JP2009270880A5 - - Google Patents

Description

電子デバイスの電気的試験用接触子、その製造方法及びプローブ組立体

電子デバイスの電気的試験に用いる接触子、接触子組立体及びその製造方法に関する。

半導体ウエーハに形成された未切断の集積回路や、半導体ウエーハから切断された集積回路のような半導体デバイスは、該半導体デバイスが仕様書通りに製造されているか否かの電気的な試験をされる。

この種の電気的試験は、半導体デバイスのパッド電極に個々に押圧される複数のプローブすなわち接触子を配線基板やプローブ基板等の基板に配置したプローブカードを用いて行われる。そのようなプローブカードは、パッド電極と、試験装置すなわちテスターの電気回路とを電気的に接続するようにテスターに取り付けられる。

電気的試験は、プローブカードをテスターに取り付け、接触子とパッド電極とを接触させて電気的に接続した状態で、行われる。

近年、より高い集積度を有しかつより小さい集積回路の需要が高まり、それにより集積回路は、隣り合うパッド電極を非常に接近されて、パッド電極の配置ピッチを狭くされている。そのような集積回路の電気的試験に用いるプローブカードにおいては、試験の効率を向上させる点から、半導体ウエーハ上の未切断の複数の集積回路の同時試験が可能であることが要求されている。

そのため、接触子の配置ピッチがパッド電極の配置ピッチに合致するように、接触子を狭ピッチで基板に配置しなければならないから、隣り合う接触子同士が非常に近接した状態に接触子を基板に接合しなければならない。

上記のような条件下において、プローブカードに組み立てる際や修復の際に接触子を基板に接合する技術の１つとして、レーザー光を熱源として用いる技術が提案されている（特許文献１）。

しかし、上記のように接触子を狭ピッチで基板に接合しなければならないと、接触子を基板に接合する際に、既にその基板に接合されている他の接触子がレーザー光の熱により針先に位置ずれを生じることがある。針先に位置ずれを生じた接触子を備えるプローブカードは、針先の位置がパッド電極の位置に対応しないから、試験に用いることができない。

特開２００２−３１６５２号公報

本発明の目的は、接触子を狭ピッチで基板に接合する際に、レーザーの熱により生じる隣の接触子の位置ずれを防止することにある。

本発明者らは、他の接触子がレーザー光の熱を受けて昇温し、他の接触子を基板に接合している半田のような固化した接合材が軟化又は溶融し、その結果他の接触子の針先に位置ずれが生じることを見出し、本発明を完成した。

本発明に係る、電子デバイスの電気的試験用接触子は、基板に接合される第１の領域と、該第１の領域から伸びる、弾性変形可能の第２の領域と、該第２の領域から下方へ突出する第３の領域であって電子デバイスの電極に接触される針先を有する第３の領域と、光の反射率が前記第１の領域のそれより低い低光反射膜であって前記第１の領域の前記基板への接合箇所の少なくとも一部の表面に形成された低光反射膜とを含む。

前記低光反射膜は、可視光の反射率が前記第１の領域を形成している材料による可視光の反射率よりも低い材料で形成されていてもよい。

前記低光反射膜は、前記基板への当該接触子の接合に用いるレーザー光の被照射箇所の少なくとも一部に形成されていてもよい。

少なくとも前記第１の領域は前後方向を厚さ方向とする板の形状を有しており、前記第２の領域は、前記第１の領域と平行の面内を前記第１の領域の下端部から左右方向における少なくとも一方へ伸びていてもよい。

前記低光反射膜は黒色を呈することができる

前記第２の領域は、前記第１の領域から左右方向における少なくとも一方へ伸びる弾性変形可能のアーム領域を備え、前記第３の領域は、前記アーム領域から下方へ伸びる台座領域と、該台座領域から下方へ突出する接触部であって下端を前記針先とする接触部とを含むことができる。

本発明に係る接触子組立体は、上記のような複数の接触子と、該接触子が前記第１の領域において接合された基板とを含む。
上記のような接触子を用いる通電試験用接触子組立体の製造方法では、前記第１の領域、前記第２の領域及び前記第３の領域を含む本体をベース部材に形成する工程と、光反射率が前記第１の領域のそれより低い低光反射膜を前記第１の領域の少なくとも前記基板への接合箇所の少なくとも一部に堆積により形成して接触子を製造する工程と、製造された接触子を基板に接合する工程であって、溶融性の結合材を前記接触子及び前記基板の少なくとも一方に付着させた状態で、光線を前記低光反射膜に照射する工程とを含む。

前記堆積は、電気メッキ、スパッタリング及び蒸着のいずれか１つにより行ってもよい。

接触子を基板に接合するためのレーザー光のような光線が低光反射膜に照射されると、低光反射膜は光線の熱エネルギーを他の箇所より多く吸収して昇温する。このため、熱エネルギーの小さい光線を用いて接触子を基板に接合することができる。その結果、既に基板に接合されている隣の接触子及びその接触子を基板に接合している接合材に影響を及ぼす熱エネルギーが小さく、隣の接触子の位置ずれが防止される。

低光反射膜が、基板への当該接触子の接合に用いる加熱用光線の被照射箇所近傍に形成されているか又は第２の領域が第１の領域から伸びる側と反対の側に向く第１の領域の面に形成されていれば、次に基板に接合される接触子に用いる加熱用光線の影響が著しく低減する。

また、低光反射膜は黒色を呈していると、低光反射膜は加熱用光線の熱エネルギーを効率よく吸収して、第１の領域を効果的に昇温させる。

［用語の定義］

本発明においては、基板への接触子の接合側及び針先の側をそれぞれ上方及び下方とする方向（図２における上下方向）を上下方向といい、接触子のアーム部の先端部側及び基端部側をそれぞれ左方及び右方とする方向（図２における左右方向）を左右方向といい、上下方向及び左右方向に直交する方向（図２における紙背方向、すなわち接触子の厚さ方向）を前後方向という。

しかし、それらの方向は、多数の接触子が配置された基板をテスターに取り付けた状態におけるその基板の姿勢に応じて異なる。したがって、例えば、本発明でいう上下方向は、多数の接触子が配置された基板をテスターに取り付けた状態において、上下逆となる状態であってもよいし、斜めの方向となる状態であってもよい。

[電気的接続装置及び接触子の実施例]

図１を参照するに、電気的接続装置１０は、半導体ウエーハに形成された集積回路のような半導体デバイス１２を平板状の被検査体とし、その半導体デバイス１２が仕様書通りに製造されているか否かの電気的試験において、半導体デバイス１２のパッド電極のような電極１４とテスター（図示せず）とを電気的に接続するために用いられる。

半導体デバイス１２は、図示の例では、半導体ウエーハに形成された未切断のものであるが、切断された半導体デバイスであってもよい。電気的接続装置１０を用いる電気的試験においては、複数の半導体デバイス１２が同時に電気的試験をされる。

電気的接続装置１０は、電気的試験用の複数の接触子１６を備えるプローブカード１８と、半導体デバイス１２を上面に受けるチャックトップ２０とを含む。チャックトップ２０は、チャックトップ２０を少なくとも前後方向、左右方向及び上下方向の三方向に三次元的に移動させる検査ステージ（図示せず）に支持されている。

図２から図４に示すように、各接触子１６は、上下方向へ伸びる板状の取り付け領域２４と、取り付け領域２４の下端部から左右方向における少なくとも一方の側へ伸びる、弾性変形可能の板状のアーム領域２６と、アーム領域２６の先端部から下方へ突出する板状の台座領域２８と、台座領域２８の下端から下方へ突出する板状又は柱状の接触部３０とを含む。

取り付け領域２４は、後に説明するようにプローブ基板５４に備えられた取り付けランド５８に上端部において接合される板状の取り付け部２４ａと、取り付け部２４ａの下端部から下方へ伸びる板状の延長部２４ｂとを一体的に有する。

アーム領域２６は、上下方向に間隔をおいて左右方向へ伸びる板状の第１及び第２のアーム部３２及び３４と、第１及び第２のアーム部３２及び３４をそれらの先端部及び基端部においてそれぞれ連結する板状の第１及び第２の連結部３６及び３８とを備える。

アーム領域２６は、また、アーム領域２６が取り付け領域２４（実際には、延長部２４ｂ）の下端部に一体的に続くと共に、第１及び第２のアーム部３２，３４が延長部２４ｂの下端部から左右方向における一方側（図２において、左方側）へ伸びるように、基端側（図２において、右端側）に位置する第２の連結部３８において取り付け領域２４に支持されている。

台座領域２８は、該台座領域２８が第２のアーム部３４の先端側（図２において、左端側）を左右方向及び下方へ伸びており、また第２のアーム部３４の先端側の下縁部と第１の連結部３６の下縁部とに一体的に続いている。

接触子本体を共同して形成する、取り付け領域２４、アーム領域２６及び台座領域２８は、前後方向におけるほぼ同じ均一の厚さ寸法を有する一体的な板の形状とされている。したがって、接触子１６は、全体的に平坦な板状とされている。

接触部３０は、下端を半導体デバイス１２の電極に押圧される針先とされており、また、前後方向を厚さ方向とする板の形状を有する。接触部３０の下端面すなわち針先は、半導体デバイス１２の電極に押圧されるように、水平の平坦面又は水平面に対し傾斜した平坦面とされている。前後方向における接触部３０の厚さ寸法は、同方向における他の部位、特に接触子本体の厚さ寸法より小さい。

図示の実施例において、取り付け領域２４は第１の領域を形成しており、アーム領域２６は第２の領域を形成しており、台座領域２８は、接触部３０と共に第３の領域を形成していると共に、取り付け領域２４及びアーム領域２６と共同して、接触子本体を形成している。台座領域２８を省略して、接触部３０をアーム領域２８から下方へ突出させてもよい。

接触子本体を共同して形成する、取り付け領域２４、アーム領域２６及び台座領域２８の素材として、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケル・リン合金（Ｎｉ−Ｐ）、ニッケル・タングステン合金（Ｎｉ−Ｗ）、ロジウム（Ｒｈ）、燐青銅、パラジウム・コバルト合金（Ｐｄ−Ｃｏ）、及びパラジウム・ニッケル・コバルト合金（Ｐｄ−Ｎｉ−Ｃｏ）等、高い靱性を有する導電性金属材料をあげることができる。

接触部３０の素材として、タングステン（Ｗ）、ロジウム（Ｒｈ）、コバルト（Ｃｏ）等のように、接触子本体よりも高い硬度を有する材料を挙げることができる。しかし、接触部３０の素材は、接触子本体を形成している材料と同じ材料であってもよいし、接触子本体を形成している材料と同程度の硬度を有する材料であってもよい。

各接触子１６は、また、光の反射率が、接触子本体、特に取り付け領域２４を形成している材料による光反射率よりも低い光反射率を有する低光反射膜４０を含む。低光反射膜４０は、低光反射膜４０による可視光の反射率が取り付け領域２４を形成している材料による可視光の反射率よりも低い材料を用いて形成されている。

図示の例では、低光反射膜４０は、取り付け領域２４の、アーム領域２６が取り付け領域２４から伸びる側と反対の側に向く面の上半部と、厚さ方向における一方の面（図２において、裏側の面）の上端部とに形成されている。しかし、低光反射膜４０は、取り付け領域２４の基板への接合箇所の少なくとも一部の表面に形成すればよい。

低光反射膜４０は黒色とすることができる。しかし、低光反射膜４０は、青色、紺色、茶色等、黒色に近い色であってもよい。低光反射膜４０は、熱吸収率が接触子本体、特に取り付け領域２４を形成している材料の熱吸収率よりも高い熱吸収率を有する材料で形成されていればよい。

そのような低光反射膜４０の素材として、ニッケル−亜鉛（Ｎｉ−Ｚｎ）合金、ニッケル−錫（Ｎｉ−Ｓｎ）合金、黒ロジウム、黒ルテニウム等の導電性金属材料をあげることができる。そのような材料は、いずれも、接触子本体よりも黒い色を呈し、また熱吸収率が接触子本体よりも大きい。

上記のような接触子１６は、フォトレジストの露光及び現像と、現像により形成され凹所への導電性材料の堆積とを複数回以上行うことにより製造することができる。

再度図１を参照するに、プローブカード１８は、上記のような複数の接触子１６の外に、ガラス入りエポキシのような電気絶縁材料で製作された配線基板５０と、配線基板５０の下面に取り付けられたセラミック基板５２と、セラミック基板５２の下面に取り付けられたプローブ基板５４と、配線基板５０の上面に取り付けられた補強板５６とを含む。

配線基板５０とセラミック基板５２とは、互いに電気的に接続された複数の内部配線を有しており、また複数のねじ部材により相互に結合されている。配線基板５０は、図示しないテスターに電気的に接続されるテスターランドのような複数の接続端子を上面の外周縁部に有している。各接続端子は配線基板５０の内部配線に電気的に接続されている。

プローブ基板５４は、セラミック基板５２の内部配線に電気的に接続された複数の内部配線を多層に有する多層基板とされており、またプローブ基板５４の内部配線に電気的に接続された複数の平坦な取り付け部、すなわち取り付けランド５８（図３及び図４参照）を下面に有する。

各接触子１６は、取り付けランド５８に取り付けられている。プローブ基板５４は、セラミック基板５２に一体的に接合されて、接触子１６と共にプローブ組立体を形成している。

補強板５６は、ステンレスのような金属材料で製作されており、またセラミック基板５２と共同して配線基板５０の撓みを防止している。

チャックトップ２０は、半導体デバイス１２を真空的に吸着して移動不能に維持する。チャックトップ２０を移動させる図示しない検査ステージは、チャックトップ２０を、前後方向、左右方向及び上下方向の３方向に移動させる三次元移動機構の機能を備えていると共に、チャックトップ２０を上下方向へ伸びる軸線の周りに角度的に回転させるθ移動機構の機能を備えている。

［接触子の接合方法の実施例］

図３及び図４を参照してプローブ基板５４への各接触子１６の取り付け方法について以下に説明する。

先ず、各接触子１６は、半田や導電性接着剤のように導電性及び熱溶融性を有する接合材４２が取り付け領域２４の上端部に付着される。

次いで、少なくともプローブ基板５４がその上下を逆にされた状態において、各接触子１６が取り付け領域２４の上端をプローブ基板５４の取り付けランド５８に直立状態に維持される。

次いで、上記状態で加熱源としてのレーザー光４４が取り付け領域２４から伸びるアーム領域２６の側と反対の側から、低光反射膜４０、取り付け領域２４及び接合材４２に照射される。レーザー光４４は、図４に示すように、隣の接触子１６に照射されないようなスポット径を有する光線とされている。

上記レーザー光４４の照射により、低光反射膜４０、取り付け領域２４の上端部及び接合材４２はレーザー光４４の熱エネルギーを吸収し、接合材４２は溶融する。

次いで、レーザー光４４の照射が中止される。これにより、低光反射膜４０、取り付け領域２４の上端部及び接合材４２の温度が低下して、接合材４２が固化する。これにより、各接触子１６は、取り付け領域２４の上端部において取り付けランド５８に片持ち梁状に接合される。

レーザー光４４による接合は、接触子１６がパッド電極１４に一対一の形に対応されて、その接触子１６の針先の座標位置が対応するパッド電極１４の座標位置と一致するように、接触子１６毎に行われる。

上記のような接合過程において、低光反射膜４０は、レーザー光４４の熱エネルギーを接触子１６の他の箇所よりも効率よく吸収して、取り付け領域２４の上端部を効率的に昇温させる。このため、熱エネルギーの小さいレーザー光４４を用いて接触子１６をプローブ基板５４の取り付けランド５８に接合することができる。

上記のように少熱エネルギーのレーザー光を用いることにより、プローブ基板５４に既に接合されている隣の接触子１６と、隣の接触子１６をプローブ基板５４に接合している接合材４２とに影響を及ぼす熱エネルギーが著しく低減し、隣の接触子１６をプローブ基板５４に接合している接合材４２が軟化又は溶融されず、隣の接触子１６の位置ずれが防止される。

これに対し、図９及び図１０に示すように、低光反射膜を備えていない従来の接触子４６は、接触子１６と同じ条件で接触子４６をプローブ基板５４の取り付けランド５８に接合しようとすると、レーザー光４４の熱エネルギーが不足し、接合材４２が溶融しない。

このため、従来の接触子４６では、高熱エネルギーのレーザー光４４を用いなければならない。しかし、そのような高熱エネルギーのレーザー光４４を用いると、隣の接触子１６をプローブ基板５４に接合している接合材４２が吸収する熱エネルギーが多くなるから、その結合材４２が軟化又は溶融し、隣の接触子４６が図１０に点線で示す正常の状態から実線で示す傾斜した状態に変位して針先の位置ずれをする。

上記のように針先に位置ずれを生じた接触子４６を備えるプローブカード１８は、針先の座標位置が対応するパッド電極１４の座標位置に一致しないから、対応するパッド電極１４に押圧されない。その結果、針先に位置ずれを生じた接触子４６を備えるプローブカード１８は、位置ずれを生じた接触子４６を接合し直さないかぎり、半導体デバイス１２の電気的試験に用いることができない。

レーザー光４４が上記と逆の方向、すなわちアーム領域２６の先端から照射される場合には、低光反射膜４０を少なくとも取り付け領域２４の、上記と逆の側に向く面、すなわちアーム領域２６の先端側に向く面に設けてもよい。

また、低光反射膜４０を、取り付け領域２４、特に取り付け部２４ａの全表面に設けてもよいし、上端面以外の取り付け領域２４、特に取り付け部２４ａの全表面に設けてもよい。

しかし、低光反射膜４０は、熱エネルギーの吸収効率を向上させる点から、少なくともレーザー光４４を照射する側に向く面に設けることが好ましい。

上記のように多数の接触子１６を多数プローブ基板５４に配置したプローブカード１８は、チャックトップ２０を含むテスターに取り付けられる。各接触子１６は、プローブカード１８がテスターに取り付けられた状態において、接触子１６の針先をパッド電極１４に押圧され、それによりオーバードライブが接触子１６に作用する。

これにより、接触子１６は、アーム領域２６において弾性変形して、パッド電極１４の表面の酸化膜を針先で削り取る。電極表面の酸化膜を針先で削り取る作用は、試験すべき半導体デバイス１２毎に繰り返される。

上記のような接触子１６は、露光技術を用いるフォトリソグラフィー技術と、電気メッキ技術、スパッタリング技術、蒸着技術等を用いる導電性金属材料の堆積技術とを利用して、製作することができる。

[接触子の製造方法の実施例]

以下、図５及び図６を用いて、接触子１６の製造方法の実施例について説明する。図５及び図６は、図２における５-５線に沿って得た断面図である。

先ず、図５（Ａ）に示すように、シリコン製又はステンレス製の板状をしたベース部材６０が準備され、接触部３０がタングステン、ロジウム、コバルト等の高硬度の導電性金属材料を用いてベース部材６０の上面に形成された後に、ベース部材６０の上面にフォトレジスト６２が塗布により層状に形成される。

次いで、図５（Ｂ）に示すように、フォトレジスト６２が、マスクをかけられた状態で露光され、その後現像処理をされる。これにより、接触子本体を模る凹所６４がフォトレジスト６２に形成される。

次いで、図５（Ｃ）に示すように、接触子本体を模る本体部６６が、電気メッキ、スパッタリング、蒸着等の堆積技術により凹所６４に形成される。

本体部６６は、ニッケル・リン合金、ニッケル・タングステン合金（Ｎｉ−Ｗ）、ロジウム、燐青銅、ニッケル、パラジウム・コバルト合金、パラジウム・ニッケル・コバルト合金等、接触部３０より靭性に優れた導電性金属材料を用いて形成される。

次いで、図５（Ｄ）に示すように、フォトレジスト６２が除去された後、ベース部材６０及び本体部６６の上にフォトレジスト６８が塗布により層状に形成される。

次いで、図５（Ｅ）に示すように、フォトレジスト６８が、マスクをかけられた状態で露光され、その後現像処理をされる。これにより、低光反射膜４０を模る空間すなわち凹所７０がフォトレジスト６８に形成される。

次いで、図６（Ａ）に示すように、ニッケル−亜鉛合金、ニッケル−錫合金、黒ロジウム、黒ルテニウム等の導電性金属材料からなる膜７２が、電気メッキ、スパッタリング、蒸着等の堆積技術により凹所７０に形成される。膜７２は、既に述べた低光反射膜４０として作用する。

次いで、図６（Ｂ）に示すように、フォトレジスト６８が除去される。これにより、図２から図４に示すように、低光反射膜４０を取り付け領域２４の、アーム領域２６が取り付け領域２４から伸びる側と反対の側に向く面の上半部と、厚さ方向における一方の面の上端部とに有する完成した接触子１６が露出される。

次いで、図６（Ｃ）に示すように、完成した接触子１６がベース部材６０から剥ぎ取られる。これにより、低光反射膜４０を所定の箇所に有する接触子１６が製造される。

低光反射膜４０を接触子１６の他の箇所に形成する実施例を図７及び図８に示す。

図７は、低光反射膜４０を接触子本体の厚さ方向における一方の面の全面に形成する例である。この実施例においては、図５（Ｃ）に示す工程の後、膜７２（４０）が既に述べた堆積技術により凹所７０に形成される。

図８は、低光反射膜４０を接触子本体の厚さ方向における一方の面の一部に形成する例である。この実施例においては、図５（Ｄ）に示す工程の後、膜７２（４０）を模る凹所７４がフォトレジスト６８に形成され、膜７２（４０）が凹所７４に既に述べた堆積技術により凹所７４に形成される。

アーム領域２６は、２つのアーム部３２及び３４を備える必要はなく、単一のアーム部を備えていてもよい。この場合、連結部３６，３８を省略し、台座領域２８を単一のアーム部の先端側に該先端側と一体的に形成し、延長部２４ｂを単一のアーム部の後端側に一体的に形成してもよい。

本発明は、また、図２に示すようなクランク状の構造・形状を有する接触子のみならず、導電性金属細線から形成された既存の構造・形状を有する接触子、特許文献１に記載されているようにＳ字状に曲げられた接触子等、第２の領域が弾性変形可能の他の構造・形状を有する接触子にも適用することができる。

いずれの構造・形状を有する接触子であっても、基板に接合される箇所の面積、特に面積を大きくして接合強度を高くするためには、少なくとも取り付け領域２４、特に取り付け部２４ａを板状とすることが望ましい。

本発明は、上記実施例に限定されず、その趣旨を逸脱しない限り、種々変更することができる。

本発明に係る電気的接続装置の一実施例を示す図である。 本発明に係る接触子の一実施例を示す正面図である。 図２に示す接触子の基板への接合方法を説明するための図である。 図３における右側面図である。 本発明に係る接触子の製造方法を説明するための工程図である。 本発明に係る接触子の製造方法を説明するための図５に続く工程図である。 本発明に係る接触子の他の製造方法を説明するための工程図である。 本発明に係る接触子のさらに他の製造方法を説明するための工程図である。 従来の接触子とその接合方法を説明するための図である。 図９における右側面図である。

１０ 電気的接続装置
１２ 半導体デバイス
１４ パッド電極
１６ 接触子
１８ プローブカード
２０ チャックトップ
２４ 第１の領域
２４ａ 取り付け部
２４ｂ 延長部
２６ 第２の領域
２８ 台座領域
３０ 接触部
３２，３４ 第１及び第２のアーム部
３６，３８ 第１及び第２の連結部
４０ 低光反光射膜
４２ 接合材
４４ レーザー光

Claims (9)

1. 基板に接合される第１の領域と、該第１の領域から伸びる、弾性変形可能の第２の領域と、該第２の領域から下方へ突出する第３の領域であって電子デバイスの電極に接触される針先を有する第３の領域と、光の反射率が前記第１の領域のそれより低い低光反射膜であって前記第１の領域の前記基板への接合箇所の少なくとも一部の表面に形成された低光反射膜とを含む、電子デバイスの電気的試験用接触子。
2. 前記低光反射膜は、可視光の反射率が前記第１の領域を形成している材料による可視光の反射率よりも低い材料で形成されている、請求項１に記載の接触子。
3. 前記低光反射膜は、前記基板への当該接触子の接合に用いるレーザー光の被照射箇所の少なくとも一部に形成されている、請求項１及び２のいずれか１項に記載の接触子。
4. 少なくとも前記第１の領域は前後方向を厚さ方向とする板の形状を有しており、前記第２の領域は、前記第１の領域と平行の面内を前記第１の領域の下端部から左右方向における少なくとも一方へ伸びている、請求項１から３のいずれか１項に記載の接触子。
5. 前記低光反射膜は黒色を呈する、請求項１から５のいずれか１項に記載の接触子。
6. 前記第２の領域は、前記第１の領域から左右方向における少なくとも一方へ伸びる弾性変形可能のアーム領域を備え、前記第３の領域は、前記アーム領域から下方へ伸びる台座領域と、該台座領域から下方へ突出する接触部であって下端を前記針先とする接触部とを含む、請求項１から５のいずれか１項に記載の接触子。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載の複数の接触子と、該接触子が前記第１の領域において接合された基板とを含む、接触子組立体。
8. 基板に接合される第１の領域と、該第１の領域から左右方向へ伸びる第２の領域と、該第２の領域から下方へ突出する第３の領域であって電子デバイスの電極に接触される針先を有する第３の領域とを含む通電試験用接触子組立体の製造方法であって、
   前記第１の領域、前記第２の領域及び前記第３の領域を含む本体をベース部材に形成する工程と、
   光反射率が前記第１の領域のそれより低い低光反射膜を前記第１の領域の少なくとも前記基板への接合箇所の少なくとも一部に堆積により形成して接触子を製造する工程と、
   製造された接触子を基板に接合する工程であって、溶融性の結合材を前記接触子及び前記基板の少なくとも一方に付着させた状態で、光線を前記低光反射膜に照射する工程とを含む、電子デバイスの通電試験用接触子組立体の製造方法。
9. 前記堆積は、電気メッキ、スパッタリング及び蒸着のいずれか１つにより行われる、請求項８に記載の方法。