JPS62100477A - ドライ・エツチング装置用の炭化珪素質部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ドライ・エッチング処理装置等において使用
される炭化珪素質部品に関［２，特にＩＣやＬＳＩなど
の′電子部品を製造する際のドライやエツチング処理装
置に使用される部品として好適で耐食性に優れた生導体
梨４−用の１ｒ化珪素質部品に関するものである。

〔従来の波山〕

ＩＣやＬＳＩなと゛のｆＭ造夕【１−におｔするエツチ
ング処理は、従来液相エッチ゛／グがＸとして行なわれ
てきたが　鼓近になって、入ｆｉ（のパッチ処理ができ
る、サイドエッチを少なくシャープなエツジを得ること
ができる、同・装置でレジスト剥離もできる、液相ゴー
ツチングとＷなり薬品の使用１−が少ない、Ｔ稈が簡略
化される、Ｉ／ジス］・の密着性が特に良い必要がない
等の特徴をイ（する気相エツチングが行なわれるように
なってきており、なかでもフォトレジストマスクの侵食
を避け、精度を向１−させることのできるプラズマ−エ
ツチング、イオン中エツチング等のドライ・エッチング
が広く行なわれている。

ところで、これらのドライ・エッチング処理を行なえば
、このエツチング処理によってシリコンウェハー等の表
面から当然に灰化物が発生し、飛散する。この灰化物は
、使用される腐食性ガスの種類によって異なるが、フッ
化物あるいは塩化物が多い。また、この灰化物は、シリ
コンウェハー−等の表面に再び堆積しないようにしなけ
ればならないが、この堆積の問題は、通常エツチング処
理を行なう処理容器に真空ポンプを接続して、当該処理
容器内が常に減圧状態となるように排気することによっ
て、すなわち発生した灰化物を直ちに外部に排出するこ
とによって解決するようにしている。

しかしながら、この灰化物が４−記の真空ポンプによっ
て確実に外部に排出される保証はない。そのある程度の
部分は、外部にＩＡ出ネれる１ｉ１０こ、処理容器内の
各部品にそのままイ・１着する可能性があるからである
。この付着が例え微鼠なものであっても、これが爪型な
ってくれば処理容器内の各部品に灰化物が堆積すること
になり、これら各部品の清掃を頻繁に行なわなければな
らないだけでなく、場合によってはこれら各部品の交換
を余儀なくされるのである。

このような問題が発生する部品としては種々のものがあ
るが１例えば電極、電極カバー、あるいはエツチング・
テーブル等がその対象として考えられる。電極、電極カ
バー、あるいはエツチング・テーブル等の材料としては
、ステンレス鋼、表面にアルマイト処理を施した高純度
アルミニウム、黒鉛あるいは石英ガラス等が従来よりそ
れぞれの目的に応じて使用されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、前記ステンレス鋼や表面にアルマイト処
理を施した高純度アルミニウムは腐食性ガスによって腐
食され易く、しかもシリコンウェハーを汚染し易い欠点
を有するものであった。また黒鉛は腐食性ガスに対する
耐腐食性に劣るため寿命が短くて、長期間の使用に耐え
ない欠点を有するものであった。一方、石英ガラスは加
１”が困難で比較的高価であり、また腐食性ガスの種類
によって使用が限定される欠点を有するものであった。

さらには、各部品の表面をフッ素樹脂で被覆したものも
使用されているが、このものはエツチング処理の際の熱
によって「そり」や歪を発生し易いといった問題があっ
た。

１−述の如く、ドライ会エンチング処理を行なう場合に
使用される部品であって、シリコンウェハーーを汚染す
ることなく長期間の使用に耐え、しかも安価で汎用性に
優れた炭化珪素質部品は従来知られていないのである。

そこで、本発明者は前述の如き欠点を改み除去すること
のアきるドライ管エツチング処理装置に適した部品を開
発すべく種々検討した結果、炭化珪素焼結体が前述の如
き腐食性ガスに対する耐食性が良好であり、しかも多孔
質として通気性を＋１与したことにより、極めて好適な
エツチング装置用部品になり得ることに想到した。

〔問題点を解決するためのｆｆ２） 本発明は、結晶の１ｉ均粒径が０．３〜１００μｍ、密
度が１．３〜２．８３／ｃｍ’、１ｉ均曲げ強ＩＷが１
．０ｋｇｆ／ｍ　ｍ”以上で、しかも開放気孔率がｌθ
〜８０容績％の多孔質炭化ｆｆ素素焼棒体らなることを
特徴とするドライ・エッチング装置用のＩＪｓ化Ｙ１素
質部品である。

以下に、本発明のドライ・エッチング装置用の炭化珪素
質部品をさらに詳細に説明する。

本発明のドライ・エラ千ング装りを川の炭化珪素質部品
（以下中に炭化珪素質部品、）二いう）は、多孔質炭化
珪素焼結体であることが必要である。その理由は、炭化
珪素質部品はシリコンウェハーにドライ・エッチング処
理を行なうために用いられるものであり、開放気孔を有
したものとすることによって、ドライ嗜エツチング処理
によって発生する灰化物によるシリコンウェハーの汚れ
を極めて効率よく防１トすることができるからである。

また、本発明の炭化珪素質部品は、比較的大きな面積の
板状体、あるいはその他の部品の保持用油Ｊ１として使
用されるため、装置への組付は作業時等の取扱い性も重
要な因子であり、その平均曲げ強度が１．Ｏｋｇｆ／　
ｍ　ｔｎ’以上であることが必要である。

未発明のＩＲ化珪素質部品は、結晶の平均粒径が０．３
〜１１００ｊＬ、密度が１．３〜２．８ｇ／ｃｒｒｆ　
テあることが必要である。前記結晶の平均粒径が０．３
〜１００ｇｍの範囲内であることが必要な理由は、前記
結晶の平均粒径が０．３　ｇ　ｍよりも小さい焼結体は
結晶粒相方の結合がそれ稈強固でないばかりでなく気孔
も小さいため通気に］に劣るからであり、一方　１００
Ｉｊ、ｍよりも大きいと焼結体内の結晶粒と結晶粒との
結合箇所が相対的に少なくなるため、強度が低く取扱い
＋′Ｉに優れた部品を得ることが困難であるからである
。また密度が１．３〜２．８ｇ／ｅｍ”の範囲内である
ことが必要な理由は、前記密度が１．３３／ｃｒｎ”よ
りも小さな焼結体は、通気性の面では好ましいが１に化
珪素粒イ相互の結合個所が少ないため、本発明の多孔質
炭化珪素質部品に要求される１、Ｏｋｇｆ／　ｍ　ｍ’
以りの平均曲げ強度を達成することが困難であり、　−
フＪ密度が２．８ｇ／ａｍ”よりも大きな焼結体は開放
気孔率が著しく小さく、ドライ・エッチング装置用の部
品とＩ７ては不適当であるからである。

また、本発明に係る部品を構成する多孔質炭化珪素焼結
体は、その開放気孔率がＩθ〜６０容植％であることが
必要である。その理由は、開放気孔率がＩＯ容積％以ド
のものであると、工・ンチング処理によって生じた灰化
物の吸収を効率的に行なうことができなくなるからであ
り、一方この開放気孔・＃〆が６０容桔％以［−である
と当該部品の強度の確保ができなくなり、しかも取付−
取外や洗淳作業を行なう場合にその取扱い性に劣るから
である。

本発明の）２化珪素賀部品は、β型結晶の炭化珪素を３
０重皐％以ｌ−含有する多孔質炭化珪素焼結体であるこ
とが好ましい。その理由は、この部品は結晶粒相！ｆの
結合が強固な三次元網目状の結晶構造を有する多孔質炭
化珪素焼結体マあることが重要であり、β型結晶の炭化
珪素を３’ｏ１７１％以上含−ｈする多孔質炭化珪素焼
結体は前記結晶粒相互の結合が強固な三次元網目状の結
晶４ｉ造となすことができるからであり、なかでも５０
＠量％以トであることがイ１利である。

本発明の炭化珪素質部品は、実質的に収縮させることな
く焼結さぜた焼結体であって、その焼結に伴なう収縮率
は２％以上゛であることがイｊ利である。その理由は焼
結時に収縮を伴なう通常の常圧焼結ｌＪ、による炭化珪
素焼結体は強度が高く取扱い性の面では望ましいが、焼
成収縮率が大きいと開放気孔率が著しく減少したり、気
孔が独Ｉ＞−気孔化し易くなるため、高い通気セ１を有
する炭化珪素質部品を製造することが困難になるからで
ある。

本発明の炭化珪素質部品は、Ｍ＃炭素および遊離シリカ
以外の不純物含有ｌ−が３０ＰｐＨ以下であることが好
ましい。その理由は、前記ｌｖ化Ｙ１素質部品の不純物
含有にが３０ＰｐＨよ番］多いとシリコンウェハーのエ
ツチング処理時に炭化珪素？ｊ部品も少しはｆ４食性ガ
スによる侵食を受けるため、シリコンウェハーが汚染さ
れ易くなるからであり、なかでも１５ｐｐｍ以下である
ことがより４１利である。

また、本発明の１２化ｔ（素質部品をガス働プラズマ分
散板とＬ７て使用する場合には、必要によりガス０ブラ
ズ１をより多く通過ネせるためのｉｌｊ′通孔を設ける
こともできる。

次に本発明の炭化珪素質部品を製造する方法について説
明する。

本発明の炭化珪素質部品は、平均粒径が１０ｇｍ以下の
炭化珪素粉末を成形して嵩比重が１．３〜２．８ｇ／ｃ
ｍ”の生成形体となし、非酸化性雰囲気下で１６００〜
２３００℃の温度に加熱して焼結することによって製造
することができる。

前記炭化珪素粉末として１０ｇｍ以下の粉末を使用する
理由は、平均粒径が１０ｇｍより大きい粒度の炭化珪素
粉末を使用すると、焼結体内の粒と粒との結合箇所が少
なくなるため、高強度の多孔質炭化珪素焼結体を得るこ
とが困難になるからである。

前記多孔質炭化珪素焼結体は、従来知られた多孔質炭化
珪素焼結体に比較して低密度でかつ取扱い性に優れた高
強度の焼結体であることが重要であり、加圧成形法によ
り生成形体を成形する場合には出発原本；１としてｌｙ
化珪素粉末を分散媒液中で解膠剤とともに均一・分散さ
せた後、凍結乾燥あるいは噴霧乾燥ぜ１．めた炭化珪素
粉末を使用することが有利であり、また鋳ｉ＾み成１杉
法により生成形体を成形する場合には出発原本ｚ１と【
７で炭化珪素粉末を分散媒液中で解膠剤とともに均一分
散させた懸濁液を使用することが右利である。

その理由は、炭化Ｆ１素粉末は凝集性が強く通常側々の
粒子が多数密接して集合した２次粒子を形成し易いため
、このような炭化ｆ１素粉末を何らの分散処理を施すこ
となく出発原本１と１．て使用すると、２次粒子の中位
で結晶粒の粗大化が生起して得られる多孔質炭化珪素焼
結体の玉次元網［Ｉ構造が比較的粗い組織となり易く、
低密度でなおかつ高強度の多孔質炭化ｉｉ素焼結体を得
ることは困難であった。しか１７ながら、前述の如き分
散媒液中で解膠剤とともに均一・分散させた後乾燥させ
た炭化珪素粉末を使用して加圧成形１．た生成形体、お
よび懸濁液を使用して詩込み成形した生成形体はいずれ
も炭化珪素粉末の個々の粒子−が極めて均一に分散した
状ｆｎｉで存在する生成形体を製造することができるた
め、結晶の三次元網目構造を極めて微細でしかも均一に
発達させることができ、低密度でなおかつ高強度の多孔
質炭化珪素焼結体を製造することができるからである。

前記分散媒液としては種々のものを使用することができ
るが、特に凍結乾燥させる場合に使用するものは、融点
が一５＝１５°Ｃの範囲内のものが有利に使用でき、な
かでもベンゼン、シクロヘキサンより選ばれる少なくと
も１種あるいは木を使用することが有利である。

前記炭化珪素粉末を分散媒液中に均一・分散させる１段
として振動ミル、アトライター、ボールミル、コロイド
ミルあるいは高速ミキサーの如き強い剪断力を一す”え
ることのできる分散ｆ段を用いることが有利である。

前記炭化珪素粉末を分子Ｋｆ媒液中に均・分散させる際
に使用する解膠剤としては、分散媒液が有機質の場合に
は例えば脂肪酸アミン塩、芳香族アミン塩、複素環アミ
ン塩、ポリアルキ１／ンポリアミン誘導体等の陽イオン
界面活Ｆｌ剤、エステル型、エステルエーア゛ル型、１
−テルヤ１、含窒素型Ａの非イオン界面活性剤が有効で
あｉｌ、分散媒液が木の場合には例ｉばしゆう酸アン千
二’、７　ｈ、アンモニア水等の無機解１γ剤、ジ丁、
Ｊ−ルア９ン、七）玉チルアミン、ピリジン、ｘ　ｆル
アミン、水酸化量メチルアンモニウＪ１、モノエタ、ノ
・−ル／−ミンリ９の有機解膠剤が有効である１、 前記炭化■！素粉末な分Ａ＋奴液中１均一分散させた懸
濁液を凍結乾燥する用合番こＩＪ分散奴液の融点より低
い温度に維持された雰囲気中へ懸濁液を噴霧して速やか
に凍結させることが右利である。

ところで、前記炭化ｒ−ｊ素の結晶系にｔ」α型、β型
および非晶質のものがあるが、なかでもβ型のものは平
均粒径が５．ｍ以下の微粉末を取得し易く、しかも比較
的高強度の多孔質炭化珪素焼結体を容易に製造すること
ができるため有利に使用することができ、特にβ型炭化
珪素を５０＠ｌｉ％以−■−含有する炭化珪素粉末を使
用することが有利である。

前記生成形体の嵩比重は１．３〜２．８ｇ／ｃｍ”とす
ることが有利である。その理由は、前記嵩比重が１．３
ｇ／ｃｍ”よｊｌ小ｙいと炭化珪素粒子相ｒ１１の結合
箇所が少ないため、得られる多孔質炭化珪素焼結体の強
度が低く取扱い性に劣るからであり、一方２．８ｇ／ｃ
ｒｒｆより大きいと開放気孔率が大きな多孔質炭化珪素
焼結体を製造することが困難で通気性に優れた炭化珪素
質部品を製造することが困難であるからである。

前記焼結温度は１６００〜２３００℃とすることが有利
である。その理由は、前記温度が１８００”Ｏよりも低
いど粒と粒とを結合するネックを充分に発達させること
が困難で、高い強度を４１する多孔質炭化珪素焼結体を
得ることができず、−・方２３００℃より高いと　−は
成長したネックのうち一定の大きさよりも小さなネック
がくびれた形状となったり、茗１゜い場合には消失した
り１．て、むしろ強度が低くなるからである。

前記生成形体は炭化珪素を酸化せしめることのない非酸
化性雰囲気中１例えばアルゴンン、ヘリウム、ネオン、
窒素、水素、−酸化炭素の中から選ばれる何れか少なく
とも１種よりなるガス雰囲気中あるいは真空中で焼成さ
れる。

前記生成形体は非酸化性雰囲気中で実質的に収縮させる
ことなく焼成することが有利である。その理由は、焼結
時における収縮は多孔質炭化珪素焼結体の強度を向ｌ−
させる１−ではψましいが、焼成収縮すると開放気孔率
が減少したり、気孔が独立気孔化し易く通気性が劣化し
易いばかりでなく１寸法績度の高い多孔質ＩＲ化珪素焼
結体を焼成収縮を生起させて製造することは困難である
からである。

なお、通気性が良好でかつ寸法精度の高い多孔質炭化珪
素焼結体を得る一Ｌで、前記実質的に収縮させることな
く焼結する際の焼成収縮率は２％以ドとすることが有利
であり、なかでも１％以下であることが特に有利である
。

また、前記生成形体を焼成するに際し、生成形体からの
炭化珪素の揮散を抑制することが右利である。その理由
は、前記生成形体からの炭化珪素の揮散を抑制すること
によって、炭化珪素の粒と粒とを結合するネックを充分
に発達させることができるからであり、特に高強度で取
扱い性に優れた多孔質炭化珪素焼結体を製造する場合に
は、炭化珪素の揮散率を５重μ％以下に制御することが
有利である。

＋ｉｉｊ記生成形体からの炭化珪素の揮散を抑制する方
Ｖ、としては、外気の侵入を遮断することのできる耐熱
性の容器内に生成形体を装入する方法が４１効であり、
前記耐熱性の容器としては、黒鉛あるいは炭化珪素など
のｌ質からなる容器を使用することが好適である。

なお、前記炭化珪素質部品が特に高い強度が要求される
ような場合には、前記焼結体に液状の有機珪素高分子化
合物を含浸せしめた後焼成１２、前記有機珪素高分子化
合物から生成ｙれる炭化■１素を被覆することもできる
。

（作用） 以−ヒのように構成した本発明に係るドライａエツチン
グ装置用の炭化珪素質部品には以下のような作用がある
。すなわち、この炭化珪素質部品は、耐熱性に優れてい
るものであるから、例えばプラズマ拳エツチング処理を
行なうことによって高温となっても、これによって変形
を来すことは殆どなく、低温プラズマによる処理の場合
は勿論のこと、高温プラズマによる処理の場合であって
も十分耐え得るものである。

また、この炭化珪素質部品は、その強度は相当高いもの
となっており、取付・取外作業時は勿論のこと、その洗
浄作業時にあっても十分これに耐え得るものとなってい
る。

さらに、本発明に係る炭化珪素質部品は、十分な開放気
孔を有したものとなっており、エツチング処理時におい
て発生する灰化物を効率良く捕捉するものである。すな
わち、この炭化珪素質部品の開放気孔は複雑な三次元網
目構造となっているから、エツチング処理によって発生
した灰化物は、そのすぐ近傍に位置する当該部品の開放
気孔内に一１侵入した場合に、これによって直ちに捕捉
されてしまい、エツチング処理中に再び出てくることは
なく、しかも超音波洗浄等の方法によれば極めて容易に
灰化物を除去させることができるため、繰返し使用する
ことができる。

次に本発明を実施例および比較例によって説明する。

（実施例） 支Ｉｕ。

出発原料として使用した炭化ｆ１素粉末は８７．５重量
％がβ型結晶で残部は実質的には２Ｈ型結晶よりなる炭
化珪素粉末であって、０．１２％　５１％の遊離炭素、
０．３７重呈％の酸素、　１．２　Ｘ　１０＝重量％の
鉄、１．４　Ｘ　１０”　東縫’）６１７）；ｌ！Ｊ）
ｌｚシウム、０．８　Ｘｌ０−’重量％のナトリウム、
ｉ　ｘ　ｔｏ”重−ω％のカリウムおよび痕跡にのアル
ミニウムを含有し、１．１　μ、ｍの平均粒径を有して
いた。

前記炭化珪素粉末１００重敏部に対し、ポリビニルアル
コール５１を部、モノエタノールアミン０．３重量部と
水１００重量部を配合し、ボールミル中で５時間混合し
た後凍結乾燥した。

この乾燥混合物を適ω−採取し、顆粒化した後、静水圧
プレス機を用いて１３０（１ｋｇ／ａｍ”の圧力で生成
形体を成形した。この生成形体の形状は直径が２００ｍ
＋ｍ　、厚さが２ｌ１の円盤状で、密度は１．７３　ｇ
／ｃｍ″（５４容積％）であり５表面にシリコンウェハ
ー保持用の深さ０．５　ｍ１１１の四部が設けられた。

前記生成形体を黒鉛製ルツボに装入し、タンマン型焼結
炉を用いて１気圧の主としてアルゴンガス雰囲気中で焼
結した６昇温過程は４５０℃／時間で２０００℃まで昇
温し、最高温度２０００℃で１５分間保持した。焼結中
のＣＯガス分圧は室温〜１７００℃が８０Ｐａ以下、１
７００℃よりも高温域では３００±５０Ｐａの範囲内と
なるようにアルゴンガス流量を適宜調整して制御した。

得られた焼結体は密度が１．？Ｏｇ／ｃｒｎ”、開放気
孔率が４７容積％の多孔質体で、β型炭化珪素の含有率
が９２重量％で残部は主として４Ｈ型と６Ｈ型のα型炭
化珪素であった。またこの結晶構造は走査型電子顕微鏡
によって観察したところ、粒状の炭化Ｈ素結晶が比較的
太いネックによって複雑に絡み合って結合された三次元
構造を有しており、生成形体に対する線収縮率はいずれ
の方向に対しても０．３±０．１％の範囲内で、この焼
結体のモ均曲げ強度は１３．８ｋｇ／　ｍ　ｍ’と高い
強度を有しており、３　Ｘ　１０−”　屯ＩＪ％ノアル
ミニウＪ１．６ｘｉｏ−”屯＠％の鉄および４×１０”
７重醋−％のニッケルを含有していた。なお、クロム、
カルシウム、銅の含右早はいずれも痕Ｕμであり、ナト
リウムとカリウムはいずれもｌＸｌ０”屯を一％未満で
あった。

次いで、前記円板状の多孔質ｉμ化珪素焼結体をプラズ
マ争エツチング装置のＦ部電極として装着し、ＣＦや　
ガスのプラズマによるシリコンウェハーのエツチング処
理を実施したところ、前記多孔質炭化珪素焼結体は殆ど
腐食されておらず極めて耐久性に優れていることが認め
られ、また長期１１１＋使用しても灰化物によるシリコ
ンウェハーの汚染は殆ど認められなかった。

ル豊１」 実施例１と同様であるが、出発原料として実施例１で使
用した炭化珪素粉末と市販のα型炭化珪素（Ｇ　Ｃ＃２
００　、　”Ｉ’均粒径８０ｐｍ）を３ニアの重量化で
混合した混合粉末を使用して多孔質炭化珪素焼結体を得
た。

得られた多孔質炭化珪素焼結体は密度が２．３７ｇ／ｃ
ｍ”、開放気孔が２６容積％、平均曲げ強度は５．２ｋ
ｇｆ／ｍ　ｔｎ’と比較的低強度であった。

支癒掬」 実施例１と同様であるが、出発原料として実施例１で使
用した炭化珪素粉末と市販のα型炭化珪素粉末（ｃ　ｃ
　ａ　ｅｏｏｏ）を粉砕し、さらに精製、粒度分級した
炭化珪素粉末（平均粒径１．２ｇｍ）を種々の割合で混
合した混合粉末を使用して多孔質炭化珪素焼結体を製造
した。

得られた多孔質炭化珪素焼結体の特性は第１表に示した
。

第１表よりわかるように、β型炭化珪素粉末の混合比率
の高い炭化珪素粉末を出発原料として使用した多孔質炭
化珪素焼結体は、密度の割に強度が優れていた。

実施例１と同様であるが、成形圧力を変えることにより
嵩比重の異なった生成形体を製造して多孔質炭化珪素焼
結体を得た。

得られた多孔質炭化珪素焼結体の特性は第２表に示した
。第２表よりわかるように、本実施例の多孔質炭化珪素
焼結体は低密度でも強度に優れていた。

（発明の効果） 以１−のように構成した本発明に係るドライ・エッチン
グ用の炭化珪素Ｉ！ｉ部品は、腐食性ガスに対する耐腐
食性が極て良好であり、長期のエツチング処理に対して
相当な耐久性を有したものである。また、この炭化珪素
質部品は、強度に優れているから、その取付・取外作業
においては勿論のこと、洗浄作業を行なう場合にも、そ
の作業を容易に行なうことができる。

また、この炭化珪素質部品は、−Ｅ次元ｌｌｌ４ｒｉ構
造の開放気孔をイ１［７ているから、ドライ・エッチン
グ処理によって生じた灰化物をその開放気孔内部に抽提
してしまうから、他の部分、特にエツチング処理がなさ
れたシリコンウェハーの表面にこの灰化物が堆積するこ
とがなく、長期間に々−って極めて良々ｆなエツチング
処理を持続させることができる。

以　　　−ト

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）結晶の平均粒径が０．３〜１００μｍ、密度が１．
   ３〜２．８ｇ／ｃｍ＾３、平均曲げ強度が１．０ｋｇｆ
   ／ｍｍ＾２以上で、開放気孔率が１０〜６０容積％であ
   る多孔質炭化珪素焼結体からなることを特徴とするドラ
   イ・エッチング装置用の炭化珪素質部品。 ２）前記多孔質炭化珪素焼結体は、β型結晶の炭化珪素
   を３０重量％以上含有する特許請求の範囲第１項記載の
   ドライ・エッチング装置用の炭化珪素質部品。 ３）前記多孔質炭化珪素焼結体は、遊離炭素および遊離
   シリカ以外の不純物含有量が３０ｐｐｍ以下である特許
   請求の範囲第１項あるいは第２項のいずれかに記載のド
   ライ・エッチング装置用の炭化珪素質部品。