JP4425977B1 - 窒化物赤色蛍光体及びこれを利用する白色発光ダイオード - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、窒化物赤色蛍光体及びこれを利用する白色ＬＥＤに関する。蛍光体量の構成を容易に制御することができ、均一性及び再現性を向上させることのできる新規の窒化物赤色蛍光体、及びその製造方法、高い演色性と高い発光効率を有する白色ＬＥＤ、及びこれを利用する白色ＬＥＤパッケージを提供する。
【解決手段】本発明は、下記［式１］で表される窒化物赤色蛍光体を提供する。
［式１］
Ｂａ２−ｘＲｅｘＡｌｙＳｉ５−ｙＮ８
（式中、モル比は０．０００１≦ｘ≦１．０及び０．００１≦ｙ≦５．０の値を有し、Ｒｅは希土類元素、または、遷移金属元素から選択される少なくとも１つ以上の元素である。）
本発明の白色ＬＥＤは、高い演色性と発光効率を有するので、高い演色性を要求する照明応用に使用することができ、関連技術、即ち、ＬＥＤ作製技術及び蛍光体の作製技術などの関連産業の活性化に多大に寄与することができる。
【選択図】図１０

Description

本発明は、窒化物赤色蛍光体及びこれを利用する白色発光ダイオードに関する。より詳細には、蛍光体量の構成を容易に制御することができ、均一性及び再現性を向上させることのできる新規の窒化物赤色蛍光体、その製造方法、前記窒化物赤色蛍光体を光源として利用することによって、高い演色性と高い発光効率を有する新しい白色発光ダイオード、及びこれを利用する白色発光ダイオードパッケージに関する。
発光ダイオード（以下、発光ダイオードをＬＥＤと略記する）を照明に応用するための努力は、１９９０年代の末から始まった。２００６年、照明用の蛍光体の世界市場は、略２０億ドルの規模に達し、ＬＥＤ照明市場は毎年２０％以上の成長が予想され、２０１２年の世界市場の規模は、１００億ドル以上の成長が予測されている。ＬＥＤは、既存の照明器具に比べて高い信頼性を有し、寿命が長いのでメンテナンス費用が少なく、かつ消耗電力が少ないのでエネルギー節減にも大きく寄与する。また、デザインの流動性と発熱性が低いので照明としての多様な使用条件を具有している。
最初のＧａＮ系ＬＥＤである緑色、青色ＬＥＤの技術成果によって光の三原色である赤色、緑色、青色をすべてＬＥＤから得ることができた。その後、持続的な技術開発によって青色ＬＥＤにＹＡＧ系蛍光体を利用する白色ＬＥＤを生産し、紫外線ＬＥＤに赤色、緑色、青色蛍光体を利用する技術開発が進行中である。
現在、白色ＬＥＤは、携帯電話のディスプレイバックライト光源、カメラが装着された携帯電話のフラッシュ光源、ＬＣＤモニターのバックライト光源などに使用されている。さらに、エネルギー価格の急騰によって従来の白熱灯及び蛍光灯などを代替するための新しい照明灯器具に対する技術開発も進行されている。
白色ＬＥＤは、効率の面において白熱灯の数倍、蛍光灯と略同様の水準であり、寿命は蛍光灯の１０倍、白熱灯の２０倍以上であって、現在の技術水準によってもＬＥＤ照明器具は、既存の照明器具に比べて８０％以上のエネルギー節減の効果があるので、確実な次世代照明器具として注目を集めている。現在のところ未だ高価であるため、一般的普及化には多少の時間を必要としているが、現在のような高エネルギー価時代における本発明技術の適用は、莫大なエネルギーの節約を期することができるため、早晩新しい照明市場への普及が拡大されることが確実と予想される。
現在、半導体光源を利用して照明灯を製造する方法としては、青色ＬＥＤにＹＡＧ系のオレンジ色蛍光体を利用する白色ＬＥＤがある。
また、近紫外線、または、紫色ＬＥＤに赤色、緑色、青色蛍光体、または、黄赤色蛍光体を組合せて演色指数（ＣＲＩ）を改善した白色ＬＥＤがある。
その他、赤色、緑色のＬＥＤを組合せて利用する白色ＬＥＤなどがある。
しかし、青色ＬＥＤにＹＡＧ系蛍光体を利用する白色ＬＥＤは、低い演色性を有し、ストークス遷移（Ｓｔｏｋｅｓ ｓｈｉｆｔ）による光効率の限界性及び温度効果に弱い面があるのでこれに対する改善が要求されている。
青色ＬＥＤにＹＡＧ系蛍光体を利用する白色ＬＥＤは、青色と黄色の２つの波長を利用するので低い演色性を有する。
図１は、従来技術による白色ＬＥＤの波長スペクトルの分布図である。
即ち、図１は、青色ＬＥＤ及びＹＡＧ系蛍光体として作製された白色ＬＥＤの波長スペクトルを示している。
図１を参照するとき、青と緑との間の波長領域において発光強度（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）が急に低下する領域が存在するので、演色指数（Ｒａ：Ｃｏｌｏｒ Ｒｅｎｄｅｒｉｎｇ Ｉｎｄｅｘ）が低いことを確認することができる。
図２は、従来技術による白色ＬＥＤのＣＩＥチャートである。
図２において、Ｂ−ＬＥＤは、青色ＬＥＤを示し、Ｙ−ｐｈｏｓｐｈｏｒは一部の青色がＹＡＧ系蛍光体によって波長が変換された黄色を示す。白色光はＢ−ＬＥＤとＹ−ｐｈｏｓｐｈｏｒの連結線に沿って動き、Ｗで表記した。
図２を参照するとき、青色及び黄色の２つの波長からなっているので赤色の成分が足りないため、演色性が６０〜７５程度で低く、一般室内照明に使用するためには適合ではない。
上述のように、白色ＬＥＤの作製方法として広く知られているＹＡＧ蛍光体を利用して白色光を得る方法は、蛍光体の低い効率と赤色成分の少ないことで演色性が低く、作製する時にエポキシと蛍光体の混合比率の均一性及び再現性など、作製技術において多くの困難性を伴う。
赤色、緑色、青色のＬＥＤ３つを利用する白色ＬＥＤは、光損失がないので最も高い発光効率を発揮するが、正確な白色を具現するためには、駆動ドライバーの正確な制御が必要である。また、製品が大型であり３つのＬＥＤの温度特性が互に異なるので、製品の光学的特性及び信頼性に影響を及ぼすことがある。
前記のような従来技術の問題点を解決するための本発明の目的は、ＹＡＧ蛍光体の使用なしにＬＥＤから放出される光を利用して窒化物蛍光体を励起させた後に放出する赤色光を利用することによって、蛍光体量の構成を容易に制御することができ、均一性及び再現性を向上させることのできる新規の窒化物赤色蛍光体を提供することにある。
本発明のまたの目的は、一般ガス雰囲気ＮＰＳ（Ｎｏｒｍａｌ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）で製造し、粉砕を必要としないので大量生産に適する前記窒化物赤色蛍光体の製造方法を提供することにある。
本発明のまた他の目的は、前記窒化物赤色蛍光体を光源に利用することによって、高い演色性と発光効率、及び優秀な熱的安定性と化学的耐性を有する新しい白色ＬＥＤを提供することにある。
本発明のまた他の目的は、前記窒化物赤色蛍光体を光源に利用する新しい白色ＬＥＤを発光部として包含することによって、高い演色性と発光効率を有する新しい白色ＬＥＤパッケージを提供することにある。
前記の目的を達成するために、本発明は下記［式１］で表される窒化物赤色蛍光体を提供する。
［式１］
Ｂａ２−ｘＲｅｘＡｌｙＳｉ５−ｙＮ８
（式中、モル比は０．０００１≦ｘ≦１．０及び０．００１≦ｙ≦０．５の値を有し、ＲｅはＣｅ、Ｐｒ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｙｂ、Ｅｒ及びＭｎからなる群から選択された少なくとも１つ以上の元素である。）
前記窒化物赤色蛍光体は、希土類元素によって活性化されることができる。
前記窒化物赤色蛍光体の励起波長は、３００〜５００ｎｍであり、放出波長は５００〜８００ｎｍであることが好ましい。
前記目的を達成するための本発明は、乾燥させた前駆物質の混合物を５００〜９００℃の温度及び常圧のガス雰囲気条件下で１次熱処理した後、１４００〜１８００℃温度及び常圧のガス雰囲気条件下で２次焼結する段階を包含する前記窒化物赤色蛍光体の製造方法を提供する。
前記窒化物赤色蛍光体の製造方法において、前記ガスは、窒素ガス、アルゴンガス、水素と窒素の混合ガス、または、一酸化炭素と二酸化炭素の混合ガスであることが好ましい。
前記目的を達成するための本発明は、前記窒化物赤色蛍光体を３００〜５００ｎｍ波長のＬＥＤの光源によって励起させて５００〜８００ｎｍ帯域の放出波を発生させ、これを利用して白色光を形成する白色ＬＥＤを提供する。
前記白色ＬＥＤにおいて、前記ＬＥＤ光源の主波長は、３９０〜４８０ｎｍであることが好ましい。
前記白色ＬＥＤにおいて、前記窒化物赤色蛍光体は、後に放出する赤色光のピーク波長が６００〜６８０ｎｍであることが好ましい。
前記白色ＬＥＤにおいて、前記窒化物赤色蛍光体のＲｅはＥｕを使用し、モル比が０．０００１≦ｘ≦１．０であることが好ましい。
前記白色ＬＥＤにおいて、前記窒化物赤色蛍光体は、透明エポキシ、または、シリコン樹脂に混合されてディスペンシング法によって前記ＬＥＤの光源を構成するチップ上に塗布されることができる。
前記白色ＬＥＤにおいて、前記窒化物赤色蛍光体は、透明エポキシ、または、シリコン樹脂に混合されてトランスファー成形によって前記ＬＥＤの光源を構成するチップ上に塗布されることができる。
前記白色ＬＥＤにおいて、前記窒化物赤色蛍光体は、透明エポキシ、または、シリコン樹脂に混合されてスパッタリング、または、蒸着によって前記発光ダイオードの光源を構成するチップ上に塗布されることができる。
前記目的を達成するための本発明は、前記窒化物赤色蛍光体を３００〜５００ｎｍ波長のＬＥＤの光源によって励起させて５００〜８００ｎｍ帯域の放出波を発生させ、これを利用して白色光を形成する白色ＬＥＤパッケージを提供する。
前記白色ＬＥＤパッケージにおいて、前記パッケージは砲弾型であることができる。
前記白色ＬＥＤパッケージにおいて、前記パッケージは表面実装型であることができる。
前記白色ＬＥＤパッケージにおいて、前記表面実装型の白色ＬＥＤパッケージはエポキシレンズを有することが好ましい。
本発明の白色ＬＥＤは、高い演色性と発光効率を有するので、高い演色性を要求する照明の応用に使用することができ、関連技術、即ち、ＬＥＤ作製技術及び蛍光体の作製技術などの関連産業の活性化に多大に寄与することができる。
本発明による下記［式１］で表される窒化物赤色蛍光体は、発光を活性化させるために遷移金属、または、希土類イオンが添加された酸化物、硫化物、窒化物などによって構成される。
［式１］
Ｂａ２−ｘＲｅｘＡｌｙＳｉ５−ｙＮ８
（式中、モル比は０．０００１≦ｘ≦１．０及び０．００１≦ｙ≦０．５の値を有し、Ｒｅは希土類元素、または、遷移金属元素から選択される少なくとも１つ以上の元素である。）
本発明による前記窒化物赤色蛍光体は、α−ＳｉＡＩＯＮセラミックが添加されてさらに向上された熱的安定性と化学的耐性を有する新しい蛍光体として使用することができる。
本発明による前記窒化物赤色蛍光体は、母体であるシリコン・アルミニウム・ナイトライド系化合物を使用することによって、３００〜５００ｎｍ、好適には５００〜８００ｎｍの波長領域で吸収スペクトルを示し、５００〜８００、好ましくは５２０〜７００ｎｍ、より好ましくは６００〜６５０ｎｍの広帯域波長で優秀な発光効率を示すので、白色ＬＥＤに使用する場合、蛍光体量の構成を容易に制御することができ、均一性及び再現性を向上させることができる。
また、前記母体化合物にＣｅ、Ｐｒ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｙｂ、Ｅｒ及びＭｎからなる群から選択された１種以上の金属を添加することによって、蛍光体の発光特性及び物理的な特性などに変化を与えることができる。
前記［式１］でＲｅの添加量ｘは、０．０００１≦ｘ≦１．０であることが好ましいが、前記ｘ値が、０．０００１未満の場合には、活性剤の量が少ないので、発光が発生されなくなり、輝度の減少により、蛍光体の波長変換効率が低下する問題点があり、前記ｘ値が１．０を超過する場合には、かえって過量に添加された活性剤によって蛍光体の内部で光の消滅現象が起り効率が低下する問題点があるため好ましくない。
本発明による前記［式１］の蛍光体組成物の製造方法は、特に制限されないが、固相法、液相法、及び気相法がすべて可能であるが、固相法によって製造する場合には、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、窒化マグネシウム（Ｍｇ３Ｎ２）、窒化バリウム（Ｂａ３Ｎ２）、水酸化バリウム（Ｂａ(ＯＨ)２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、水酸化アルミニウム（Ａｌ(ＯＨ)３）、窒化ユーロピウム（ＥｕＮ）などのような希土類金属の窒化物、水酸化ユーロピウム（Ｅｕ(ＯＨ)３）などのような希土類金属の水酸化物、または、酸化ユーロピウム（Ｅｕ２Ｏ３）のような希土類金属の酸化物を高純度窒素またはアルゴンなどのような気体で満たされたグローブボックスの中で粉砕、混合した後乾燥させて、前記乾燥された物質を５００〜９００℃の温度及び大気圧程度の常圧のガス雰囲気下で１次熱処理した後、１４００〜１８００℃で最小限５％以上の水素が包含されたガス雰囲気下で２次焼結することによって製造することができる。
前記ガスは、窒素ガス、アルゴンガス、水素と窒素の混合ガス、または、一酸化炭素と二酸化炭素の混合ガスであることが好ましい。
前記焼結を１次と２次に分けて実施する理由は、５００〜９００℃の領域における混合原料に包含されている水分、有機物、または、一部塩の錯化合物のような不純物を除去させながら、結晶成長を促進させようとするためであるが、１次焼結温度が５００℃以下の場合には、結晶が効果的に形成されなく、９００℃以上の場合には、混合成分の内で不要な未反応物質を形成することができるので、かえって２次焼結生成反応を妨害することになって波長変換効率を低下させる問題点がある。
また、２次焼結温度が、１４００℃以下の場合には、蛍光物質の合成反応が正常的にならないので、波長特性において希望する発光強度を得られない問題があり、１８００℃以上の場合には、蛍光物質が高温によって溶解されガラス相に形成されることによって発光強度が減少し、または、高温で揮発されて希望する物質の粉末を容易に得ることができないので好ましくない。
現在、常用化されているＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ＋２蛍光体は、１８００〜２２００℃の高い温度と、１〜２０Ｍｐａの高い圧力下で製造されるので、装置が複雑であり、適当なサイズの粒子形態に粉砕しなければならない問題がある。
しかし、本発明技術による窒化物赤色蛍光体の製造方法は、従来の製造方法のようなＧＰＳ（Ｇａｓ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）法ではない、普通の製造工程における常圧のガス雰囲気ＮＰＳ（Ｎｏｒｍａｌ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）で製造し、粉砕の必要がないので、装置が簡単で容易に操作することができるので大量生産に適するメリットがある。
本発明による白色ＬＥＤは、前記窒化物赤色蛍光体Ｂａ２−ｘＲｅｘＡｌｙＳｉ５−ｙＮ８を３００〜５００ｎｍ波長のＬＥＤ光源によって励起させて５００〜８００ｎｍ帯域の放出波を発生させ、これを利用して白色光を形成することを特徴とする。
前記白色ＬＥＤの光源の主波長は、３９０〜４８０ｎｍであることが好ましく、前記窒化物赤色蛍光体は後で放出する赤色光のピーク波長が６００〜６５０ｎｍであることが好ましい。
以下、図面を参照して本発明をより詳細に説明する。
図７は、本発明による窒化物赤色蛍光体を利用する砲弾型白色ＬＥＤパッケージを図示した模式図である。
図７を参照するとき、白色ＬＥＤパッケージ１００は、（Ａｌ）ＩｎＧａＮ活性層からなり、基板はサファイア基板、または、炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板を利用することができる。
リードフレーム１５０に青色ＬＥＤ１１０をダイボンディングした後、電極を外部に連結するために、金ワイヤボンディング１４０を行う。金ワイヤボンディング１４０は、サファイア基板を使用する場合、素子の上部分にｐ型とｎ型の電極があるので、それぞれに金ワイヤボンディング１４０を行うが、ＳｉＣ導電性基板を使用する場合、１回の金ワイヤボンディング１４０を行うことができる。金ワイヤボンディング１４０の後、白色発光のために、エポキシと蛍光体を混合した領域１２０をディスペンサーまたは適当な塗布法を利用して塗布する。
次は、塗布後の結果物を一定温度で硬化させて流動しないようにする。この後、希望する模様のモールドを利用してエポキシレンズ１３０を構成し、リードフレーム１５０のトリム及び切断行程を経て砲弾型白色ＬＥＤランプ１００を作製する。ここで、白色ＬＥＤ（白色発光ダイオード）は、青色ＬＥＤ１１０、及び、エポキシと蛍光体を混合した領域１２０により構成される。
ここで、本発明をより具体化するために、エポキシとＢａ２−ｘＲｅｘＡｌｙＳｉ５−ｙＮ８蛍光体の比率を変化させて砲弾型ランプを作製して演色性、色温度及びスペクトルを測定する。例えば、エポキシと蛍光体の混合は、透明エポキシ１００μｌを基準にして蛍光体を０．１ｇ、０．２ｇ、０．３ｇ、０．４ｇ、０．５ｇを添加してディスペンシング法によって塗布し、透明エポキシランプを作製する。
さらに、他の形態のパッケージタイプに作製することができるが、特に、表面実装型（ＳＭＤ、ＳＭＴ）に作製することができ、これらは図８及び図９に簡単な図面で示している。
図８は、本発明による青色ＬＥＤを利用する表面実装型白色ＬＥＤパッケージを示す模式図である。
図８を参照するとき、青色ＬＥＤ２１０をＰＣＢ基板２６０の金属線２７０の上にダイボンディングを行い、ＬＥＤのｐ電極とｎ電極を金属線２７０に金ワイヤでボンディング２４０を行って外部と電気的に通電するようにする。その後、適当量のエポキシ２２０にＢａ２−ｘＲｅｘＡｌｙＳｉ５−ｙＮ８蛍光体２２０ａ、２２０ｂを混合して、青色ＬＥＤ２１０の上に被せる。次いで、蛍光体が混合されたエポキシは、ディスペンサータイプで成形することができ、また他の方法は、固形化してトランスファー成形型に作製された表面実装型白色ＬＥＤパッケージ２００を完成する。ここで白色ＬＥＤは、青色ＬＥＤ２１０及び蛍光体が混合されたエポキシにより構成される。
図９は、本発明によるエポキシレンズ型の表面実装型白色ＬＥＤパッケージを示す模式図である。
図９を参照するとき、表面実装型白色ＬＥＤパッケージ３００は、ＰＣＢ基板、または、セラミック基板３６０にアノード（Ａｎｏｄｅ）とカソード（Ｃａｔｈｏｄｅ）になる部分に金属線３７０が付着されており、基板３６０は、絶縁体３９０などで分離されている。エポキシを囲む領域３８０の内部は、アルミニウム、または、銀でコーティングされた反射膜からなり、ダイオードから放出された光を上部に反射させる役割及び適当量のエポキシを囲む役割を行う。紫色ＬＥＤ３１０をフリップ・チップ形態に金バッファーまたはＡｕ−Ｓｎなどのボンディング物質３４０でダイボンディングを行い、緑色及び赤色蛍光体を適当な混合比で混ぜたエポキシ、または、シリコン樹脂３２０をディスフェンシングする。ここで、シリコン樹脂３２０は、高出力のＬＥＤパッケージに使用することができる。シリコン樹脂３２０は、熱的なストレスがチップに直接伝達されて信頼性に悪影響を与えるか、熱の収縮、または膨張による金ワイヤの短絡を防止することができる。また、エポキシより高い屈折率を有するシリコン樹脂３２０を使用することによって、ダイオードから放出される光の界面における反射を減らして輝度を向上させることができる。
このように、蛍光体が混合されたエポキシまたはシリコン樹脂３２０を塗布した後、その上部にエポキシレンズ３３０を形成する。このとき、エポキシレンズ３３０は、希望する指向角によって模様を変化させることができる。ここで、表面実装型白色ＬＥＤは、紫色ＬＥＤ３１０と緑色及び赤色蛍光体を適当な混合比で混ぜたエポキシ、または、シリコン樹脂３２０とにより構成される。
以下、本発明を実施例及び実験例を通じてより具体的に説明する。ただ、これらは本発明をより詳細に説明するためのことであって、本発明の権利範囲がこれらによって限定されない。
実施例１〜５（Ｂａ２−ｘＲｅｘＡｌｙＳｉ５−ｙＮ８蛍光体の製造）
シリコン、アルミニウム、バリウム及びユーロピウムの前駆物質であって、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、Ｂａ３Ｎ２、Ｂａ(ＯＨ)２、Ｅｕ(ＮＯ３)３及びＥｕ ２Ｏ３を化学量論比で混合し、イソプロパノール溶媒を少量投入した後、窒素ガスで満たされたグローブボックスの中で粉砕、混合した後、前記スラリーが８０℃に維持される真空乾燥機で乾燥した。
前記で固まった粉末を篩にかけて分解させた後、アルミナ反応容器に仕込み８００℃の温度及び常圧の窒素雰囲気下で５時間の間、１次熱処理した後、１５００℃で５％の水素が包含された常圧の窒素雰囲気下で２次焼結を行い、最終的に蒸留水を使用して洗滌した。
このとき、活性物質であるＥｕの添加量ｘ及びアルミニウムの添加量ｙを下記表１のように、変化させながら本発明による窒化物赤色蛍光体を製造した。
実施例６〜１０（Ｂａ２−ｘＲｅｘＰｒｙＳｉ５−ｙＮ８蛍光体の製造）
シリコン、アルミニウム、バリウム及びプラセオジミウム（Ｐｒ）の前駆物質であって、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、Ｂａ３Ｎ２、Ｂａ(ＯＨ)２、Ｐｒ(ＮＯ３)３及びＰｒ２Ｏ３を化学量論比で混合し、イソプロパノール溶媒を少量投入した後、窒素ガスで満たされたグローブボックスの中で粉砕、混合した後、前記スラリーが８０℃の温度に維持される真空乾燥機で乾燥した。
前記で固まった粉末を篩にかけて分解させた後、アルミナ反応容器に仕込み８００℃の温度及び常圧の窒素雰囲気下で５時間の間１次熱処理した後、１５００℃で５％の水素が包含された常圧の窒素雰囲気下で２次焼結を行い、最終的に蒸留水を使用して洗滌した。
このとき、活性物質であるＰｒの添加量ｘ及びアルミニウムの添加量ｙを下記表２のように、変化させながら本発明による窒化物赤色蛍光体を製造した。
実験例１（窒化物赤色蛍光体の励起放出の特性）
本発明による窒化物赤色蛍光体の励起放出の特性を図３に示した。図３は、本発明による窒化物赤色蛍光体の青色励起放出の特性を示すグラフである。
図３を参照するとき、窒化物赤色蛍光体Ｂａ２−ｘＲｅｘＡｌｙＳｉ５−ｙＮ８においてｘの値を０．０００１〜０．４の範囲でその組成を変化させながら、ｙの値を０．００１〜５の範囲まで変化させて、１４００〜１８００℃で焼成させたＢａ２−ｘＲｅｘＡｌｙＳｉ５−ｙＮ８蛍光体の励起（ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ）及び放出（ｅｍｉｓｓｉｏｎ）スペクトルを測定した結果を示したものである。ここで、スペクトル測定は、ＰＬ測定装備（Ｐｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ ＬＳ５５）を利用し、結果を示したグラフは、最適の励起波長を確認するために６３０ｎｍ赤色の発光波長（λｍｏｒ）でモニタリングして得たものを図示したグラフである。このとき、ｘ値の組合せによる組成のスペクトルは、類似する結果を示すので、グラフ上では単一の線で表示した。
ここで、最も大きい強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）を示す最大励起波長は、３９２ｎｍであり、このときのｘ値は０．１２であり、ｙ値は０．５である。
その他に組合せた大部分の組成によって実験した結果、３９２ｎｍ付近で最大値を有する励起波長を示し、５００ｎｍまでの広い領域の励起波長を有していることを示している。
実験例２（窒化物赤色蛍光体の発光特性）
本発明による窒化物赤色蛍光体の発光特性を測定した結果を図４に示した。図４は、本発明による窒化物赤色蛍光体の青色光励起（λｅｘ：４６０ｎｍ）による赤色領域の発光（λｅｍ：６３０ｎｍ）特性を示すグラフである。
図４を参照するとき、窒化物赤色蛍光体Ｂａ２−ｘＲｅｘＡｌｙＳｉ５−ｙＮ８で図３の結果を引用してｘ値が０．２１５の場合、最も大きい強度を有することを示し、６３０ｎｍの場合に最大値を有している。
本発明による窒化物赤色蛍光体Ｂａ２−ｘＲｅｘＡｌｙＳｉ５−ｙＮ８の放出スペクトルは、ｘ値が０．０１から０．３に増加することによって最大値が長波長の方で示される。また、５００〜８００ｎｍで１つの光帯域が最大量になることができ、放出ピークはＢａ２−ｘＲｅｘＡｌｙＳｉ５−ｙＮ８にＥｕの含有量が増加することによって帯域が狭くなり、長波長の方で示されることを確認することができる。
実験例３（窒化物赤色蛍光体のＸ線回折のパターン測定）
本発明による窒化物赤色蛍光体のＸ線回折パターンを調査した結果を図５に示した。図５は、本発明による窒化物赤色蛍光体のＸ線回折パターンを示すグラフである。
図５を参照するとき、酸化物赤色蛍光体Ｂａ２−ｘＲｅｘＡｌｙＳｉ５−ｙＮ８のＸ線回折パターンの測定によって構造分析の結果を示したものである。２９．８６゜を最大ピークとする構造を示し、このような構造は、既存の発表されたＣａＡｌＳｉＮ３、Ｍ２Ｓｉ５Ｎ８（Ｍ＝Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）窒化物、または、ＭＳｉ２Ｏ２Ｎ２（Ｍ＝Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）酸窒化物とは全く異なる新しい結晶構造を有している。
実験例４（窒化物赤色蛍光体の粒子形態の調査）
本発明による窒化物赤色蛍光体の粒子形態を調査した結果を図６に示した。図６は、本発明による窒化物赤色蛍光体の電子顕微鏡の写真図である。
図６を参照するとき、窒化物赤色蛍光体Ｂａ２−ｘＲｅｘＡｌｙＳｉ５−ｙＮ８のＳＥＭ測定によって粒子の形態が現われている。長さが３〜４μｍ程度になる微細粒子などが主になっており、２μｍ以下の粒子などが形成されていることを確認することができる。このような蛍光体粒子のサイズは、エポキシなどとの混合が容易であるので、白色ＬＥＤ素子への適用に適するものである。
一般的にＬＥＤ励起用蛍光体の平均粒径は、１０μｍ以下が適当であると知られている。したがって、本発明では、３００〜５００ｎｍの波長を有するＬＥＤと光によって励起された後、上述のように赤色光を放出するＢａ２−ｘＲｅｘＡｌｙＳｉ５−ｙＮ８蛍光体を適当な比率で混合して白色ＬＥＤ、または、白色ＬＥＤランプを作製することができる。本発明による白色ＬＥＤ、または、白色ＬＥＤランプは、エポキシ、または、シリコン樹脂などの混合領域と、さらに、エポキシレンズ及び電極を外部に連結するリードフレーム、または、電極配線を包含する。
実験例５（窒化物赤色蛍光体の光学特性）
本発明による窒化物赤色蛍光体の輝度を測定した結果を図１０に示した。図１０は、本発明による青色光励起用窒化物赤色蛍光体と、常用ＹＡＧ製品及びＬＣＤバックライト用ユーロピウムタングステン系の赤色蛍光体製品（Ｅｕ２Ｗ２Ｏ９：Ｅｕ２）との輝度を比較した結果を示すグラフである。
図１０を参照するとき、本発明による青色光源の励起光によって６１０ｎｍ以上の領域で既存の常用ＹＡＧ製品及びＬＣＤバックライト用ユーロピウムタングステン系の赤色蛍光体製品（Ｅｕ２Ｗ２Ｏ９：Ｅｕ２）とを比較する時、より優秀な性能を有していることを確認することができる。
実験例６（白色ＬＥＤの効率性の測定）
本発明による白色ＬＥＤの効率を測定した結果を図１１に示した。図１１は、本発明による青色光（４６０ｎｍ）励起用赤色蛍光体のパッケージの実験によって白色ＬＥＤの効率を測定した結果を示すグラフである。
図１１を参照するとき、Ｒ_ｐ２．５％、Ｒ_ｐ５％、Ｒ_ｐ１０％に対して４６０ｎｍを適用する時、ランプから発生する全ての光を積分球によって採集して算出した積分値で評価し、その結果を下記表３のようにスペクトル／強度値で整理した。
前記のように調査した結果、本発明による白色ＬＥＤパッケージを構成する窒化物赤色蛍光体Ｂａ２−ｘＲｅｘＡｌｙＳｉ５−ｙＮ８は、従来のものとは比較できない新規の物質であり、 Ｒ_ｐ５％の場合、最大５３．９％の光子効率を有していることを確認することができた。
光子効率に対しては、後述のように、本発明によるセラミック赤色蛍光体の結晶構造によっても説明することができる。
窒化物セラミック蛍光体の幾何学的結晶構造は、大部分が斜方晶系（ｏｒｔｈｏｒｈｏｍｂｉｃ）であり、酸化物蛍光体の場合には、一般的に六方晶系（ｈｅｘａｇｏｎａｌ）構造を有している。普通窒化物または酸窒化物系（ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅｓ）蛍光体は、［Ａｌ−Ｎ］と［Ｓｉ−Ｎ］の環構造がコーナー、面または隅を基本とする（Ｓｉ、Ａｌ）(Ｏ、Ｎ)４網状構造を有することになるが、これらのホスト格子（ｈｏｓｔ ｌａｔｔｉｃｅ）物質の重畳によって発生された基本骨格構造の中心部分にイオン半径が大きい原子が位置し、電荷不均衡によってＣｅ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｙのような希土類金属が位置されることによって活性化が成り立つことになる。
したがって、本発明による窒化物赤色蛍光体は、化学量論性化合物（ｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｒｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）であって、Ｂａ２−ｘＲｅｘＡｌｙＳｉ５−ｙＮ８内のＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＺｎとＲｅ（Ｃｅ、Ｐｒ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｙｂ、Ｅｒ）の種類によって光学的特性が異ることになり、Ｂａ２−ｘＲｅｘＡｌｙＳｉ５−ｙＮ８内のＢａの位置に化学量論的にＭ元素とＲｅ元素らが、１〜２以上が侵入型（ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ）または置換型（ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ）で固溶体になることによって、広い波長領域で構造的に安定し、光子（ｐｈｏｔｏｎ）吸収量が最大になる最適構造を得ることができる。
上述のように、本発明は、Ｂａ２−ｘＲｅｘＡｌｙＳｉ５−ｙＮ８蛍光体を４６０ｎｍの波長で励起させることによって、青色及び紫外光基盤のＬＥＤを使用する白色ダイオードの効率を向上させ、高い演色性を得ることができるようにし、これによって多様な色を具現することができるようにする。
上記のように、本発明の実施例及び実験例らを説明したが、本発明は前記実施例に限定されなく、互に異なる多様な形態に変形されることができ、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想や必須的な特徴の変更なしに、異なる具体的な形態で実施することもできる。したがって、以上の実施例は全ての面で例示的であり、限定的ではないことを理解すべきである。
従来技術による白色ＬＥＤの波長スペクトルの分布図である。 従来技術による白色ＬＥＤのＣＩＥチャートである。 本発明による窒化物赤色蛍光体の紫外光励起放出特性を示すグラフである。 本発明による窒化物赤色蛍光体の青色光（４６０ｎｍ）励起による６３０ｎｍ赤色領域の発光特性を示すグラフである。 本発明による窒化物赤色蛍光体のＸ線回折パターンを示すグラフである。 本発明による窒化物赤色蛍光体の電子顕微鏡の写真である。 本発明による窒化物赤色蛍光体を利用する砲弾型白色ＬＥＤパッケージを図示した模式図である。 本発明による青色ＬＥＤを利用する表面実装型白色ＬＥＤパッケージを示す模式図である。 本発明によるエポキシレンズ型の表面実装型白色ＬＥＤパッケージを示した模式図である。 本発明による青色光励起用窒化物赤色蛍光体と常用ＹＡＧ製品及びＬＣＤバックライト用ユーロピウムタングステン系赤色蛍光体製品（Ｅｕ２Ｗ２Ｏ９：Ｅｕ２）との輝度を比較した結果を示すグラフである。 本発明による青色光励起用赤色蛍光体のパッケージ実験によって白色ＬＥＤの効率を測定した結果を示すグラフである。
符号の説明
１００…白色ＬＥＤパッケージ
１１０、２１０…青色ＬＥＤ
１２０、３８０…領域
１３０、３３０…エポキシレンズ
２００、３００…表面実装型白色ＬＥＤパッケージ
２２０…エポキシ
２２０ａ、２２０ｂ…蛍光体
３１０…紫色ＬＥＤ
３２０…シリコン樹脂

Claims (16)

  1. 下記式１で表される窒化物赤色蛍光体：
    ［式１］
    Ｂａ２−ｘＲｅｘＡｌｙＳｉ５−ｙＮ８
    （式中、モル比は０．０００１≦ｘ≦１．０及び０．００１≦ｙ≦０．５の値を有し、ＲｅはＣｅ、Ｐｒ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｙｂ、Ｅｒ及びＭｎからなる群から選択された少なくとも１つ以上の元素である。）
  2. 希土類元素によって活性化されることを特徴とする請求項１に記載の窒化物赤色蛍光体。
  3. 励起波長は３００〜５００ｎｍであり、放出波長は５００〜８００ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物赤色蛍光体。
  4. 乾燥させた前駆物質の混合物を５００〜９００℃の温度及び常圧のガス雰囲気条件下で１次熱処理した後、１４００〜１８００℃温度のガス雰囲気条件下で２次焼結する段階を包含してなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の窒化物赤色蛍光体の製造方法。
  5. 前記ガスが、窒素ガス、アルゴンガス、水素と窒素の混合ガス、または、一酸化炭素と二酸化炭素の混合ガスであることを特徴とする請求項４に記載の窒化物赤色蛍光体の製造方法。
  6. 請求項１乃至３のいずれかに記載の窒化物赤色蛍光体を３００〜５００ｎｍ波長の発光ダイオードの光源によって励起させて５００〜８００ｎｍ帯域の放出波を発生させ、これを利用して白色光を形成することを特徴とする白色発光ダイオード。
  7. 前記発光ダイオード光源の主波長は、３９０〜４８０ｎｍであることを特徴とする請求項６に記載の白色発光ダイオード。
  8. 前記窒化物赤色蛍光体は、後で放出する赤色光のピーク波長が６００〜６８０ｎｍであることを特徴とする請求項６又は７に記載の白色発光ダイオード。
  9. 前記窒化物赤色蛍光体のＲｅはＥｕを使用し、モル比が０．０００１≦ｘ≦１．０であることを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の白色発光ダイオード。
  10. 前記窒化物赤色蛍光体は、透明エポキシ、または、シリコン樹脂に混合されてディスペンシング法によって前記発光ダイオード光源を構成するチップ上に塗布されることを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の白色発光ダイオード。
  11. 前記窒化物赤色蛍光体は、透明エポキシ、または、シリコン樹脂に混合されてトランスファー成形によって前記発光ダイオードの光源を構成するチップ上に塗布されることを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の白色発光ダイオード。
  12. 前記窒化物赤色蛍光体は、透明エポキシ、または、シリコン樹脂に混合されてスパッタリング、または、蒸着によって前記発光ダイオードの光源を構成するチップ上に塗布されることを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の白色発光ダイオード。
  13. 請求項１乃至３のいずれかに記載の窒化物赤色蛍光体を３００〜５００ｎｍ波長の発光ダイオードの光源によって励起させて５００〜８００ｎｍ帯域の放出波を発生させ、これを利用して白色光を形成することを特徴とする白色発光ダイオードパッケージ。
  14. 前記パッケージが砲弾型であることを特徴とする請求項１３に記載の白色発光ダイオードパッケージ。
  15. 前記パッケージが表面実装型であることを特徴とする請求項１３に記載の白色発光ダイオードパッケージ。
  16. 前記表面実装型の白色発光ダイオードパッケージがエポキシレンズを有することを特徴とする請求項１５に記載の白色発光ダイオードパッケージ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012007096A (ja) * 2010-06-25 2012-01-12 Mitsubishi Chemicals Corp 希土類金属窒化物の製造方法

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