JP2009284484A - デューティ比補正回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】デューティ比補正回路のデューティ比検知速度を固定せずに、必要に応じて調整することによって、速いデューティ比の補正が必要な場合はデューティ比検知速度を増加させ、必要でない場合はデューティ比検知速度を減少させるデューティ比補正回路を提供する。
【解決手段】検知速度制御信号によりデューティ比検知速度が調整され、クロックのデューティ比を検知して補正信号を出力するデューティ比検知部と、前記補正信号に応答して前記クロックのデューティ比を調整するデューティ比補正部とを備える。
【選択図】図2
【解決手段】検知速度制御信号によりデューティ比検知速度が調整され、クロックのデューティ比を検知して補正信号を出力するデューティ比検知部と、前記補正信号に応答して前記クロックのデューティ比を調整するデューティ比補正部とを備える。
【選択図】図2
Description
本発明は、デューティ比補正回路に関し、より詳細には、デューティ比検知速度を、必要な場合に増加させることのできるデューティ比補正回路に関する。
クロックのデューティ比(duty ratio)とは、クロックのパルス周期に対するパルス幅の割合を意味する。一般的に、半導体集積回路のようなデジタルクロックの応用分野では、デューティ比が50%であるクロックが主に使用される。デューティ比が50%というのは、クロックのハイレベル区間の幅とローレベル区間の幅とが同じであることを意味する。デューティ比補正回路は、デューティ比が50%でないクロックが入力されるとき、これをデューティ比が50%のクロックに変換する。
デジタルクロックの応用分野において、クロックのデューティ比が正確に制御されることは極めて重要である。クロックに同期してデータを入出力する同期式半導体装置では、クロックのデューティ比が正確に制御できなければデータが歪曲することから、極めて重要である。最近、動作速度を向上させるためにDDR(Double Data Rate)同期式半導体装置が使用されている。DDR方式を使用すると、クロックの立上りエッジ(rising edge)だけでなく、立下りエッジ(falling edge)のタイミングでもデータが入出力されるため、データのマージン確保のためにDDR方式を使用する同期式半導体装置ではクロックのデューティ比が最も重要である。
図1は、従来技術に係るデューティ比補正回路である。
デューティ比補正回路は、大きくはデューティ比検知部101およびデューティ比補正部103から構成されている。
同図に示すように、デューティ比検知部101は、デューティ比補正部103からフィードバックされた主クロックCLKOUTおよび副クロックCLKOUTBのデューティ比に応じて第1電荷保存部および第2電荷保存部107、109を充電/放電し、第1補正信号および第2補正信号A、Bを生成する充電/放電部105と、デューティ比検知部101の出力端に接続して充電/放電されて第1補正信号および第2補正信号A、Bの論理レベルの遷移速度を調整する第1電荷保存部および第2電荷保存部107、109と、検知信号ENに対応して第1補正信号および第2補正信号A、Bをハイレベルにリセットさせるリセット部111と、検知信号ENに対応してデューティ比検知部101を活性化する活性化部113とから構成される。
検知信号ENは、ハイレベルにイネーブルされると活性化部113のトランジスタがターンオンされ、デューティ比検知部101が動作を開始する。初期の検知信号ENがハイレベルにイネーブルされる前にリセット部111がターンオンされるため、第1補正信号および第2補正信号A、Bのすべてはハイレベルである。
一方、後述されるデューティ比補正部103は、第1補正信号および第2補正信号A、Bのレベル遷移の程度に応じて動作される。したがって、検知信号ENは、1回イネーブルされると引続きイネーブル状態を維持する。しかし、デューティ比補正部103と第1補正信号および第2補正信号A、Bとが互いに反対のレベルに遷移したか否かを認知して動作する場合、検知信号ENは周期的にイネーブルされ、リセット部111によりデューティ比検知部101はリセットされる。レベル遷移されるか否かを1回検知してデューティ比を1回補正することから、第1補正信号および第2補正信号A、Bのレベルを再度遷移させるためには、引続き第1電荷保存部および第2電荷保存部107、109のリセットが必要である。
検知信号ENのイネーブル区間にリセット部111はターンオフされる。主クロックCLKOUTがハイレベルで入力されると、主クロックCLKOUTが入力されるNMOSトランジスタT1はターンオンされ、NMOSトランジスタT1のドレイン電圧が落ちるため、直列に接続されたNMOSトランジスタT2もターンオンされる。したがって、第1補正信号Aはローレベルに遷移する。ただし、第1電荷保存部107により第1補正信号Aは急激に変化できないため徐々にローレベルに遷移する。
主クロックCLKOUTおよび副クロックCLKOUTBは反転関係である。副クロックCLKOUTBがローレベルで入力されると、副クロックCLKOUTBが入力されるNMOSトランジスタT3はターンオンされないため、第2補正信号Bは変化しない。
その後、副クロックCLKOUTBがハイレベルで入力されると、副クロックCLKOUTBが入力されるNMOSトランジスタT3およびこれと直列に接続されたNMOSトランジスタT4がターンオンされる。第2補正信号Bもローレベルに遷移するが、第2電荷保存部109によって第2補正信号Bの論理レベルは徐々に下降する。
主クロックCLKOUTおよび副クロックCLKOUTBのデューティ比が50%にならなければ、第1補正信号および第2補正信号A、Bの論理レベルの遷移程度に差が生じる。主クロックCLKOUTのローレベル区間がハイレベル区間より広い場合、副クロックCLKOUTBによる第2補正信号Bの論理レベルが更に下降する。すると、第2補正信号Bは充電/放電部105のPMOSトランジスタT5をターンオンさせ、第1補正信号Aはハイレベルに上昇する。結局、主クロックCLKOUTおよび副クロックCLKOUTBのデューティ比の差により第1補正信号および第2補正信号A、Bは反転されたレベルに遷移する。
デューティ比補正部103は、主クロックCLKINおよび副クロックCLKINBが入力されるNMOSトランジスタT9、T7と、第1補正信号および第2補正信号A、Bが入力されるNMOSトランジスタT6、T8とが直列に接続して構成される。このとき、第1補正信号Aが入力されるトランジスタT8は、副クロックが入力されるトランジスタT7に接続され、第2補正信号Bの入力されるトランジスタT6は主クロックCLKINが入力されるトランジスタT9に接続される。
第1補正信号および第2補正信号A、Bは、デューティ比に応じて相異なるレベルを有し、これはNMOSトランジスタT6、T8がターンオンされる程度にその差を生じさせる。例えば、図1を例として挙げた場合について説明すると、主クロックCLKINのローレベル区間が広くて第1補正信号Aはハイレベルに遷移し、第2補正信号Bはローレベルに遷移する。したがって、第1補正信号Aの印加されるNMOSトランジスタT8は次第に強くターンオンされ、第2補正信号Bの印加されるNMOSトランジスタT6は次第に遅くターンオンされる。
第1補正信号および第2補正信号A、Bの入力されるトランジスタT6、T8がなければ、デューティ比補正部103は、主クロックCLKINが入力されて副クロックCLKOUTBを出力し、副クロックCLKINBが入力されて主クロックCLKOUTを出力する。しかし、第1補正信号AがトランジスタT8を強くターンオンさせることから、主クロックCLKOUTはハイレベル区間が増加する。そして、第2補正信号BがトランジスタT6を弱くターンオンさせることから、副クロックCLKOUTBはローレベル区間が増加する。
したがって、デューティ比補正部103は、デューティ比の補正された主クロックCLKOUTおよび副クロックCLKOUTBを出力する。
一般的なモードの場合よりDRAMのセルフリフレッシュ(self−refresh)モード、または多くの電源が印加される初期パワーアップ(power−up)のときのような特別な場合は、一般的なモードより更に早くデューティ比が補正されることがシステム性能の維持にとって重要である。
しかし、従来のデューティ比補正回路において、デューティ比補正速度は一定していた。すなわち、初期パワーアップのとき、またはセルフリフレッシュモードのように特別な場合も、デューティ比補正速度は一般的なモードと同じであった。セルフリフレッシュモード、または初期パワーアップのときのためにデューティ比補正速度を高く設定する場合、デューティ比の補正時間は減少することができるが、特に早いデューティ比補正速度を必要としない一般的なモードの場合も高いロック速度を有することにより、これはシステムの不安定を引き起こして高いジッタを誘発する問題がある。
本発明は、前述した問題点を解決するために提案されたものであって、デューティ比補正回路のデューティ比検知速度を固定せずに、必要に応じて調整することによって、速いデューティ比の補正が必要な場合はデューティ比検知速度を増加させ、必要でない場合はデューティ比検知速度を減少させるデューティ比補正回路を提供することにある。
本発明の一実施形態に係る本発明の補正回路は、検知速度制御信号によりデューティ比検知速度が調整され、クロックのデューティ比を検知して補正信号を出力するデューティ比検知部と、前記補正信号に応答して前記クロックのデューティ比を調整するデューティ比補正部とを備える。
前記デューティ比検知部が、主クロックおよび副クロック各々に応答して充電/放電され、イネーブルされる前記補正信号を生成し、自体に流れる電流量は前記検知速度制御信号により調整される。
前記デューティ比検知部が、主クロックに応答して充電/放電される第1電荷保存部と、副クロックに応答して充電/放電される第2電荷保存部とを備え、前記第1電荷保存部および第2電荷保存部の各々の電荷量に応答してイネーブルされる前記補正信号を出力し、前記第1電荷保存部および第2電荷保存部の充電容量は、前記検知速度制御信号により調整される。
本発明の他の実施形態に係る補正回路は、検知速度制御信号によりデューティ比検知速度が調整され、主クロックおよび副クロックの立上りエッジの間幅を検知して補正信号を出力するデューティ比検知部と、前記補正信号に応答して前記主クロックと前記副クロックとの位相差が180度になるよう補正する補正部とを備える。
本発明の一実施形態によると、デューティ比補正回路のデューティ比補正速度を増加する必要がある場合、デューティ比検知速度を増加させることができるため、システムの性能が維持できる効果があり、必要でない場合には本来のデューティ比検知速度を維持することによって、速いデューティ比補正速度による不安定性およびジッタが減少される効果がある。
以下、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明の技術的な思想を容易に実施できるように詳説するため、本発明の最も好ましい実施形態を添付の図面を参照して説明する。
図2は、本発明の一実施形態に係るデューティ比補正回路のブロック図である。
同図に示すように本発明は、検知速度制御信号BWによりデューティ比検知速度を調整し、主クロックおよび副クロックCLKIN、CLKINBのデューティ比を検知して補正信号A、Bを出力するデューティ比検知部201、および補正信号A、Bに応答してクロックCLKIN、CLKINBのデューティ比を調整するデューティ比補正部202を備える。
本発明におけるデューティ比検知速度は、補正信号A、Bがイネーブルされる速度を意味する。
そして、主クロックおよび副クロックCLKIN、CLKINBは、デューティ比補正部202に入力されるデューティ比がずれたクロック信号であり、主クロックおよび副クロックCLKIN、CLKINBは、デューティ比補正部202から出力されるクロックにデューティ比が補正されたクロック信号である。
従来技術とは異なり、本発明の一実施形態に係るデューティ比補正回路は、検知速度制御信号BWが印加される。デューティ比検知部201は、主クロックCLKOUTおよび副クロックCLKOUTBの各々に応答して充電/放電し、かつイネーブルされる補正信号A、Bを生成し、また、デューティ比検知部201に流れる電流量は、検知速度制御信号BWにより調整される。すなわち、検知速度制御信号BWは、デューティ比検知部201に流れる電流量を調整することによって、デューティ比検知部201のデューティ比検知速度を制御する。ここで、主クロックCLKOUTおよび副クロックCLKOUTBは互いに反転された関係として、デューティ比補正回路は、デューティ比の補正された主クロックCLKOUTおよび副クロックCLKOUTBを出力する。
デューティ比検知部201は、主クロックCLKOUTおよび副クロックCLKOUTBの各々に応答して充電/放電し、かつイネーブルされる補正信号A、Bを出力するためにデューティ比検知部201に流れる電流量が調整されると、充電/放電の速度が調整されてデューティ比検知速度、すなわち、デューティ比補正信号がイネーブルされる速度を調整することができる。
詳説すると、デューティ比検知部201に流れる電流量が増加すると電荷量が増加することから、充電/放電の速度が速くなる。そして、充電/放電の速度が速くなると、補正信号が更に速くイネーブルされる。これはデューティ比検知速度が速くなったことを意味し、デューティ比補正部202は、補正信号のレベル遷移を認知してデューティ比を補正する。
このとき、デューティ比検知部201に流れる電流量は、検知速度制御信号BWにより制御される。
検知速度制御信号BWは、パワーアップ信号またはセルフリフレッシュ信号になり得る。
図1で説明した通り、従来技術のデューティ比補正部103は、デューティ比検知部101の補正信号A、Bが入力されてデューティ比を補正し、このときデューティ比検知部101は、常に一定のデューティ比検知速度を有する。したがって、半導体装置のパワーアップ時、またはセルフリフレッシュモードのようにデューティ比補正速度を増加させる必要がある場合、すなわち検知速度増加モードにおいてもデューティ比補正回路は常に一定のデューティ比検知速度を有していた。
したがって、本発明においては、パワーアップ信号またはセルフリフレッシュ信号を検知速度制御信号BWとして入力し、半導体装置のパワーアップ時、またはセルフリフレッシュモードの場合、デューティ比検知部201に流れる電流量を増加させることで、デューティ比検知速度を増加させることができるようにすることによって、本発明の目的を達成するようにした。
図3Aは、図2のデューティ比検知部201の第1詳細構成図である。
同面に示すように本発明の一実施形態に係るデューティ比検知部201Aは、クロックCLKOUT、CLKOUTBのデューティ比に応じて補正信号A、Bを生成する充電/放電部305と、デューティ比検知部201Aの出力端に接続されて充電/放電し、補正信号A、Bの論理レベルの遷移速度を調整する電荷保存部307、309と、検知速度制御信号BWに応答してデューティ比検知部201Aに流れる電流量を調整することにより電荷保存部307、309の充電/放電の速度を調整する検知速度調整部303と、検知信号ENに対応して補正信号A、Bをハイレベルにリセットさせるリセット部311と、検知信号ENに対応してデューティ比検知部201Aを活性化する活性化部313とを備える。
図面に示すように、デューティ比検知部201Aは、図1のデューティ比検知部101に検知速度調整部303が加えられて構成される。検知速度調整部303は、検知速度制御信号BWに応答してターンオンされ、ターンオンされるときデューティ比検知部201Aに流れる電流量を増加させるトランジスタT10を備える。検知速度制御信号BWに応答してターンオンされるトランジスタT10は、電源電圧VDDによりターンオンされるトランジスタT11に並列接続されているが、活性化部313にも並列接続され得る。
デューティ比検知速度の増加は、デューティ比検知部201Aに流れる電流量を調整することによって行われる。図1で説明したように、補正信号A、Bは、主クロックCLKOUTおよび副クロックCLKOUTBにより第1電荷保存部および第2電荷保存部307、309が充電/放電されて遷移するために徐々に遷移する。このとき、デューティ比検知部201に流れる電流量を増加させると、第1電荷保存部および第2電荷保存部307、309に電荷が更に早く充電できるため、充電/放電の速度が速くなる。したがって、補正信号A、Bのレベルは更に速く遷移することから、デューティ比検知部201Aの検知速度が速くなる。
より詳説すると、検知速度増加モード(パワーアップ時およびセルフリフレッシュモード)のとき、検知速度制御信号BWが検知速度調整部303のNMOSトランジスタT10をターンオンさせる。NMOSトランジスタT10は、電源電圧VDDが印加されるNMOSトランジスタT11と並列に接続され、かつNMOSトランジスタT10がターンオンするとき電流が流れるパス(PATH)が増加し、デューティ比検知部201に流れる電流量を増加させる。
したがって、第1電荷保存部および第2電荷保存部307、309の充電/放電の速度が速くなって検知速度が増加することで補正信号A、Bのレベル遷移が速くなり、これによりデューティ比補正速度が速くなる。デューティ比補正部202は、補正信号A、Bが入力されてクロックのデューティ比を補正する。
デューティ比補正部202は、図1のデューティ比補正部103のように補正信号A、Bのレベル遷移の程度に応じて動作するか、または補正信号A、Bが互いに反対のレベルに遷移したか否かを認知して動作することができる。
このとき、検知速度制御信号BWとして、前述したセルフリフレッシュモード信号またはパワーアップのときの信号は、デューティ比検知部201Aを検知速度増加モードに切り換えて検知速度を増加させる制御信号である。前記検知速度増加モードのとき、検知速度増加信号BWは、デューティ比検知部201Aに流れる電流量を増加させ、補正信号A、Bが更に速く遷移できるようにする。したがって、前記検知速度増加モードの場合はデューティ比検知速度が増加し、前記検知速度増加モードでない場合はデューティ比補正回路は既存のデューティ比検知速度を有する。
図3Bは、図2のデューティ比検知部201の第2詳細構成図である。
図3Aとは異なって、図3Bのデューティ比検知部201Bは、主クロックCLKOUTに応答して充電/放電する第1電荷保存部315と、副クロックCLKOUTBに応答して充電/放電する第2電荷保存部317とを備え、第1電荷保存部および第2電荷保存部315、317の各々の電荷量に応答してイネーブルされる補正信号A、Bを出力し、第1電荷保存部および第2電荷保存部315、317の充電容量は検知速度制御信号BWにより調整される。
この場合、デューティ比検知速度の増加は、デューティ比検知部201Bの第1電荷保存部および第2電荷保存部315、317の充電容量を調整することによって行われる。第1電荷保存部および第2電荷保存部315、317の充電容量が減少すると、第1電荷保存部および第2電荷保存部315、317が電荷を更に多く保存できないことから、補正信号A、Bの論理レベルは更に速く遷移する。すなわち、デューティ比検知部201Bの検知速度が速くなり、デューティ比補正部202においてデューティ比補正速度も増加する。
同図に示すように、デューティ比検知部201Bは、詳細にクロックCLKOUT、CLKOUTBのデューティ比に応じて情報信号A、Bを生成する充電/放電部321と、デューティ比検知部201Bの出力端に接続されて充電/放電し、補正信号A、Bの論理レベルの遷移速度を調整する第1電荷保存部および第2電荷保存部315、317と、検知速度制御信号BWに応答して第1電荷保存部および第2電荷保存部315、317の充電容量を調整することによってデューティ比検知部201Bの検知速度を調整する検知速度調整部319と、検知信号ENに対応して補正信号A、Bをハイレベルにリセットするリセット部323と、検知信号ENに対応してデューティ比検知部201Bを活性化する活性化部325とを備える。
図3Bのデューティ比検知部201Bは、図3Aのように検知速度調整部319を備えているが、その構成は異なる。検知速度調整部319は、検知速度制御信号BWに応答してターンオフされ、ターンオフのとき第1電荷保存部および第2電荷保存部315、317の充電容量を減少させるPMOSトランジスタT12から構成される。また、第1電荷保存部および第2電荷保存部315、317が検知速度調整部319によって接続を切ることのできる並列に接続された2つのキャパシタから構成される点が異なる。
検知速度増加モードのとき、検知速度制御信号BWが検知速度調整部319のPMOSトランジスタT12をターンオフさせ、第1電荷保存部および第2電荷保存部315、317を構成する2つのキャパシタに接続が切れる。キャパシタは、並列接続のとき充電容量が増加することから、接続が切れると充電容量は減少する。したがって、第1電荷保存部および第2電荷保存部315、317は、前記キャパシタが並列に接続されているとき更に充電することのできる電荷の量が減少するため、補正信号A、Bレベルの遷移が速くなり、デューティ比補正速度も速くなる。
図3Aが、デューティ比検知部201Aに流れる電流量を増加させ、第1電荷保存部および第2電荷保存部307、309の充電/放電の速度を増加させることでデューティ比検知部201の検知速度を増加させることとは異なって、図3Bのデューティ比検知部201Bは、第1電荷保存部および第2電荷保存部315、317の充電容量を減少させ、デューティ比検知部201の検知速度を増加させる。
図4は、図3Aおよび図3Bのデューティ比検知部201A、201Bに印加される検知信号ENを生成する検知信号発生部401の回路図である。
デューティ比補正部202の動作方式がデジタルの場合、すなわち、デューティ比補正部202が補正信号A、Bレベルの遷移可否を検知して動作する場合は、補正信号A、Bのリセットが必要である。したがって、補正信号A、Bのレベルの遷移速度が速くなった後、検知信号ENの周期を減少させるとリセットが速くなり、したがって、デューティ比検知速度を更に増加させ得る。補正信号A、Bレベルの遷移可否を検知して動作する過程については後述する図9の説明を参照する。
検知信号発生部401は、検知速度制御信号BWに応答してイネーブル区間が減少した検知信号ENを出力し、それによってデューティ比検知速度が速くなると補正信号A、Bレベルの遷移速度が速くなる。したがって、デューティ比補正部202が補正信号A、Bレベルの遷移可否を更に速く認知することができる。その後、補正信号A、Bをハイレベルにリセットすることにより補正信号A、Bの次のレベルの遷移を認知することができる。検知信号発生部401は、補正信号A、Bのリセットを更に速くし、検知動作を更に速く行えるように検知信号ENの周期を減少、つまり周波数を増加させる。すなわち、補正信号A、Bのレベルの遷移速度が速くなった分だけ検知信号ENのイネーブル区間を減少すると更に速くデューティ比を検知することができる。
検知信号発生部401は、一定の周波数を有する検知信号ENを発生する発振器403、および検知速度制御信号BWに応答して前記検知信号ENの周波数を増加させて出力する周波数制御機405を備える。
検知速度制御信号BWがローレベルにディセーブルされた場合、周波数制御機405のPMOSトランジスタをターンオンする。この場合、発振器403のインバータとNANDゲートとの全てが使用される。したがって、発振器403によりハイレベルおよびローレベルを周期的に繰り返す前記一定の周波数の検知信号EN_1が出力される。
検知速度制御信号BWがハイレベルにイネーブルされた場合、周波数制御機405のNMOSトランジスタをターンオンする。この場合、発振器403のインバータおよびNANDゲートのうちの一部のみが使用される。したがって、検知速度制御信号BWがディセーブルされた場合の検知信号EN_1の周波数よりも増加した周波数を有する検知信号EN_2が生成される。すなわち、検知信号EN_2のイネーブル区間が検知信号EN_1のイネーブル区間よりも減少する。
したがって、デューティ比検知部201A、201Bは、検知速度制御信号BWがディセーブルされた場合は検知信号EN_1を使用し、イネーブルされた場合は検知信号EN_2を使用することによって、検知速度増加モード時に検知速度を増加させることができる。検知速度制御信号BWがハイレベルにイネーブルされた場合に第1パスゲート407をターンオンさせて第2パスゲート409をターンオフさせることで、検知信号発生部401は検知信号EN_2を出力する。検知速度制御信号BWがローレベルにディセーブルされた場合、第1パスゲート407をターンオフさせて第2パスゲート409をターンオンさせることで、検知信号発生部401は検知信号EN_1を出力する。
一方、本発明の他の実施形態によると、検知信号発生部401は、一定周期の検知信号ENを発生する発振器403で構成されず、補正信号A、Bのレベルの遷移を検知した後、直ちに補正信号A、Bをリセットする検知信号ENを生成するよう構成され得る。
図5は、検知信号の周波数に係る補正信号の波形図である。
同図に示すように、検知速度増加モードでない場合も補正信号A、Bは、互いに反対のレベルに遷移し、検知信号ENも周期的にイネーブルおよびディセーブルされる。検知信号ENがディセーブルされた場合、補正信号A、Bはハイレベルにリセットされる。補正信号Aは実線、補正信号Bは点線で表示されている。
検知速度増加モードの場合、補正信号A、Bは、検知速度調整部303、319によりレベルの遷移速度が増加する。すなわち、補正信号A、Bは更に短い時間内で互いに反対のレベルに遷移する。検知信号発生部401は、更に短い周期でイネーブルおよびディセーブルされる検知信号ENを出力する。補正信号A、Bが短い時間内で反対のレベルに遷移した分だけ更に速く補正信号A、Bをリセットしてデューティ比検知過程を進行することによって、デューティ比検知部201A、201Bでデューティ比検知速度が更に高まり得る。
図6は、検知速度制御信号BWを一定時間の間に生成する検知速度制御信号生成部601の回路図である。
検知速度制御信号生成部601は、検知速度増加モードの場合、一定時間の間にデューティ比検知部201A、201Bのデューティ比検知速度を増加させる検知速度制御信号BWを出力する役割を果たす。すなわち、検知速度制御信号生成部601は、検知速度増加モードに切り換えるとき、デューティ比検知部201A、201Bの検知速度を前記一定時間の間に増加させる役割を果たす。
図面に示すように、検知速度増加モード情報を有する第1パルス信号を発生するパルス発生器603と、第1パルス信号によりハイレベルにセットされてシフトされる、前記一定時間の間に検知速度制御信号BWを発生するシフトレジスタ605と、第1パルス信号をシフトレジスタ605に伝達するNANDゲート611ないし614とを備える。
このとき、前記シフトレジスタは、D−フリップフロップ(DFF)を備えて構成され得る。
パワーアップ信号PWRUPの入力時、パワーアップパルス発生器607により検知速度増加モード情報を有するローレベルのパルスが発生する。このとき、セルフリフレッシュ信号SREFはローレベルであって、したがって、セルフリフレッシュパルス発生器609により引続きハイレベルのパルスが出力される。したがって、NANDゲート611ないし614の出力信号はハイレベルを有し、シフトレジスタ605のフリップフロップ615ないし618のS端子にSET信号として入力される。すると、シフトレジスタ605は、主クロックCLKOUTにより右側にシフトされつつ、ハイレベルの信号を出力する。このとき、ハイレベルの信号の出力回数はシフトされる回数に応じて決定され、4つのフリップフロップ615ないし618を用いて4回シフトされるシフトレジスタ605が使用されたことから、デューティ比補正部202が出力する主クロックCLKOUTの4周期の間に検知速度制御信号BWはハイレベルにイネーブルされる。
一方、ハイレベルのセルフリフレッシュ信号SREFの入力時、セルフリフレッシュパルス発生器609によって検知速度増加モード情報を有するローレベルのパルスが発生する。このとき、パワーアップ信号PWRUPはローレベルであり、したがって、パワーアップパルス発生器607にハイレベルのパルスが出力される。それによりNANDゲート611は、一方の入力端に印加されたハイレベルの電源電圧VDDおよび他の入力端に印加されたハイレベルのパワーアップパルス発生器607の出力によりローレベルの信号を出力する。このとき、ハイレベルのパワーアップパルス発生器607の出力およびハイレベルのセルフリフレッシュパルス発生器609の出力により、NANDゲート612ないし614の出力信号はハイレベルを有し、シフトレジスタ605のフリップフロップ616ないし618にはSET信号が入力される。パワーアップ信号の入力時とは異なって、セルフリフレッシュ信号は、3つのNANDゲート612ないし614にのみ入力され、よって、3つのフリップフロップ616ないし618のみを用いて3回のシフトが引き起こる。
ここで、前記シフト回数は、検知速度制御信号生成部601の設計に応じて多様に設定され得ることで、本発明の一実施形態では一例を挙げたにすぎない。
パワーアップ信号PWRUPおよびセルフリフレッシュ信号SREFが印加されない場合は、パルス発生器603の2つの出力信号の論理レベルがハイレベルを有するため、NANDゲート611ないし614の出力のすべてがローレベルを有するようになって、フリップフロップ615ないし618にSET信号が入力されない。シフトレジスタ605には、接地電圧VSSが印加されるため、SET信号が入力されない場合、検知速度制御信号BWはローレベルにディセーブルされる。
図7は、本発明の他の実施形態に係るデューティ比補正回路のブロック図である。
同図に示すように本発明は、デューティ比検知部701およびデューティ比補正部703を備える。デューティ比検知部701は、図2のデューティ比検知部201の主クロックCLKOUTと副クロックCLKOUTBとの立上りエッジ間の幅に対応し、基準クロック信号ICLKおよび反転された基準クロック信号ICLKBを発生するクロックエッジパルス発生部705を更に備えて構成される。本実施形態において、主クロックCLKINとは、基準クロック信号ICLKの立上りエッジ情報を有するパルス形態の信号であり、副クロックCLKINBとは、基準クロック信号ICLKの立下りエッジ情報を有するパルス形態の信号である。
すなわち、基準クロック信号ICLKは、前記主クロックの立上りエッジでイネーブルされ、前記副クロックの立上りエッジでディセーブルされるクロック信号である。
前述した通りに、主クロックCLKINおよび副クロックCLKINBを使用する理由は、DDR(Double Data Rate)同期式メモリ装置の場合、基準クロック信号ICLKの立上りエッジおよび立下りエッジでデータを入出力することから、基準クロック信号ICLKの立上りエッジおよび立下りエッジの情報を有する信号のみを使用してもデータの入出力には問題がないためである。
デューティ比補正部703は、主クロックCLKINおよび副クロックCLKINBに相異なる遅延を与えて、位相差が180度になるよう補正する。図2のデューティ比補正回路と大きな相違点はないものの、基準クロック信号ICLKの立上りエッジ情報を有する主クロックCLKINおよび基準クロック信号ICLKの立下りエッジ情報を有する副クロックCLKINBを利用し、デューティ比補正部703が、主クロックCLKOUTと副クロックCLKOUTBとの位相差を180度に補正するという点が違う。したがって、主クロックCLKINおよび副クロックCLKINBを基準クロック信号ICLKに還元させてデューティ比補正の過程を進行する。
図7の実施形態は、主クロックCLKINおよび副クロックCLKINBの立上りエッジが180度の位相差を有するようにした発明、またはデューティ比補正回路であるとみなすことができる。その理由は、デューティ比が50%になるということは、クロック信号と反転されたクロック信号の立上りエッジが180度の位相差を有すると説明できるからである。したがって、図7の実施形態はデューティ比を50%に補正するのではないものの、主クロックCLKINと副クロックCLKINBとの立上りエッジが180度の位相差を有するよう補正する点で、デューティ比補正回路であるとみなすことができる。
クロックエッジパルス発生部705が、主クロックCLKOUTおよび副クロックCLKOUTBの基準クロック信号ICLKおよび反転された基準クロック信号ICLKBを生成すると、デューティ比検知部201は、基準クロック信号ICLKおよび反転された基準クロック信号ICLKBのデューティ比を検知する。デューティ比検知部201は、デューティ比を検知した後、補正信号A、Bを出力する。このとき、検知速度増加モードの場合、検知速度調整部303によりデューティ比検知部201に流れる電流量を増加させ、デューティ比検知部201の検知速度を増加させる。
本実施形態では、デューティ比補正部703が図3において説明したように、補正信号A、Bが反対のレベルに遷移したか否かを認知し、発生した2進コードによりデジタルに調整される。したがって、コード信号発生部709が加えられるとともに、検知信号発生部401によってデューティ比検知速度は更に増加する。
コード信号発生部709は、補正信号A、Bが入力されて補正信号A、Bの論理レベルが反対に遷移したことを認知し、第2パルス信号を発生する。そして、コード信号発生部709は、第2パルス信号でカウンタをカウントして補正信号A、Bを2進コードに変換する。これは補正部707との関係において遅延を調整するためにトランジスタ(図10で後述)をターンオンおよびターンオフするためである。
図8は、図7のクロックエッジパルス発生部705の詳細構成図である。
同図に示すように本発明は、主クロックCLKOUTが入力され、基準クロック信号の立上りエッジ情報を抽出するために主クロックCLKOUTの立上りエッジで立上りパルス信号を発生する第1信号入力部801と、副クロックCLKOUTBが入力され、基準クロック信号の立下りエッジ情報を抽出するために副クロックCLKOUTBの立上りエッジで立下りパルス信号を発生する第2信号入力部802と、第1信号入力部および第2信号入力部801、802のパルス信号の情報を用いて基準クロック信号および反転された基準クロック信号を出力する信号出力部803とを備える。
なお、第1信号入力部801は、主クロックCLKOUTおよびデューティ比補正イネーブル信号DCCENが入力される第1NANDゲート端804と、第1NANDゲート端804の出力信号が入力されてローレベルの立上りパルス信号を生成する立上りパルス発生器806とを備える。第2信号入力部802は、副クロックCLKOUTBおよびデューティ比補正イネーブル信号が入力される第2NANDゲート端805と、第2NANDゲート端805の出力信号が入力されてローレベルの立下りパルス信号を生成する立下りパルス発生器807とを備える。信号出力部803は、前記立上りおよび立下りパルス信号が入力される第1インバータおよび第2インバータ809、811と、第1インバータおよび第2インバータの出力信号の論理レベルを維持する第1ラッチおよび第2ラッチ813、815と、第1ラッチおよび第2ラッチ813、815の出力信号を反転する第3インバータおよび第4インバータ817、819とを備える。
主クロックCLKOUTおよび副クロックCLKOUTBは、各々のデューティ比補正イネーブル信号DCCEN、DCCENBと共に第1NANDゲート端および2NANDゲート端804、805を介してパルスを発生させる立上りおよび立下りパルス発生器806、807に入力される。立上りおよび立下りパルス発生器806、807は、主クロックCLKOUTおよび副クロックCLKOUTBの立上りエッジでローレベルの立上りおよび立下りパルス信号を生成する。まず、主クロックCLKOUTの立上りエッジで第1インバータ809のPMOSトランジスタおよび第2インバータ811のNMOSトランジスタがターンオンされる。
したがって、第1ラッチ813および第3インバータ817を介して基準クロック信号ICLKは、ハイレベル信号として出力され、第2ラッチ815および第4インバータ819を介した反転された基準クロック信号ICLKBは、ローレベル信号として出力される。その後、副クロックCLKOUTBの立上りエッジで第1インバータ809のNMOSトランジスタおよび第2インバータ811のPMOSトランジスタがターンオンされる。したがって、基準クロック信号ICLKはローレベル信号として出力され、反転された基準クロック信号ICLKBはハイレベル信号として出力される。
すなわち、クロックエッジパルス発生部705は、基準クロック信号ICLKの立上りエッジの情報を有する主クロックCLKOUTの立上りエッジから基準クロック信号ICLKの立下りエッジの情報を有する副クロックCLKOUTBの立上りエッジまでハイレベルの信号を出力し、副クロックCLKOUTBの立上りエッジから主クロックCLKOUTの立上りエッジまでローレベルの信号を出力することによって、基準クロック信号ICLKを生成する。したがって、主クロックCLKOUTと副クロックCLKOUTBとの立上りエッジの位相差が180度にならなければ、立上りパルス信号ICLKおよび立下りパルス信号ICLKBのハイレベルおよびローレベルの区間の幅が異なってしまう。
ここで、第1ラッチおよび第2ラッチ813、815は、主クロックCLKOUTの立上りエッジと副クロックCLKOUTBの立上りエッジとの間で基準クロック信号ICLKおよび反転された基準クロック信号ICLKBのレベルを維持する役割を果たす。
図9は、図7のコード信号発生部709の詳細構成図である。
補正信号A、Bの論理レベルが反対になると、これを認知したXOR部901の出力は、ローレベルからハイレベルになる。前記ハイレベル信号は第2パルス発生部903を介して、ハイレベルのパルス信号CNT_CLKが生成される。パルス信号CNT_CLKは、アップダウンカウンタ905および検知速度制御信号副生成部601に入力される。アップダウンカウンタ905は、入力信号INCに応じてアップダウンを決定し、入力されるパルス信号CNT_CLKの立上りエッジでトリガしてカウントする。アップダウンカウンタ905は2進コードの補正信号CODE<0:2>を出力し、2進コードの補正信号CODE<0:2>は補正部707に入力され、トランジスタ(図10で後述)をターンオンおよびターンオフさせる。
図6の検知速度制御信号生成部601に入力されるパルス信号CNT_CLKに応答してシフトレジスタ605はシフト動作を行う。
本発明では、3ビットのアップダウンカウンタを使用したが、これはコード信号発生部709の設計に応じて多様に使用し得る。
図10は、図7の補正部707の詳細構成図である。
主クロックCLKINを通過させる多数の並列接続遅延部1001ないし1003、および副クロックCLKINBを通過させる多数の並列接続遅延部1004ないし1008を備えて構成されている。遅延部1001ないし1008は、2進コードの補正信号CODE<0:2>およびその反転信号CODEB<0:2>により動作するインバータの構造である。第1遅延部および第5遅延部1001、1005のトランジスタは常にターンオンされ、第2遅延部、第3遅延部、第4遅延部、第6遅延部、第7遅延部、第8遅延部1002、1003、1004、1006、1007、1008のトランジスタは、コード信号発生部709の2進コードの補正信号CODE<0:2>によりターンオンおよびターンオフされる。また、第2遅延部、第3遅延部、第4遅延部1002、1003、1004および第6遅延部、第7遅延部、第8遅延部1006、1007、1008は、互いに相補的な構造であって、例えば、第2遅延部1002のトランジスタがターンオンされれば第6遅延部1006のトランジスタはターンオフされる構造である。
2進コードの補正信号CODE<0:2>に応じて動作する遅延部1001ないし1008の数が決定され、動作する遅延部1001ないし1008の個数に応じて駆動力に差が生じることで、遅延の差を誘発する。すなわち、動作する遅延部1001ないし1008の個数が多い方が駆動力が高く、そのため前記クロックが更に速く遷移する。これは、動作しない遅延部1001ないし1008の個数が多い方と相対的に遅延の差を誘発し、主クロックCLKINおよび副クロックCLKINBの立上りエッジ間に位相差を180度で補正する。
例えば、主クロックCLKINの通過する遅延部1001ないし1004が副クロックCLKINBの通過する遅延部1005ないし1008よりも多く動作する場合、図面に示すように主クロックCLKOUTが副クロックCLKOUTBよりも速く遷移する。
図11は、図7のデューティ比補正回路の動作を説明するためのタイミングダイヤグラムである。
図面に示すように、主クロックCLKINと副クロックCLKINBとの立上りエッジの位相差は180度にならない。したがって、図7および図8のクロックエッジパルス発生部705を通過するとデューティ比が50%にならない基準クロック信号ICLKおよび反転された基準クロック信号ICLKBが生成される。その後、デューティ比検知部201を通過するが、基準クロック信号ICLKおよび反転された基準クロック信号ICLKBのデューティ比に応じて補正信号A、Bは異なる論理レベルに遷移する。
図面に示すように、基準クロック信号ICLKのハイレベル区間の幅がローレベル区間よりも狭いことから、第1補正信号Aの論理レベルはハイレベルに、そして第2補正信号Bの論理レベルはローレベルに遷移する。
上記の場合、主クロックCLKINの遅延は減らす一方、副クロックCLKINBの遅延は増加させることで、立上りエッジの位相差が180度になり得る。初期にアップダウンカウンタ905の初期値を000に設定すると、補正部707で主クロックCLKINを通過させる遅延部1002ないし1004のトランジスタのすべてはターンオフされ、副クロックCLKINBを通過させる遅延部1006ないし1008のトランジスタのすべてはターンオンされる。アップダウンカウンタ905の入力信号INCにより2進コードの補正信号CODE<0:2>は、001、011、111のようにアップカウントされ、主クロックCLKINを通過させる遅延部902ないし904(図面には図示せず)のトランジスタは1つずつターンオンされ、副クロックを通過させる遅延部1006ないし1008のトランジスタは1つずつターンオフされる。すると、インバータの駆動力の差によって主クロックCLKINの遅延は減少し、副クロックCLKINBの遅延は増加する。このような過程を介して主クロックCLKOUTと副クロックCLKOUTBとの立上りエッジの位相差は減少して180度に達する。
図12は、本発明の他の実施形態に係るデューティ比補正回路のブロック図である。
図7で説明したデューティ比補正回路にオフセット補正回路が加えられたものである。半導体装置が精密に製造されても半導体装置内のプロセス、電圧レベル、および温度などの環境変数の変化に応じてオフセットが発生し得る。このような誤差は、半導体装置が高集積化されて高速化されるほど無視できない値となる。本発明は、このようなオフセットを補正することのできるデューティ比補正回路である。
クロックエッジパルス発生部1201は、オフセットを補正するために共通クロック信号OSCLKを受信して2つのパルス信号ICLK、ICLKBを作り出す。このとき、オフセット補正動作は、オフセット補正イネーブル信号ICCENによりイネーブルされる。共通クロック信号OSCLKは、オフセットの存在有無を把握するため、第1信号入力部および第2信号入力部801、802に入力される信号である。
同じ共通クロック信号OSCLKを受信して基準クロック信号ICLKおよび反転された基準クロック信号ICLKBを作ることから、基準クロック信号と反転された基準クロック信号ICLK、ICLKBとの波形が同一であればオフセットが存在しないということであり、同一でなければオフセットが存在するということである。
デューティ比検知部1203は、基準クロック信号ICLKおよび反転された基準クロック信号ICLKBが入力されてデューティ比に対応する補正信号A、Bを発生する。オフセットが存在しなければ、基準クロック信号ICLKおよび反転された基準クロック信号ICLKBの波形は同一、すなわち、パルス幅が同一であるため同じ補正信号A、Bが作られる。しかし、オフセットが存在すれば、基準クロック信号ICLKと反転された基準クロック信号ICLKBとのパルス幅に差があるため、同一でない補正信号A、Bが作られる。
コードカウンタ1205は、オフセットが存在する場合、同一でない補正信号A、Bの差を検知し、これを補正することのできる2進コード信号CODE、CODEBをデューティ比検知部1203に出力する。コードカウンタ1205は、補正信号A、Bの差に応じて2進コード信号CODE、CODEBを増加または減少させ、補正信号A、Bが同一またはバンバンエラー(bang bang error)を有する値を有すると、2進コード信号CODE、CODEBを固定させる。2進コード信号CODE、CODEBは連続的な値ではないため、補正信号A、Bを正確に一致させることは難しく、補正信号A、Bがバンバンエラーを有するとオフセットが補正されたものと判断する。
一実施形態として、コードカウンタ1205は、当業者において広く知られた追跡型ADコンバータで構成することができ、この場合、追跡型ADコンバータはオフセットによる補正信号A、Bの差を追跡し、補正信号A、Bが同一またはバンバンエラーを有するまでアップダウンカウントを行なって2進コード信号CODE、CODEBを出力する。
デューティ比検知部1203は、2進コード信号CODE、CODEBにより補正信号A、Bの各出力端側に流れる電流の量に差をおいて、補正信号A、Bが同じ値またはバンバンエラーを有するようにしてオフセットを補正する。
オフセットの補正後、デューティ比の補正動作を行うが、このとき、前述した通りにセルフリフレッシュおよびパワーアップモードの場合は、早くデューティ比を補正する方が有利である。本発明ではこのような場合、検知速度制御信号BWが検知速度調整部303および検知信号発生部401をイネーブルさせ、デューティ比検知部1203の検知速度を増加させる。
前記クロックエッジパルス発生部1201に入力されるオフセット補正イネーブル信号ICCENは、オフセット補正動作活性化信号である。
図13は、図12のクロックエッジパルス発生部1201の回路図である。
図8のクロックエッジパルス発生部705の回路図にオフセットパルス発生部1301が加えられた形態である。
オフセット補正イネーブル信号ICCENにより共通クロック信号OSCLKは、オフセットパルス発生部1301を介して第1インバータおよび第2インバータ809、811に入力される。オフセットパルス発生部1301は、クロックエッジパルス発生部1201の出力端、すなわち第1インバータおよび第2インバータ809、811の各々に同じ信号を印加し、基準クロック信号ICLKおよび反転された基準クロック信号ICLKBが共通クロック信号OSCLKのような形態のクロック信号を有する。
パスゲート部1303は、オフセット補正イネーブル信号ICCENによりオフセット補正動作時、オフセット補正のために第3信号入力部1305の出力信号を通過させ、オフセット補正後は、デューティ比補正のために第1信号入力部および第2信号入力部801、802の出力信号を通過させる。
クロックエッジパルス発生部1201は、オフセットを補正した後、図8で説明したクロックエッジパルス発生部705のような方式でデューティ比を補正する。
図14は、図12のデューティ比検知部1203の回路図である。
図7のデューティ比検知部201の回路図にオフセット補正部1401が加えられた形態である。クロックエッジパルス発生部1201の基準クロック信号ICLKおよび反転された基準クロック信号ICLKBがオフセットによって一致しないとき、基準クロック信号と反転された基準クロック信号ICLK、ICLKBとを一致させてオフセットを補正するのは困難である。代りに、オフセットが存在する基準クロック信号ICLKおよび反転された基準クロック信号ICLKBによる補正信号A、Bを一致させることは、オフセットがない場合のような効果を招くことから、補正信号A、Bを一致させることによってオフセットは補正され得る。
オフセット補正部1401は、デューティ比検知部1203の出力端に接続されたキャパシタ1407、1409の充電/放電速度を調整することでオフセットを補正する。例えば、反転された基準クロック信号ICLKBのハイレベル区間が、基準クロック信号ICLKのハイレベル区間よりも広い場合、補正信号A、Bに差が発生する。はじめに第2補正信号Bの論理レベルが更に下降されるため、副キャパシタ1409の充電/放電速度を遅くするためにオフセット補正部1401は、第2補正信号Bの出力端側の抵抗値を増加させてキャパシタ1409に流れる電流量を減少させる。反対に、オフセット補正部1401は、第1補正信号Aの出力端側の抵抗値を減少させてキャパシタ1407に流れる電流量を増加させる。したがって、第1補正信号Aのレベルの遷移速度は増加し、第2補正信号Bのレベルの遷移速度は減少し、補正信号A、Bを一致またはバンバンエラーを有するようにしてオフセットを補正する。
本発明におけるオフセット補正部1401は、抵抗値を調整することのできる可変抵抗で構成され、2進コード信号CODE、CODEBに対応して可変抵抗の抵抗値を調整しながら電流量も調整し得る。
本発明は、たとえとして限定された実施形態および図面に基づいて説明されたが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者によって本発明の技術思想および特許請求範囲の均等な範囲内で多様な修正および変形が可能であることはもちろんである。
Claims (20)
- 検知速度制御信号によりデューティ比検知速度が調整され、クロックのデューティ比を検知して補正信号を出力するデューティ比検知部と、
前記補正信号に応答して前記クロックのデューティ比を調整するデューティ比補正部と、
を備えることを特徴とするデューティ比補正回路。 - 前記補正信号は、主クロックおよび副クロック各々に応答して充電/放電されてイネーブルされ、自身に流れる電流量は前記検知速度制御信号により調整されることを特徴とする請求項1に記載のデューティ比補正回路。
- 前記デューティ比検知部は、
該デューティ比検知部の出力端に接続されて充電/放電され、かつ前記補正信号の論理レベルの遷移速度を調整する電荷保存部と、
前記クロックのデューティ比に応じて前記電荷保存部を充電/放電し、かつ前記補正信号を生成する充電/放電部と、
前記検知速度制御信号に応答して前記デューティ比検知部に流れる電流量を調整することによって、前記電荷保存部の充電/放電の速度を調整する検知速度調整部と、
を備えることを特徴とする請求項2に記載のデューティ比補正回路。 - 前記検知速度調整部は、前記検知速度制御信号がイネーブルされた場合、前記デューティ比検知部に流れる電流量を増加させることを特徴とする請求項3に記載のデューティ比補正回路。
- 前記デューティ比検知部は、
該デューティ比検知部をイネーブルする検知信号を生成し、かつ前記検知速度制御信号に応答して前記検知信号のイネーブル区間を減少させる検知信号発生部と、
前記検知信号のディセーブル区間に前記補正信号をリセットさせるリセット部と、
を更に備えることを特徴とする請求項2に記載のデューティ比補正回路。 - 前記検知信号発生部は、
一定の周波数を有する前記検知信号を発生する発振器と、
前記検知速度制御信号に応答し、前記一定の周波数を増加させて前記検知信号を出力する周波数制御機と、
を備えることを特徴とする請求項5に記載のデューティ比補正回路。 - 検知速度増加モードの場合、一定時間の間前記デューティ比検知部の検知速度を増加させる前記検知速度制御信号を出力する検知速度制御信号調整部を更に備えることを特徴とする請求項2に記載のデューティ比補正回路。
- 前記検知速度制御信号調整部は、
前記検知速度増加モード情報を有する第1パルス信号を発生するパルス発生器と、
前記第1パルス信号によりハイレベルにセットされてシフトされる前記一定時間の間に前記検知速度制御信号を発生するシフトレジスタと、
を備えることを特徴とする請求項7に記載のデューティ比補正回路。 - 前記デューティ比補正回路は、初期パワーアップ時に前記検知速度増加モードに切り換えることを特徴とする請求項7に記載のデューティ比補正回路。
- 前記デューティ比補正回路は、セルフリフレッシュモード時に前記検知速度増加モードに切り換えることを特徴とする請求項7に記載のデューティ比補正回路。
- 前記デューティ比検知部は、主クロックに応答して充電/放電される第1電荷保存部と、副クロックに応答して充電/放電される第2電荷保存部とを備え、前記第1電荷保存部および第2電荷保存部の各々の電荷量に応答してイネーブルされる前記補正信号を出力し、前記第1電荷保存部および第2電荷保存部の各々の充電容量は、前記検知速度制御信号により調整されることを特徴とする請求項1に記載のデューティ比補正回路。
- 前記デューティ比検知部は、
前記デューティ比検知部の出力端に接続して充電/放電され、かつ前記補正信号の論理レベルの遷移速度を調整する前記第1電荷保存部および第2電荷保存部と、
前記クロックのデューティ比に応じて前記第1電荷保存部および第2電荷保存部の各々を充電/放電し、かつ前記補正信号を生成する充電/放電部と、
前記検知速度制御信号に応答して前記第1電荷保存部および第2電荷保存部の各々の充電容量を調整することによって、前記デューティ比検知部の検知速度を調整する検知速度調整部と、
を備えることを特徴とする請求項11に記載のデューティ比補正回路。 - 前記検知速度調整部は、前記検知速度制御信号がイネーブルされた場合、前記第1電荷保存部および第2電荷保存部の各々の充電容量を増加させることを特徴とする請求項12に記載のデューティ比補正回路。
- 前記デューティ比検知部は、
前記デューティ比検知部をイネーブルする検知信号を生成し、かつ前記検知速度制御信号に応答して前記検知信号のイネーブル区間を減少させる検知信号発生部と、
前記検知信号のディセーブル区間に前記補正信号をリセットさせるリセット部と、
を更に備えることを特徴とする請求項11に記載のデューティ比補正回路。 - 前記検知信号発生部は、
一定の周波数を有する前記検知信号を発生する発振器と、
前記検知速度制御信号に応答し、前記一定の周波数を増加させて前記検知信号を出力する周波数制御機と、
を備えることを特徴とする請求項14に記載のデューティ比補正回路。 - 検知速度制御信号によりデューティ比検知速度が調整され、主クロックおよび副クロックの立上りエッジの間幅を検知して補正信号を出力するデューティ比検知部と、
前記補正信号に応答して前記主クロックと前記副クロックとの位相差が180度になるよう補正する補正部と、
を備えることを特徴とするデューティ比補正回路。 - 前記デューティ比検知部は、
前記主クロックの立上りエッジでイネーブルされ、前記副クロックの立上りエッジでディセーブルされる基準クロック信号と、前記副クロックの立上りエッジでイネーブルされ、前記主クロックの立上りエッジでディセーブルされる反転された基準クロック信号とを生成するクロックエッジパルス発生部と、
前記検知速度制御信号に応答して検知速度を調整し、前記基準クロック信号および反転された基準クロック信号に応答して前記補正信号を出力するデューティ比検知部と、
を備えることを特徴とする請求項16に記載のデューティ比補正回路。 - 前記補正信号は、前記基準クロック信号および反転された基準クロック信号の各々に応答して充電/放電されてイネーブルされ、自身に流れる電流量は、前記検知速度制御信号により調整されることを特徴とする請求項17に記載のデューティ比補正回路。
- 前記デューティ比検知部は、前記基準クロック信号に応答して充電/放電される第1電荷保存部と、前記反転された基準クロック信号に応答して充電/放電される第2電荷保存部とを備え、前記第1電荷保存部および第2電荷保存部の各々の電荷量に応答してイネーブルされる補正信号を出力し、前記第1電荷保存部および第2電荷保存部の各々の充電容量は、前記検知速度制御信号により調整されることを特徴とする請求項17に記載のデューティ比補正回路。
- 前記デューティ比補正回路は、前記クロックエッジパルス生成部に同じ共通クロック信号を入力して出力信号を比較し、前記充電/放電の速度を各々独立的に調整して前記補正信号を同一にすることを特徴とする請求項18または19に記載のデューティ比補正回路。
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