉매흡착 패턴형성에 사용하기에 바람직하다. 상기 공중합체 수지의 산가가 90mgKOH/g미만인 경우에는 알칼리 현상액에 대한 코팅박막의 용해도가 낮아 현상이 불량하게 되기 쉽고, 산가가 450mgKOH/g을 초과하는 경우에는 현상액에 대한 용해도가 너무 높아 단선이나 이탈등의 패턴불량이 생기기 쉽다.

상기 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체는 공중합체 수지를 형성하는 총 단량체 100중량부당 5~50중량부, 바람직하게는 10~30중량부로 포함되는 것이 패턴의 내화학성 및 촉매유실 방지면에서 좋다. 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체의 양이 5중량부 미만이면 충분한 내화학성을 얻기 힘들어, 패턴의 결함 발생하기 쉽고, 50중량부를 초과하는 경우에는 정교한 패턴폭을 얻기 힘들다.

본 발명의 수지 조성물을 구성하는 에틸렌성 불포화 결합 함유 다관능 단량체는 광경화를 촉진하고 현상성을 향상시키며, 무전해 도금시 촉매 형성막의 접착성, 내화학성등이 향상되도록 한다.

에틸렌성 불포화 결합 함유 다관능성 단량체의 예로는, 이로써 한정하는 것은 아니지만, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 에틸렌기의 수가 2~14인 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 또는 폴리에틸렌글리콜 디메타아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라메타크릴레이트, 프로필렌기의 수가 2~14인 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 또는 프로필렌글리콜디메타크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 펜타메타크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사메타크릴레이트 등 의 다가 알코올과 α,β-불포화 카르복실산을 에스테르화하여 얻어지는 화합물; 트리메틸올프로판 트리글리시딜에테르 아크릴산 부가물, 비스페놀 A 디글리시딜에테르 아크릴산 부가물등의 글리시딜기를 함유하는 화합물에 아크릴산 또는 메타아크릴산을 부가하여 얻어지는 화합물; β-히드록시에틸아크릴레이트 또는 β-히드록시에틸메타크릴레이트의 프탈산에스테르, β-히드록시에틸 아크릴레이트 또는 β-히드록시에틸메타크릴레이트의 톨루엔디이소시아네이트 부가물등의 수산화기 또는 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물과 다수의 카르복시기를 갖는 카르복실산과의 에스테르 화합물, 또는 수산화기 또는 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물과 멀티(multi,다수의) 이소시아네이트와의 부가물 등을 들 수 있다. 상기 에틸렌성 불포화 결합 함유 다관능성 단량체는 단독으로 혹은 이종 이상의 혼합물로 함께 사용될 수 있다.

상기 에틸렌성 불포화 결합 함유 다관능성 단량체는 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 관능기수가 3이상인 것이 미세 촉매패턴의 형상 및 무전해 도금시 내화학성 접착 특성의 측면에서 바람직하다.

상기 에틸렌성 불포화 결합 함유 다관능성 단량체의 함량은 상기 공중합체 수지 100중량부에 대하여 20~150중량부 일 수 있다. 에틸렌성 불포화 결합 함유 다관능성 단량체의 함량이 20중량부 미만이면, 충분히 경화되지 않아, 촉매에 의한 미세 패턴 형성이 어렵고 무전해 도금시 용해 및 박리 등의 불량이 발생할 수 있으 며, 150중량부를 초과하면, 코팅성이 감소되고 내부까지 균일하게 경화되지 않아 미세 촉매 패턴을 형성하기 어렵다.

본 발명의 촉매 흡착용 수지조성물을 구성하는 광개시제는 이 기술분야에서 사용가능한 것으로 일반적으로 알려져 있는 것이 사용될 수 있으며, 그 종류를 특히 제한하는 것으로 아니나, 예를들어, 아세토페논류, 벤조페논류, 미히라(Michler) 벤조일벤조에이트, α-아밀록심에스테르, 티옥산톤류 및 트리아진류로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종의 광개시제가 사용될 수 있다.

아세토페논류의 예로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논)((2-Benzyl-2-(dimethylamino)-1-[4-(4-morpholinyl)phenyl]-1-butanone, IRGACURE 369), α,α-디메톡시-α-페닐아세토페논(α,α-dimethoxy-α-phenylacetopheone, IRGACURE 651), IRGACURE 1300 (IRGACURE 369 (30wt%)+IRGACURE 651(70wt%)), 1-벤조일시클로-헥사놀(1-Benzoylcyclo-hexanol, IRGACURE 184), 2,2'-디메톡시-2-페닐-아세토페논(2,2'-Dimethoxy-2-phenyl-acetophenone, DMPA), 2,2-디에톡시아세토페논(2,2-diethoxyacetophenone, DEAP), 4-메틸메르캅토-α,α-디메틸-모르폴리노 아세토페논(4-Methylmercapto-α,α-dimethyl-morpholino acetophenone)을 포함할 수 있다.

상기 벤조페논류로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-0-벤조일옥심(1-Phenyl-1,2-Propanedione-2-O-benzoyloxime, PPO), 에타논, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-O-아세틸옥심(Ethanone, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-1-(O-acetyloxime)(CGI242)을 포함할 수 있다.

상기 티옥산톤류로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 2-클로로티오-잔탄(2-Chlorothio-xanthane) 및 2-이소프로필티오잔탄(2-isopropylthioxanthane)을 포함할 수 있다.

상기 트리아진류로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 3-{4-[2,4-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진-6-일]페닐티오}프로피온산(TPA)을 포함할 수 있다.

상기 광개시제는 상기 공중합체 수지 100 중량부에 대하여 1 내지 25 중량부, 바람직하게는 5~20 중량부로 사용될 수 있다. 광개시제 함량이 1중량부 미만이면 촉매패턴층이 형성되지 않으므로 바람직하지 않고, 25중량부를 초과하면 패턴의 정확성이 저하되므로 바람직하지 않다.

또한, 필요에 따라, 본 발명의 수지조성물에 광증감제가 상기 공중합체 수지와 광개시제의 혼합량 100중량부에 대하여 10중량부 이하, 바람직하게는 0.1-10 중량 부로 사용될 수 있다. 광증감제 첨가량이 10중량부를 초과하면 패턴의 정확성이 저하되므로 바람직하지 않다.

광증감제 또한, 이 기술분야에서 사용가능한 것으로 일반적으로 알려져 있는 것이 사용될 수 있으며, 그 종류를 특히 제한하는 것으로 아니나, 예를들어, n-부틸아민, 트리에틸아민 및 트리-n-부틸포스파인으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종의 광증감제가 사용될 수 있다.

본 발명의 수지 조성물 구성하는 용매는 특별히 제한되지는 않으나, 예를들어, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 또는 프로필렌글리콜과 같은 알코올류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 또는 n-메틸-2-피롤리돈과 같은 케톤류; 톨루엔, 크실렌, 또는 테트라메틸벤젠과 같은 방향족 탄화수소류; 셀로솔브, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 3-메톡시프로필아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 또는 디프로필렌글리콜 에틸에테르와 같은 글리콜에테르류; 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 또는 프로필렌글리콜에틸에테르 아세테이트와 같은 아세테이트류; N,N-다이메틸아세트아마이드, N,N-다이메틸포름아마이드, 아세토나이트라이드와 같은 아마이드류등으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 1종 이상이 사용될 수 있다.

나아가, 상기 본 발명에 의한 수지 조성물은 이로써 한정하는 것은 아니지만, 패턴 형성 공정에서 패턴이 용이하게 형성되도록 하기 위한 기타 첨가제를 필요에 따라 포함할 수 있다. 상기 기타 첨가제는 이 기술분야에 일반적으로 알려져 있는 것으로, 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를들어, 계면활성제, 접착력 향상제(adhesion promoter), 습윤제등을 들 수 있다.

상기 촉매 흡착용 수지조성물은 고형분 함량이 10~50중량%일 수 있다. 고형분 함량이 50중량%를 초과하면, 점도가 높아져 균일하게 코팅되지 않으며, 고형분 함량이 10중량% 미만이면, 두께가 얇아져 박막의 기계적 강도가 떨어지게 되므로 바람직하지 않다.

본 발명의 다른 구현에 있어서, 상기 본 발명에 의한 수지 조성물을 이용한 금속 패턴 형성방법이 제공된다. 본 발명에 의해 금속패턴은 기재에 상기 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 금속 촉매층이 쉽게 흡착될 수 있는 패턴을 형성한 다음에 그 위에 환원되어 촉매로 작용하는 금속 이온을 흡착시킨 후에, 금속 이온을 환원시키고 환원된 금속촉매층에 무전해 도금하므로써 형성된다.

본 발명에서 기재로는 투명성 전자파 차폐재를 제조하기 위하여 투명 기재를 사용하는 것이 바람직하며, 구체적으로, 이로써 한정하는 것은 아니지만, 유리, 폴리카보네이트, 아크릴 수지, PET(Poly Ethylene Terephthalate), TAC(Tri Acetyl Cellulose), 폴리염화비닐수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지 등의 플라스틱 시트 또는 플라스틱 필름등이 사용될 수 있다. 기타 기재의 두께등은 이 기술분야에서 일반적인 것으로 특히 한정하지 않는다.

상기 기재에 본 발명에 의한 수지 조성물을 이용하여 금속 촉매가 쉽게 흡착될 수 있는 촉매 흡착 패턴을 형성한다. 촉매가 흡착되는 수지 패턴은 노광 및 현상에 의한 패턴형성방법(포토리소그라피법), 그라비아 인쇄법, 임프린트 또는 스크린 인쇄법, 오프셋 인쇄법 또는 잉크젯 인쇄법으로 형성할 수 있다. 매우 우수한 미세 금속 패턴으로 형성되는 노광 및 현상에 의한 패턴형성방법(포토리소그라피법)으로 패턴을 형성하는 것이 보다 바람직하다.

패턴을 형성하는 방법중, 예를들어, 노광 및 현상하여 패턴을 형성하는 경우에는, 먼저 상기 기재에 본 발명의 수지 조성물을 도포하여 수지막을 형성한다. 도포방법은 특별히 제한되지 않으며, 도포액의 특성이나 도포량에 따라 달라질 수 있다. 도포는, 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를들어, 롤 코팅, 그라비아 코팅, 딥 코팅, 바 코팅, 스프레이 코팅 또는 스핀 코팅등 통상의 코팅방법으로 행할 수 있다.

그 후, 코팅된 수지막을 노광 및 현상하여 촉매흡착 패턴을 형성한다. 노광 및 현상 공정은 일반적으로 알려져 있는 방법으로 행할 수 있다. 예를들어, 노광 공정으로서 노광 패턴을 가지는 마스크를 이용하여 접촉 또는 비접촉 노광 방식으로 노 광시킬 수 있다. 노광공정에서 광원으로는 할로겐 램프, 고압 수은등, 메탈 할라이드 램프등의 통상의 광원이 사용될 수 있다. 현상은 스프레이법 또는 침지법을 사용하여 행할 수 있다.

상기 촉매흡착 패턴은 또한, 상기한 바와 같이 오프셋프린팅, 잉크젯프린팅, 임프린트 또는 스크린프린팅의 방법으로 형성될 수 있다.

상기 촉매패턴층 형성시, 필요에 따라 코팅후에, 전열경화 및/또는 현상한 후에 후열경화할 수 있으며, 이러한 공정은 이 기술분야에서 일반적이며, 필요에 따라 행할 수 있는 것으로 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다.

상기 형성된 촉매흡착 패턴은, 이로써 한정하는 것은 아니지만, 두께가 2㎛이하이며, 라인의 폭이 30㎛ 이하, 바람직하게는 20㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한 본 발명의 촉매 흡착용 수지조성물은 10㎛ 이하의 미세 패턴 형성에 충분히 적용가능하다. 노광 및 현상 공정 후, 패턴이 없는 공간의 비율(개구율)이 60%이상, 더욱 바람직하게는 70% 이상인 것이 적당하다.

상기와 같이 촉매흡착 패턴(수지패턴)을 형성한 다음에 촉매 흡착패턴 위에 금속 촉매를 흡착시킨다. 금속촉매 흡착은, 이로써 한정하는 것은 아니지만, 촉매 흡착 패턴이 형성된 기판을 촉매 금속이온을 포함하는 촉매용액에 침지하거나 촉매 용액 을 촉매 흡착패턴이 형성된 기판에 분사하는 등의 방법으로 행할 수 있다. 상기 금속촉매 용액에 침지하거나 금속촉매 용액을 분사하는 방법은 특히 한정되지 않으며, 이 기술분야에서 일반적으로 이용가능한 어떠한 방법으로 적합하게 행할 수 있다.

촉매 금속으로는 팔라듐, 백금, 금 또는 은이 사용될 수 있다. 특히 비용을 고려할 경우 은이 바람직하게 사용될 수 있다.

상기 촉매 금속이온을 포함하는 촉매용액은 0.001M-0.5M 농도로 하여 본 발명에서 촉매용액으로 사용될 수 있다. 촉매용액의 농도가 0.001M 보다 낮으면 촉매 흡착이 충분하지 못한 점에서 바람직하지 않으며, 0.5M 보다 높으면 비용이 상승하므로 바람직하지 않다. 상기 촉매용액에는 촉매 금속이온 이외에 촉매 금속 이온을 안정화 시킬 수 있는 착화제 및/또는 계면 활성제등이 포함될 수 있다.

상기와 같이 수지패턴상에 촉매이온을 흡착시킨 다음에 무전해 도금 특성을 향상 시키기 위하여 수지 패턴에 흡착된 촉매 이온을 환원시킨다.

수지 패턴에 흡착된 촉매(구체적으로는 은(Ag)) 이온의 환원은 이 기술분야에서 일반적으로 적용가능한 어떠한 방법으로 행할 수 있으며, 이로써 제한하는 것은 아니지만, 예를들어, 환원제를 사용하거나 열 및/또는 UV 노광으로 환원처리할 수 있 다.

환원제를 사용하는 경우, 이 기술분야에 일반적으로 알려져 있는 환원제가 사용될 수 있으며, 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를들어, 소듐보레인하이드라이드(NaBH₄)나 아스코르브산 (Ascorbic acid) 수용액을 사용할 수 있다.

환원제 수용액은 0.01-1.0M 농도인 것이 바람직하다. 0.01M 미만이면 환원속도가 낮아 환원이 충분히 이루어지지 않는 점에서 바람직하지 않고, 1.0M을 초과하면 과도한 환원제의 사용으로 부반응이 일어날 수 있는 점에서 바람직하지 않다. 환원제 수용액은 스프레이 방식 또는 침지 방식으로 적용될 수 있다.

UV 노광 또는 열을 이용한 환원방법은 습식 공정이 아니므로 촉매의 유실 방지면에서 바람직하고, 특히, 은 촉매의 경우에는 UV 노광에 의하여 촉매가 활성화되므로 UV 노광에 의한 환원이 더욱 바람직하다.

상기와 같이 본 발명에 의한 수지 조성물을 사용하여 기재에 수지패턴(촉매흡착패턴)을 형성하고 그 위에 촉매이온을 흡착시키고 환원처리한 후 다음에 그 위에 무전해 도금하여 금속패턴을 형성한다.

촉매 환원 후, 무전해 도금 방법은 특히 한정하는 것은 아니며, 이 기술분야에 일반적으로 알려져 있는 어떠한 무전해 도금 방법으로 행할 수 있다. 가격 및 전자파 차폐 성능 측면에서 구리 도금 또는 은도금이 바람직하다.

예를들어, 무전해 구리도금의 경우 종래 일반적으로 알려져 있는 구리 도금액을 사용하여 행할 수 있으며, 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를들어, 황산동와 같은 금속 이온염, 포르말린 같은 환원제, EDTA 같은 착화제 및 미량의 기타 첨가제를 포함하는 공지의 도금액을 이용하여 행할 수 있다.

상기 본 발명에 의한 방법으로 형성되는 금속패턴을 포함하는 최종 전자파 차폐막에서 촉매패턴층과 금속층의 총 두께는 도금욕의 금속염 또는 금속 이온 농도, 도금 온도, 증착 시간등에 의하여 제어할 수 있다.

수지패턴층(촉매흡착패턴층) 및/또는 금속층의 두께는 패턴의 폭등에 따라 다양하게 변할 수 있는 것으로 이 기술분야의 기술자는 필요에 따라 적합한 두께가 되도록 수지패턴층 및/또는 금속층의 두께를 조절할 수 있는 것으로 이로써 한정하는 것은 아니지만, 수지패턴층과 금속층의 총 두께는 0.3㎛ 이상, 바람직하게는 0.5 ㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 더 바람직하게는 1-8㎛일 수 있다. 수지패턴층과 금속층의 총 두께가 0.3㎛미만이면, 기계적 강도가 충분하지 않고, 전도도가 충분하지 않아 차폐특성이 낮게 나타난다. 수지패턴층과 금속층의 총 두께 가 10㎛을 초과하면, 두께가 너무 두꺼워져서 후공정 처리에 바람직하지 않다. 또한, 상기 수지패턴층과 금속층의 총 두께중 금속층의 두께는 전도도 및 전자파 차폐성등을 고려하여 최소 0.1㎛(100㎚)인 것이 바람직하다.

이와 같이, 본 발명에 따른 카르복시기를 갖는 단량체와 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체로된 공중합체 수지를 포함하는 패턴 형성 바인더 수지 조성물을 사용하여 금속촉매 흡착 패턴을 형성한 후, 별도로 금속촉매를 흡착 및 환원시키고 환원된 금속 촉매에 무전해 도금하므로써, 형성된 금속패턴은 촉매막의 접착성이 우수하고, 도금공정 또는 세정공정과 같은 습윤공정중의 촉매 유실이 적고, 증착속도가 향상되어 무전해 도금후 균일하고 미세한 금속패턴으로 형성된다.

상기 본 발명에 의한 방법으로 얻어진 금속패턴은 우수한 전자파 차폐능을 갖는 것으로, CRT, PDP, 액정, EL 등의 디스플레이 전면으로부터 발생되는 전자파(예를들어, 전자파(EMI), 근적외선(NIR) 및 네온광) 차폐재, 금속패턴을 포함하는 부품 또는 소자, 구체적으로는 PDP용 EMI 필름, 및 연성 회로 기판의 배선 형성등에 사용하기에 적합한 것이다.

이하, 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다. 다만, 하기 실시예로서 본 발명을 한정하는 것은 아니다.

[실시예]

실시예 1:

A. 중합체 수지의 제조

250mL 플라스크에 5.0g MMA(Methyl methacrylate), 3.0g NPMI(N-Phenyl Maleimide), 8.0g MAA(Methyl methacrylic acid), 2.0g BzMA(Benzyl Methacrylate), 2.0g 스티렌을 3-MBA(3-Methoxybutylacetate)와 DPM (Dipropyleneglycol monomethyl ether)가 1:1 중량비로 혼합된 용매 60.33g에 녹인 후, 0.4g 3-MPA(3-mercaptopropionic acid)를 첨가하여 500rpm으로 교반하였다. 이 혼합용액을 질소 분위기 하에서 60℃로 승온시킨 후, 1시간 동안 교반하였다. 0.6g V-65(2,4-dimethyl valeronitrile)을 상기 사용한 3-MBA와 DPM의 혼합용매 5.0g에 녹인 용액을 60℃에서 상기 혼합용액에 첨가한 후, 4시간 동안 60℃에서 반응을 수행하였다. 이와 같이 얻어진 유기 고분자 수지의 산가는 292.23 mgKOH/g, 중량 평균 분자량은 8,616 이었다.

B. 패턴형성 바인더 수지 조성물의 제조

상기 A에서 얻어진 공중합체 수지 용액 28.7055g, DPHA(dipentaerythritol hexa-acrylate)용액(50wt% in PGMEA) 12.5006g, 광개시제 IRGACURE2010 (α-Hydroxyketone) 0.8651g, 접착 증진제(adhesion promoter)로 KBM 503 0.2093g, 습윤제(Wetting agent)로 BYK 331(BYK-Chemi사) 10wt% MEK 용액 0.2417g, 추가 용매로 MEK(methyl ethyl kentone) 26.1921g을 혼합하여 교반기로 500rpm으로 교반하여 패턴형성 바인더 수지 조성물(촉매 흡착용 수지조성물) 68.7144g을 얻었다. 본 실시예에서 제조된 조성물의 고형분 함량은 20wt%였다.

C. 금속 패턴 형성

(1) 코팅: 두께 100um 의 PET 필름에 Gap size 10μm Meyer bar를 이용하여 상기 B에서 제조된 촉매흡착용 수지조성물을 750nm 두께로 바코팅하였다.

(2) 전열경화: 바코팅 후, 100℃로 90초 동안 전열경화하였다.

(3) 노 광: 접촉방식으로 포토마스크(20㎛ 메쉬 패턴)를 통해 375nm의 파장영역의 자외선을 195 mJ/Cm² 에너지로 조사하여 상기 촉매 흡착패턴(수지패턴)을 노광시켰다.

(4) 현 상: ENF사의 ECD-100(pH 13의 염기성 수용액)을 상기 노광된 촉매흡착패턴에 144초 동안 스프레이 방식으로 분무하고 초순수(DI)로 세정하고 질소를 블로잉하여 현상하였다.

(5) 후열경화: 현상 후, 100℃로 300초동안 후열경화하였다.

(6) 촉매흡착공정: 상기 (5)단계에 의해 촉매흡착 패턴이 형성된 기판을 0.1M 질산은 수용액에 1분간 침지하고, 증류수로 수세하고 100℃ 오븐에서 3분간 건조하여 금속 촉매 흡착 패턴에 촉매 금속을 흡착시켰다.

(7) 촉매환원공정: 흡착된 은촉매에 300~400nm 의 파장영역의 자외선을 1000 mW/Cm² 에너지로 조사하여 상기 은촉매를 환원시켰다.

(8) 구리 무전해 도금: ATOTECH 사의 Covertron 구리도금액(Copper Bath)를 사용하여 60℃에서 10분간 행하였다.

이와 같이 형성된 금속패턴의 선폭이 25㎛이었으며 배선의 단선이나 탈착이 관찰되지 않았으며, 미세한 금속패턴이 형성되었다. 실시예 1에서 형성된 금속패턴의 광학현미경사진(배율 x 100)을 도 1에 나타내었다.

본 발명의 촉매 흡착용 수지조성물을 사용하여 금속패턴을 형성하므로써, 형성된 촉매막의 접착성이 우수하며, 도금공정 또는 세정공정과 같은 습윤공정 중의 촉매유실이 적고, 증착속도가 향상되어 무전해 도금후 균일하고 미세한 금속패턴이 형성된다. 본 발명의 금속패턴 제조방법은 CRT, PDP, 액정, EL 등의 디스플레이 전면으로부터 발생되는 전자파 차폐막이나 연성 회로 기판의 배선 형성에 사용될 수 있다.

Claims

(I)

(a) 카르복시기를 갖는 단량체와 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체의 공중합체 수지,

(b) 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 다관능성 단량체,

(c) 광개시제, 및

(d) 유기용매를 포함하는 촉매 흡착용 수지 조성물로 투명기재에 금속촉매 흡착패턴을 형성하는 단계;

(II) 상기 형성된 금속촉매 흡착패턴에 촉매 금속이온을 흡착시키는 금속촉매 흡착단계;

(III) 금속촉매를 환원시키는 단계; 및

(IV) 상기 환원된 촉매층에 무전해 도금하는 단계를 포함하는 금속 패턴 형성방법.
제 1항에 있어서, 상기 카르복시기 함유 단량체는 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 이타콘산, 말레인산, 퓨마린산, 모노메틸말레인산, 이소프렌술폰산, 스티렌술폰산 및 5-노보넨-2-카르복실산으로 구성되는 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 금속 패턴 형성방법.
제 1항에 있어서, 상기 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체는 N-에틸말레이미드, N-프로필말레이미드, N-메톡시카르보닐말레이미드, N-푸르푸릴말레이미드, N-사이클로헥실말레이미드, N-부틸말레이미드, 2,5-다이옥소-3-피롤린-1-카르복사아마이드, 3,4-다이클로로메틸-피롤-2,5-다이온, N-벤질말레이미드, N-페닐말레이미드, 3-메틸-N-페닐말레이미드, N-(오르소-토일)-N-페닐말레이미드, N-(4-플루오르페닐)말레이미드, N-(2,6-자일릴)말레이미드, 3-클로로-1-페닐-피롤-2,5-다이온, N-(2-클로로페닐)-말레이미드, N-(1-나프탈릴)-말레이미드 및 1-(2-트라이플로오루메틸-페닐)-피롤-2,5-다이온으로 구성되는 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 금속 패턴 형성방법.
제 3항에 있어서, 상기 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체는 질소에 방향족 관능기를 갖는 말레이미드 단량체임을 특징으로 하는 금속 패턴 형성방법.
제 1항에 있어서, 상기 공중합체 수지는 중량평균 분자량이 3,000-30,000인 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성방법.
제 1항에 있어서, 상기 공중합체 수지는 산가가 90~450mg KOH/g인 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성방법.
제 1항에 있어서, 상기 공중합체 수지에서 질소에 지용성 관능기를 갖는 말레이미드 단량체는 전체 단량체 100중량부에 대하여 5~50중량부임을 특징으로 하는 금속 패턴 형성방법.
제 1항에 있어서, 상기 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 다관능 단량체는 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타아크릴레이트, 에틸렌기의 수가 2~14인 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 또는 폴리에틸렌글리콜 디메타아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리메타아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라메타아크릴레이트, 프로필렌기의 수가 2~14인 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 또는 프로필렌글리콜디메타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타메타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사메타아크릴레이트 등의 다가 알코올을 α,β-불포화 카르복실산에 에스테르화하여 얻어지는 화합물; 트리메틸올프로판 트리글리시딜에테르아크릴산 부가물, 비스페놀 A 디글리시딜에테르아크릴산 부가물 등의 글리시딜기를 함유하는 화합물에 아크릴산 또는 메타아크릴산을 부가하여 얻어지는 화합물; β-히드록시에틸아크릴레이트 또는 β-히드록시에틸메타아크릴레이트의 프탈산에스테르, β-히드록시에틸아크릴레이트 또는 β-히드록시에틸메타아크릴레이트의 톨루엔디이소시아네이트 부가물 등의 수산화기 또는 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 화합물과 다수의 카르복시기를 갖는 카르복실산과의 에스테르 화합물 및 멀티(multi) 이소시아네이트와의 부가물로 구성되는 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 금속 패턴 형성방법.
제 8항에 있어서, 상기 에틸렌 불포화 결합을 갖는 다관능 단량체는 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 관능기수가 3이상인 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성방법.
제 1항에 있어서, 상기 에틸렌 불포화 결합을 갖는 다관능 단량체는 상기 공중합체 수지 100 중량부에 대하여 20~150 중량부로 첨가됨을 특징으로 하는 금속 패턴 형성방법.
제 1항에 있어서, 상기 광개시제는 아세토페논류, 벤조페논류, 미히라(Michler) 벤조일벤조에이트, α-아밀록심에스테르, 티옥산톤류 및 트리아진류로 구성되는 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 금속 패턴 형성방법.
제 1항에 있어서, 상기 광개시제는 상기 공중합체 수지 100중량부에 대하여 1~25중량부로 사용되는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성방법.
제 1항에 있어서, 상기 촉매 흡착용 수지조성물은 n-부틸아민, 트리에틸아민 및 트리-n-부틸포스파인으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 광증감제를 추가로 포함함을 특징으로 하는 금속 패턴 형성방법.
제 13항에 있어서, 상기 광증감제는 공중합체 수지와 광개시제 혼합양 100중량부에 대하여 10중량부 이하로 추가로 포함됨을 특징으로 하는 금속 패턴 형성방법.
제 1항에 있어서, 상기 유기용매는 메탄올, 에탄올, n-프로판놀, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 및 프로필렌글리콜로 구성되는 그룹으로 부터 선택되는 알코올류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 및 n-메틸-2-피롤리돈으로 구성되는 그룹으로 부터 선택되는 케톤류; 톨루엔, 크실렌, 및 테트라메틸벤젠으로 구성되는 그룹으로 부터 선택되는 방향족 탄화수소류; 셀로솔브, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 3-메톡시프로필아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌 글리콜모노메틸에테르, 및 디프로필렌글리콜에틸에테르로 구성되는 그룹으로 부터 선택되는 글리콜에테르류; 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트, 및 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트로 구성되는 그룹으로 부터 선택되는 아세테이트류; N,N-다이메틸아세트아마이드, N,N-다이메틸포름아마이드, 및 아세토나이트라이드로 구성되는 그룹으로 부터 선택되는 아마이드류로 구성되는 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 금속 패턴 형성방법.
삭제
제 1항에 있어서, 상기 투명 기재는 유리, 폴리카보네이트, 아크릴 수지, PET, TAC(Tri-acetyl cellulose), 폴리염화비닐수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지로 구성되는 그룹으로부터 선택된 수지로된 시트 또는 필름인 것을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
제 1항에 있어서, 상기 금속촉매 흡착패턴 형성단계는 포토리소그라피법, 그라비아 인쇄법, 스크린 인쇄법, 오프셋 인쇄법 또는 잉크젯 인쇄법으로 행함을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
제 1항에 있어서, 상기 금속촉매는 팔라듐, 백금, 금 또는 은으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종임을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
제 1항에 있어서, 상기 환원단계는 소듐보레인하이드라이드 또는 아스코르브산 환원제로 수행되는 것을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
제 1항에 있어서, 상기 환원단계는 UV 노광 또는 열을 적용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
제 1항에 있어서, 상기 무전해 도금은 구리도금 또는 은도금임을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
제 1항에 있어서, 상기 무전해 도금은 황산동, 포르말린, 및 EDTA를 포함하는 도금액을 이용함을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
청구항 1항 내지 15항 및 17항 내지 23항 중 어느 한 항의 금속 패턴 형성방법으로 형성된 금속패턴.
청구항 24항의 금속패턴을 포함하는 전자파 차폐재, 부품 또는 소자
청구항 24항의 금속패턴을 포함하는 CRT, PDP, 액정 또는 EL용 전자파 차폐재, EMI 필름 또는 연성 회로 기판.