JP2009513027A5

JP2009513027A5 -

Info

Publication number: JP2009513027A5
Application number: JP2008537749A
Authority: JP
Filing date: 2006-10-12
Publication date: 2009-11-26

Claims

半導体基板を処理するための装置において、
メタルフリー燒結固体炭化ケイ素材料で製造された１つ以上の構成部分を含む処理キット、
を備える装置。
上記処理キットの上記構成部分は、基板支持体、予熱リング、リフトピン及び基板支持ピンのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の装置。
上記処理キットの上記構成部分は、予熱リングを含む、請求項１に記載の装置。
チャンバ本体を更に備え、
上記処理キットは、上記チャンバ本体に配設される少なくとも基板支持体を備え、上記基板支持体は、メタルフリー燒結固体炭化ケイ素で製造される、請求項１に記載の装置。
リアクタは、堆積処理、エッチング処理、プラズマ堆積及び／又はエッチング処理、及び熱処理のうちの少なくとも１つを行うように適応される、請求項４に記載の装置。
リアクタは、化学気相堆積処理、急速加熱処理、又はエピタキシャルシリコン堆積処理のうちの少なくとも１つを行うように適応される、請求項４に記載の装置。
上記基板支持体は、更に、そこに置かれる基板の表面上に所定の温度分布を達成するように機械加工された凹状上方表面を備える、請求項４に記載の装置。
上記凹状上方表面は、上記凹状上方表面の中央領域に第１の粗さを、及び上記凹状上方表面の周辺領域に第２の粗さを有する、請求項７に記載の装置。
上記第１の粗さは、約０．２μｍから８μｍであり、上記第２の粗さは、約８μｍから２０μｍである、請求項８に記載の装置。
上記基板支持体は、更に、そこに置かれる基板の周辺縁部に接触するように適応された基板座面を備える、請求項４に記載の装置。
上記基板支持体は、更に、複数の基板リフトピンを収容するように適応された複数の開口を備え、上記複数の開口のリフトピン係合表面は、約０．２μｍから５μｍの粗さまで研磨される、請求項４に記載の装置。
メタルフリー燒結固体炭化ケイ素で製造された複数のリフトピンを更に備える、請求項４に記載の装置。
上記リフトピンの基板係合表面は、約０．２μｍから５μｍの粗さまで研磨される、請求項１２に記載の装置。
上記基板支持体は、複数の基板支持ピンによって支持され、上記複数の基板支持ピンのうちの少なくとも１つは、メタルフリー燒結固体炭化ケイ素で製造される、請求項４に記載の装置。
上記チャンバ本体に配設され上記基板支持体を取り囲むガス予熱リングを更に備え、上記ガス予熱リングはメタルフリー燒結固体炭化ケイ素で製造される、請求項４に記載の装置。
上記基板支持体は、更に、そこを通して形成され基板支持領域に配設された１つ以上の開口を備える、請求項４に記載の装置。
上記開口は、上記基板支持体に半径方向に配置される、請求項１６に記載の装置。
上記開口は、上記基板支持体の表面に亘って約５パーセントから１５パーセントのパーセント開口領域を与える、請求項１６に記載の装置。
上記基板支持体は、所定の厚み変化プロフィールを有する、請求項４に記載の装置。
上記基板支持体の上方表面と上記基板支持体上に置かれるときの基板の裏側に対応する位置との間に画成されるギャップを更に備える、請求項４に記載の装置。
上記ギャップは、所定の変化プロフィールを有する、請求項２０に記載の装置。
上記ギャップの上記プロフィールは、約０．０１２インチだけ変化する、請求項２０に記載の装置。