JPH0557841U - 半導体熱処理用治具 - Google Patents

半導体熱処理用治具

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JPH0557841U
JPH0557841U JP10763591U JP10763591U JPH0557841U JP H0557841 U JPH0557841 U JP H0557841U JP 10763591 U JP10763591 U JP 10763591U JP 10763591 U JP10763591 U JP 10763591U JP H0557841 U JPH0557841 U JP H0557841U
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JP
Japan
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silicon
jig
coated
silicon carbide
heat treatment
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Application number
JP10763591U
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English (en)
Inventor
敏雄 海原
Original Assignee
関西日本電気株式会社
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 炭化珪素をコーティングしたシリコン含浸多
孔質基板治具の強度，信頼性の向上。 【構成】 シリコン含浸多孔質基材１の表面に、多結晶
シリコン２，炭化珪素３などの異なった素材の膜を、多
層にわたってコーティングさせた。 【効果】 各層の熱膨張係数の違いにより、一層のみコ
ーティングした基板に生じる応力を緩和する。またピン
ホールの発生を防止する。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この考案は半導体材料を拡散炉等で熱処理する際に用いられる治具の構造に関 するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体拡散炉用治具は、基材からの不純物拡散を防ぐべく、種々の配慮がされ ている。１０００〜１３００℃の高温で用いられる治具は、図３に記すとおり、 シリコンを含浸した炭化珪素からなる多孔質から形成した治具を広く使用してお り、上記の不純物拡散を防止するため、多孔質基材１１からなる治具表面に緻密 性炭化珪素１２あるいは窒化珪素をコーティングしている。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】
ところで、上記のような治具は、多孔質基材１１と基材表面にコーティングし た窒化珪素，炭化珪素１２との熱膨張係数，曲げ強さが異なるため熱的衝撃を受 けた場合、応力が一定方向に集中しコーティング膜のクラックの発生，治具の破 損が起こるという欠点がある。
【０００４】 また、治具のＨＣｌガス，ＨＦ−ＮＯ3 溶液での洗浄を行った場合、コーティ ング膜中のピンホールを通じてガス，溶液が侵入し、含浸したシリコンと反応し 治具の強度を低下させるという欠点もあった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この考案は、上記の課題を解決するために、多孔質基材の表面に窒化珪素，多 結晶シリコン，炭化珪素などの緻密な膜を少なくとも二層以上コーティングして 構成されている。
【０００６】
【作用】 上記の構成において、多孔質基材の表面にコーティングした多層の膜は、層ご とに膜厚，熱膨張係数等が異なり、従来使用してきた緻密性窒化珪素，あるいは 炭化珪素膜単層の場合に発生する応力を低下させる緩衝材として作用し、熱的衝 撃を受けた際の治具の破損を低減させる。
【０００７】 また、コーティング膜中にピンホールがあった場合も、その上側もしくは下側 の層がバリアとなり、洗浄時のＨＣｌガス，ＨＦ−ＨＮＯ3 溶液の多孔質基材表 面への到達を防止する。
【０００８】
【実施例】
以下、この考案について図面を参照して説明する。図１はこの考案の一実施例 の拡散炉治具の断面図である。図１において１は多孔質基材であるシリコンを含 浸した炭化珪素，２は多孔質基材１の上にコーティングした多結晶シリコン，３ は多結晶シリコン２の上にさらにコーティングした炭化珪素である。
【０００９】 この考案における多孔質基材１は、たとえば熱膨張係数が４〜５×１０-6／℃ からなるものである。一方、コーティング膜は多結晶シリコンが通常５〜５０μ ｍ，炭化珪素が５０〜１５０μｍの膜厚である。
【００１０】 また、上記実施例は下層コーティングを多結晶シリコンとしたが、他のコーテ ィング可能な膜でもよい。
【００１１】
【実施例２】 図２はこの考案の第２実施例の断面図である。この実施例は前記第１の実施例 のコーティング二層構造がさらに積層された点を除いては第１の実施例と同様で あるため、同一参照符号を付してその説明を省略する。
【００１２】 この実施例では多重積層構造になることで、さらに耐ピンホール性の改善がで きる。
【００１３】
【考案の効果】
この考案は以上のように、多孔質基材と炭化珪素，窒化珪素などのコーティン グした緻密な膜の間にさらに他の素材をコーティングすることにより、応力の集 中を分散，緩和し、耐熱衝撃性を向上させるとともに、ＨＣｌガスやＨＦ−ＨＮ Ｏ3 溶液に対する耐久性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この考案の第１の実施例の半導体拡散炉用治
具の断面図
【図２】 この考案の第２の実施例の半導体拡散炉用治
具の断面図
【図３】 従来の半導体拡散炉用治具の断面図
【符号の説明】
１ 多孔質基材 ２ コーティングした多結晶シリコン ３ コーティングした炭化珪素

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体材料の熱処理時に用いられる治具に
    おいて、基材表面の一部あるいは全部に、多結晶シリコ
    ン，緻密質窒化珪素，あるいは炭化珪素を少なくとも二
    層コーティングしたことを特徴とする半導体熱処理用治
    具。
JP10763591U 1991-12-27 1991-12-27 半導体熱処理用治具 Pending JPH0557841U (ja)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5568621A (en) * 1978-11-20 1980-05-23 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Heat treatment jig
JPS61214424A (ja) * 1985-03-19 1986-09-24 Ibiden Co Ltd 耐熱性治具
JPS62100477A (ja) * 1985-10-25 1987-05-09 イビデン株式会社 ドライ・エツチング装置用の炭化珪素質部品
JPH0397691A (ja) * 1989-09-08 1991-04-23 Fujitsu Ltd 半導体装置製造用治具

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