JP2009302476A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】基板を有さなくても製造工程中において容易にハンドリングすることが可能な半導体装置の構成と、このような構成を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子６０を封止した封止樹脂部７０と、封止樹脂部７０の一方面に形成した配線層と、配線層に積層し配線層の一部を露出する開口部３２を有する第１の絶縁層３０と、開口部３２から露出した部位に取り付けた外部接続端子８０を有し、配線層は第２の絶縁層４２内に形成された複数の配線パターン層１４，１６からなり、各配線パターン層が第２の絶縁層４２の異なる高さ位置に形成され、第２の絶縁層４２にビア穴４４が形成され、一部のビア穴４４に導電体４６が充填され、配線パターン層１４，１６どうしが電気的に接続され、半導体素子６０の電極６２が他のビア穴４４に挿入され、電極６２と配線層の最下位置の配線パターン１４と直接電気的に接続している。
【選択図】図５

Description

本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
従来の半導体装置は、ガラスエポキシ樹脂等によりなる基板上に配線パターンを形成した配線基板に半導体素子を搭載し、搭載した半導体素子と配線パターンとを電気的に接続した構成が一般的である。
図１５、図１６に従来の従来技術における半導体装置の構成例を示す。図１５は、スルーホール１１０を経由して基板Ｋの一方側の面に形成された接続パッド１１２と他方側の面に形成された外部接続端子１１４とを電気的に接続する配線パターン１１６を有する配線基板において、配線基板の一方側の面に半導体素子１２０を搭載し、半導体素子１２０に形成された電極パッド１２２と配線基板の接続パッド１１２間とをボンディングワイヤ１３０により電気的に接続した後、封止樹脂１４０により半導体素子１２０およびボンディングワイヤ１３０を樹脂封止するいわゆるワイヤボンディング接続方式により形成された半導体装置２００の構造を示す断面図である。また、図１６は、配線基板の一方側の面に形成された接続パッド１１２に半導体素子１２０の電極１２６（電極パッド１２２とバンプ１２４）を接合し、接続パッド１１２と電極１２６との間にアンダーフィル樹脂１５０を注入した、いわゆるフリップチップ接続方式により形成された半導体装置２００の構造を示す断面図である。
これらのような半導体装置２００については、例えば特許文献１（ワイヤボンディング接続方式）および特許文献２（フリップチップ接続方式）において開示されている。
特開平９−９７８６０号公報 特開２００３−１５２００１号公報
図１５に示すようなワイヤボンディング接続方式の半導体装置の構成に代えて、図１６に示すようなフリップチップ接続方式の半導体装置の構成を採用することによって、半導体装置の厚さ寸法を大幅に薄くすることが可能になった。
近年における半導体装置には更なる薄型化が望まれており、フリップチップ接続形式の半導体装置における薄型化は限界に達しつつある。
そこで本願発明者は、配線パターンを保持する基板を省略することにより半導体装置の厚さ寸法を薄くすることに着目し、基板を有さなくても製造工程中において容易にハンドリングすることが可能な半導体装置の構成と、このような構成を有する半導体装置の製造方法の提供を目的としている。
以上の課題を解決するため本発明は、以下の構成を備える。
すなわち、半導体素子を封止して樹脂成形された封止樹脂部と、前記封止樹脂部の一方の面に形成された配線層と、前記配線層に積層されると共に、前記配線層の一部を露出する開口部が形成された第１の絶縁層と、前記開口部から露出した前記配線層の一部に取り付けられた外部接続端子と、を有し、前記配線層は、前記封止樹脂部と前記第１の絶縁層との間に配設された第２の絶縁層内に形成された複数の配線パターン層によりなると共に、前記配線パターン層の各々が前記第２の絶縁層の厚さ方向において異なる高さ位置に形成され、前記第２の絶縁層にはヴィア穴が複数形成され、一部のヴィア穴には導電体が充填されることにより前記各配線パターン層どうしが電気的に接続され、前記半導体素子に形成された電極がアンダーフィル樹脂と共に他のヴィア穴に挿入され、前記電極と前記配線層のうちの最下位置に形成された配線パターン層と直接電気的に接続していることを特徴とする半導体装置である。
また、他の発明として、半導体素子を封止して樹脂成形された封止樹脂部と、前記封止樹脂部の一方の面に形成された配線層と、前記配線層に積層されると共に、開口部が形成された第１の絶縁層と、前記開口部から露出した前記配線層の一部に取り付けられた外部接続端子と、を有し、前記配線層は、前記封止樹脂部と前記第１の絶縁層との間に配設された第２の絶縁層内に形成された複数の配線パターン層によりなると共に、前記配線パターン層の各々が前記第２の絶縁層の厚さ方向において異なる高さ位置に形成され、前記第２の絶縁層にはヴィア穴とスルーホールが形成され、前記ヴィア穴には導電体が充填されることにより前記各配線パターン層どうしが電気的に接続され、前記半導体素子に形成された電極がアンダーフィル樹脂と共に前記スルーホールに挿入され、前記開口部から前記電極の下端が露出していることを特徴とする半導体装置とすることもできる。
また、前記ヴィア穴に充填された導電体は、導電性ペーストであることを特徴とする。これにより、ヴィア穴への導電体の充填を容易に行うことができる。
また、他の発明として半導体装置の製造方法の発明がある。
すなわち、金属箔に第１のキャリアテープを接着する工程と、前記金属箔に第１の絶縁層を積層し、該第１の絶縁層に開口部を形成する工程と、前記第１の絶縁層の表面に第２のキャリアテープを積層する工程と、前記第１のキャリアテープを除去する工程と、前記金属箔をエッチングし、第１の配線パターン層を形成する工程と、前記配線パターンを覆う配置に第２の絶縁層を積層する工程と、第２の配線パターン層が予め形成された第３のキャリアテープを前記第２の配線パターン層形成面を前記第２の絶縁層に積層し、前記第２の配線パターン層を前記第２の絶縁層内に埋没させる工程と、前記第３のキャリアテープを除去する工程と、前記第２の絶縁層にヴィア穴を形成する工程と、前記ヴィア穴の一部に導電体を充填する工程と、前記第２の配線パターン層の露出面にアンダーフィル樹脂を形成する工程と、前記導電体が充填されていないヴィア穴に電極が形成された半導体素子をフェースダウンで搭載し、前記ヴィア穴位置で露出した第１の配線パターン層に電気的に接続する工程と、前記半導体素子を樹脂成形し、封止樹脂部を形成する工程と、前記第２のキャリアテープを除去する工程と、前記第２のキャリアテープを除去したことで前記開口部から露出した前記第１の配線パターン層に外部接続端子を取り付ける工程と、を有していることを特徴とする。
さらに他の製造方法として、金属箔に第１のキャリアテープを接着する工程と、前記金属箔に第１の絶縁層を積層し、該第１の絶縁層に開口部を形成する工程と、前記第１の絶縁層の表面に第２のキャリアテープを積層する工程と、前記第１のキャリアテープを除去する工程と、前記金属箔をエッチングし、第１の配線パターン層を形成する工程と、前記配線パターンを覆う配置に第２の絶縁層を積層する工程と、第２の配線パターン層が予め形成された第３のキャリアテープを前記第２の配線パターン層形成面を前記第２の絶縁層に積層し、前記第２の配線パターン層を前記第２の絶縁層内に埋没させる工程と、前記第３のキャリアテープを除去する工程と、前記第２の絶縁層にヴィア穴とスルーホールを形成する工程と、前記ヴィア穴に導電体を充填する工程と、前記第２の配線パターン層の露出面にアンダーフィル樹脂を形成する工程と、前記スルーホールに電極が形成された半導体素子をフェースダウンで搭載し、前記スルーホールにより連通した前記開口部に前記電極を挿入する工程と、前記半導体素子を樹脂成形し、封止樹脂部を形成する工程と、前記第２のキャリアテープを除去する工程と、前記第２のキャリアテープを除去したことで前記開口部から露出した前記第１の配線パターン層と前記電極のうち少なくとも前記第１の配線パターン層に外部接続端子を取り付ける工程と、を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法の発明がある。
また、前記金属箔に前記第１のキャリアテープを接着する工程においては、前記金属箔のシャイニー面にアクリル系接着剤を用いて接着していることを特徴とする。これにより、第１のキャリアテープの剥離を容易に行うことができる。
また、前記金属箔から前記第１のキャリアテープを剥離する工程と、前記第１のキャリアテープを剥離したことにより前記開口部から露出した部位に外部接続端子を接合する工程との間に、前記露出部位をプラズマ処理する工程をさらに有していることを特徴とする。
また、プラズマ処理する工程は、アルゴンプラズマエッチング工程または酸素プラズマエッチング工程のいずれかであることを特徴とする。
これらにより、外部接続端子の取り付けを確実に行うことができ、外部接続端子の接続信頼性を向上させることができる。
また、前記金属箔は、サブトラクティブ法またはセミアディティブ法のいずれかによりパターニングされることを特徴とする。これにより、必要な配線パターンの微細度に応じて適切に配線パターンを形成することができる。
本発明にある半導体装置の構成を採用することにより、きわめて薄い半導体装置を提供することができる。またこのような基板を有さない半導体装置を製造する際において、各段階における製造工程品を円滑にハンドリングすることができるため、生産効率が向上し、半導体装置を低コストで提供することが可能になる。
（第１実施形態）
以下、本発明にかかる半導体装置の実施形態について、図面に基づいて説明する。図１〜図５は、本実施形態における半導体装置の製造方法における各段階の状態を示す断面図である。なお、図１〜図５においては単体の半導体装置が示されているが、複数個の半導体素子を搭載し、半導体装置を同時に複数個製造することももちろん可能である。
まず、図１（ａ）に示すように、金属箔である銅箔１０に第１のキャリアテープ２０を接着し、銅箔１０と第１のキャリアテープ２０とを積層する。本実施形態においては、１２〜１５μｍの膜厚さに形成された銅箔１０を用い、銅箔１０のシャイニー面１２（平滑度が高い側の面）に第１のキャリアテープ２０を積層させている。
本実施形態における第１のキャリアテープ２０には、ＰＥＴフィルムからなる基材の片側面にアクリル系接着剤が塗布されたものが用いられている。接着剤にアクリル系接着剤を用いていることに加え、銅箔１０のシャイニー面１２を接着面にしたので、第１のキャリアテープ２０を後工程において除去する際に、容易にピールすることができ、接着剤が銅箔１０に残存することが防止でき好都合である。
次に図１（ｂ）に示すように、銅箔１０に第１の絶縁層であるソルダーレジスト３０を積層する。本実施形態においては、フィルムタイプのソルダーレジスト３０を積層した後、ソルダーレジスト３０の所定の部位にレーザ光を照射することにより開口部３２を形成している。
次に、図１（ｃ）に示すように、ソルダーレジスト３０の表面に第２のキャリアテープ４０を積層する。第２のキャリアテープ４０の積層は、例えばロールラミネータを用いることができる。第２のキャリアテープ４０をローラで押圧することで、第２のキャリアテープ４０をソルダーレジスト３０の表面形状に倣った状態でラミネートすることができる。したがって、図１（ｃ）に示すように、第２のキャリアテープ４０は、開口部３２に入り込んだ状態（充填された状態）となる。本実施形態においては、第１のキャリアテープ２０の構成と同様の構成を有する第２のキャリアテープ４０を用いた。第２のキャリアテープ４０をソルダーレジスト３０の表面にラミネートした後、図１（ｄ）に示すように、第１のキャリアテープ２０を除去する。第１のキャリアテープ２０は手でピールして除去することができる。
次に、銅箔１０とソルダーレジスト３０と第２のキャリアテープ４０との積層体を銅箔１０が上側面になるようにフリップした後、銅箔１０をサブトラクティブ法によりパターニングし、第１の配線パターン層１４を形成する。図２（ａ）は第１の配線パターン層１４が形成された状態を示している。
次に、図２（ｂ）に示すように、第１の配線パターン層１４を被覆するように第２の絶縁層として、絶縁樹脂４２を積層する。絶縁樹脂４２にはレーザ加工に容易で硬化収縮が小さい材料が好適に用いられる。本実施形態においてはエポキシ樹脂を用いた。また、この時点においては絶縁樹脂４２を未硬化の状態に維持している。絶縁樹脂４２は最終製品に残存し、複数の配線パターン層からなる配線層を絶縁した状態で固定する。
次に、表面に第２の配線パターン層１６が形成された第３のキャリアテープ４１を準備する。第３のキャリアテープ４１への第２の配線パターン層１６の形成方法としては、第３のキャリアテープ４１に銅箔等の金属箔を貼り合わせた後、サブトラクティブ法等を用いることにより形成できる。このようにして第２の配線パターン層１６を形成した第３のキャリアテープ４１は、図２（ｃ）に示すように、第２の配線パターン層１６を絶縁樹脂４２に対向させた状態にして、未硬化状態の絶縁樹脂４２に向けて押圧する。
第２の配線パターン層１６を絶縁樹脂４２に埋め込んだ状態を図３（ａ）に示す。絶縁樹脂４２の層厚寸法は、第１の配線パターン層１４の高さ寸法と第２の配線パターン層１６の高さ寸法の和よりも十分高く形成されているので、この状態においては絶縁樹脂４２内において第１の配線パターン層１４と第２の配線パターン層１６とは電気的に接続されていない状態になっている。図３（ｂ）からも明らかであるが、第２の配線パターン層１６の上面高さ位置と絶縁樹脂４２の上面高さ位置は面一状態に形成されている。次に図３（ｂ）に示すように、第３のキャリアテープ４１を除去し、絶縁樹脂４２を硬化処理する。絶縁樹脂４２を硬化させた後、レーザ光照射装置によりレーザ光を照射し、絶縁樹脂４２の表面における所要箇所にヴィア穴４４を形成する。図３（ｃ）にあるようにヴィア穴４４は第１の配線パターン層１４の上面の深さ位置まで形成されている。
次に、図４（ａ）に示すように、第１の配線パターン層１４と第２の配線パターン層１６とを電気的に接続させる部位にあるヴィア穴４４に導電体４６を充填する。本実施形態においては、導電体４６として銀ペーストを用い、導電体４６を充填するヴィア穴４４の部位に開口部を有するパターンマスクを絶縁樹脂４２の上面に位置合わせして重ね合わせ（図示せず）、スキージ等を用いた印刷法によりヴィア穴４４に導電体４６を充填した。導電体４６は、導体の粉末またはフィラーが混入された導電性ペーストであればよく、銅ペーストも好適に用いることができる。また、ヴィア穴４４への導電体４６の充填方法は印刷法以外の方法によっても良いのはもちろんである。このようにしてヴィア穴４４に導電体４６を充填することにより、第１の配線パターン層１４と第２の配線パターン層１６とを電気的に接続することができる。
次に、導電体４６が充填されなかったヴィア穴４４および導電体４６の表面を含む絶縁樹脂４２の表面にアンダーフィル樹脂５０を配設し、金バンプ等により形成された電極６２を有する半導体素子６０をフリップチップ接続方式で搭載する。電極６２はアンダーフィル樹脂５０が配設されたヴィア穴４４に進入し、アンダーフィル樹脂５０を押しのけながらヴィア穴４４の底面を構成している第１の配線パターン層１４の表面に電気的に接続される。本実施形態においては超音波振動を半導体素子６０に付与しながら電極６２と第１の配線パターン層１４の接続面との電気的接続を行った。図４（ｂ）は、半導体素子６０を第１の配線パターン層１４に電気的に接続した状態を示している。
アンダーフィル樹脂５０を硬化させた後、図４（ｃ）に示すように、半導体素子６０の搭載側の面を覆うように封止樹脂７２により樹脂成形し、封止樹脂部７０を形成する。樹脂封止部７０を形成する際は、トランスファーモールド装置を用いればよい。
次に、図５（ａ）に示すように、第２のキャリアテープ４０を除去する。第２のキャリアテープ４０もまた手作業等で簡単にピールすることができる。第２のキャリアテープ４０の接着剤には先述のとおりアクリル系接着剤が用いられているため剥離しやすいものの、樹脂封止する際に接着剤が加熱されることによって接着剤が変質する等により、ソルダーレジスト３０の開口部３２に入り込んでいた部位の第１の配線パターン層１４の下側面に接着剤または変質した接着剤が残留することがある。このような場合においては、図５（ｂ）に示すように、開口部３２から露出する第１の配線パターン層１４の下側露出面（接続パッド面）にプラズマ処理を施せば、第１の配線パターン層１４の下側露出面（接続パッド面）を洗浄することができる。プラズマ処理には、アルゴンプラズマエッチングや酸素プラズマエッチングを用いることができる。
開口部３２から露出する第１の配線パターン層１４の表面の洗浄を終えた後、第１の配線パターン層１４の露出部にはんだバンプ等の外部接続端子８０を取り付けることにより、図５（ｃ）に示すような半導体装置１００を得ることができる。半導体装置１００は必要に応じてダイサー等により個片化する。
本実施形態における半導体装置１００は、ソルダーレジスト３０上に第１の配線パターン層１４が直接積層されていて、第１の配線パターン層１４および第２の配線パターン層１６(ここでは、これら２層の配線パターン層を合わせて配線層としている)を異なる高さ位置に保持する絶縁樹脂４２と、絶縁樹脂４２に形成されたヴィア穴４４に充填した導電体４６により、第１の配線パターン層１４と第２の配線パターン層１６とを電気的に接続すると共に、第１の配線パターン層１４と直接電気的に接続されている半導体素子６０がアンダーフィル樹脂５０を介して搭載され、半導体素子６０とアンダーフィル樹脂５０と配線パターン１４の一部を封止樹脂７２により樹脂成形した封止樹脂部７０を形成し、ソルダーレジスト３０に形成された開口部３２から露出した第１の配線パターン層１４の下側表面に外部接続端子８０を取り付けて形成したものであるから、従来の基板を有するフリップチップ接続方式により製造される半導体装置に比べてきわめて薄型の半導体装置１００に形成することが可能である。
（第２実施形態）
本実施形態においては、半導体素子６０の電極６２は第１の配線パターン層１４の上側面に電気的に接続されているが、この形態に限定されるものではない。例えば、図６に示すように、ソルダーレジスト３０に形成した開口部３２から電極６２が露出する半導体装置１００の形態を採用することもできる。
この構成を採用した場合、ヴィア穴４４を形成する際に、絶縁樹脂４２の表面からソルダーレジスト３０の下側表面に貫通するスルーホール４５を形成し、導電体４６を充填する際には、スルーホール４５を被覆する開口パターンに形成されたマスクプレートを用いてスキージ等を用いた印刷法を適用する。導電体４６の充填を終えた後、マスクプレートを除去し、アンダーフィル樹脂５０を供給した後、半導体素子６０に形成された電極６２をスルーホール４５に差し込むことで図６に示す半導体装置１００を得ることができる。スルーホール４５には電極６２と共にアンダーフィル樹脂５０も入り込み、ソルダーレジスト３０側の開口部３２から電極６２とアンダーフィル樹脂５０が露出することになる。開口部３２からはみ出した余分なアンダーフィル樹脂５０は適宜取り除けばよい。
（第３実施形態）
第１実施形態および第２実施形態においては、第１の配線パターン層１４と第２の配線パターン層１６とをサブトラクティブ法を用いてパターニングする形態について説明しているが、使用する銅箔１０の膜厚寸法によっては、セミアディティブ法により第１の配線パターン層１４および第２の配線パターン層１６とを形成することができる。本実施形態においては、第１実施形態の第１および第２の配線パターン層１４，１６の形成工程において、サブトラクティブ法に代えてセミアディティブ法を適用した場合の実施形態を説明する。図７〜図１１は第３実施形態にかかる半導体装置の製造方法における各工程での状態を示す断面図である。
まず、図７（ａ）に示すように、銅箔１０のシャイニー面１２側に第１のキャリアテープ２０を積層する。本実施形態においては厚さ寸法が２〜３μｍに形成された銅箔１０を用いた。続いて、第１の絶縁層としてフィルムタイプのソルダーレジスト３０を銅箔１０側にラミネートし、外部接続端子形成位置にレーザ光を照射してソルダーレジスト３０に開口部３２を形成する（図７（ｂ））。次に図７（ｃ）に示すように、ソルダーレジスト３０の表面に第２のキャリアテープ４０を積層する。続いて第１のキャリアテープ２０をピールして除去する（図７（ｄ））。第１のキャリアテープ２０を除去した後、銅箔１０とソルダーレジスト３０と第２のキャリアテープ４０とからなる積層体の上下面を入れ替えて銅箔１０を上側面にする（図７（ｅ））。
次に、図８（ａ）に示すようにめっきレジスト２５を銅箔１０の表面にラミネートする。本実施形態におけるめっきレジスト２５にはフィルム状に形成された感光性樹脂を用いた。銅箔１０の表面に積層しためっきレジスト２５をフォトリソグラフィー法により露光および現像し、図８（ｂ）に示すようにめっきマスク２７を形成する。めっきマスク２７を形成した後、銅箔１０をシードメタルとして電解銅めっきを施し、図８（ｃ）に示すようにめっきマスク２７の開口部に銅めっき層１８を形成する。銅めっき層１８を形成した後、めっきマスク２７をウェットエッチング等により除去する。
次に、図８（ｄ）に示すように、めっきマスク２７により覆われていた部位の銅箔１０（めっきマスク２７を除去したことにより露出した銅箔１０の部分）をエッチングすることで、銅めっき層１８を独立させて、図９（ａ）に示すような銅箔１０と銅めっき層１８とにより構成された第１の配線パターン層１４を形成する。第１の配線パターン層１４を形成した後は、図９（ｂ）に示すように、第１の配線パターン層１４を被覆するように第２の絶縁層として、絶縁樹脂４２を積層する。絶縁樹脂４２にはレーザ加工に容易で硬化収縮が小さい材料が好適に用いられる。本実施形態においてはエポキシ樹脂を用いた。また、この時点においては絶縁樹脂４２を未硬化の状態に維持している。絶縁樹脂４２は最終製品に残存し、複数の配線パターン層からなる配線層を絶縁した状態で固定する。
次に、表面に第２の配線パターン層１６が形成された第３のキャリアテープ４１を準備する。第３のキャリアテープ４１への第２の配線パターン層１６の形成方法としては、第３のキャリアテープ４１に薄い銅箔等の金属箔を貼り合わせた後、セミアディティブ法を適用して形成した。セミアディティブ法による銅箔のパターニング方法は、第１の配線パターン層１４の形成方法と同様にして行うことができるため、ここでの詳細な説明は省略する。このようにして第２の配線パターン層１６を形成した第３のキャリアテープ４１は、図９（ｃ）に示すように、第２の配線パターン層１６を絶縁樹脂４２に対向させた状態にして、未硬化状態の絶縁樹脂４２に向けて押圧する。
第２の配線パターン層１６を絶縁樹脂４２に埋め込んだ状態を図９（ｄ）に示す。第３のキャリアテープ４１の下面と絶縁樹脂４２の上面とが当接するように、絶縁樹脂４２に第３のキャリアテープ４１を単純に積層するだけで、第２の配線パターン層１６の上面位置と絶縁樹脂４２の上面位置とを面一状態となるように絶縁樹脂４２に第２の配線パターン層１６を埋設することができる。絶縁樹脂４２の層厚寸法は、第１の配線パターン層１４の高さ寸法と第２の配線パターン層１６の高さ寸法の和よりも十分高く形成されているので、この状態においては絶縁樹脂４２内において第１の配線パターン層１４と第２の配線パターン層１６とは電気的に接続されていない状態になっている。
次に第３のキャリアテープ４１を除去すると共に絶縁樹脂４２を硬化処理した後、レーザ光照射装置によりレーザ光を照射し、絶縁樹脂４２の表面における所要箇所にヴィア穴４４を形成する。ヴィア穴４４は第１の配線パターン層１４の上面の深さ位置まで形成する。
次に、図１０（ａ）に示すように、第１の配線パターン層１４と第２の配線パターン層１６とを電気的に接続させる部位にあるヴィア穴４４に導電体４６を充填する。本実施形態においては、導電体４６として銀ペーストを用い、導電体４６を充填するヴィア穴４４の部位に開口部を有するパターンマスクを絶縁樹脂４２の上面に位置合わせして重ね合わせ（図示せず）、スキージ等を用いた印刷法によりヴィア穴４４に導電体４６を充填した。これにより、後に半導体素子６０の電極６２を進入させるヴィア穴４４に導電体４６が充填されないようにすることができる。導電体４６は、導体の粉末またはフィラーが混入された導電性ペーストであればよく、銅ペーストも好適に用いることができる。また、ヴィア穴４４への導電体４６の充填方法は印刷法以外の方法によっても良いのはもちろんである。このようにしてヴィア穴４４に導電体４６を充填することにより、第１の配線パターン層１４と第２の配線パターン層１６とを電気的に接続することができる。
次に、パターンマスクにより被覆されていたことにより導電体４６が充填されなかったヴィア穴４４および導電体４６の表面を含む絶縁樹脂４２の表面にアンダーフィル樹脂５０を配設し、金バンプ等により形成された電極６２を有する半導体素子６０をフリップチップ接続方式で搭載する。電極６２はアンダーフィル樹脂５０が配設されたヴィア穴４４に進入し、アンダーフィル樹脂５０を押しのけながらヴィア穴４４の底面を構成している第１の配線パターン層１４の表面に電気的に接続される。本実施形態においては超音波振動を半導体素子６０に付与しながら電極６２と第１の配線パターン層１４の接続面との電気的接続を行った。図１０（ｂ）は、半導体素子６０を第１の配線パターン層１４に電気的に接続した状態を示している。
アンダーフィル樹脂５０を硬化した後、図１０（ｃ）に示すように、半導体素子６０の搭載側の面を覆うように封止樹脂７２により樹脂成形し、封止樹脂部７０を形成する。樹脂封止部７０を形成する際は、トランスファーモールド装置を用いればよい。
次に、図１１（ａ）に示すように、第２のキャリアテープ４０を除去する。第２のキャリアテープ４０もまた手作業等で簡単にピールすることができる。第２のキャリアテープ４０の接着剤には先述のとおりアクリル系接着剤が用いられているため剥離しやすいものの、樹脂封止する際に接着剤が加熱されることによって接着剤が変質する等により、ソルダーレジスト３０の開口部３２に入り込んでいた部位の第１の配線パターン層１４の下側面に接着剤または変質した接着剤が残留することがある。このような場合においては、開口部３２から露出する第１の配線パターン層１４の下側露出面（接続パッドとなる面）にプラズマ処理を施せば、第１の配線パターン層１４の下側露出面を洗浄することができる。プラズマ処理には、アルゴンプラズマエッチングや酸素プラズマエッチングを用いることができる。
開口部３２から露出する第１の配線パターン層１４の表面の洗浄を終えた後、第１の配線パターン層１４の露出部にはんだバンプ等の外部接続端子８０を取り付けることにより、図１１（ｂ）に示すような半導体装置１００を得ることができる。半導体装置１００は必要に応じてダイサー等により個片化する。
（第４実施形態）
以上の実施形態においては、ソルダーレジスト３０と半導体素子６０との間に形成された配線層は２層の配線パターン層により構成されている形態について説明しているが、配線層を構成する配線パターン層の層数は２層に限定されるものではない。ソルダーレジスト３０と半導体素子６０との間に形成された配線層は３層以上の配線パターン層により構成することもできる。本実施形態においては、３層の配線パターン層により配線層が構成された半導体装置１００の実施形態について説明を行う。本実施形態においては、第１実施形態における配線パターン層の層数を３層にした形態を例示するが、第２実施形態や第３実施形態においても適用可能であることはもちろんである。図１２は、本実施形態における半導体装置の配線層の形成工程における断面図である。
まず、第１実施形態で説明した手順と同様の手順により、第２の配線パターン層１６の形成までを行う（図１〜図３（ｂ）まで）。なお、第１の実施形態において絶縁樹脂４２と称していた部位は、本実施形態においては第１の絶縁樹脂４２となる。次に、第２の配線パターン層１６および第１の絶縁樹脂４２の表面に第２の絶縁樹脂４３を積層する。第２の絶縁樹脂４３は第１の絶縁樹脂４２と同じ材料を用いることができる。図１２（ａ）には、第２の絶縁樹脂４３の層厚さは、第１の絶縁樹脂４２の層厚さに比べて薄く形成されているが、第１の絶縁樹脂４２の層厚さが十分に薄い場合には、第１の絶縁樹脂４２の層厚さと第２の絶縁樹脂４３の層厚さを等しくする（絶縁樹脂材料を共通化する）こともできる。第２の絶縁樹脂４３の層厚さは、第２の配線パターン層１６と次の工程で形成される第３の配線パターン層１７とを確実に絶縁することができれば、厚さは特に限定されるものではない。また、第２の絶縁樹脂４３は未硬化の状態を維持している。
次に、第３の配線パターン層１７を表面に形成した第４のキャリアテープ４７を準備する。第４のキャリアテープ４７への第３の配線パターン層１７の形成方法は、第３のキャリアテープ４１の表面への第２の配線パターン層１６の形成方法を適用すればよい。
図１２（ｂ）に示すように、第４のキャリアテープ４７は、第３の配線パターン層１７が形成された側の面を第２の絶縁樹脂４３の表面に対向させて押圧することにより、未硬化状態の第２の絶縁樹脂４３に第３の配線パターン層１７を埋設させる。第３の配線パターン層１７の上面高さ位置は、埋設させた第２の絶縁樹脂４３の上面高さ位置と面一になるのは、第２の配線パターン層１６と同様である。図１２（ｃ）は第２の絶縁樹脂４３に第３の配線パターン層１７を埋設した状態を示す。第３の配線パターン層１７が第２の絶縁樹脂４３に埋設させた後に、第４のキャリアテープ４７をピールして除去する。
次に、図１３（ａ）に示すように、レーザ光照射装置により、第２の絶縁樹脂４３と第１の絶縁樹脂４２の高さ方向にヴィア穴４４を形成する。第２および第３の配線パターン層１６，１７は、ヴィア穴４４の形成位置において第１〜第３の配線パターン層１４，１６，１７の少なくとも一層と電気的に接続されている。第１〜第３の配線パターン層１４，１６，１７のすべてを電気的に接続する部分に形成するヴィア穴４４は、開口面（第３の配線パターン層１７または第２の絶縁樹脂４３の表面）と底面（第１の配線パターン層１４の上面）の径寸法がほぼ等しい寸胴形状に形成されていると好適である。
図１３（ａ）において形成されたヴィア穴４４に導電体４６を充填し、第１〜第３の配線パターン層１４，１６，１７のそれぞれを適宜電気的に接続する（図１３（ｂ））。ヴィア穴４４への導電体４６の充填方法は、先の実施形態において説明した方法を採用することができる。
次に、第３の配線パターン層１７の上面にアンダーフィル樹脂５０を供給した後、バンプ等により形成された電極６２が取り付けられた半導体素子６０を導電体４６が充填されていないヴィア穴４４（アンダーフィル樹脂５０は一部充填されている）に電極６２を進入させ、ヴィア穴４４の底部に露出している第１の配線パターン層１４と電極６２とを電気的に接続する（図１３（ｃ））。半導体素子６０の電極６２と第１の配線パターン層１４との電気的な接続には、先の実施形態と同様に超音波振動を付与しながらの接合方法が好適に用いられる。
アンダーフィル樹脂５０を硬化させた後、半導体素子６０が搭載された側の表面を覆うように封止樹脂７２により半導体素子６０を樹脂封止した。本実施形態においては、図１４（ａ）に示すように、半導体素子６０の他にも、第３の配線パターン層１７、導電体４６、第２の絶縁樹脂４３も樹脂封止している。樹脂封止する際にはトランスファーモールド成形法が好適に用いられる。アンダーフィル樹脂５０はこの樹脂封止工程における熱を用いて熱硬化させるようにしても良い。
次に、第２のキャリアテープ４０を除去し、ソルダーレジスト３０の開口部３２から第１の配線パターン層１４の下面を露出させる。トランスファーモールド成形により、第２のキャリアテープ４０の接着剤が変質しているおそれがある場合には、開口部３２から露出している第１の配線パターン層１４の下側表面をプラズマ処理することで接続パッド面である開口部３２から露出する第１の配線パターン層１４の下側表面を洗浄処理することができる。プラズマ処理としては、先に説明した実施形態と同様に、アルゴンプラズマエッチングや酸素プラズマエッチングを適用することができる。
プラズマ処理により洗浄処理された開口部３２から露出する第１の配線パターン層１４の下側表面（接続パッド面）にはんだバンプ等により形成された外部接続端子８０を取り付けて、図１４（ｂ）に示す半導体装置１００を得ることができる。
以上に本願発明にかかる半導体装置１００および半導体装置１００の製造方法について実施形態に基づいて詳細に説明したが、本願発明は以上に示した実施形態に限定されるものではないのはもちろんである。例えば、第３実施形態においては、第１実施形態における第１および第２の配線パターン層１４，１６の形成方法をサブトラクティブ法に代えてセミアディティブ法により形成した実施形態について説明しているが、第２および第３の実施形態における配線パターン１４の形成方法についても、サブトラクティブ法に代えてセミアディティブ法により形成しても良いのはもちろんである。
また、第２実施形態は、第１実施形態の変形例を示したものであるが、第３実施形態および第４実施形態に第２実施形態の構成を適用することも可能である。
また、以上の実施形態においては、金属箔として銅箔１０を用いているが、他の金属箔を用いても良いのはもちろんである。そして、第１および第２の配線パターン層１４，１６の形成方法に応じて銅箔１０の厚さ寸法を１２〜１５μｍ（サブトラクティブ法の場合）や２〜３μｍ（セミアディティブ法の場合）を採用しているが、金属箔の厚さ寸法は適宜調整することができるのはもちろんである。
また、具体的な説明はしていないが、上記のずべての実施形態を適宜組み合わせた形態であっても、本願発明の技術的範囲に属することはいうまでもない。
第１実施形態における半導体装置の製造方法における各段階の状態を示す断面図である。 第１実施形態における半導体装置の製造方法における各段階の状態を示す断面図である。 第１実施形態における半導体装置の製造方法における各段階の状態を示す断面図である。 第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における各工程での状態を示す断面図である。 第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における各工程での状態を示す断面図である。 第２実施形態にかかる半導体装置を示す断面図である。 第３実施形態にかかる半導体装置の製造方法における各工程での状態を示す断面図である。 第３実施形態にかかる半導体装置の製造方法における各工程での状態を示す断面図である。 第３実施形態にかかる半導体装置の製造方法における各工程での状態を示す断面図である。 第３実施形態にかかる半導体装置の製造方法における各工程での状態を示す断面図である。 第３実施形態にかかる半導体装置の製造方法における各工程での状態を示す断面図である。 第４実施形態にかかる半導体装置の製造方法における各工程での状態を示す断面図である。 第４実施形態にかかる半導体装置の製造方法における各工程での状態を示す断面図である。 第４実施形態にかかる半導体装置の製造方法における各工程での状態を示す断面図である。 従来技術における半導体装置を示す断面図である。 従来技術における半導体装置を示す断面図である。
符号の説明
１０ 銅箔
１２ シャイニー面
１４ 第１の配線パターン層
１６ 第２の配線パターン層
１７ 第３の配線パターン層
１８ 銅めっき層
２０ 第１のキャリアテープ
２２ キャリアテープ
２５ めっきレジスト
２７ めっきマスク
３０ ソルダーレジスト
３２ 開口部
４０ 第２のキャリアテープ
４１ 第３のキャリアテープ
４２ 絶縁樹脂（第１の絶縁樹脂）
４３ 第２の絶縁樹脂
４４ ヴィア穴
４５ スルーホール
４６ 導電体
４７ 第４のキャリアテープ
５０ アンダーフィル樹脂
６０ 半導体素子
６２ バンプ
７０ 封止樹脂部
７２ 封止樹脂
８０ 外部接続端子
９０ 樹脂封止された積層体
１００ 半導体装置
１１０ スルーホール
１１２ 接続パッド
１１４ 外部接続端子
１１６ 配線パターン
１２０ 半導体素子
１２２ 電極パッド
１２４ バンプ
１２６ 電極
１３０ ボンディングワイヤ
１４０ 封止樹脂
１５０ アンダーフィル樹脂
２００ 半導体装置
Ｋ 基板

Claims (10)

  1. 半導体素子を封止して樹脂成形された封止樹脂部と、
    前記封止樹脂部の一方の面に形成された配線層と、
    前記配線層に積層されると共に、前記配線層の一部を露出する開口部が形成された第１の絶縁層と、
    前記開口部から露出した前記配線層の一部に取り付けられた外部接続端子と、を有し、
    前記配線層は、前記封止樹脂部と前記第１の絶縁層との間に配設された第２の絶縁層内に形成された複数の配線パターン層によりなると共に、前記配線パターン層の各々が前記第２の絶縁層の厚さ方向において異なる高さ位置に形成され、
    前記第２の絶縁層にはヴィア穴が複数形成され、一部のヴィア穴には導電体が充填されることにより前記各配線パターン層どうしが電気的に接続され、
    前記半導体素子に形成された電極がアンダーフィル樹脂と共に他のヴィア穴に挿入され、前記電極と前記配線層のうちの最下位置に形成された配線パターン層と直接電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
  2. 半導体素子を封止して樹脂成形された封止樹脂部と、
    前記封止樹脂部の一方の面に形成された配線層と、
    前記配線層に積層されると共に、開口部が形成された第１の絶縁層と、
    前記開口部から露出した前記配線層の一部に取り付けられた外部接続端子と、を有し、
    前記配線層は、前記封止樹脂部と前記第１の絶縁層との間に配設された第２の絶縁層内に形成された複数の配線パターン層によりなると共に、前記配線パターン層の各々が前記第２の絶縁層の厚さ方向において異なる高さ位置に形成され、
    前記第２の絶縁層にはヴィア穴とスルーホールが形成され、前記ヴィア穴には導電体が充填されることにより前記各配線パターン層どうしが電気的に接続され、
    前記半導体素子に形成された電極がアンダーフィル樹脂と共に前記スルーホールに挿入され、前記開口部から前記電極の下端が露出していることを特徴とする半導体装置。
  3. 前記ヴィア穴に充填された導電体は、導電性ペーストであることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
  4. 金属箔に第１のキャリアテープを接着する工程と、
    前記金属箔に第１の絶縁層を積層し、該第１の絶縁層に開口部を形成する工程と、
    前記第１の絶縁層の表面に第２のキャリアテープを積層する工程と、
    前記第１のキャリアテープを除去する工程と、
    前記金属箔をエッチングし、第１の配線パターン層を形成する工程と、
    前記第１の配線パターン層を覆う配置に第２の絶縁層を積層する工程と、
    第２の配線パターン層が予め形成された第３のキャリアテープを前記第２の配線パターン層形成面を前記第２の絶縁層に積層し、前記第２の配線パターン層を前記第２の絶縁層内に埋没させる工程と、
    前記第３のキャリアテープを除去する工程と、
    前記第２の絶縁層にヴィア穴を形成する工程と、
    前記ヴィア穴の一部に導電体を充填する工程と、
    前記第２の配線パターン層の露出面にアンダーフィル樹脂を形成する工程と、
    前記導電体が充填されていないヴィア穴に電極が形成された半導体素子をフェースダウンで搭載し、前記ヴィア穴位置で露出した第１の配線パターン層に電気的に接続する工程と、
    前記半導体素子を樹脂成形し、封止樹脂部を形成する工程と、
    前記第２のキャリアテープを除去する工程と、
    前記第２のキャリアテープを除去したことで前記開口部から露出した前記第１の配線パターン層に外部接続端子を取り付ける工程と、を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 金属箔に第１のキャリアテープを接着する工程と、
    前記金属箔に第１の絶縁層を積層し、該第１の絶縁層に開口部を形成する工程と、
    前記第１の絶縁層の表面に第２のキャリアテープを積層する工程と、
    前記第１のキャリアテープを除去する工程と、
    前記金属箔をエッチングし、第１の配線パターン層を形成する工程と、
    前記第１の配線パターン層を覆う配置に第２の絶縁層を積層する工程と、
    第２の配線パターン層が予め形成された第３のキャリアテープを前記第２の配線パターン層形成面を前記第２の絶縁層に積層し、前記第２の配線パターン層を前記第２の絶縁層内に埋没させる工程と、
    前記第３のキャリアテープを除去する工程と、
    前記第２の絶縁層にヴィア穴とスルーホールを形成する工程と、
    前記ヴィア穴に導電体を充填する工程と、
    前記第２の配線パターン層の露出面にアンダーフィル樹脂を形成する工程と、
    前記スルーホールに電極が形成された半導体素子をフェースダウンで搭載し、前記スルーホールにより連通した前記開口部に前記電極を挿入する工程と、
    前記半導体素子を樹脂成形し、封止樹脂部を形成する工程と、
    前記第２のキャリアテープを除去する工程と、
    前記第２のキャリアテープを除去したことで前記開口部から露出した前記第１の配線パターン層と前記電極のうち少なくとも前記第１の配線パターン層に外部接続端子を取り付ける工程と、を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  6. 前記金属箔に前記第１のキャリアテープを接着する工程においては、前記金属箔のシャイニー面にアクリル系接着剤を用いて接着していることを特徴とする請求項４または５記載の半導体装置の製造方法。
  7. 前記金属箔から前記第１のキャリアテープを剥離する工程と、前記第１のキャリアテープを剥離したことにより前記開口部から露出した部位に外部接続端子を接合する工程との間に、前記露出部位をプラズマ処理する工程をさらに有していることを特徴とする請求項４〜６のうちのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
  8. 前記プラズマ処理する工程は、アルゴンプラズマエッチング工程または酸素プラズマエッチング工程のいずれかであることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
  9. 前記金属箔は、サブトラクティブ法によりパターニングされることを特徴とする請求項４〜８のうちのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 前記金属箔は、セミアディティブ法によりパターニングされることを特徴とする請求項４〜８のうちのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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