JP2009507935A - チオガレート系緑色蛍光体、アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体、及びこれらを採用した白色発光素子 - Google Patents

チオガレート系緑色蛍光体、アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体、及びこれらを採用した白色発光素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2009507935A
JP2009507935A JP2008513362A JP2008513362A JP2009507935A JP 2009507935 A JP2009507935 A JP 2009507935A JP 2008513362 A JP2008513362 A JP 2008513362A JP 2008513362 A JP2008513362 A JP 2008513362A JP 2009507935 A JP2009507935 A JP 2009507935A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
phosphor
light
white light
metal sulfide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008513362A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5052507B2 (ja
Inventor
ナム キム、キョン
ミ パク、サン
富造 松岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seoul Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Seoul Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020050043785A external-priority patent/KR100657137B1/ko
Priority claimed from KR1020050057892A external-priority patent/KR100666189B1/ko
Application filed by Seoul Semiconductor Co Ltd filed Critical Seoul Semiconductor Co Ltd
Publication of JP2009507935A publication Critical patent/JP2009507935A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5052507B2 publication Critical patent/JP5052507B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7729—Chalcogenides
    • C09K11/7731—Chalcogenides with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77342—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7735—Germanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881—Chalcogenides
    • C09K11/886—Chalcogenides with rare earth metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Abstract

本発明は、紫外線又は青色光を放出する発光ダイオードの上部面に緑色発光が可能なチオガレート系蛍光体及び赤色発光が可能なアルカリ土類金属硫化物系蛍光体を配置することによって、これらの混色によって高輝度の白色光、従ってフィルタ濾過後の色再現性及び色純度の高い白色光を放出する白色発光素子を提供する。
【選択図】図１

Description

本発明は、蛍光体及びこれを採用した発光素子に係り、より詳細には、改善された光効率を有するチオガレート（ｔｈｉｏｇａｌｌａｔｅ）系緑色蛍光体、アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体、及びこれらを採用した白色発光素子に関する。
白色発光素子（ｗｈｉｔｅ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ）は、照明、ノートパソコン、携帯電話、ＰＤＡなどに使われるＬＣＤ用の背面光源（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ）として広く利用されている。
従来、白色発光素子を製作するための方法として、青色発光ダイオードに、「ＹＡＧ：Ｃｅ」蛍光体又は「（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ」蛍光体を結合させて製作する方法や、赤色、緑色、及び青色発光ダイオードを１つのパッケージに付着して、赤色、緑色、及び青色光の混色により白色光を放出可能に製作する方法が使われている。
しかしながら、青色発光ダイオードを用いた白色発光素子は、主に４５０〜４７０ｎｍ波長帯の青色光源により上部層に位置する「ＹＡＧ：Ｃｅ」又は「（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ」などの黄色蛍光体を励起・発光させることによって、青色と黄色の混色により白色を放出するように構成されているので、ＬＣＤの背面光源に適合した白色発光にとっては多くの問題点を有している。
即ち、４５０〜４７０ｎｍ波長帯の青色発光ダイオードと「ＹＡＧ：Ｃｅ」又は「（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ」などの黄色蛍光体との組合せからなる白色発光ダイオードは、物質の特性上、緑色部と赤色部のスペクトルが足りないので、背面光の特性において最も重要な、色フィルタ濾過後の色再現性（ｃｏｌｏｒ ｒｅｐｒｏｄｕｃｉｂｉｌｉｔｙ）が劣化するという短所がある。
一方、赤色、緑色、及び青色発光ダイオードを用いて白色発光素子を製造するためには、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＧａＮなどの異なる基板を製造し、異なる半導体薄膜を活用しなければならないので、発光ダイオードの製造が困難になり、これを背面光源として利用する時に発光ダイオードの動作が非常に複雑になり、さらに混色における困難が増すという大きい問題があり、さらに製造コストが高くなるという問題がある。
本発明が達成しようとする技術的課題は、１つの発光源を使用して白色発光が可能であり、フィルタ濾過後に色再現性に優れた色純度（Ｃｏｌｏｒ Ｐｕｒｉｔｙ）を有するチオガレート系緑色蛍光体、アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体、及びこれらを採用した白色発光素子を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明の一態様によれば、一般式が（Ａ１−ｘ−ｙＥｕｘ（ＭＩ ０．５ＭＩＩＩ ０．５）ｙ）Ｂ２Ｓ４（ここでｘ＋ｙ＜１）であり、ここで、Ａは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、Ｂは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ｘは、０．０１から０．１の範囲内に設定され、ＭＩは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ＭＩＩＩは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌｕ、Ｇｄ、Ｌａよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ｙは、０＜ｙ＜１の範囲内に設定されるチオガレート系緑色蛍光体を提供する。
本発明の他の態様によれば、一般式がＡｘ−ａＥｕａＧｅＳｚであり、ここで、Ａは、Ｃａ、Ｓｒよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ｚ＝ｘ＋２であり、ｘは、２から５の範囲内に設定され、ａ／ｘは、０．０００５から０．０２の範囲内に設定されるアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体を提供する。
本発明のさらに他の態様によれば、青色光を放出する発光ダイオードと、前記発光ダイオードの上部に設置され、前記発光ダイオードから放出された光により励起されて緑色光を放出するチオガレート緑色蛍光体と、前記発光ダイオードの上部に設置され、前記発光ダイオードから放出された光により励起されて赤色光を放出するアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体と、を含み、前記発光ダイオードから放出された光の一部と混色されて白色光を放出すること白色発光素子を提供する。
好ましくは、前記白色発光素子は、紫外線を放出する紫外発光ダイオードをさらに含み、前記緑色蛍光体及び前記赤色蛍光体のうち少なくとも１つは、前記紫外発光ダイオードから放出された光により励起されて光を放出することができる。
好ましくは、前記白色発光素子は、透光性モールド材をさらに含み、前記チオガレート緑色蛍光体及び前記アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体は、前記透光性モールド材内に分散されることができる。
好ましくは、前記チオガレート系緑色蛍光体は、一般式（Ａ１−ｘ−ｙＥｕｘ（ＭＩ ０．５ＭＩＩＩ ０．５）ｙ）Ｂ２Ｓ４（ここでｘ＋ｙ＜１）であり、ここで、Ａは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、Ｂは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ｘは、０．０１から０．１の範囲内に設定され、ＭＩは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ＭＩＩＩは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌｕ、Ｇｄ、Ｌａよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ｙは、０＜ｙ＜１の範囲内に設定されることができる。
好ましくは、前記アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体は、一般式がＡｘ−ａＥｕａＧｅＳｚであり、ここで、Ａは、Ｃａ、Ｓｒよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ｚ＝ｘ＋２であり、ｘは、２から５の範囲内に設定され、ａ／ｘは、０．０００５から０．０２の範囲内に設定されることができる。
好ましくは、前記アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体は、一般式が（Ｃａ、Ｓｒ）１−ｘ−ｙＥｕｘＣｙ（Ｓ１−ｚＳｅｚ）であり、ここで、Ｃは、Ｍｎ及びＰｂよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ｘは、０．０００５から０．１の範囲内に設定され、ｙは、０から０．５の範囲内に設定され、ｚは、０から１の範囲内に設定されることができる。
さらに好ましくは、前記アルカリ土類金属硫化物系蛍光体は、一般式が（Ｃａ、Ｓｒ）１−ｘ−ｙＥｕｘＰｂｙＳであり、ここで、ｘは、０．０００５から０．０１の範囲内に設定され、ｙは、０から０．５の範囲内に設定されることができる。
さらに好ましくは、前記アルカリ土類金属硫化物系蛍光体は、組成によって６００ｎｍから６６０ｎｍの範囲の波長の光を放出することができる。
このように本発明による白色発光素子は、紫外線又は青色光を放出する発光ダイオードの上部に緑色発光が可能なチオガレート系蛍光体及び赤色発光が可能なアルカリ土類金属硫化物系蛍光体を配置することによって得られ、これらの混色によって高輝度の白色光、従って高い色純度を有し、フィルタ濾過後の色再現性に優れた優秀な白色光を発光する。
本発明によるチオガレート系緑色蛍光体及びアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体を有する白色発光素子は、長波長の紫外線領域及び特に青色領域帯の励起下に非常に優れた緑色及び赤色発光を示す。
それ故、本発明は、紫外線発光ダイオード用の緑色、赤色、及び白色発光素子と、青色発光ダイオード用のブルーラグーン（ｂｌｕｅｌａｇｏｏｎ）、ピンク、及び白色半導体発光装置と、長波長の紫外線及び青色領域帯をエネルギー源とする応用分野と、に適用することができる。
特に、緑色及び赤色蛍光体を単一の青色発光ダイオードに適用することによって白色光を具現しているので、青色発光ダイオード及び黄色蛍光体により具現された白色光よりも色再現性に優れた色純度を有する。
それと共に、発光ダイオード自体の製造工程における困難及び製造コストに関する問題を画期的に解決することができる。
以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施例に係る白色発光素子の概略的な断面構成図である。
図２は、本発明の一実施例に係る白色発光素子に採用されるチオガレート系緑色蛍光体の吸収スペクトル及び発光スペクトルグラフである。
図３は、本発明の一実施例に係る白色発光素子に採用されるアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体の吸収スペクトル及び発光スペクトルグラフである。
図４は、本発明の一実施例に係るチオガレート系緑色蛍光体、アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体、及び青色発光ダイオードを利用した白色発光素子の発光スペクトルグラフである。
図５は、本発明の一実施例に係る白色発光素子と従来の白色発光素子の色座標特性を比較したグラフである。
図１は、本発明の一実施例に係る白色発光素子の概略的な断面構成図である。
図１を参照すれば、本発明の一実施例に係る白色発光素子は、反射型の表面実装白色発光素子であって、射出成形、プレス成形又はその他の加工により凹溝部（ｒｅｃｅｓｓ）が形成されたフレーム本体１にヒートシンク２が設置され、ヒートシンク２上に青色光を放出する発光ダイオード３が設置される。
発光ダイオード３の上部には、発光ダイオード３から放出された光の一部と混色されて白色光を放出させるように、発光ダイオード３から放出された光により励起されて緑色光を放出するチオガレート緑色蛍光体５と、赤色光を放出するアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体６とを含む透光性モールド材４がフレーム本体１内に形成される。
もちろん、透光性モールド材４を使用せずに、チオガレート系緑色蛍光体５及びアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体６を直接発光ダイオード３の上部に塗布して設置することもできる。
ここでは、チオガレート系緑色蛍光体５及びアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体６が透光性モールド材４に含まれ、発光ダイオード３の上部に設置された例を説明する。
発光ダイオード３は、外部電源に連結するために２つの電極を備える。電極は、発光ダイオード３の同一側面及び反対側面上のいずれに位置してもよい。電極は、接着剤を介するか、又は細金線を介してリード端子に電気的に連結される。
ここでは、フレームの両側に設けたアノードリード８及びカソードリード７を各々細金線８ａ、７ａを介して発光ダイオード３に接続する。
発光ダイオード３は、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ又はＡｌＧａＩｎＮ系の発光ダイオードであって、青色光を放出する。ここでは、発光ダイオード３としては、４２０から４８０ｎｍの範囲の青色光を放出する発光ダイオードを使用した。
しかし、これに限定されるものではなく、青色光だけでなく、２５０から４１０ｎｍの範囲の紫外線（ＵＶ）を放出する発光ダイオードをさらに備えてもよい。また、発光ダイオード３の個数は、１つでもよいが、必要なら多数個で構成してもよい。
ここでは本発明は、射出成形、プレス成形、又はその他の加工により凹溝部が形成されたフレーム本体１に、ヒートシンク２を嵌挿し、ヒートシンク２の上に発光ダイオード３を設置し、フレームの両側に設置された端子であるアノードリード及びカソードリードを発光ダイオード３に細金線で接続して構成した、反射型の表面実装白色発光素子として具現化したが、様々な変形が可能である。
１つの変形例として、リードフレーム（図示せず）の先端に反射カップ又は反射板の形を有するダム形状の凹溝部を形成し、該凹溝部に発光ダイオード３を設置し、フレームの凹（ｃｏｎｃａｖｅ）部に設置された端子であるアノードリードとカソードリードとを発光ダイオード３に細金線で連結して構成した、リードタイプの白色発光素子として具現してもよい。
リードタイプの場合には、発光ダイオード３の上部面を含んで凹溝部の内部にチオガレート系緑色蛍光体５及びアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体６を含む透光性モールド材４を凹溝部の上面と同一面になるまで充填し、透光性モールド材、及びアノードとカソードの一部を透光性被覆外装材で密封して具現してもよい。
他の変形例として、射出成形、プレス成形、又はその他の加工によりフレームの凹部に凹溝部を形成し、該凹溝部に発光ダイオードを設置し、フレームの凹部に設置された端子であるアノードリード及びカソードリードを発光ダイオード３に細金線で接続して構成した、印刷基板（ＰＣＢ）タイプの表面実装白色発光素子として具現してもよい。
表面実装型の場合には、発光ダイオード３の上部面を含んでフレーム本体１の内部にチオガレート系緑色蛍光体５及びアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体６を含む透光性モールド材４をフレーム本体１の上面と同一面になるまで充填することにより、具現してもよい。
この時、発光ダイオード３としては、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）を基板とするＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ系の発光ダイオード、又は、ＳｉＣ材質を基板とするＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ系の発光ダイオードを使ってもよい。
又は、任意の基板を使用して製作されたＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ系の発光ダイオードを使ってもよい。
一方、チオガレート緑色蛍光体５及びアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体６は、発光ダイオード３の上部に位置し、発光ダイオード３から放出された光の一部をそれより相対的に長波長の光に変換する。
この時、チオガレート緑色蛍光体５及びアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体６は、透光性モールド材４内に分散されて位置する。
透光性モールド材４は、発光ダイオード３を覆って、湿気又は外力のような外部環境から発光ダイオード３を保護する。透光性モールド材４は、例えばエポキシ又はシリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）からなり、図示したようにフレーム本体１内に位置する。
一方、発光ダイオード３が青色光を放出する場合、発光ダイオード３から放出された青色光と、チオガレート緑色蛍光体５から放出される緑色光と、アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体６から放出される赤色光とが混色されて白色光になって外部に放出される。
具体的には、チオガレート系緑色蛍光体５は、一般式（Ａ１−ｘ−ｙＥｕｘ（ＭＩ ０．５ＭＩＩＩ ０．５）ｙ）Ｂ２Ｓ４（ここでｘ＋ｙ＜１）で表示される。
ここで、Ａは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、Ｂは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎよりなる群から選択された少なくとも１つの元素である。
ｘは、０．０１から０．１の範囲内に設定され、ＭＩは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ＭＩＩＩは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌｕ、Ｇｄ、Ｌａよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ｙは、０＜ｙ＜１の範囲内に設定される。
アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体６は、一般式Ａｘ−ａＥｕａＧｅＳｚで表示される。ここで、Ａは、Ｃａ、Ｓｒよりなる群から選択された少なくとも１つの元素である。ｚ＝ｘ＋２であり、ｘは、２から５の範囲内に設定され、ａ／ｘは、０．０００５から０．０２の範囲内に設定される。
このような緑色及び赤色蛍光体５、６は次の方法で得られる。即ち、蛍光体原料物質と活性剤を所望の組成に見合う所定の混合比になるように秤量し、より効果的な混合のためにアルコール溶媒下で、ボールミーリング（ｂａｌｌ ｍｉｌｌｉｎｇ）又は瑪瑙乳鉢のようなミキサを用いて均一な組性になるように十分に混合する。
その後、この混合物をオーブンに入れ、１００℃から１５０℃の範囲の温度で１〜２時間乾燥する。乾燥した混合物を高純度アルミナボートに入れて、電気炉を使用して８００〜１３００℃の温度でＨ２Ｓ雰囲大気中で熱処理して、蛍光体粉末を合成した後、十分に粉砕する。
これらの粉末に対して光発光強度（Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、ＰＬ）を測定した結果、Ｓｒ０．３６Ｅｕ０．０４Ｙ０．３Ｌｉ０．３Ｇａ２Ｓ４で表現される代表的な組成のチオガレート系緑色蛍光体は、４７０〜６３０ｎｍの領域にわたって強い発光スペクトルを示し、Ｓｒ２．１８５Ｅｕ０．０１５Ｃａ０．８ＧｅＳ５で表現されるアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体は、５２０〜７８０ｎｍの領域にわたって強い発光スペクトルを示す。
白色発光素子の製作の際、前述のような緑色及び赤色蛍光体５、６は透光性モールド材４に含まれていて、緑色及び赤色蛍光体を含むモールド材は発光ダイオード３の上部面を含むフレーム本体１の内部に充填される。
このように、青色発光又は紫外線の発光が可能な窒化ガリウム系（ＡｌＩｎＧａＮ）化合物半導体素子からなる発光ダイオード３、チオガレート系緑色蛍光体５、及びアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体６を組み合わせることによって、発光ダイオード３からの青色発光とその発光により励起された蛍光体５、６からの緑色及び赤色発光との混色により白色光の具現が可能になる。
図２は、本発明の一実施例に係る白色発光素子に採用されるチオガレート系緑色蛍光体の吸収（励起）スペクトル及び発光（放出）スペクトルグラフである。
図２を参照すれば、チオガレート系緑色蛍光体の吸収スペクトルは、３５０〜５００ｎｍで高い吸収ピークを示し、５３５ｎｍで最大ピークを有する優秀な発光スペクトルを示す。
図３は、本発明の一実施例に係る白色発光素子に採用されるアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体の吸収（励起）スペクトル及び発光（放出）スペクトルグラフである。
図３を参照すれば、本発明の一実施例に係る白色発光素子に採用されるアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体の吸収スペクトルは、４００〜５５０ｎｍで高い吸収ピークを示し、６３０ｎｍで最大ピークを有する優秀な発光スペクトル特性を示す。
図４は、本発明の一実施例に係るチオガレート系緑色蛍光体、アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体、及び青色発光ダイオードを利用した白色発光素子の発光スペクトルグラフである。
図４を参照すれば、青色発光ダイオードから発生した基準光と放出された光の一部を蛍光体が吸収又は励起されて放出される第２の光である緑色光及び赤色光とが混色されて白色が具現されることが分かる。
即ち、青色、緑色及び赤色の混色による白色光を具現することによって、ＬＣＤ構造内の色フィルタ濾過後に色再現性に優れた色純度を有する。
これにより、本発明の一実施例に係る白色発光素子を直列又は並列構造で配置してＬＣＤ用背面光源（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ）に適用する場合、従来の青色発光ダイオードに「ＹＡＧ：Ｃｅ」又は「（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ」黄色蛍光体を結合して得られる白色光に比べて優れた色純度を提供できる。
図５は、本発明の一実施例に係る白色発光素子と従来の白色発光素子のサック（色）座標特性を比較したグラフである。
本発明の一実施例に係る白色発光素子と従来の白色発光素子が各々同じ色フィルタを通過した後に具現できる色再現の範囲を色座標で示す。
図５を参照すれば、本発明の一実施例に係る、チオガレート系緑色蛍光体とアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体及び青色発光ダイオードを組合わせた白色発光素子での色再現の範囲が、従来の技術による、青色発光ダイオードと「（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ」黄色蛍光体を使用する白色発光素子での色再現の範囲より非常に広いことがわかる。
白色発光素子において色座標の範囲が広いほど表現できる色の数は増加するようになり、さらに自然色に近い色表現が可能であることを意味する。
以上、好ましい実施例及び多くの具体的な変形実施例を参照して本発明を説明した。しかし、これらの具体的に説明されたものとは異なる多くのその他の実施例がまた本発明の精神と範囲に入ることがこの分野の当業者にとって自明であろう。
例えば、本発明の一実施例では、青色光を放出する発光ダイオードの上部に発光ダイオードから放出された青色光により励起されて緑色発光が可能なチオガレート系蛍光体及び赤色発光が可能なアルカリ土類金属硫化物系蛍光体を含む白色発光素子について説明した。
しかしながら、本発明によるチオガレート系蛍光体及びアルカリ土類金属硫化物系蛍光体は、青色光だけでなく、紫外線によっても励起されて、優秀な緑色発光及び赤色発光が可能である。
従って、白色発光素子に青色光を放出する発光ダイオードと一緒に紫外線を放出する紫外線発光ダイオードをさらに付加することによって、チオガレート系蛍光体及びアルカリ土類金属硫化物系蛍光体を紫外線発光ダイオードから放出された紫外線により励起して、さらに優秀な緑色発光及び赤色発光を得ることができる。
また、本発明の一実施例では、青色光を放出する発光ダイオードの上部に緑色発光が可能なチオガレート系蛍光体及び赤色発光が可能なアルカリ土類金属硫化物系蛍光体を配置するにあたって、一般式がＡｘ−ａＥｕａＧｅＳｚであり、ここで、Ａは、Ｃａ、Ｓｒよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ｚ＝ｘ＋２であり、ｘは、２から５の範囲内に設定され、ａ／ｘは、０．０００５から０．０２の範囲内に設定されるアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体について説明した。
尚、その他にも変形例として、一般式が（Ｃａ、Ｓｒ）１−ｘ−ｙＥｕｘＣｙ（Ｓ１−ｚＳｅｚ）であるアルカリ土類金属硫化物系蛍光体が可能である。
ここで、Ｃは、Ｍｎ及びＰｂよりなる群から少なくとも１つの元素が選択される。また、ｘは、０．０００５から０．１の範囲内に設定され、ｙは、０から０．５の範囲内に設定され、ｚは、０から１の範囲内に設定される。
さらに他の変形例として、一般式が（Ｃａ、Ｓｒ）１−ｘ−ｙＥｕｘＰｂｙＳであるアルカリ金属硫化物系蛍光体が可能である。
ここで、ｘは、０．０００５から０．０１の範囲内に設定され、ｙは、０から０．５の範囲内に設定される。
さらに他の変形例として、一般式がＣａ０．９４７Ｐｂ０．０５Ｅｕ０．００３Ｓであるアルカリ金属硫化物系蛍光体が可能である。この場合、蛍光体は、６５０ｎｍ波長の光を放出することができる。
さらに他の変形例として、一般式がＣａ０．４４７Ｓｒ０．５Ｐｂ０．０５Ｅｕ０．００３Ｓであるアルカリ金属硫化物系蛍光体が可能である。この場合、蛍光体は、６３０ｎｍ波長の光を放出することができる。
さらに他の変形例として、一般式がＣａ０．８９７Ｐｂ０．１Ｅｕ０．００３Ｓであるアルカリ金属硫化物系蛍光体が可能である。この場合、蛍光体は、６４８ｎｍ波長の光を放出することができる。
このように、アルカリ土類金属硫化物系蛍光体は、構成元素及びその組成比率によって発光波長の調節が可能である。
は、本発明の一実施例に係る白色発光素子の概略的な断面構成図である。 は、本発明の一実施例に係る白色発光素子に採用されるチオガレート系緑色蛍光体の吸収スペクトル及び発光スペクトルグラフである。 は、本発明の一実施例に係る白色発光素子に採用されるアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体の吸収スペクトル及び発光スペクトルグラフである。 は、本発明の一実施例に係るチオガレート系緑色蛍光体とアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体及び青色発光ダイオードを利用した白色発光素子の発光スペクトルグラフである。 は、本発明の一実施例に係る白色発光素子と従来の白色発光素子の色座標特性を比較したグラフである。
符号の説明
１ フレーム本体
２ ヒートシンク
３ 発光ダイオード
４ 透光性モールド材
５ チオガレート系緑色蛍光体
６ アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体
７ カソードリード
７ａ 細金線
８ アノードリード
８ａ 細金線

Claims (10)

  1. 一般式が（Ａ１−ｘ−ｙＥｕｘ（ＭＩ ０．５ＭＩＩＩ ０．５）ｙ）Ｂ２Ｓ４（ここでｘ＋ｙ＜１）であり、ここで、Ａは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、Ｂは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ｘは、０．０１から０．１の範囲内に設定され、ＭＩは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ＭＩＩＩは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌｕ、Ｇｄ、Ｌａよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ｙは、０＜ｙ＜１の範囲内に設定されることを特徴とするチオガレート（ｔｈｉｏｇａｌｌａｔｅ）系緑色蛍光体。
  2. 一般式がＡｘ−ａＥｕａＧｅＳｚであり、ここで、Ａは、Ｃａ、Ｓｒよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ｚ＝ｘ＋２であり、ｘは、２から５の範囲内に設定され、ａ／ｘは、０．０００５から０．０２の範囲内に設定されることを特徴とするアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体。
  3. 青色光を放出する発光ダイオードと、
    前記発光ダイオードの上部に設置され、前記発光ダイオードから放出された光により励起されて緑色光を放出するチオガレート緑色蛍光体と、
    前記発光ダイオードの上部に設置され、前記発光ダイオードから放出された光により励起されて赤色光を放出するアルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体と、を含み、前記緑色光及び前記赤色光が前記発光ダイオードから放出された前記青色光の一部と混色されて白色光を放出することを特徴とする白色発光素子。
  4. 紫外線を放出する紫外発光ダイオードをさらに含み、
    前記緑色蛍光体及び前記赤色蛍光体のうち少なくとも１つは、前記紫外発光ダイオードから放出された光により励起されて光を放出することを特徴とする請求項３に記載の白色発光素子。
  5. 透光性モールド材をさらに含み、
    前記チオガレート緑色蛍光体及び前記アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体は、前記透光性モールド材内に分散されることを特徴とする請求項３に記載の白色発光素子。
  6. 前記チオガレート系緑色蛍光体は、一般式（Ａ１−ｘ−ｙＥｕｘ（ＭＩ ０．５ＭＩＩＩ ０．５）ｙ）Ｂ２Ｓ４（ここでｘ＋ｙ＜１）であり、ここで、Ａは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、Ｂは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ｘは、０．０１から０．１の範囲内に設定され、ＭＩは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ＭＩＩＩは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌｕ、Ｇｄ、Ｌａよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ｙは、０＜ｙ＜１の範囲内に設定されることを特徴とする請求項３に記載の白色発光素子。
  7. 前記アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体は、一般式がＡｘ−ａＥｕａＧｅＳｚであり、ここで、Ａは、Ｃａ、Ｓｒよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ｚ＝ｘ＋２であり、ｘは、２から５の範囲内に設定され、ａ／ｘは、０．０００５から０．０２の範囲内に設定されることを特徴とする請求項３に記載の白色発光素子。
  8. 前記アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体は、一般式が（Ｃａ、Ｓｒ）１−ｘ−ｙＥｕｘＣｙ（Ｓ１−ｚＳｅｚ）であり、ここで、Ｃは、Ｍｎ及びＰｂよりなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、ｘは、０．０００５から０．１の範囲内に設定され、ｙは、０から０．５の範囲内に設定され、ｚは、０から１の範囲内に設定されることを特徴とする請求項３に記載の白色発光素子。
  9. 前記アルカリ土類金属硫化物系蛍光体は、一般式が（Ｃａ、Ｓｒ）１−ｘ−ｙＥｕｘＰｂｙＳであり、ここで、ｘは、０．０００５から０．０１の範囲内に設定され、ｙは、０から０．５の範囲内に設定されることを特徴とする請求項８に記載の白色発光素子。
  10. 前記アルカリ土類金属硫化物系蛍光体は、組成によって６００ｎｍから６６０ｎｍの範囲の波長の光を放出することを特徴とする請求項８に記載の白色発光素子。
JP2008513362A 2005-05-24 2006-05-23 チオガレート系緑色蛍光体、アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体、及びこれらを採用した白色発光素子 Expired - Fee Related JP5052507B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050043785A KR100657137B1 (ko) 2005-05-24 2005-05-24 티오갈레이트계 녹색 형광체 및 알칼리 토금속 황화물계 적색 형광체를 채용한 백색 발광 소자
KR10-2005-0043785 2005-05-24
KR1020050057892A KR100666189B1 (ko) 2005-06-30 2005-06-30 발광 소자
KR10-2005-0057892 2005-06-30
PCT/KR2006/001921 WO2006126817A1 (en) 2005-05-24 2006-05-23 Green phosphor of thiogallate, red phosphor of alkaline earth sulfide and white light emitting device thereof

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012030958A Division JP2012140627A (ja) 2005-05-24 2012-02-15 チオガレート系緑色蛍光体、アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体、及びこれらを採用した白色発光素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009507935A true JP2009507935A (ja) 2009-02-26
JP5052507B2 JP5052507B2 (ja) 2012-10-17

Family

ID=37452201

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008513363A Expired - Fee Related JP4896129B2 (ja) 2005-05-24 2006-05-23 発光素子及びそれのためのアルカリ土類金属硫化物系蛍光体
JP2008513362A Expired - Fee Related JP5052507B2 (ja) 2005-05-24 2006-05-23 チオガレート系緑色蛍光体、アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体、及びこれらを採用した白色発光素子
JP2012030958A Pending JP2012140627A (ja) 2005-05-24 2012-02-15 チオガレート系緑色蛍光体、アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体、及びこれらを採用した白色発光素子

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008513363A Expired - Fee Related JP4896129B2 (ja) 2005-05-24 2006-05-23 発光素子及びそれのためのアルカリ土類金属硫化物系蛍光体

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012030958A Pending JP2012140627A (ja) 2005-05-24 2012-02-15 チオガレート系緑色蛍光体、アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体、及びこれらを採用した白色発光素子

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8088302B2 (ja)
EP (3) EP1888711B1 (ja)
JP (3) JP4896129B2 (ja)
AT (1) ATE534720T1 (ja)
TW (2) TWI325441B (ja)
WO (2) WO2006126819A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009510764A (ja) * 2005-09-30 2009-03-12 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光素子及びそれを用いたｌｃｄバックライト
US8323529B2 (en) 2006-03-16 2012-12-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Fluorescent material and light emitting diode using the same
JP2018090701A (ja) * 2016-12-02 2018-06-14 日亜化学工業株式会社 チオガレート系蛍光体の製造方法、発光装置の製造方法、チオガレート系蛍光体及び発光装置
US11136501B2 (en) 2015-12-28 2021-10-05 Nichia Corporation Method of producing thiogallate-based fluorescent material and a sulfite for a thiogallate-based fluorescent material

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101142519B1 (ko) 2005-03-31 2012-05-08 서울반도체 주식회사 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 백색 발광다이오드를채택한 백라이트 패널
JP4896129B2 (ja) 2005-05-24 2012-03-14 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光素子及びそれのためのアルカリ土類金属硫化物系蛍光体
KR100601200B1 (ko) 2005-06-17 2006-07-13 서울반도체 주식회사 적색 형광체와 이를 이용한 발광 다이오드
KR100642786B1 (ko) * 2005-08-10 2006-11-03 서울반도체 주식회사 적색 형광체, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 소자
TWI426119B (zh) * 2006-03-21 2014-02-11 Seoul Semiconductor Co Ltd 螢光材料及使用其之發光二極體
KR101258227B1 (ko) * 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
KR100930171B1 (ko) * 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
CN102216421B (zh) * 2008-08-12 2014-12-17 三星电子株式会社 制备β-SiAlON磷光体的方法
US8158026B2 (en) 2008-08-12 2012-04-17 Samsung Led Co., Ltd. Method for preparing B-Sialon phosphor
TWI386970B (zh) * 2008-11-18 2013-02-21 Ind Tech Res Inst 應用氣態硫化物之發光裝置
US9082349B2 (en) * 2011-08-30 2015-07-14 Sharp Laboratories Of America, Inc. Multi-primary display with active backlight
JP6058948B2 (ja) * 2012-08-28 2017-01-11 日東光学株式会社 光学フィルタ、光源装置、照明装置
WO2014133374A1 (en) 2013-02-28 2014-09-04 Vilnius University Solid-state sources of light for preferential colour rendition
JP6266923B2 (ja) * 2013-08-26 2018-01-24 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
KR102499057B1 (ko) * 2020-08-10 2023-02-10 세종대학교산학협력단 황화물계 형광체와 이 형광체를 포함하는 발광장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002060747A (ja) * 1999-09-27 2002-02-26 Lumileds Lighting Us Llc ３色型白色光ｌｅｄランプ
WO2003081957A1 (en) * 2002-03-27 2003-10-02 Ifire Technology Inc. Yttrium substituted barium thioaluminate phosphor materials
JP2004119375A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Agilent Technol Inc ルミネセンス材料を利用したバックライト構造、その提供方法及びシステム

Family Cites Families (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2110162A (en) * 1938-03-08 Luminescent material
US2402760A (en) * 1942-06-27 1946-06-25 Rca Corp Luminescent material
US3639254A (en) * 1969-07-01 1972-02-01 Gte Laboratories Inc Alkaline earth thiogallate phosphors
DE10028266A1 (de) 2000-06-09 2001-12-13 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Hocheffizienter Leuchtstoff
US4065688A (en) * 1977-03-28 1977-12-27 Westinghouse Electric Corporation High-pressure mercury-vapor discharge lamp having a light output with incandescent characteristics
US4303913A (en) * 1978-08-25 1981-12-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Fluorescent display device and display apparatus using the same
US4563297A (en) * 1980-02-06 1986-01-07 Futaba Denshi Kogyo K.K. Fluorescent composition
JPS57128772A (en) 1981-02-02 1982-08-10 Hitachi Ltd Fluorescent substance
US5208462A (en) * 1991-12-19 1993-05-04 Allied-Signal Inc. Wide bandwidth solid state optical source
US5598059A (en) * 1994-04-28 1997-01-28 Planar Systems, Inc. AC TFEL device having a white light emitting multilayer phosphor
US5834053A (en) * 1994-11-30 1998-11-10 The Regents Of The University Of California Blue light emitting thiogallate phosphor
US5656888A (en) * 1995-11-13 1997-08-12 Sun; Sey-Shing Oxygen-doped thiogallate phosphor
JP2927279B2 (ja) 1996-07-29 1999-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US6252254B1 (en) * 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6429583B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP2000171796A (ja) 1998-12-02 2000-06-23 Howa Bussan Kk 面状光源
US6680569B2 (en) * 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
WO2001024284A1 (en) * 1999-09-27 2001-04-05 Lumileds Lighting, U.S., Llc A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion
EP1104799A1 (en) * 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
JP4406490B2 (ja) * 2000-03-14 2010-01-27 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード
KR20010097147A (ko) 2000-04-20 2001-11-08 박득일 백색 발광 다이오드를 이용한 백라이트 유닛과 고순도백색광의 발광방법
US6850002B2 (en) * 2000-07-28 2005-02-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light emitting device for generating specific colored light, including white light
JP2002156531A (ja) 2000-11-22 2002-05-31 Yuka Denshi Co Ltd 導光体及びこれを用いた面光源装置と液晶ディスプレイ装置
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
KR100407512B1 (ko) 2001-02-19 2003-12-01 주식회사 이스트웰 녹색발광 스트론튬ㆍ유로피움ㆍ티오갈륨 형광체의제조방법
US6417019B1 (en) * 2001-04-04 2002-07-09 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting diode
US6617782B2 (en) * 2001-05-30 2003-09-09 Ifire Technology Inc. Thioaluminate phosphor material with a gadolinium co-activator
CN101335322B (zh) * 2001-09-03 2010-12-08 松下电器产业株式会社 荧光体层、半导体发光装置及半导体发光元件的制造方法
DE10146719A1 (de) 2001-09-20 2003-04-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP3931070B2 (ja) * 2001-10-22 2007-06-13 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 面状光源装置及びこれを備えた液晶表示装置
JP2005509081A (ja) * 2001-11-14 2005-04-07 サーノフ・コーポレーション 光励起発光型赤色蛍光体
JP2003301171A (ja) * 2002-02-06 2003-10-21 Tdk Corp 蛍光体薄膜、その製造方法およびｅｌパネル
JP4191937B2 (ja) * 2002-02-15 2008-12-03 株式会社日立製作所 白色光源及びそれを用いた画像表示装置
AU2003215785A1 (en) 2002-03-25 2003-10-08 Philips Intellectual Property And Standards Gmbh Tri-color white light led lamp
JP4001766B2 (ja) 2002-04-26 2007-10-31 富士フイルム株式会社 液晶表示装置およびこれを用いる医用画像表示装置
TW563261B (en) 2002-06-07 2003-11-21 Solidlite Corp A method and of manufacture for tri-color white LED
WO2003107441A2 (en) 2002-06-13 2003-12-24 Cree, Inc. Saturated phosphor solid emitter
KR100479073B1 (ko) 2002-06-19 2005-03-25 엘지전자 주식회사 백 라이트 유닛 검사 장치
AU2003248074A1 (en) 2002-07-16 2004-02-02 Futaba Corporation Composite nanoparticle and process for producing the same
JP2004094031A (ja) 2002-09-02 2004-03-25 Sumitomo Rubber Ind Ltd フィルム観察装置
US6809781B2 (en) * 2002-09-24 2004-10-26 General Electric Company Phosphor blends and backlight sources for liquid crystal displays
JP4201167B2 (ja) 2002-09-26 2008-12-24 シチズン電子株式会社 白色発光装置の製造方法
US6869753B2 (en) * 2002-10-11 2005-03-22 Agilent Technologies, Inc. Screen printing process for light emitting base layer
JP4529349B2 (ja) 2002-11-08 2010-08-25 日亜化学工業株式会社 窒化物系蛍光体および発光装置
JP2004296830A (ja) 2003-03-27 2004-10-21 Solidlite Corp 白色ｌｅｄの製造方法
US7125501B2 (en) 2003-04-21 2006-10-24 Sarnoff Corporation High efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
JP4274843B2 (ja) 2003-04-21 2009-06-10 シャープ株式会社 Ｌｅｄデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびｌｃｄ表示装置
US7075225B2 (en) 2003-06-27 2006-07-11 Tajul Arosh Baroky White light emitting device
KR100518408B1 (ko) 2003-08-22 2005-09-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼 프론트 라이트를 이용한 듀얼 액정표시장치
JP2005072479A (ja) * 2003-08-27 2005-03-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 白色発光素子、蛍光体およびその製造方法
JP2005079500A (ja) 2003-09-03 2005-03-24 Lite-On Technology Corp 白色光発光装置
WO2005038935A1 (ja) * 2003-10-15 2005-04-28 Nichia Corporation 発光装置
US7123796B2 (en) * 2003-12-08 2006-10-17 University Of Cincinnati Light emissive display based on lightwave coupling
US7102152B2 (en) * 2004-10-14 2006-09-05 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material
JP3909603B2 (ja) * 2003-12-19 2007-04-25 シャープ株式会社 光学材料、光学部材、照明装置および表示装置
EP1715023B1 (en) 2004-01-16 2012-10-24 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and including the same, light emitting apparatus, illuminating apparatus and image display
US7488990B2 (en) * 2004-04-02 2009-02-10 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Using multiple types of phosphor in combination with a light emitting device
US20050236958A1 (en) * 2004-04-23 2005-10-27 Harvatek Corporation White light-emitting device
KR101041311B1 (ko) * 2004-04-27 2011-06-14 파나소닉 주식회사 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을 이용한 발광장치
KR20050107033A (ko) * 2004-05-07 2005-11-11 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈 및 이를 구비한 액정표시장치
KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
KR101189265B1 (ko) * 2004-06-14 2012-10-09 삼성디스플레이 주식회사 방열 구조를 개선한 액정표시장치
KR20040088418A (ko) 2004-09-15 2004-10-16 박재익 삼파장 백색 발광다이오드
KR100634304B1 (ko) * 2004-09-30 2006-10-16 서울반도체 주식회사 형광체 및 이를 이용한 발광 다이오드
US20060082296A1 (en) * 2004-10-14 2006-04-20 Chua Janet Bee Y Mixture of alkaline earth metal thiogallate green phosphor and sulfide red phosphor for phosphor-converted LED
JP4836429B2 (ja) * 2004-10-18 2011-12-14 株式会社東芝 蛍光体およびこれを用いた発光装置
KR100611102B1 (ko) 2004-12-06 2006-08-09 한국전자통신연구원 성능 데이터 자동 수집을 위한 서비스 수준 보장 시스템 및그 방법
CN101072844A (zh) * 2004-12-07 2007-11-14 皇家飞利浦电子股份有限公司 包括辐射源和发光材料的照明系统
TWI475093B (zh) * 2005-05-24 2015-03-01 Mitsubishi Chem Corp 螢光體及其應用
JP4896129B2 (ja) 2005-05-24 2012-03-14 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光素子及びそれのためのアルカリ土類金属硫化物系蛍光体
KR100666189B1 (ko) 2005-06-30 2007-01-09 서울반도체 주식회사 발광 소자
KR100601200B1 (ko) * 2005-06-17 2006-07-13 서울반도체 주식회사 적색 형광체와 이를 이용한 발광 다이오드
TW200717866A (en) * 2005-07-29 2007-05-01 Toshiba Kk Semiconductor light emitting device
US7859182B2 (en) * 2005-08-31 2010-12-28 Lumination Llc Warm white LED-based lamp incoporating divalent EU-activated silicate yellow emitting phosphor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002060747A (ja) * 1999-09-27 2002-02-26 Lumileds Lighting Us Llc ３色型白色光ｌｅｄランプ
WO2003081957A1 (en) * 2002-03-27 2003-10-02 Ifire Technology Inc. Yttrium substituted barium thioaluminate phosphor materials
JP2004119375A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Agilent Technol Inc ルミネセンス材料を利用したバックライト構造、その提供方法及びシステム

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009510764A (ja) * 2005-09-30 2009-03-12 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光素子及びそれを用いたｌｃｄバックライト
JP2012186492A (ja) * 2005-09-30 2012-09-27 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光素子
US9287241B2 (en) 2005-09-30 2016-03-15 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and LCD backlight using the same
US9576940B2 (en) 2005-09-30 2017-02-21 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and LCD backlight using the same
US8323529B2 (en) 2006-03-16 2012-12-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Fluorescent material and light emitting diode using the same
US11136501B2 (en) 2015-12-28 2021-10-05 Nichia Corporation Method of producing thiogallate-based fluorescent material and a sulfite for a thiogallate-based fluorescent material
JP2018090701A (ja) * 2016-12-02 2018-06-14 日亜化学工業株式会社 チオガレート系蛍光体の製造方法、発光装置の製造方法、チオガレート系蛍光体及び発光装置
US11136502B2 (en) 2016-12-02 2021-10-05 Nichia Corporation Method of producing thiogallate-based fluorescent material, method of producing light-emitting device, thiogallate-based fluorescent material and light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
EP1888711B1 (en) 2012-11-14
JP4896129B2 (ja) 2012-03-14
TW200746451A (en) 2007-12-16
EP2305776A3 (en) 2011-05-25
TWI323947B (en) 2010-04-21
WO2006126817A1 (en) 2006-11-30
EP1888710A1 (en) 2008-02-20
WO2006126819A1 (en) 2006-11-30
JP2012140627A (ja) 2012-07-26
EP1888711A4 (en) 2011-02-23
US8088302B2 (en) 2012-01-03
EP2305776A2 (en) 2011-04-06
US20080191229A1 (en) 2008-08-14
US8017961B2 (en) 2011-09-13
TWI325441B (en) 2010-06-01
JP2009507936A (ja) 2009-02-26
EP1888710A4 (en) 2010-09-01
EP1888711A1 (en) 2008-02-20
EP1888710B1 (en) 2011-11-23
US20080191228A1 (en) 2008-08-14
TW200700537A (en) 2007-01-01
EP2305776B1 (en) 2013-03-06
JP5052507B2 (ja) 2012-10-17
ATE534720T1 (de) 2011-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5052507B2 (ja) チオガレート系緑色蛍光体、アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体、及びこれらを採用した白色発光素子
EP1733441B1 (en) Light emitting device and phosphor for the same
JP5081370B2 (ja) 発光装置
JP5599483B2 (ja) 非化学量論的正方晶系アルカリ土類シリケート蛍光体を用いた発光装置
US10020428B2 (en) White light emitting device having high color rendering
EP1837386B1 (en) Nitride phosphor, method for producing same and light-emitting device using nitride phosphor
KR102337406B1 (ko) 불화물 형광체, 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
JP5236397B2 (ja) 非化学量論的正方晶系アルカリ土類シリケート蛍光体を用いた発光装置
JP2008187188A (ja) 発光装置
JP4425977B1 (ja) 窒化物赤色蛍光体及びこれを利用する白色発光ダイオード
JP4975029B2 (ja) 赤色蛍光体、その製造方法、及びそれを用いた発光素子
KR100657137B1 (ko) 티오갈레이트계 녹색 형광체 및 알칼리 토금속 황화물계 적색 형광체를 채용한 백색 발광 소자
KR101093575B1 (ko) 적색 질화물 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
US10236425B2 (en) White light emitting device having high color rendering
KR100605212B1 (ko) 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
KR101409489B1 (ko) 실리콘 산질화물 형광체 및 이를 포함하는 광소자
KR101039264B1 (ko) 적색 질화물 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
KR100966296B1 (ko) 적색 질화물 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
JP4890514B2 (ja) 蛍光体及び発光ダイオード
KR100803160B1 (ko) 에폭시 코팅된 황화물 형광체 및 그 제조방법과 그것을채택하는 발광소자
JP2004161863A (ja) 蛍光体、発光ダイオード及び蛍光体の製造方法
KR20060121774A (ko) 백색 발광 소자용 티오갈레이트계 녹색 형광체 및 알칼리토금속 황화물계 적색 형광체
KR20070022465A (ko) 적색 형광체, 이를 이용한 발광 소자 및 액정 디스플레이소자

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20091020

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20091021

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110329

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110629

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110706

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110728

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111115

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120215

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120724

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120724

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5052507

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150803

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees