JP2009502035A - ヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
・それぞれ少なくとも1つのコレクタレイヤ又は1つのエミッタレイヤと、
・少なくとも1つのベースレイヤと、
・それぞれ少なくとも1つのエミッタレイヤ又は1つのコレクタレイヤと、を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタにも関係しており、これらのレイヤは、変形を引き起こす格子整合不良を生成する組成を具備している。
・それぞれエミッタレイヤ又はコレクタレイヤによって引き起こされる束縛のバランスを取るべくベースレイヤと接触状態にある少なくとも1つの第1アンダーレイヤ、具体的には、それぞれエミッタレイヤ又はコレクタレイヤと実質的に同一の組成を有するアンダーレイヤと、
・第1レイヤとの関係においてベースレイヤとは反対側の面上に少なくとも1つの第2アンダーレイヤと、を有している。
・実質的に前述の組成を有する、ベースレイヤと接触した状態にある少なくとも1つの第1アンダーレイヤと、
・第1アンダーレイヤとの関係においてベースレイヤとは反対側の面上に少なくとも1つの第2アンダーレイヤと、を有している。
・実質的に前述の組成を有する、ベースレイヤと接触状態にある少なくとも1つの第1アンダーレイヤと、
・第1アンダーレイヤとの関係においてベースレイヤとは反対側の面上に少なくとも1つの第2アンダーレイヤと、を有することができる。
・前述のレイヤ及びアンダーレイヤをエピタキシャル成長させる段階と、
・それぞれエミッタレイヤ又はコレクタレイヤの上のレイヤをエッチングする段階と、を有している。
・それぞれコレクタ又はエミッタの第2アンダーレイヤをアンダーエッチングする段階と、
・それぞれコレクタ又はエミッタの第1アンダーレイヤと、第2アンダーレイヤの下に配置されたレイヤとの間のアンダーエッチングによって残された空間を絶縁材料によって充填する段階と、
・それぞれエミッタレイヤ又はコレクタレイヤをエッチングする段階と、をも有している。
・ベースレイヤは、GaAsSbから構成されており、
・第1アンダーレイヤは、InGaAlAsから構成されており、
・第2アンダーレイヤは、InPから構成されている。
Eアップ構成(最上部にエミッタが位置するもの)の状況において本明細書に記述されている本発明による方法の第1段階は、HBTを製造するべく使用される半導体材料を周知の方式によってエピタキシャル成長させる段階を有している。これらの段階は、構造全体にその結晶格子を強いている基板(この場合には、InP)上において、レイヤごとに実装されている。これらの様々なレイヤの特性の一例を次の表に提供している。
本方法の後続の段階は、エミッタコンタクトレイヤ上に金属コンタクトを製造する段階を有している。
エクストリンシックベースの寸法は、任意の既知の方法によって定義されている。トランジスタの製造は、以下の段階によって継続される。
Claims (12)
- エピタキシャル成長した半導体レイヤを積層することによってヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造する方法であって、
支持部から、それぞれ少なくとも1つのコレクタレイヤ又は1つのエミッタレイヤと、少なくとも1つのベースレイヤと、それぞれ少なくとも1つのエミッタレイヤ又は1つのコレクタレイヤと、をエピタキシャル成長させる段階を有しており、
前記レイヤは、変形を引き起こす格子整合不良を生成する組成を具備している、方法において、
それぞれ前記コレクタレイヤ又は前記エミッタレイヤをエピタキシャル成長させる前記段階は、
束縛のバランスを取ると共に前記変形を低減するべく、前記ベースレイヤとの接触状態において、少なくとも1つの第1アンダーレイヤ(C1)と、前記第1アンダーレイヤとの関係において前記ベースレイヤとは反対側の面上に少なくとも1つの第2アンダーレイヤ(C2)と、をエピタキシャル成長させるサブ段階を有することを特徴とする方法。 - 前記第1アンダーレイヤ(C1)は、それぞれ前記エミッタレイヤ又はコレクタレイヤと実質的に同一の組成を具備している請求項1記載の方法。
- それぞれ前記エミッタレイヤ又は前記コレクタレイヤが、前記ベースレイヤと接触状態にある第1アンダーレイヤ(E1)と、前記第1アンダーレイヤとの関係において前記ベースレイヤとは反対側の面上の第2アンダーレイヤ(E2)と、を含む2つのアンダーレイヤを有しており、それぞれ前記コレクタ又はエミッタの前記第1アンダーレイヤは、それぞれ前記エミッタ又は前記コレクタの前記第1アンダーレイヤと同一の組成を具備している、トランジスタを製造するための請求項1記載の方法。
- 支持部と、
前記支持部からエピタキシャル成長した、
それぞれ少なくとも1つのコレクタレイヤ又は1つのエミッタレイヤと、
少なくとも1つのベースレイヤ(B)と、
それぞれ少なくとも1つのエミッタレイヤ又は1つのコレクタレイヤと、
を有し、
前記レイヤは、変形を引き起こす格子整合不良を生成する組成を具備している、ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、
それぞれ前記コレクタレイヤ又はエミッタレイヤは、
束縛のバランスを取ると共に前記変形を低減するための前記ベースレイヤと接触状態にある少なくとも1つの第1アンダーレイヤ(C1)と、
前記第1アンダーレイヤとの関係において前記ベースレイヤとは反対側の面上の少なくとも1つの第2アンダーレイヤ(C2)と、
を有する、ことを特徴とするトランジスタ。 - 前記第1アンダーレイヤ(C1)は、それぞれ前記エミッタレイヤ又はコレクタレイヤと実質的に同一の組成を具備している請求項4記載のトランジスタ。
- 前記第2アンダーレイヤは、前記ベースの横方向の延長と、それぞれ前記エミッタ−ベース又はコレクタ−ベース接合の横方向の延長との間における最小限の横方向の延長にアンダーエッチングされている請求項4又は5の中のいずれか一項記載のトランジスタ。
- それぞれ前記エミッタレイヤ又はコレクタレイヤは、
実質的に前記組成を有する、前記ベースレイヤと接触状態にある少なくとも1つの第1アンダーレイヤ(E1)と、
前記第1アンダーレイヤとの関係において前記ベースレイヤとは反対側の面上の少なくとも1つの第2アンダーレイヤ(E2)と、
を有する請求項4〜6の中のいずれか一項記載のトランジスタ。 - 前記ベースレイヤは、GaAsSbから構成されており、
前記第1アンダーレイヤは、InGaAlAsから構成されており、
前記第2アンダーレイヤは、InPから構成されている請求項4〜7の中のいずれか一項記載のトランジスタ。 - 前記レイヤ及びアンダーレイヤをエピタキシャル成長させる段階と、
それぞれ前記エミッタレイヤ又はコレクタレイヤの上の前記レイヤをエッチングする段階と、
を有する、請求項4〜8の中のいずれか一項記載のトランジスタを製造する方法であって、
それぞれ前記コレクタ又はエミッタの前記第2アンダーレイヤをアンダーエッチングする段階と、
それぞれ前記コレクタ又はエミッタの前記第1アンダーレイヤと、前記第2アンダーレイヤの下に配置されたレイヤとの間の、前記アンダーエッチングによって残された空間を絶縁材料によって充填する段階と、
それぞれ前記エミッタレイヤ又はコレクタレイヤをエッチングする段階と、
を有することを特徴とする、方法。 - それぞれ前記エミッタ又はコレクタのコンタクトレイヤと、金属コンタクトと、を有するトランジスタを製造する方法であって、それぞれ前記エミッタコンタクト又はコレクタコンタクトと、前記金属コンタクトと、を材料(4)内にカプセル化することにより、エッチングから保護する段階を有する請求項9記載の方法。
- それぞれ前記エミッタレイヤ又はコレクタレイヤが、第1アンダーレイヤは、前記ベースレイヤと接触した状態であり、第2アンダーレイヤは、前記第1アンダーレイヤとの関係において前記ベースレイヤとは反対側の面上に存在している、2つのアンダーレイヤを有するトランジスタを製造する方法であって、それぞれ前記エミッタレイヤ又はコレクタレイヤの上の前記レイヤをエッチングする前記段階の後に、それぞれ前記エミッタ又はコレクタの前記第2アンダーレイヤをエッチングする段階が続いている請求項9又は10の中のいずれか一項記載の方法。
- 前記カプセル化段階は、それぞれ前記エミッタ又はコレクタの前記第1アンダーレイヤとそれぞれ前記エミッタ又はコレクタの前記コンタクトレイヤとの間に配置されたそれぞれ前記エミッタ又はコレクタの前記第2アンダーレイヤの非エッチング部分をカプセル化する段階を含む請求項10及び11の両項記載の方法。
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